JPS6278856A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6278856A
JPS6278856A JP60219397A JP21939785A JPS6278856A JP S6278856 A JPS6278856 A JP S6278856A JP 60219397 A JP60219397 A JP 60219397A JP 21939785 A JP21939785 A JP 21939785A JP S6278856 A JPS6278856 A JP S6278856A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［Ｍ乗上の利用分野Ｊ この発明は半導体装置、特に紫外線消去型半導体記憶装
Ｍ　Ｏ）構造に関する。
［従来の技術］ 第３図は従来の紫外線消去型半導体記憶装置からなる半
導体装置のＭ４造を概略的に示す断面図であり、たとえ
ば特開昭６０−８３３５１号公報に開示されている。第
３図において、従来の紫外線消去型半導体記憶装置ｉ２
（以下、ＥＰＲＯＭと記す）からなる半導体装置は、リ
ードフレーム上に紫外線被照射面を上にして装着される
ＥＰＲＯＭ半導体チップ４と、ＥＰＲＯＭ半導体チップ
４上に形成され、与えられた紫外線を透過させる紫外線
透過樹脂層６と、紫外線透過層６１に形成され、外部か
らの紫外線を導入するための紫外線透過窓材７と、ＥＰ
Ｏ〜１半導体ブップ４と金属細線３を介して接続され、
信号の入出力端子となる外部り一ド２と、半導体チップ
・１を外部環境から防護することなどを目的とする合成
樹脂パッケージ１とから１に成される。次（二第３図に
示さ４％　４　Ｅ　Ｆ　ＲＯＭが有する記憶情報を消去
するメモリ消去動作について説明する。
この半導体装置に５いては、外部より紫外線照射窓材７
を／？　１．てＥ　Ｐ　ＲＯＭ半導体デツプ４に直接紫
外線が照射される。ここで、紫外Ｐｉｌ透過樹脂ｌＪ６
は、紫外線透過窓材７からの不純物等がＥＰＲＯＭ半導
体チップ４上に悪影響を＆ぼさないようにする役目を有
している。ＥＰＲＯＭは、与えられた紫外線に応答して
、電気的に書込まれた記憶情報を消去する。ＥＰＲＯＭ
における具体的な記憶情報の消去動作（たとえば７０−
ティングゲートからの電荷の放出）については省略する
。
第４図はＥ　Ｐ　ＲＯＭ半導体チップを一般の紫外線透
過性を有しない合成り４脂のみを用いて封止した書換え
不可能なＦＲＯＭ半導体装置の概略構成を示す図である
。第４図において、リードフレーム上（こ装着された半
導体チップ４と、半導体チップ４ど金属細線３を介して
接続され、信号の入出力ζ：七子となろ外部り−・ド２
と、リードフレーム。
半導体チップ・１および金、属１１３を封止する合成Ｐ
Ａ脂パッケージ１とから構成される。７４４図ｔこ示さ
れる半導体装置においＣは、Ｅ　Ｐ　ＲＯｌｖｌの鷹モ
リ消去性能を放棄し、紫外線を透過しない安（西な合成
■脂（パックー））１で封止し、これにより低価格を実
現している。この半導体装置においては、封１１：樹脂
（合成樹脂パッケージ）１が繋外線透過性を有しないた
め、一度電気的に１込まれたＰＲＯ〜１が有する記憶清
？ｇ（メモリ内容）は消去不可能となる。
［発明が解決しようとする問題点］ 第３図に示される従来の半導体装３においては、上）ホ
のように、紫外線透過窓材および紫外線透過性樹脂（３
）を使用しなければならず、引立工程が複電になり、通
常の合成樹脂封止半導体装置と同程度の価格を実現する
ことは困難であった。また、紫外線透過窓１号と合成樹
脂とは異なる材料で形成されているので、その露出して
いる界面より水分が侵入しやすく耐湿性が劣るなどの問
題点があった。
また、第４図に示される従来の半導体装置においては、
封止する８成樹脂が紫外線を透過しないなδす１．メモ
リ内容を消去りることができず、出荷＾らに半導体装置
の機能検査を十分に行なうことができないという問題点
かあった。
それゆえ、この発明の目的は、上述のような問題点を除
去し、メモリ内容の消去かできるとともにｒｒ４湿性等
の濁れた安価で高ずｔ輪度の半導体装置ＪＦｒ捉（ハす
ることである。
Ｌ問題点を解？λするための手段］ この発明にかがる半導体装置は、Ｅ　Ｆ’　ＲＯＭ半導
体チップの紫外線被照射面上にたとえばＸ線である高エ
ネルキ瞭に応答して紫外線を発生するエネルギ線助起紫
外線発生層を設け、ざらに半導体ブノブ、紫外線発生居
を台戊樹脂着で被覆したちのＳある。
好ましくは、紫外線発生層は半導体チップの紫外線被照
射面上に形成される紫外線透過層と、紫外線透過層上に
形成されるエネルギ線励起紫外線発光型螢光材層との２
層構選にされる。
［作用］ 全体を被覆する合成樹脂層はたとえばＸ線であるエネル
ギ線を透過する。したがって、外部からエネルギ線を照
射すると、紫外線発生層はこのエネルギ線に応答して励
起されて紫外線を発生し、半導体チップの紫外線被照射
面を介してＥＦＲＯＭへ紫外線を与える。これによりＥ
ＰＲＯＭのメモリ内容の消去をすることができる。
［発明の実施例］ 第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の概略構
成を示す断面図である。第１図において、半導体装置は
、リードフレーム上に紫外線被照射面を上にして装着さ
れるＥＰＲＯＭ半導体チップ４と、ＥＰＲＯＭ半導体チ
ップ４上に紫外線被照射面を覆うように形成され、Ｘ線
によって励起されて紫外線を発光する螢光材を含むコー
ティング層５と、ＥＰＲＯＭ半導体チップ４と金属細線
３を介して接続されて信号の入出力端子となる外部リー
ド２と、リードフレーム、半導体チップ４およびコーテ
ィング１ｉｉ７５を覆うように形成されてパッケージ本
体となる合成樹脂層１とから構成される。次に第１図に
示される半導体装置においてＥＰＲＯＭのメモリ消去動
作について説明する。
外部より第１図のＡで示される矢印方向よりＸ線が照射
される。Ｘ線はパッケージ本体である合成樹脂層１を透
過することができ、ＥＰＲＯＭ半導体チップ４の紫外線
被照射面上に形成されたＸ線励起紫外線発光型の螢光材
を含むコーティング層５に到達する。Ｘ線励起紫外線発
光型螢光材を含むコーティングＷＩ５に到達したＸ線は
このコーティング層５に含まれる螢光材に吸収される。
Ｘ線を吸収して励起された螢光材は紫外線を発生し、Ｅ
ＰＲＯＭ半導体チップ４の紫外線被照射面を介してＥＰ
ＲＯＭ半導体チップ４にその紫外線を照射する。この紫
外線に応答して、半導体チップ４上のＥＰＲＯＭのメモ
リの内容が消去される。
第２図はこの発明の他の実施例である半導体装置の概略
構成を示す断面図である。第２図に示される半導体装置
においては、第１図に示される半導体装置と異なり、紫
外線発生層が２層ｊＭ造にされている。すなわち、半導
体チップ４上に形成される紫外線透過樹脂Ｐｍ６と、紫
外線透過樹脂層６上に形成されるＸ線励起紫外１ｍ発光
型螢光材を含むコーティング層５とから構成される。こ
のような構成とすることにより、紫外線発光型螢光材を
含むコーティング層５に含まれるたとえばナトリウム費
場素等の不純物がＥＰＲＯＭに悪影響を及ぼすのを防止
することができる。この第２図に示される半導体装置に
おけるメモリ消去動作は第１図に示される半導体装置の
場合と同一である。
なお、上記実施例においては、紫外線を発生させるエネ
ルギ線としてｘｍを用いている場合について説明したが
、用いるエネルギ線はＸ線に限定されず他のたとえばγ
線などのエネルギ線を用いても同様の効果を得ることが
できる。
［発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、半導体チップ上に紫
外線発生層を設け、この半導体チップおよび紫外線発生
層を覆うように合成樹脂パッケージを形成しているので
、紫外線透過窓材を用いる必要がないので、組立工程が
簡略化され、かつ材料費も低減することができ、安価な
半導体装置を実現することができる。また、紫外線透過
窓材を用いる必要がないので、紫外線透過窓材と合成樹
脂との界面がなくなり、耐湿性等の特性も改善すること
ができ、高信頼度の半導体装置を実現することができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の概略構
成を示す断面図である。第２図はこの発明の他の実施例
である半導体装置の概略構成を示す断面図である。 第３図は従来の半導体装置の概略構成を示す断面図であ
る。第４図は従来の書換えの不可能なＰＲＯＭ半導体装
置の概略構成を示す断面図である。 図において、１はパッケージ本体を構成する合成樹脂層
、２は外部リード、３は金属細線、４はＥＰＲＯＭ半導
体チップ、５はＸ線励起紫外線発光型螢光材を含むコー
ディング層、６は紫外ＭＡ′ｆｉ過樹脂層、７は紫外線
透過窓材である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　　　大　　岩　　増　　雄 １圓　　　　非Ａ ＋　：　ｇｌ’；、Ｆｉｔ耳旨ｔｉ−ｒ”ｒ−’；　　
　　　　　　　ｓ　：　を外ｈ　ａ　ＡｔｊをｔＢ’ｉ
／ｆ７：嘔井轢危五寛材 昭和　　年　　月　　日 士、１１許庁長官殿　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　イ１、事件の表示　　　特願昭６０−２１９
３９７号２、発明の名称 半導体装置 ３、補正をする者 、″′＋鴫、、。 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第３頁第１０行ないし第１２行の「紫外線透過窓
材７からの不純物がＥＰＲＯＭ半導体チップ４上に悪影
響を及ぼさないように］を「紫外線を透過させない合成
樹脂が侵入しないように紫外線透過窓材７とＥＰＲＯＭ
半導体チップ４の間に、」に訂正する。 以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）紫外線被照射面を介して与えられる紫外線により
    その記憶内容が消去される紫外線消去型半導体記憶装置
    を含む半導体装置であつて、前記紫外線消去型半導体記
    憶装置がその上に形成され、かつ前記紫外線被照射面を
    有する半導体チップと、 前記紫外線被照射面上に形成され、外部から与えられる
    エネルギ線に応答して紫外線を発生する紫外線発生層と
    、 前記半導体チップおよび前記紫外線発生層とを覆うよう
    に形成される合成樹脂層とを備える、半導体装置。
  2. （２）前記紫外線発生層は、 前記紫外線被照射面上に形成される紫外線透過層と、 前記紫外線透過層上に形成され、外部から与えられるエ
    ネルギ線に応答して紫外線を発生するエネルギ線励起紫
    外線発生型螢光材層とから構成される、特許請求の範囲
    １項記載の半導体装置。
JP60219397A 1985-09-30 1985-09-30 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0642518B2 (ja)

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US06/900,441 US4707725A (en) 1985-09-30 1986-08-26 Fluorescent coating for uv sensitive semiconductor device

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