JPS5975496A - Ｅｐｒｏｍのデ−タ消去装置 - Google Patents
Ｅｐｒｏｍのデ−タ消去装置Info
- Publication number
- JPS5975496A JPS5975496A JP57186449A JP18644982A JPS5975496A JP S5975496 A JPS5975496 A JP S5975496A JP 57186449 A JP57186449 A JP 57186449A JP 18644982 A JP18644982 A JP 18644982A JP S5975496 A JPS5975496 A JP S5975496A
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- JP
- Japan
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- eprom
- data
- shutter
- rays
- data erasing
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
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- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＥＰＲＯＭのデータ消去装置に関する。
ここでＥＰＲＯＭとは、Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ ｅ
ｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒ
ｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙの略称で、電気的に書
込み可能で、かつ消去可能な読出し専用メモリのことで
ある。
ｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒ
ｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙの略称で、電気的に書
込み可能で、かつ消去可能な読出し専用メモリのことで
ある。
従来よりＥＰＲＯＭのデータ消去は紫外線をチップに照
射することにより行っており、その為ＥＰＲＯＭのチッ
プはセラミック基体の上にマウントされて然る後に透明
な低融点ガラスにより封着されている。然しなかも、こ
こで使用する材料がセラミックと低融点ガラスという比
較的高価な為、一般にＥＰＲＯＭは高価である。
射することにより行っており、その為ＥＰＲＯＭのチッ
プはセラミック基体の上にマウントされて然る後に透明
な低融点ガラスにより封着されている。然しなかも、こ
こで使用する材料がセラミックと低融点ガラスという比
較的高価な為、一般にＥＰＲＯＭは高価である。
本発明は、上記に鑑み、ＥＰＲＯＭを低価格なプラスデ
ックモールド材に封入してＥＦＲＯＭのデータ消去を最
適量のＸ線を用いて行う事により信頼度が高く、低価格
なＥＰＲＯＭを実現する事を目的とし、そのためのＥＰ
ＲＯＭのデータ消去装置を提供することにある。
ックモールド材に封入してＥＦＲＯＭのデータ消去を最
適量のＸ線を用いて行う事により信頼度が高く、低価格
なＥＰＲＯＭを実現する事を目的とし、そのためのＥＰ
ＲＯＭのデータ消去装置を提供することにある。
以下、本発明を図示する実施例により説明する。
図において、■はＸ線発生装置、２はＸ線のシャッター
、３はＥＰＲＯＭデツプ５が公知のプラスチックモール
ド材によるモールド技術を用いて封入されているＥＰＲ
ＯＭで、リード端子３Ａを有する。４はＥ Ｐ ＲＯＭ
データ検査器であり、ＥＰＲＯＭ３のＲＯＭデータを電
気的に検査し、その結果ＲＯＭデータが完全に消去され
ている状態ならばＸ線シャッタを閉じるように支持する
信号を発生する。またＸ線発生装置１は、発生するＸ線
がシャッター２が開いていれば、ＥＰＲＯＭチップ５に
照射される様に配置されている。６はシャッターの制御
部であり、７は起動スイッチである。
、３はＥＰＲＯＭデツプ５が公知のプラスチックモール
ド材によるモールド技術を用いて封入されているＥＰＲ
ＯＭで、リード端子３Ａを有する。４はＥ Ｐ ＲＯＭ
データ検査器であり、ＥＰＲＯＭ３のＲＯＭデータを電
気的に検査し、その結果ＲＯＭデータが完全に消去され
ている状態ならばＸ線シャッタを閉じるように支持する
信号を発生する。またＸ線発生装置１は、発生するＸ線
がシャッター２が開いていれば、ＥＰＲＯＭチップ５に
照射される様に配置されている。６はシャッターの制御
部であり、７は起動スイッチである。
そこで、上記構成による装置の作動を述べる。
まずＸ線発生装置ｌからＸ線は連続的に発生しているも
のとする。起動スイッチ７をオンすると、シャッター制
御部６が作動して、ＲＯＭデータ検査器４からデータ消
去完了を示す信号が無ければ、すなわちＥＰＲＯＭデー
タが消去されていなければシャッター２を開いてｘ紳を
ＥＰＲＯＭ３へ照射し、ＥＰＲＯＭ３のデータを消去す
る。この状態でＲＯＭデータ検査器４はＥＰＲＯＭ３内
のデータをチェックし続ける６ＥＰＲＯＭ３のデータが
完全に消去されると、直ちにＲＯＭデータ検査器４はデ
ータ消去完了信号を発生し、これを受けてシャッター制
御部６が作動してシャック−２を閉じる。この様にして
ＥＰＲＯＭ３のデータを最適量のＸ線を用いて消去でき
る。これにらり半導体デツプ５の放射線損傷をできるだ
け防止すると共に、確実にＥＰＲＯＭの消去を可能にす
、る。
のとする。起動スイッチ７をオンすると、シャッター制
御部６が作動して、ＲＯＭデータ検査器４からデータ消
去完了を示す信号が無ければ、すなわちＥＰＲＯＭデー
タが消去されていなければシャッター２を開いてｘ紳を
ＥＰＲＯＭ３へ照射し、ＥＰＲＯＭ３のデータを消去す
る。この状態でＲＯＭデータ検査器４はＥＰＲＯＭ３内
のデータをチェックし続ける６ＥＰＲＯＭ３のデータが
完全に消去されると、直ちにＲＯＭデータ検査器４はデ
ータ消去完了信号を発生し、これを受けてシャッター制
御部６が作動してシャック−２を閉じる。この様にして
ＥＰＲＯＭ３のデータを最適量のＸ線を用いて消去でき
る。これにらり半導体デツプ５の放射線損傷をできるだ
け防止すると共に、確実にＥＰＲＯＭの消去を可能にす
、る。
なお、この実施例では、Ｘ線をＥＰＲＯＭ３に照射制御
する為にシャッター２を開閉させていたが、他の手段と
してシャッター制御部６の出力信号によりＸ線の発生袋
Ｗ１の電源をオン・オフする構成を採用しても容易に実
現できる。
する為にシャッター２を開閉させていたが、他の手段と
してシャッター制御部６の出力信号によりＸ線の発生袋
Ｗ１の電源をオン・オフする構成を採用しても容易に実
現できる。
以上述べた如く、本発明では紫外線に代えてＸ線を用い
てＥＦＲＯＭのデータ消去を行なうことが可能となり、
このＥＰＲＯＭには、高価なセラミックパッケージに代
えて安価なプラスチックパッケージを用いることが可能
となる。
てＥＦＲＯＭのデータ消去を行なうことが可能となり、
このＥＰＲＯＭには、高価なセラミックパッケージに代
えて安価なプラスチックパッケージを用いることが可能
となる。
添付図面は本発明の一実施例を示すブロック図である。
１・・・Ｘ線発生装置、２・・・シャッター、３・・・
ＥＰＲＯＭ、４・・・ＲＯＭデータ検査器、５・・・半
導体チップ、６・・・シャッター制御部、７・・・起動
スイッチ。 代理人弁理士 岡 部 隆
ＥＰＲＯＭ、４・・・ＲＯＭデータ検査器、５・・・半
導体チップ、６・・・シャッター制御部、７・・・起動
スイッチ。 代理人弁理士 岡 部 隆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｅ Ｆ ＲＯＭと、このＥＰＲＯＭ内のデータが
消却されているかどうかを判別するＲＯＭデータ検査器
と、Ｘ線発生装置と、前記ＲＯＭデータ検査器の信号に
応じて前記Ｘ線発生装置より発生ずるＸ線が前記ＥＰＲ
ＯＭに照射される量を制御する制御装置とを備えたＥＰ
ＲＯＭのデータ消去装置。 （２）前記制御装置は、Ｘ線の照射を制御するシャッタ
ー及びシャッター制御部を有し、所定の信号入力時より
前記ＲＯＭデータ検査器からのデータ消去完了を示す信
号を受けるまでの間、前記シャッターを開けてＸ線を投
射するように制御するように構成された特許請求の範囲
第１項記載のＥＰＲＯＭのデータ消去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186449A JPS5975496A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | Ｅｐｒｏｍのデ−タ消去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186449A JPS5975496A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | Ｅｐｒｏｍのデ−タ消去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975496A true JPS5975496A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16188645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57186449A Pending JPS5975496A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | Ｅｐｒｏｍのデ−タ消去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975496A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656521A (en) * | 1995-01-12 | 1997-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of erasing UPROM transistors |
| US9633739B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-04-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of erasing information and device for performing same |
| EP4394775A1 (fr) * | 2022-12-27 | 2024-07-03 | Lionel Uzzan | Dispositif et procédé d'effacement de données automatisé |
| WO2024141349A1 (fr) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | Lionel Uzzan | Dispositif et procédé d'effacement de données automatisé |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57186449A patent/JPS5975496A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656521A (en) * | 1995-01-12 | 1997-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of erasing UPROM transistors |
| US9633739B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-04-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of erasing information and device for performing same |
| EP4394775A1 (fr) * | 2022-12-27 | 2024-07-03 | Lionel Uzzan | Dispositif et procédé d'effacement de données automatisé |
| WO2024141349A1 (fr) * | 2022-12-27 | 2024-07-04 | Lionel Uzzan | Dispositif et procédé d'effacement de données automatisé |
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