JPS62261160A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS62261160A JPS62261160A JP61105415A JP10541586A JPS62261160A JP S62261160 A JPS62261160 A JP S62261160A JP 61105415 A JP61105415 A JP 61105415A JP 10541586 A JP10541586 A JP 10541586A JP S62261160 A JPS62261160 A JP S62261160A
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
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- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、外部から与えられるエネルギー線に応答し
て紫外線を発生する紫外線発生層を有する紫外線消去型
半導体記憶装置を備えた半導体装置に関するものである
。
て紫外線を発生する紫外線発生層を有する紫外線消去型
半導体記憶装置を備えた半導体装置に関するものである
。
第３図は外部から与えられるエネルギー線に応答して紫
外線を発生する紫外線発生層を有する紫外線消去型半導
体記憶装置の構造を示す断面図である。同図において、
この種の半導体記憶装置は、リードフレーム上に紫外線
被照射面を上に向けて装着される紫外線消去型半導体記
憶チップ（以下ＥＰＲＯＭ ｆ ツブと称する）１と、
ＥＰＲＯＭ チップ１上に紫外線被照射面を覆うように
形成される紫外線透過層２と、エネルギー線によって励
起されて紫外線を発光する螢光物質を含む紫外線発生層
３と、ＥＰＲＯＭチップ１と金属細線４を介して接続さ
れて信号の入出力端子となる外部リード５と、リードフ
レームを覆うように形成された合成樹脂パッケージ６と
から構成される。
外線を発生する紫外線発生層を有する紫外線消去型半導
体記憶装置の構造を示す断面図である。同図において、
この種の半導体記憶装置は、リードフレーム上に紫外線
被照射面を上に向けて装着される紫外線消去型半導体記
憶チップ（以下ＥＰＲＯＭ ｆ ツブと称する）１と、
ＥＰＲＯＭ チップ１上に紫外線被照射面を覆うように
形成される紫外線透過層２と、エネルギー線によって励
起されて紫外線を発光する螢光物質を含む紫外線発生層
３と、ＥＰＲＯＭチップ１と金属細線４を介して接続さ
れて信号の入出力端子となる外部リード５と、リードフ
レームを覆うように形成された合成樹脂パッケージ６と
から構成される。
このように構成される紫外線消去型半導体記憶装置は、
外部から照射するエネルギー線量を少なくして安定的か
つ短時間に記憶情報を消去することが必要である。
外部から照射するエネルギー線量を少なくして安定的か
つ短時間に記憶情報を消去することが必要である。
従来の紫外線消去型半導体記憶装置は、以上のように構
成されているので、外部からのエネルギー線の照射によ
って発生する紫外線を、ＥＰＲＯＭチップ１の記憶情報
の消去に高効率に作用させにくいという問題点があった
。
成されているので、外部からのエネルギー線の照射によ
って発生する紫外線を、ＥＰＲＯＭチップ１の記憶情報
の消去に高効率に作用させにくいという問題点があった
。
この発明は、前述した問題点を解消するためになされた
もので、紫外線照射効率を改善して外部からのエネルギ
ー線量の低減と記憶情報の消去とを安定的かつ短時間に
達成することができる半導体装置を得ることを目的とす
る。
もので、紫外線照射効率を改善して外部からのエネルギ
ー線量の低減と記憶情報の消去とを安定的かつ短時間に
達成することができる半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係わる半導体装置は、外部からエネルギー線
の照射により紫外線を発生させる紫外線発生層上に、エ
ネルギー線を透過し、紫外線を吸収、透過しない紫外線
反射層を設けたものである。
の照射により紫外線を発生させる紫外線発生層上に、エ
ネルギー線を透過し、紫外線を吸収、透過しない紫外線
反射層を設けたものである。
この発明における紫外線反射層は、たとえばＸ線である
エネルギー線を透過する。したがって、外部からエネル
ギー線を照射すると紫外線発生層はこのエネルギー線に
応答して励起されて紫外線を発生する。ＥＰＲＯＭチッ
プの紫外線被照射面と反対方向の紫外線を前記紫外線反
射層で全反射させＥＰＲＯＭチップの紫外線被照射面を
介してＥＰＲＯＭチップへよシ効率良く紫外線を与える
。これにより、ＥＰＲＯＭチップの記憶内容をよ多少な
いエネルギー線量で安定的かつ短時間に効率良く消去す
ることができる。
エネルギー線を透過する。したがって、外部からエネル
ギー線を照射すると紫外線発生層はこのエネルギー線に
応答して励起されて紫外線を発生する。ＥＰＲＯＭチッ
プの紫外線被照射面と反対方向の紫外線を前記紫外線反
射層で全反射させＥＰＲＯＭチップの紫外線被照射面を
介してＥＰＲＯＭチップへよシ効率良く紫外線を与える
。これにより、ＥＰＲＯＭチップの記憶内容をよ多少な
いエネルギー線量で安定的かつ短時間に効率良く消去す
ることができる。
以下、回部を用いてこの発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図はこの発明による紫外線消去型半導体記憶装置を
備えた半導体装置の一実施例を示す断面図であシ、前述
の図と同一部分に同一符号を付しである。同図において
、紫外線消去型半導体記憶装置は、リードフレーム上に
紫外線被照射面を上に向けて装着されるＥ Ｐ ＲＯＭ
テップ１と、ＥＰＲＯＭテップ１上に紫外線被照射面を
緩うように形成される紫外線透過層２と、Ｘ線のエネル
ギー線によって励起されて紫外線を発光する螢光物質を
含む紫外線発生層３と、紫外線発生層３上を覆うように
形成されかつ紫外線を吸収、透過することのない紫外線
反射層７と、ＥＰＲＯＭチップ１と金属細線４とを介し
て接続されて信号の入出力端子となる外部リード５と、
リードフレームを覆うように形成された合成樹脂パッケ
ージ６とから構成されている。
備えた半導体装置の一実施例を示す断面図であシ、前述
の図と同一部分に同一符号を付しである。同図において
、紫外線消去型半導体記憶装置は、リードフレーム上に
紫外線被照射面を上に向けて装着されるＥ Ｐ ＲＯＭ
テップ１と、ＥＰＲＯＭテップ１上に紫外線被照射面を
緩うように形成される紫外線透過層２と、Ｘ線のエネル
ギー線によって励起されて紫外線を発光する螢光物質を
含む紫外線発生層３と、紫外線発生層３上を覆うように
形成されかつ紫外線を吸収、透過することのない紫外線
反射層７と、ＥＰＲＯＭチップ１と金属細線４とを介し
て接続されて信号の入出力端子となる外部リード５と、
リードフレームを覆うように形成された合成樹脂パッケ
ージ６とから構成されている。
このように構成される紫外線消去型半導体記憶装置にお
いて、外部よシ矢印Ａで示される方向よシＸ線が照射さ
れると、このＸ線はパッケージ６と紫外線反射層７を透
過し、紫外線発生層３に到達する。このＸ線はＸ線励起
紫外線発光型螢光物質に吸収され、螢光物質は励起され
て紫外線を発生する。この紫外線のうちのＥＰＲＯＭチ
ップ１の紫外線被照射面側は紫外線透過層２を透過して
ＥＰ ＲＯＭテップ１に照射される。一方、ＥＰＲＯＭ
チップ１の紫外線被照射面と反対方向の紫外線は、紫外
線発生層３を覆って形成された紫外線の非吸収、透過性
の紫外線反射層７で反射され、ＥＰＲＯＭチップ１の紫
外線照射面を介してＥＰＲＯＭチップ１にその紫外線を
高効率で照射し、安定的かつ短時間でＥＰＲＯＭチップ
１内の記憶内容が消去される０ 第２図はこの発明による紫外線消去型半導体記憶装置の
他の実施例を示す断面図であシ、前述の図と同一部分に
は同一符号を付しである。同図において、第１図と異な
る点は、紫外線発生層３と紫外線反射層７との間に紫外
線透過樹脂層８が形成されている。
いて、外部よシ矢印Ａで示される方向よシＸ線が照射さ
れると、このＸ線はパッケージ６と紫外線反射層７を透
過し、紫外線発生層３に到達する。このＸ線はＸ線励起
紫外線発光型螢光物質に吸収され、螢光物質は励起され
て紫外線を発生する。この紫外線のうちのＥＰＲＯＭチ
ップ１の紫外線被照射面側は紫外線透過層２を透過して
ＥＰ ＲＯＭテップ１に照射される。一方、ＥＰＲＯＭ
チップ１の紫外線被照射面と反対方向の紫外線は、紫外
線発生層３を覆って形成された紫外線の非吸収、透過性
の紫外線反射層７で反射され、ＥＰＲＯＭチップ１の紫
外線照射面を介してＥＰＲＯＭチップ１にその紫外線を
高効率で照射し、安定的かつ短時間でＥＰＲＯＭチップ
１内の記憶内容が消去される０ 第２図はこの発明による紫外線消去型半導体記憶装置の
他の実施例を示す断面図であシ、前述の図と同一部分に
は同一符号を付しである。同図において、第１図と異な
る点は、紫外線発生層３と紫外線反射層７との間に紫外
線透過樹脂層８が形成されている。
このような構成によれば、紫外線発生層３と紫外線反射
層７との間の層間接着性を改善できるとともに、例えば
ナトリウム、塩素等の不純物がＥＰ ＲＯＭチップ１に
悪影響を及ぼすのを防止することができる。
層７との間の層間接着性を改善できるとともに、例えば
ナトリウム、塩素等の不純物がＥＰ ＲＯＭチップ１に
悪影響を及ぼすのを防止することができる。
なお、前述した実施例においては、紫外線を発生させる
エネルギー線としてＸ線を用いた場合について説明した
が、使用するエネルギー線はＸ線に限定されず、例えば
ｒ線等の他のエネルギー線を用いても同様の効果を得る
ことができる。
エネルギー線としてＸ線を用いた場合について説明した
が、使用するエネルギー線はＸ線に限定されず、例えば
ｒ線等の他のエネルギー線を用いても同様の効果を得る
ことができる。
以上説明し友ようにこの発明によれば、ＥＰＲＯＭチッ
プ上に設けられる紫外線発生層上に紫外線反射層を設け
たことによって、紫外線をＥＦＲＯＭ チップの紫外線
被照射面に効率良く照射することができるので、安定的
かつ短時間でＥＰＲＯＭチップの記憶内容を消去できる
高信頼度の半導体装置が実現できるという極めて優れた
効果が得られる。
プ上に設けられる紫外線発生層上に紫外線反射層を設け
たことによって、紫外線をＥＦＲＯＭ チップの紫外線
被照射面に効率良く照射することができるので、安定的
かつ短時間でＥＰＲＯＭチップの記憶内容を消去できる
高信頼度の半導体装置が実現できるという極めて優れた
効果が得られる。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す紫
外線消去型半導体記憶装置の断面図、第２図はこの発明
による半導体装置の他の実施例を示す紫外線消去型半導
体記憶装置の断面図、第３図は従来の紫外線消去型半導
体装置を示す断面図である。 １・・・−ＥＰＲＯＭチップ、２６ ａ ＠ ＠紫外線
透過層、３・−・・紫外線発生層、４・−・・金属×細
線、５・・・・外部リード、６・・・・合成樹脂パッケ
ージ、７１１・・・紫外線反射層、８・・・・紫外線透
過樹脂層。
外線消去型半導体記憶装置の断面図、第２図はこの発明
による半導体装置の他の実施例を示す紫外線消去型半導
体記憶装置の断面図、第３図は従来の紫外線消去型半導
体装置を示す断面図である。 １・・・−ＥＰＲＯＭチップ、２６ ａ ＠ ＠紫外線
透過層、３・−・・紫外線発生層、４・−・・金属×細
線、５・・・・外部リード、６・・・・合成樹脂パッケ
ージ、７１１・・・紫外線反射層、８・・・・紫外線透
過樹脂層。
Claims (2)
- （１）紫外線の照射により記憶内容が消去される紫外線
消去型半導体記憶チップと、前記半導体記憶チップの紫
外線被照射面上に配置され外部から与えられるエネルギ
ー線に対応して紫外線を発生する紫外線発生層と、前記
半導体記憶チップを被覆して形成されたパッケージとを
少なくとも備えた半導体装置において、前記紫外線発生
層上に紫外線反射層を設けたことを特徴とする半導体装
置。 - （２）前記紫外線反射層を、前記紫外線発生層上の紫外
線透過層上に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105415A JPS62261160A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105415A JPS62261160A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261160A true JPS62261160A (ja) | 1987-11-13 |
Family
ID=14406973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105415A Pending JPS62261160A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261160A (ja) |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105415A patent/JPS62261160A/ja active Pending
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