JP2022112768A - 放射線撮影装置 - Google Patents
放射線撮影装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022112768A JP2022112768A JP2021008696A JP2021008696A JP2022112768A JP 2022112768 A JP2022112768 A JP 2022112768A JP 2021008696 A JP2021008696 A JP 2021008696A JP 2021008696 A JP2021008696 A JP 2021008696A JP 2022112768 A JP2022112768 A JP 2022112768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor panel
- layer
- base
- radiation
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
【課題】パネル型の放射線撮影装置において、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品からセンサーパネルへ到達する磁気を効果的に抑制できるようにする。【解決手段】放射線撮影装置１００，１００Ａは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３、３Ａと、センサーパネル３，３Ａを撮像面３２１ａとは反対側から支持する基台５と、基台５の、センサーパネル３，３Ａが存在する側とは反対側に配置された電子部品６と、センサーパネル３，３Ａ、基台５及び電子部品６を収納する筐体１１０と、センサーパネル３，３Ａと基台５との間に配置され、電子部品６が発生させた磁気がセンサーパネル３，３Ａへ到達するのを抑制する第一シールド層４と、を備える。【選択図】図２
Description
本発明は、放射線撮影装置に関する。
放射線撮影装置は、信号値を読み出したり画像データを転送したりする際に、内部の電子部品が磁気を発生させる。
この磁気がセンサーパネルに到達すると、信号値にノイズとして重畳し、放射線撮影装置が生成する放射線画像の画質が低下（例えば横スジが発生する等）してしまう。
このような問題は、電子部品がセンサーパネルに近接して配置されている可搬型（パネル型）の放射線撮影装置において特に顕著となる。
そこで、可搬型の放射線撮影装置において、電子部品が発生させた磁気がセンサーパネルに到達するのを抑制するための手段の一つとして、センサーパネルと電子部品との間に金属シールドを配置することが従来行われている。
この磁気がセンサーパネルに到達すると、信号値にノイズとして重畳し、放射線撮影装置が生成する放射線画像の画質が低下（例えば横スジが発生する等）してしまう。
このような問題は、電子部品がセンサーパネルに近接して配置されている可搬型（パネル型）の放射線撮影装置において特に顕著となる。
そこで、可搬型の放射線撮影装置において、電子部品が発生させた磁気がセンサーパネルに到達するのを抑制するための手段の一つとして、センサーパネルと電子部品との間に金属シールドを配置することが従来行われている。
例えば特許文献１には、撮像検出パネルと撮像検出パネルを支持する保持基台と、撮像検出パネルと保持基台との間に挿入された遮蔽板と、を備え、保持基台は金属層を間に積層した炭素繊維積層板を含む放射線撮影用装置について記載されている。
また、特許文献２には、筐体に収納され放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルと、筐体に収納され放射線変換パネルから出力された放射線画像を処理するための電子部品が搭載された回路基板と、を備え、電子部品及び回路基板は導電層で覆われている放射線検出装置について記載されている。
また、特許文献２には、筐体に収納され放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルと、筐体に収納され放射線変換パネルから出力された放射線画像を処理するための電子部品が搭載された回路基板と、を備え、電子部品及び回路基板は導電層で覆われている放射線検出装置について記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載された放射線撮影用装置は、保持基台が炭素繊維の間に金属層を積層した構造をしている。このため、特許文献１に記載された放射線撮影用装置は、製造に多くの手間がかかってしまう。
また、特許文献２に記載された放射線検出装置は、基台を導電層として機能させるために、基台が金属で形成されている。この基台は、放射線変換パネルやネジを支持するのに必要な剛性を得るためにある程度厚くなっている必要がある。このため、特許文献２に記載された放射線検出装置は、厚い金属の部材（基台）を有する分だけ重量が増加してしまう。
また、特許文献２に記載された放射線検出装置は、基台を導電層として機能させるために、基台が金属で形成されている。この基台は、放射線変換パネルやネジを支持するのに必要な剛性を得るためにある程度厚くなっている必要がある。このため、特許文献２に記載された放射線検出装置は、厚い金属の部材（基台）を有する分だけ重量が増加してしまう。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、パネル型の放射線撮影装置において、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品からセンサーパネルへ到達する磁気を効果的に抑制できるようにすることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る放射線撮影装置は、
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネルを前記撮像面とは反対側から支持する基台と、
前記基台の、前記センサーパネルが存在する側とは反対側に配置された電子部品と、
前記センサーパネル、前記基台及び前記電子部品を収納する筐体と、
前記センサーパネルと前記基台との間に配置され、前記電子部品が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制する第一シールド層と、を備える。
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネルを前記撮像面とは反対側から支持する基台と、
前記基台の、前記センサーパネルが存在する側とは反対側に配置された電子部品と、
前記センサーパネル、前記基台及び前記電子部品を収納する筐体と、
前記センサーパネルと前記基台との間に配置され、前記電子部品が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制する第一シールド層と、を備える。
本発明によれば、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品からセンサーパネルへ到達する磁気を効果的に抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、図面に図示されたものに限定されるものではない。
＜１．第一実施形態＞
まず、本発明の第一実施形態について説明する。
まず、本発明の第一実施形態について説明する。
始めに、本実施形態に係る放射線撮影装置（以下、撮影装置１００）の概略構成について説明する。
図１は撮影装置１００の分解斜視図、図２は撮影装置の断面図（撮影装置１００の厚さ方向に沿って切断した場合）の一例、図３，４は撮影装置の断面図の他の例である。
なお、図１～４における括弧書きの符号は、後述する第二実施形態のものである。
図１は撮影装置１００の分解斜視図、図２は撮影装置の断面図（撮影装置１００の厚さ方向に沿って切断した場合）の一例、図３，４は撮影装置の断面図の他の例である。
なお、図１～４における括弧書きの符号は、後述する第二実施形態のものである。
撮影装置１００は、受けた放射線の線量分布に応じた放射線画像を生成するためのものである。
撮影装置１００は、例えば図１に示すように、筐体１１０と、内部モジュール１２０と、を備えている。
本実施形態に係る撮影装置１００は、各種スイッチ（電源スイッチ、操作スイッチ等）、インジケーター等を備えている。
撮影装置１００は、例えば図１に示すように、筐体１１０と、内部モジュール１２０と、を備えている。
本実施形態に係る撮影装置１００は、各種スイッチ（電源スイッチ、操作スイッチ等）、インジケーター等を備えている。
［１－１．筐体］
筐体１１０は、内部モジュール１２０を収納するためのものである。
本実施形態に係る筐体１１０は、矩形のパネル状をしている。
また、筐体１１０は、箱体１と、蓋体２と、を備えている。
筐体１１０は、内部モジュール１２０を収納するためのものである。
本実施形態に係る筐体１１０は、矩形のパネル状をしている。
また、筐体１１０は、箱体１と、蓋体２と、を備えている。
〔１－１－１．箱体〕
箱体１は、前面部１１を有している。
また、本実施形態に係る箱体１は、側面部１２を更に有している。
本実施形態に係る前面部１１及び側面部１２は一体に形成されている。
なお、前面部１１と側面部１２とは別部材であってもよい。
箱体１は、前面部１１を有している。
また、本実施形態に係る箱体１は、側面部１２を更に有している。
本実施形態に係る前面部１１及び側面部１２は一体に形成されている。
なお、前面部１１と側面部１２とは別部材であってもよい。
（前面部）
前面部１１は、矩形の平板状に形成されている。
また、前面部１１の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の放射線入射面１１ａ（前面）となる。
本実施形態に係る前面部１１は、矩形板状に形成されている。
前面部１１は、矩形の平板状に形成されている。
また、前面部１１の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の放射線入射面１１ａ（前面）となる。
本実施形態に係る前面部１１は、矩形板状に形成されている。
前面部１１は、放射線の透過を邪魔しない材料で形成されている。
放射線の透過を邪魔しない材料の具体例としては、炭素繊維強化樹脂（Carbon Fiber Reinforced Plastic：ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化樹脂（Glass Fiber Reinforced Plastic：ＧＦＲＰ）、軽金属等が挙げられる
放射線の透過を邪魔しない材料の具体例としては、炭素繊維強化樹脂（Carbon Fiber Reinforced Plastic：ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化樹脂（Glass Fiber Reinforced Plastic：ＧＦＲＰ）、軽金属等が挙げられる
（側面部）
側面部１２は、前面部１１の周縁部から、放射線入射面１１ａと直交する方向であって前面部１１から離れる方向に延設されている。
また、側面部１２の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の側面となる。
側面部１２は、前面部１１の周縁部から、放射線入射面１１ａと直交する方向であって前面部１１から離れる方向に延設されている。
また、側面部１２の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の側面となる。
〔１－１－２．蓋体〕
蓋体２は、背面部２１を有している。
本実施形態に係る蓋体２は、全体が背面部２１となっている。
本実施形態に係る背面部２１は、前面部１１と略等しい矩形に形成されている。
背面部２１を形成する材質の具体例としては、炭素繊維強化樹脂、ガラス繊維強化樹脂、軽金属等が含まれる。
なお、背面部２１は、箱体１と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
蓋体２は、背面部２１を有している。
本実施形態に係る蓋体２は、全体が背面部２１となっている。
本実施形態に係る背面部２１は、前面部１１と略等しい矩形に形成されている。
背面部２１を形成する材質の具体例としては、炭素繊維強化樹脂、ガラス繊維強化樹脂、軽金属等が含まれる。
なお、背面部２１は、箱体１と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
背面部２１は、内部モジュール１２０を挟んで箱体１の前面部１１と対向するとともに当該前面部１１と平行に広がるように配置されている。
このため、背面部２１の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の背面となる。
また、背面部２１は、箱体１の側面部１２に当接するとともに側面部１２に取り付けられている。
本実施形態に係る蓋体２は、箱体１の側面部１２にネジ止めされている。
このため、背面部２１の外側表面が撮影装置１００（筐体１１０）の背面となる。
また、背面部２１は、箱体１の側面部１２に当接するとともに側面部１２に取り付けられている。
本実施形態に係る蓋体２は、箱体１の側面部１２にネジ止めされている。
〔１－１－３．その他〕
なお、図１には、側面部１２が前面部１１と一体形成された筐体１１０（箱体１）を例示したが、筐体１１０は、側面部１２が背面部２１と一体になったものであってもよいし、前面部１１、側面部１２及び背面部２１がそれぞれ別々の部材となっているものであってもよい。
また、前面部１１と背面部２１の両方が側面部を備えたものであってもよい。
また、図１には、箱体１と蓋体２とを備える筐体１１０を例示したが、前面部１１と、背面部２１と、前面部１１の両端と背面部２１の両端とをそれぞれつなぐ一対の側面部１２と、を有し筒状に形成された筒体と、筒体の開口部を閉塞する蓋体と、を備えたものであってもよい。
なお、図１には、側面部１２が前面部１１と一体形成された筐体１１０（箱体１）を例示したが、筐体１１０は、側面部１２が背面部２１と一体になったものであってもよいし、前面部１１、側面部１２及び背面部２１がそれぞれ別々の部材となっているものであってもよい。
また、前面部１１と背面部２１の両方が側面部を備えたものであってもよい。
また、図１には、箱体１と蓋体２とを備える筐体１１０を例示したが、前面部１１と、背面部２１と、前面部１１の両端と背面部２１の両端とをそれぞれつなぐ一対の側面部１２と、を有し筒状に形成された筒体と、筒体の開口部を閉塞する蓋体と、を備えたものであってもよい。
［１－２．内部モジュール］
内部モジュール１２０は、筐体１１０に収納されている。
内部モジュール１２０は、筐体１１０の前面部１１、背面部２１及び側面部１２のうちの少なくともいずれかの内側表面に固定されている。
内部モジュール１２０の筐体１１０への固定方法には、接着剤を用いた接着、粘着テープを用いた粘着、内側表面に形成された凹部又は凸部への嵌合、内側表面に形成された係合部への係合等が含まれる。
内部モジュール１２０は、筐体１１０に収納されている。
内部モジュール１２０は、筐体１１０の前面部１１、背面部２１及び側面部１２のうちの少なくともいずれかの内側表面に固定されている。
内部モジュール１２０の筐体１１０への固定方法には、接着剤を用いた接着、粘着テープを用いた粘着、内側表面に形成された凹部又は凸部への嵌合、内側表面に形成された係合部への係合等が含まれる。
内部モジュール１２０は、図２に示すように、センサーパネル３と、第一シールド層４と、基台５と、電子部品６と、を備えている。
また、本実施形態に係る内部モジュール１２０は、放射線減弱層７と、第二シールド層８と、を更に備えている。
また、本実施形態に係る内部モジュール１２０は、放射線減弱層７と、第二シールド層８と、を更に備えている。
〔１－２－１．センサーパネル〕
本実施形態に係るセンサーパネル３は、波長変換部３１と、光電変換部３２と、を備えている。
本実施形態に係るセンサーパネル３は、波長変換部３１と、光電変換部３２と、を備えている。
（波長変換部）
波長変換部３１は、放射線を可視光等に変換するためのものである。
本実施形態に係る波長変換部３１は、シンチレーター３１１を有している。
シンチレーター３１１は、蒸着用基板と、蛍光体層と、を有している。
波長変換部３１は、放射線を可視光等に変換するためのものである。
本実施形態に係る波長変換部３１は、シンチレーター３１１を有している。
シンチレーター３１１は、蒸着用基板と、蛍光体層と、を有している。
蒸着用基板は、蛍光体層を支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板は、筐体１１０の放射線入射面１１ａよりも一回り小さい矩形板状に形成されている。
本実施形態に係る蒸着用基板は、筐体１１０の放射線入射面１１ａよりも一回り小さい矩形板状に形成されている。
蛍光体層は、蛍光体で、蒸着用基板における、筐体１１０の前面部１１が存在する側と反対側の面全体に膜状に形成されている。
蛍光体は、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する物質のことである。すなわち、蛍光体は、放射線を紫外線や可視光に変換するものである。
蛍光体には、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等が含まれる。
なお、蛍光体層は、後述する光電変換部３２の表面に形成されていてもよい。その場合、蒸着用基板は不要である。
蛍光体は、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する物質のことである。すなわち、蛍光体は、放射線を紫外線や可視光に変換するものである。
蛍光体には、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等が含まれる。
なお、蛍光体層は、後述する光電変換部３２の表面に形成されていてもよい。その場合、蒸着用基板は不要である。
波長変換部３１は、蒸着用基板を筐体１１０の前面部１１が存在する方へ向けるとともに、筐体１１０の放射線入射面１１ａと平行に広がるように配置されている。
このように構成された波長変換部３１は、放射線を受けた領域が、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する。
このように構成された波長変換部３１は、放射線を受けた領域が、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する。
（光電変換部）
光電変換部３２は、光を電気信号に変換するためのものである。
光電変換部３２は、波長変換部３１の、基台５が存在する側に配置されている。
光電変換部３２は、光を電気信号に変換するためのものである。
光電変換部３２は、波長変換部３１の、基台５が存在する側に配置されている。
光電変換部３２は、基板３２１と、複数の半導体素子３２２と、を有している。
また、本実施形態に係る光電変換部３２は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
また、本実施形態に係る光電変換部３２は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。
本実施形態に係る基板３２１は、波長変換部３１の輪郭よりも一回り大きい矩形板状に形成されている。
そして、基板３２１は、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
そして、基板３２１は、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
本実施形態に係る複数の走査線は、基板３２１の表面に、等間隔且つ互いに平行に延びるように形成されている。
本実施形態に係る複数の信号線は、基板３２１における走査線が設けられた面に、等間隔且つ走査線と直交するように形成されている。
すなわち、本実施形態に係る基板３２１の表面は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域を有する。
本実施形態に係る複数の信号線は、基板３２１における走査線が設けられた面に、等間隔且つ走査線と直交するように形成されている。
すなわち、本実施形態に係る基板３２１の表面は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域を有する。
複数の半導体素子３２２は、それぞれ受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる。
また、複数の半導体素子３２２は、基板３２１における走査線及び信号線が設けられた面に二次元状に分布するように配列されている。
具体的には、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域内にそれぞれ配置されている。
このため、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、マトリクス（行列）状に配列される。
また、複数の半導体素子３２２は、基板３２１における走査線及び信号線が設けられた面に二次元状に分布するように配列されている。
具体的には、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域内にそれぞれ配置されている。
このため、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、マトリクス（行列）状に配列される。
また、各矩形領域内には、スイッチ素子がそれぞれ設けられている。
本実施形態に係るスイッチ素子は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。
各スイッチ素子は、ゲートが走査線に、ソースが信号線に、ドレインが半導体素子に、それぞれ接続されている。
以下、基板３２１における、複数の半導体素子３２２が形成された面を撮像面３２１ａと称する。
本実施形態に係るスイッチ素子は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。
各スイッチ素子は、ゲートが走査線に、ソースが信号線に、ドレインが半導体素子に、それぞれ接続されている。
以下、基板３２１における、複数の半導体素子３２２が形成された面を撮像面３２１ａと称する。
このように構成された光電変換部３２は、撮像面３２１ａを波長変換部３１が存在する方へ向けるとともに、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
本実施形態に係る光電変換部３２は、撮像面３２１ａが波長変換部３１に貼り付けられている。
本実施形態に係る光電変換部３２は、撮像面３２１ａが波長変換部３１に貼り付けられている。
〔１－２－２．放射線減弱層〕
放射線減弱層７は、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が電子回路基板６１へ到達するのを抑制するためのものである。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、鉛で、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、放射線減弱層７は、鉛以外の材料、すなわち、タングステン、モリブデン等で形成されていてもよい。
本実施形態に係る放射線減弱層７の厚さ（放射線入射面１１ａと直交する方向の幅）は、７０～９０μｍの範囲内であり、８０μｍとなっているのが好ましい。
放射線減弱層７は、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が電子回路基板６１へ到達するのを抑制するためのものである。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、鉛で、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、放射線減弱層７は、鉛以外の材料、すなわち、タングステン、モリブデン等で形成されていてもよい。
本実施形態に係る放射線減弱層７の厚さ（放射線入射面１１ａと直交する方向の幅）は、７０～９０μｍの範囲内であり、８０μｍとなっているのが好ましい。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３（光電変換部３２）と基台５との間に、センサーパネル３と平行に広がるように配置されている。
また、本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５におけるセンサーパネル３が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、放射線減弱層７は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５におけるセンサーパネル３が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、放射線減弱層７は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
〔１－２－３．第一シールド層〕
第一シールド層４は、電子部品６が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも導電率が高い導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、アルミニウムで、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、第一シールド層４は、アルミニウム以外の材料、すなわち、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、ダイヤモンド等で形成されていてもよい。
第一シールド層４は、電子部品６が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも導電率が高い導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、アルミニウムで、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、第一シールド層４は、アルミニウム以外の材料、すなわち、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、ダイヤモンド等で形成されていてもよい。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも薄くなっている。
すなわち、放射線減弱層７の厚さは７０～９０μｍの範囲内であったのに対し、本実施形態に係る第一シールド層４の厚さは４０～６０μｍの範囲内であり、５０μｍとなっているのが好ましい。
すなわち、放射線減弱層７の厚さは７０～９０μｍの範囲内であったのに対し、本実施形態に係る第一シールド層４の厚さは４０～６０μｍの範囲内であり、５０μｍとなっているのが好ましい。
第一シールド層４は、センサーパネル３と基台５との間に配置されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７と基台５との間に配置されている。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５における放射線減弱層７が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
この第一シールド層４の位置は、筐体１１０の厚さ（放射線入射面１１ａから筐体１１０の背面までの距離）を１５ｍｍ程度とした場合、電子部品６（電子回路基板６１）から概ね２．７０～２．９０ｍｍ離れたところとなる。
本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７と基台５との間に配置されている。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５における放射線減弱層７が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
この第一シールド層４の位置は、筐体１１０の厚さ（放射線入射面１１ａから筐体１１０の背面までの距離）を１５ｍｍ程度とした場合、電子部品６（電子回路基板６１）から概ね２．７０～２．９０ｍｍ離れたところとなる。
なお、第一シールド層４は、例えば図３に示すように、センサーパネル３と放射線減弱層７との間に設けられていてもよい。
また、電子部品６を基台５へ取り付ける邪魔にならないようであれば、第一シールド層４は、例えば図４に示すように、基台５と電子部品６との間に設けられていてもよい。
また、電子部品６を基台５へ取り付ける邪魔にならないようであれば、第一シールド層４は、例えば図４に示すように、基台５と電子部品６との間に設けられていてもよい。
また、第一シールド層４は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第一シールド層４は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第一シールド層４は、互いに積層されていてもよいし、異なる部材の間にそれぞれ配置されていてもよい。
また、その場合、複数の第一シールド層４は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
また、第一シールド層４は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第一シールド層４は、互いに積層されていてもよいし、異なる部材の間にそれぞれ配置されていてもよい。
また、その場合、複数の第一シールド層４は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
〔１－２－４．第二シールド層〕
第二シールド層８は、電子部品が発生させ撮像面３２１ａ側へ回り込んできた磁気がセンサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第二シールド層８は、導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、アルミニウムで、第一シールド層４と同様の矩形のシート状に形成されている。
なお、第二シールド層８を形成する導電性材料は、第一シールド層４を形成する導電性材料として挙げたアルミニウム以外のものであってもよい。
第二シールド層８は、電子部品が発生させ撮像面３２１ａ側へ回り込んできた磁気がセンサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第二シールド層８は、導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、アルミニウムで、第一シールド層４と同様の矩形のシート状に形成されている。
なお、第二シールド層８を形成する導電性材料は、第一シールド層４を形成する導電性材料として挙げたアルミニウム以外のものであってもよい。
第二シールド層８は、センサーパネル３の撮像面３２１ａ側に配置されている。
すなわち、第二シールド層８は、箱体１の前面部１１とセンサーパネル３との間に設けられている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、撮像面３２１ａ及び前面部１１の内側表面の少なくとも一方の面に貼り付けられている。
すなわち、第二シールド層８は、箱体１の前面部１１とセンサーパネル３との間に設けられている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、撮像面３２１ａ及び前面部１１の内側表面の少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、第二シールド層８は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第二シールド層８は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第二シールド層８は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
また、第二シールド層８は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第二シールド層８は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。
〔１－２－５．基台〕
基台５は、センサーパネル３を撮像面３２１ａが存在する側の反対側から支持するものである。
基台５は、図２に示したように、筐体１１０の背面部２１とセンサーパネル３との間に配置されている。
基台５は、センサーパネル３を撮像面３２１ａが存在する側の反対側から支持するものである。
基台５は、図２に示したように、筐体１１０の背面部２１とセンサーパネル３との間に配置されている。
〔１－２－６．電子部品〕
電子部品６は、基台５の、センサーパネル３が存在する側とは反対側に配置されている。
電子部品６は、電子回路基板６１と基板間束線６２のうちの少なくとも一方である。
電子部品６は、基台５の、センサーパネル３が存在する側とは反対側に配置されている。
電子部品６は、電子回路基板６１と基板間束線６２のうちの少なくとも一方である。
（電子回路基板）
電子回路基板６１には、走査回路、読み出し回路、無線通信回路、制御回路、電源回路等が含まれる。
走査回路は、各スイッチ素子を制御する回路である。
読み出し回路は、電荷を信号値として読み出す回路である。
無線通信回路は、他の装置と無線通信するための回路である。
制御回路は、各回路を制御して画像データを生成する回路である。
電源回路は、半導体素子に電圧を印加したり、上記回路へ電力を供給したりするための回路である。
電子回路基板６１は、動作するときに磁界を発生させる。
電子回路基板６１には、走査回路、読み出し回路、無線通信回路、制御回路、電源回路等が含まれる。
走査回路は、各スイッチ素子を制御する回路である。
読み出し回路は、電荷を信号値として読み出す回路である。
無線通信回路は、他の装置と無線通信するための回路である。
制御回路は、各回路を制御して画像データを生成する回路である。
電源回路は、半導体素子に電圧を印加したり、上記回路へ電力を供給したりするための回路である。
電子回路基板６１は、動作するときに磁界を発生させる。
（基板間束線）
基板間束線６２は、例えばフレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuits）で構成されている。
本実施形態に係る基板間束線６２は、一の電子回路基板６１と他の電子回路基板６１との間を接続している。
なお、基板間束線６２は、電子回路基板６１と光電変換部３２とを接続するものであってもよい。
基板間束線６２は、配線に通電されたときに磁界を発生させる。
基板間束線６２は、例えばフレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuits）で構成されている。
本実施形態に係る基板間束線６２は、一の電子回路基板６１と他の電子回路基板６１との間を接続している。
なお、基板間束線６２は、電子回路基板６１と光電変換部３２とを接続するものであってもよい。
基板間束線６２は、配線に通電されたときに磁界を発生させる。
［１－３．作用・効果］
第一シールド層４によるノイズの低減率（センサーパネル３へ到達する磁気の抑制効果）は、図５に示すように、第一シールド層４が電子部品６（電子回路基板６１）に近づく程高まる。
しかし、撮影装置１００の筐体１１０の中には、第一シールド層４及び電子部品６の他にも部材（例えば、基台５等）が存在するため、第一シールド層４を電子部品６に際限なく近づけることが困難となる場合がある。
また、第一シールド層４によるノイズの低減効果（センサーパネルへ到達する磁気の抑制効果）は、第一シールド層４が厚くなる程高まる。
しかし、第一シールド層４が厚くなると、第一シールド層４の重量が増加してしまう。
第一シールド層４によるノイズの低減率（センサーパネル３へ到達する磁気の抑制効果）は、図５に示すように、第一シールド層４が電子部品６（電子回路基板６１）に近づく程高まる。
しかし、撮影装置１００の筐体１１０の中には、第一シールド層４及び電子部品６の他にも部材（例えば、基台５等）が存在するため、第一シールド層４を電子部品６に際限なく近づけることが困難となる場合がある。
また、第一シールド層４によるノイズの低減効果（センサーパネルへ到達する磁気の抑制効果）は、第一シールド層４が厚くなる程高まる。
しかし、第一シールド層４が厚くなると、第一シールド層４の重量が増加してしまう。
そこで、撮影装置１００は、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３と、センサーパネル３を撮像面３２１ａとは反対側から支持する基台５と、基台５のセンサーパネル３が存在する側とは反対側に配置された電子部品６と、センサーパネル３、基台５及び電子部品６を収納する筐体１１０と、センサーパネル３と基台５との間に配置され、電子部品６が発生させた磁気がセンサーパネル３へ到達するのを抑制する第一シールド層４と、を備えるようにしている。
このため、撮影装置１００によれば、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品６からセンサーパネル３へ到達する磁気を効果的に抑制することができる。
このため、撮影装置１００によれば、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品６からセンサーパネル３へ到達する磁気を効果的に抑制することができる。
＜２．第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態に係る放射線撮影装置（以下、撮影装置１００Ａ）の内部モジュール１２０Ａは、センサーパネル３Ａが可撓性を有している点が上記第一実施形態と異なっている。
本実施形態に係るセンサーパネル３Ａは、例えば図６に示すように、波長変換部３１Ａと、光電変換部３２Ａと、第一防湿層３３Ａと、第二防湿層３４Ａと、第三防湿層３５Ａと、を備えている。
本実施形態に係るセンサーパネル３Ａは、例えば図６に示すように、波長変換部３１Ａと、光電変換部３２Ａと、第一防湿層３３Ａと、第二防湿層３４Ａと、第三防湿層３５Ａと、を備えている。
［２－１．光電変換部］
本実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第一実施形態と同様の走査線、信号線、スイッチ素子、半導体素子３２２（図１参照）の他、基板３２１Ａと、素子保護層３２３と、を有している。
本実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第一実施形態と同様の走査線、信号線、スイッチ素子、半導体素子３２２（図１参照）の他、基板３２１Ａと、素子保護層３２３と、を有している。
〔２－１－１．基板〕
基板３２１Ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る基板３２１と同様の矩形板状に形成されている。
「可撓性を有する材料」の具体例としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
基板３２１Ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る基板３２１と同様の矩形板状に形成されている。
「可撓性を有する材料」の具体例としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。
〔２－１－２．素子保護層〕
素子保護層３２３は、撮像面３２１ａの中央部（半導体素子３２２が設けられている領域）を覆っている。
素子保護層３２３は、半導体素子３２２を保護することが可能であり、且つ波長変換部３１Ａから届く光を遮らない材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る素子保護層３２３は、有機材料及び無機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
有機材料の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリパラキシレン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ＳｉＮ等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化アルミ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
なお、素子保護層３２３は、基板３２１Ａ側からシンチレーター３１１Ａへ湿気が到達するのを防ぐ防湿層を兼ねていてもよい。
素子保護層３２３は、撮像面３２１ａの中央部（半導体素子３２２が設けられている領域）を覆っている。
素子保護層３２３は、半導体素子３２２を保護することが可能であり、且つ波長変換部３１Ａから届く光を遮らない材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る素子保護層３２３は、有機材料及び無機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
有機材料の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリパラキシレン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ＳｉＮ等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化アルミ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
なお、素子保護層３２３は、基板３２１Ａ側からシンチレーター３１１Ａへ湿気が到達するのを防ぐ防湿層を兼ねていてもよい。
［２－２．波長変換部］
本実施形態に係る波長変換部３１Ａは、シンチレーター３１１Ａと、光学接着層３１２と、防湿層接着層３１３と、を有している。
本実施形態に係る波長変換部３１Ａは、シンチレーター３１１Ａと、光学接着層３１２と、防湿層接着層３１３と、を有している。
〔２－２－１．シンチレーター〕
シンチレーター３１１Ａは、蒸着用基板３１１ａと、蛍光体層３１１ｂと、を有している。
シンチレーター３１１Ａは、蒸着用基板３１１ａと、蛍光体層３１１ｂと、を有している。
蒸着用基板３１１ａは、蛍光体層３１１ｂを支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板３１１ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る蒸着用基板と同様の矩形板状に形成されている。
蒸着用基板３１１ａの形成に用いることのできる材料は、上記光電変換部３２Ａの基板３２１Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、蒸着用基板３１１ａは、基板３２１Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
本実施形態に係る蒸着用基板３１１ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る蒸着用基板と同様の矩形板状に形成されている。
蒸着用基板３１１ａの形成に用いることのできる材料は、上記光電変換部３２Ａの基板３２１Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、蒸着用基板３１１ａは、基板３２１Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
蛍光体層３１１ｂは、上記第一実施形態に係る蛍光体層と同様である。
〔２－２－２．光学接着層〕
光学接着層３１２は、光電変換部３２Ａの素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせている。
光学接着層３１２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤の具体例としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
ＯＣＡの具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びフッ素系樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
ホットメルト樹脂の具体例としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂及びアクリル系樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
なお、素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせる必要が無い場合（例えば、後述する第一防湿層３３Ａによってシンチレーター３１１Ａを光電変換部３２Ａへ押さえつける場合）、光学接着層３１２は不要である。
光学接着層３１２は、光電変換部３２Ａの素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせている。
光学接着層３１２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤の具体例としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
ＯＣＡの具体例としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂及びフッ素系樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
ホットメルト樹脂の具体例としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂及びアクリル系樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
なお、素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせる必要が無い場合（例えば、後述する第一防湿層３３Ａによってシンチレーター３１１Ａを光電変換部３２Ａへ押さえつける場合）、光学接着層３１２は不要である。
〔２－２－３．防湿層接着層〕
防湿層接着層３１３は、蒸着用基板３１１ａ及び蛍光体層３１１ｂのうちの少なくとも一方の部材と第一防湿層３３Ａとを貼り合わせている。
また、防湿層接着層３１３の周縁部は、素子保護層３２３の周縁部及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材と第一防湿層３３Ａとを貼り合わせている。
防湿層接着層３１３は、有機材料からなる接着剤で形成されている。
有機材料の具体例としては、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
防湿層接着層３１３は、蒸着用基板３１１ａ及び蛍光体層３１１ｂのうちの少なくとも一方の部材と第一防湿層３３Ａとを貼り合わせている。
また、防湿層接着層３１３の周縁部は、素子保護層３２３の周縁部及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材と第一防湿層３３Ａとを貼り合わせている。
防湿層接着層３１３は、有機材料からなる接着剤で形成されている。
有機材料の具体例としては、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。
〔２－２－４．その他〕
なお、波長変換部３１Ａは、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１における筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置される。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮影装置１００Ａの感度が向上する。
なお、波長変換部３１Ａは、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１における筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置される。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮影装置１００Ａの感度が向上する。
［２－３．第一防湿層］
第一防湿層３３Ａは、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
第一防湿層３３Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第一防湿層３３Ａは、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
第一防湿層３３Ａは、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
第一防湿層３３Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第一防湿層３３Ａは、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
第一防湿層３３Ａの中央部は、シンチレーター３１１Ａを覆っている。
本実施形態に係る第一防湿層３３Ａの中央部は、防湿層接着層３１３によってシンチレーター３１１Ａに貼り付けられている。
また、第一防湿層３３Ａの周縁部は、防湿層接着層３１３によって光電変換部３２Ａの素子保護層３２３及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材の表面に貼り付けられている。
なお、筐体１１０が防湿構造を備えている場合には、第一防湿層３３Ａ及び波長変換部３１Ａの防湿層接着層３１３は不要である。
本実施形態に係る第一防湿層３３Ａの中央部は、防湿層接着層３１３によってシンチレーター３１１Ａに貼り付けられている。
また、第一防湿層３３Ａの周縁部は、防湿層接着層３１３によって光電変換部３２Ａの素子保護層３２３及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材の表面に貼り付けられている。
なお、筐体１１０が防湿構造を備えている場合には、第一防湿層３３Ａ及び波長変換部３１Ａの防湿層接着層３１３は不要である。
［２－４．第二防湿層］
第二防湿層３４Ａは、基板３２１Ａにおける波長変換部３１Ａが存在する側とは反対側の面を覆っている。
第二防湿層３４Ａの形成に用いることのできる材料は、上記第一防湿層３３Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、第二防湿層３４Ａの材料は、第一防湿層３３Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
第二防湿層３４Ａは、基板３２１Ａにおける波長変換部３１Ａが存在する側とは反対側の面を覆っている。
第二防湿層３４Ａの形成に用いることのできる材料は、上記第一防湿層３３Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、第二防湿層３４Ａの材料は、第一防湿層３３Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。
［２－５．第三防湿層］
第三防湿層３５Ａは、撮像面３２１ａの周縁部（半導体素子３２２が設けられていない領域）を覆っている。
第三防湿層３５Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第三防湿層３５Ａは、金属、複合材料、樹脂材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉛等が挙げられる。
複合材料の具体例としては、ガラス、カーボン、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
樹脂材料の具体例としては、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ等が挙げられる。
なお、センサーパネル３Ａは、この第三防湿層３５Ａを備えていなくてもよい。
第三防湿層３５Ａは、撮像面３２１ａの周縁部（半導体素子３２２が設けられていない領域）を覆っている。
第三防湿層３５Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第三防湿層３５Ａは、金属、複合材料、樹脂材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉛等が挙げられる。
複合材料の具体例としては、ガラス、カーボン、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
樹脂材料の具体例としては、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ等が挙げられる。
なお、センサーパネル３Ａは、この第三防湿層３５Ａを備えていなくてもよい。
［２－６．センサーパネルとシールド層］
このように構成されたセンサーパネル３Ａと基台５との間（基台５と放射線減弱層７との間、又はセンサーパネル３Ａと放射線減弱層７との間）には、第一シールド層４が配置される。
また、筐体１１０の前面部１１とセンサーパネル３Ａの第三防湿層３５Ａとの間（第三防湿層３５Ａの表面）には、必要に応じて、第二シールド層８が配置される。
なお、第三防湿層３５Ａと第二シールド層８とは、同一の材質によって一体形成されていてもよい（共通化されていてもよい）。
このように構成されたセンサーパネル３Ａと基台５との間（基台５と放射線減弱層７との間、又はセンサーパネル３Ａと放射線減弱層７との間）には、第一シールド層４が配置される。
また、筐体１１０の前面部１１とセンサーパネル３Ａの第三防湿層３５Ａとの間（第三防湿層３５Ａの表面）には、必要に応じて、第二シールド層８が配置される。
なお、第三防湿層３５Ａと第二シールド層８とは、同一の材質によって一体形成されていてもよい（共通化されていてもよい）。
［２－７．作用・効果］
以上説明してきた撮影装置１００Ａは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３Ａと、センサーパネル３Ａを撮像面３２１ａとは反対側から支持する基台５と、基台５のセンサーパネル３Ａが存在する側とは反対側に配置された電子部品６と、センサーパネル３Ａ、基台５及び電子部品６を収納する筐体１１０と、センサーパネル３Ａと基台５との間に配置され、電子部品６が発生させた磁気がセンサーパネル３Ａへ到達するのを抑制する第一シールド層４と、を備えている。
このため、撮影装置１００Ａによれば、上記第一実施形態に係る撮影装置１００と同様に、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品６からセンサーパネル３Ａへ到達する磁気を効果的に抑制することができる。
以上説明してきた撮影装置１００Ａは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３Ａと、センサーパネル３Ａを撮像面３２１ａとは反対側から支持する基台５と、基台５のセンサーパネル３Ａが存在する側とは反対側に配置された電子部品６と、センサーパネル３Ａ、基台５及び電子部品６を収納する筐体１１０と、センサーパネル３Ａと基台５との間に配置され、電子部品６が発生させた磁気がセンサーパネル３Ａへ到達するのを抑制する第一シールド層４と、を備えている。
このため、撮影装置１００Ａによれば、上記第一実施形態に係る撮影装置１００と同様に、製造に過度の手間をかけることなく、かつ重量を増加させることなく、電子部品６からセンサーパネル３Ａへ到達する磁気を効果的に抑制することができる。
また、撮影装置１００Ａは、センサーパネル３Ａが可撓性を有している。
このため、撮影装置１００Ａによれば、撮影時に被検者から受ける荷重や、撮影装置１００を落としたとき又はぶつけたときの衝撃によって、センサーパネル３Ａが破損しにくくなる。
このため、撮影装置１００Ａによれば、撮影時に被検者から受ける荷重や、撮影装置１００を落としたとき又はぶつけたときの衝撃によって、センサーパネル３Ａが破損しにくくなる。
＜３．その他＞
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
例えば、第一実施形態に係る波長変換部３１は、第二実施形態で説明した光学接着層３１２、第三防湿層３５Ａ及び防湿層接着層３１３のうちの少なくともいずれかの部材が備えていてもよい。
また、第一実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第二実施形態で説明した素子保護層３２３、第一防湿層３３Ａ及び第二防湿層３４Ａのうちの少なくともいずれかの部材が備えていてもよい。
また、第一実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第二実施形態で説明した素子保護層３２３、第一防湿層３３Ａ及び第二防湿層３４Ａのうちの少なくともいずれかの部材が備えていてもよい。
１００，１００Ａ 放射線撮影装置
１１０ 筐体
１ 箱体
１１ 前面部
１１ａ 放射線入射面
１２ 側面部
２ 蓋体
２１ 背面部
１２０ 内部モジュール
３，３Ａ センサーパネル
３１，３１Ａ 波長変換部
３１１，３１１Ａ シンチレーター
３１１ａ 蒸着用基板
３１１ｂ 蛍光体層
３１２ 光学接着層
３１３ 防湿層接着層
３２，３２Ａ 光電変換部
３２１，３２１Ａ 基板
３２１ａ 撮像面
３２２ 半導体素子
３２３ 素子保護層
３３Ａ 第一防湿層
３４Ａ 第二防湿層
３５Ａ 第三防湿層
４ 第一シールド層
５ 基台
６ 電子部品
６１ 電子回路基板
６２ 基板間束線
７ 放射線減弱層
８ 第二シールド層
１１０ 筐体
１ 箱体
１１ 前面部
１１ａ 放射線入射面
１２ 側面部
２ 蓋体
２１ 背面部
１２０ 内部モジュール
３，３Ａ センサーパネル
３１，３１Ａ 波長変換部
３１１，３１１Ａ シンチレーター
３１１ａ 蒸着用基板
３１１ｂ 蛍光体層
３１２ 光学接着層
３１３ 防湿層接着層
３２，３２Ａ 光電変換部
３２１，３２１Ａ 基板
３２１ａ 撮像面
３２２ 半導体素子
３２３ 素子保護層
３３Ａ 第一防湿層
３４Ａ 第二防湿層
３５Ａ 第三防湿層
４ 第一シールド層
５ 基台
６ 電子部品
６１ 電子回路基板
６２ 基板間束線
７ 放射線減弱層
８ 第二シールド層
Claims (7)
- 複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネルを前記撮像面とは反対側から支持する基台と、
前記基台の、前記センサーパネルが存在する側とは反対側に配置された電子部品と、
前記センサーパネル、前記基台及び前記電子部品を収納する筐体と、
前記センサーパネルと前記基台との間に配置され、前記電子部品が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制する第一シールド層と、を備える放射線撮影装置。 - 前記センサーパネルの前記撮像面側に配置され、前記電子部品が発生させ前記撮像面側へ回り込んできた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制する第二シールド層を更に備える、請求項１に記載の放射線撮影装置。
- 前記センサーパネルと前記基台との間に配置され、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が前記電子部品へ到達するのを抑制する放射線減弱層を更に備える、請求項１又は請求項２に記載の放射線撮影装置。
- 前記第一シールド層は、前記放射線減弱層よりも導電率が高い導電性材料で形成されている、請求項３に記載の放射線撮影装置。
- 前記第一シールド層は、前記放射線減弱層よりも薄い、請求項３又は請求項４に記載の放射線撮影装置。
- 前記第一シールド層は、前記放射線減弱層と前記基台との間に配置されている、請求項３に記載の放射線撮影装置。
- 前記電子部品は、電子回路基板と基板間束線のうちの少なくとも一方である、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021008696A JP2022112768A (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 放射線撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021008696A JP2022112768A (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 放射線撮影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022112768A true JP2022112768A (ja) | 2022-08-03 |
Family
ID=82656953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021008696A Pending JP2022112768A (ja) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 放射線撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022112768A (ja) |
-
2021
- 2021-01-22 JP JP2021008696A patent/JP2022112768A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2408901C1 (ru) | Устройство для обнаружения излучения и система для обнаружения излучения | |
| CN210465701U (zh) | 放射线检测器以及放射线图像拍摄装置 | |
| EP1788409B1 (en) | Radiation imaging device and radiation imaging method | |
| KR102058774B1 (ko) | 방사선 촬상 장치 및 방사선 촬상 시스템 | |
| US11786194B2 (en) | Radiation detector comprising a reinforcement substrate, radiographic imaging device, and manufacturing method | |
| CN113167914B (zh) | 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 | |
| TWI821255B (zh) | 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及放射線檢測器的製造方法 | |
| JP6707130B2 (ja) | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 | |
| TW201835605A (zh) | 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置 | |
| US20200408930A1 (en) | Radiation detector and radiographic imaging device | |
| CN108627526B (zh) | 放射线检测器以及放射线图像摄影装置 | |
| JP2003014862A (ja) | 放射線画像検出装置及び放射線遮蔽方法 | |
| JPWO2006046384A1 (ja) | 放射線検出器 | |
| US20140091209A1 (en) | Radiation detecting apparatus and radiation detecting system | |
| JP2022112768A (ja) | 放射線撮影装置 | |
| CN113646664A (zh) | 放射线图像摄影装置 | |
| US20150369926A1 (en) | Radiographic photographing apparatus and radiographic photographing system | |
| JP2022187050A (ja) | 放射線撮像装置 | |
| US20200049841A1 (en) | Radiation detector and radiographic imaging apparatus | |
| JP2016151446A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| US20230273329A1 (en) | Radiation imaging apparatus | |
| US20230273330A1 (en) | Radiation imaging apparatus | |
| US11747490B2 (en) | Radiation detector and radiographic imaging apparatus | |
| US20230273328A1 (en) | Radiation imaging apparatus | |
| CN109959958B (zh) | 放射线检测装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231215 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240528 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240712 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240820 |