JPS6276585A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS6276585A JPS6276585A JP60215781A JP21578185A JPS6276585A JP S6276585 A JPS6276585 A JP S6276585A JP 60215781 A JP60215781 A JP 60215781A JP 21578185 A JP21578185 A JP 21578185A JP S6276585 A JPS6276585 A JP S6276585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- laser
- resonator
- optical waveguide
- layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、リング型共振器タイプの半導体レーザに関す
るものである。
るものである。
〈従来技術とその問題点〉
半導体レーザは通常、共振器内部に導波路を兼用する活
性媒質を含み、２つの対向する結晶臂開面を反射鏡とす
る導波路構造の７７プリ・ペロー共振器によってレーザ
発振器が構成され、結晶臂開面を介してレーザ発振が行
なわれる。このタイプのレーザ発振器の長所の１つは、
結晶の骨間を利用することにより互いに平行な反射鏡を
容易にかつ再現性良く作製できることにある。また、一
枚の半導体基板上にエピタキシャル成長により素子炸裂
を行なうために量産性にも秀れてい、る。しかしながら
、その短所は反射鏡からの光の透過ロスが常に存在して
おり、発振閾値電流の低減には自ずから限界があること
である。閾値電流の低減は、半導体レーザの信頼性の向
上のみならず、特に光集積回路技術にとっては不可欠な
課題の一つである。この目的を達成するために、ＡｔＧ
ａＡｓ系のリング型半導体レーザが開発されその報告が
既ＧＣＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ。
性媒質を含み、２つの対向する結晶臂開面を反射鏡とす
る導波路構造の７７プリ・ペロー共振器によってレーザ
発振器が構成され、結晶臂開面を介してレーザ発振が行
なわれる。このタイプのレーザ発振器の長所の１つは、
結晶の骨間を利用することにより互いに平行な反射鏡を
容易にかつ再現性良く作製できることにある。また、一
枚の半導体基板上にエピタキシャル成長により素子炸裂
を行なうために量産性にも秀れてい、る。しかしながら
、その短所は反射鏡からの光の透過ロスが常に存在して
おり、発振閾値電流の低減には自ずから限界があること
である。閾値電流の低減は、半導体レーザの信頼性の向
上のみならず、特に光集積回路技術にとっては不可欠な
課題の一つである。この目的を達成するために、ＡｔＧ
ａＡｓ系のリング型半導体レーザが開発されその報告が
既ＧＣＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ。
Ｖｏｌ、 Ｉ ６． Ｎｏ、 ８． ｐｐ、 １３９５
−］ ３９８． Ａｕｇｕｓｔ 。
−］ ３９８． Ａｕｇｕｓｔ 。
１９７７にてなされた。しかしながら報告されたリング
レーザはエツチングにより、メサ型導波路を円型に作製
するために湾曲部からの放射ロス及びエツチング面の凸
凹による散乱ロスが生じる。
レーザはエツチングにより、メサ型導波路を円型に作製
するために湾曲部からの放射ロス及びエツチング面の凸
凹による散乱ロスが生じる。
このため安定な電流−光出力特性が得られない。
さらにこの半導体レーザ素子にはレーザ光を共振器外部
に取り出すための結合器が具備されていない等の欠点が
あり、充分に実用に耐え得る素子とは言い難いものであ
った。
に取り出すための結合器が具備されていない等の欠点が
あり、充分に実用に耐え得る素子とは言い難いものであ
った。
〈発明の概要〉
本発明は、上述の問題点を解消するために開発されたリ
ング型共振器レーザの改良技術である。
ング型共振器レーザの改良技術である。
即ち、互いに対向する光導波路が平行となるような四角
形をしだ光導波路を構成し、４箇所の交叉部では交叉角
を二等分する角度にて反射鏡を形成する。この光導波路
をリング状レーザ共振器としかつ４本の導波路のうち少
なくとも１本の導波路の一部分あるいは全体に光を共振
器外部に取り出す手段を付設したことを特徴とする。
形をしだ光導波路を構成し、４箇所の交叉部では交叉角
を二等分する角度にて反射鏡を形成する。この光導波路
をリング状レーザ共振器としかつ４本の導波路のうち少
なくとも１本の導波路の一部分あるいは全体に光を共振
器外部に取り出す手段を付設したことを特徴とする。
この構造により、従来半導体リングレーザで困難とされ
てきた導波路からの放射損失および散乱損失の低減が達
成され、さらにレーザ光の外部取り出しが可能となり、
閾値電流の充分低い半導体リングレーザを再現性良く作
製することができることとなる。
てきた導波路からの放射損失および散乱損失の低減が達
成され、さらにレーザ光の外部取り出しが可能となり、
閾値電流の充分低い半導体リングレーザを再現性良く作
製することができることとなる。
〈実施例〉
以下、図面を参照にしながら本発明の１実施例について
詳説する。第１図は、本発明の１実施例を示す半導体レ
ーザ素子の一部切欠斜視図である。
詳説する。第１図は、本発明の１実施例を示す半導体レ
ーザ素子の一部切欠斜視図である。
ｐ型ＧａＡｓ基板ｌの（００）面上にｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層２を約０．８μｍの厚さで成長させた後、電流通
路及びその直上に導波路を形成するためのストライブ状
の溝３をエツチングにより作製する。
阻止層２を約０．８μｍの厚さで成長させた後、電流通
路及びその直上に導波路を形成するためのストライブ状
の溝３をエツチングにより作製する。
このエツチングは、ウェットエツチングあるいはドライ
エツチングのいずれの手法を用いてもよい。
エツチングのいずれの手法を用いてもよい。
エツチングによりＧａＡｓ基板１から電流阻止層２の除
去された溝３が電流通路となる。第２図は、上記溝３を
形成した基板を上方から見た平面図である。互いに直交
する（００１＞方向の溝１０１と＜０ ］ ０＞方向の
溝１０２を等間隔の格子状に作製する。図中斜め方向に
互いに直交する破線１０４．１０５は骨間を行なう方向
であり、襞間面はそれぞれ（０〒１）面と（０１１）面
が現われる。破線で囲まれた部分が１つの素子を構成す
る。溝１０１．１０２に対応して形成される光導波路の
みでは、リング型共振器を形成する光導波路外に光を取
υ出すことはできないため、光を外部へ取り出すことの
できる結合導波路を形成するために溝１０３を作製する
。この溝１０３は襞間面付近で僅かに曲率がつけられて
いる。このようにして、作製された基板上にｐ型ＧａＡ
ｔＡｓ第１クラッド層４、ｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ活性
層５、ｎ型ＧａＡｔＡｓ第２クラッド層６、ｎ型ＧａＡ
Ｓキャップ層７を順次液相エピタキシャル成長させてダ
ブルへテロ接合型のレーザ発振用多層結晶構造を形成す
る。レーザ発振のための共振器は内部電流狭′ゼ機構を
有するＶＳＩＳ型構造の光導波路を基本として形成され
る。その後ｐ型基板１側にはｎ側電極８、ｎ型キャップ
層７上にはｎ側電極９を真空蒸着法により形成する。こ
のようにして、作製したウェハを第２図に示す破線１０
４，１０５に沿って骨間し何個の素子に分割する。得ら
れた半導体レーザ素子は４つの襞間面１０にて囲まれて
いる。
去された溝３が電流通路となる。第２図は、上記溝３を
形成した基板を上方から見た平面図である。互いに直交
する（００１＞方向の溝１０１と＜０ ］ ０＞方向の
溝１０２を等間隔の格子状に作製する。図中斜め方向に
互いに直交する破線１０４．１０５は骨間を行なう方向
であり、襞間面はそれぞれ（０〒１）面と（０１１）面
が現われる。破線で囲まれた部分が１つの素子を構成す
る。溝１０１．１０２に対応して形成される光導波路の
みでは、リング型共振器を形成する光導波路外に光を取
υ出すことはできないため、光を外部へ取り出すことの
できる結合導波路を形成するために溝１０３を作製する
。この溝１０３は襞間面付近で僅かに曲率がつけられて
いる。このようにして、作製された基板上にｐ型ＧａＡ
ｔＡｓ第１クラッド層４、ｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ活性
層５、ｎ型ＧａＡｔＡｓ第２クラッド層６、ｎ型ＧａＡ
Ｓキャップ層７を順次液相エピタキシャル成長させてダ
ブルへテロ接合型のレーザ発振用多層結晶構造を形成す
る。レーザ発振のための共振器は内部電流狭′ゼ機構を
有するＶＳＩＳ型構造の光導波路を基本として形成され
る。その後ｐ型基板１側にはｎ側電極８、ｎ型キャップ
層７上にはｎ側電極９を真空蒸着法により形成する。こ
のようにして、作製したウェハを第２図に示す破線１０
４，１０５に沿って骨間し何個の素子に分割する。得ら
れた半導体レーザ素子は４つの襞間面１０にて囲まれて
いる。
次に第３図を用いてこの素子内を伝搬するレーザ光の様
子を説明する。この図は上方から見た図である。溝１０
１，１０２，１０３に対応して活性層５に屈折率分布が
付与され、溝１０１，１０２，１０３直上の活性層５内
が光導波路となる。４本の直線状光導波路２０１は四角
形をなし、その交差部には反射鏡として作用する襞間面
２０２が位置してリング状光共振器を構成している。Ｇ
ａＡｔＡｓより構成される活性層３の屈折率はＡｔ混晶
比０．０８（発振波長８２ Ｏｎｍ Ｋ相当）の場合３
６、空気の屈折率は１であるため、骨関節との交差角度
４５０の光導波路より構成されるリング状共振器内を伝
搬するレーザ光はすべて骨関節では全反射される。また
リング状共振器内金伝搬するレーザ光は、光導波路２０
１に近接して形成された元取り出し用の光導波路２０３
と相互結合作用を起すことにより、同光導波路２０３に
結合され、両端の襞開面より外部にレーザ放射光２０４
として取υ出される。
子を説明する。この図は上方から見た図である。溝１０
１，１０２，１０３に対応して活性層５に屈折率分布が
付与され、溝１０１，１０２，１０３直上の活性層５内
が光導波路となる。４本の直線状光導波路２０１は四角
形をなし、その交差部には反射鏡として作用する襞間面
２０２が位置してリング状光共振器を構成している。Ｇ
ａＡｔＡｓより構成される活性層３の屈折率はＡｔ混晶
比０．０８（発振波長８２ Ｏｎｍ Ｋ相当）の場合３
６、空気の屈折率は１であるため、骨関節との交差角度
４５０の光導波路より構成されるリング状共振器内を伝
搬するレーザ光はすべて骨関節では全反射される。また
リング状共振器内金伝搬するレーザ光は、光導波路２０
１に近接して形成された元取り出し用の光導波路２０３
と相互結合作用を起すことにより、同光導波路２０３に
結合され、両端の襞開面より外部にレーザ放射光２０４
として取υ出される。
この光導波路２０３の端部は襞間面に対して垂直方向に
屈曲されている。
屈曲されている。
本実施例にて作製した半導体レーザ素子をＤＣ駆動シて
よって動作させたところ、閾値電流３０ ｍＡ 。
よって動作させたところ、閾値電流３０ ｍＡ 。
外部微分量子効率０４（ｍｗ／ｍＡ）発振波長８２５ｎ
ｍ単−縦モード発振が確認された。この場合の動作特性
は、十分な最適化が行なわれていない状態での値であり
、成長法や素子構造等の最適化により更に向上を計るこ
とが可能である。またこの半導体レーザ素子の構造を用
いると、レーザの動作特性の向上のみならず、複雑な外
部変調器や光学部品を用いることなく、通信、情報処理
等幅広い応用分野への半導体レーザの適用が可能となる
。即ち、リング状共振器内を伝搬するレーザ光は互いに
反対方向であり、外部に取り出されるレーザ光も互いに
反対方向の光が独立して取り出されることｋてなる。従
って例えばリング状レーザジャイロとして回転センサを
容易に構成することが可能となる。また別の応用例とし
て、リング状共振器と外部取り出し用導波路を電極分割
により電気的に分離させることにより、レーザ光の取り
出しを任意に制御することが可能となり、Ｑスイッチレ
ーザが構成される。更に、他の応用例として、本実施例
では光取り出し用光導波路は１つであるが、共振器全構
成する４つの各光導波路のすべてに設置した場合、１つ
のレーザ共振器から同時に８本のレーザ光を得ることが
可能となり、複数の場所に同時に情報を送ることができ
る。
ｍ単−縦モード発振が確認された。この場合の動作特性
は、十分な最適化が行なわれていない状態での値であり
、成長法や素子構造等の最適化により更に向上を計るこ
とが可能である。またこの半導体レーザ素子の構造を用
いると、レーザの動作特性の向上のみならず、複雑な外
部変調器や光学部品を用いることなく、通信、情報処理
等幅広い応用分野への半導体レーザの適用が可能となる
。即ち、リング状共振器内を伝搬するレーザ光は互いに
反対方向であり、外部に取り出されるレーザ光も互いに
反対方向の光が独立して取り出されることｋてなる。従
って例えばリング状レーザジャイロとして回転センサを
容易に構成することが可能となる。また別の応用例とし
て、リング状共振器と外部取り出し用導波路を電極分割
により電気的に分離させることにより、レーザ光の取り
出しを任意に制御することが可能となり、Ｑスイッチレ
ーザが構成される。更に、他の応用例として、本実施例
では光取り出し用光導波路は１つであるが、共振器全構
成する４つの各光導波路のすべてに設置した場合、１つ
のレーザ共振器から同時に８本のレーザ光を得ることが
可能となり、複数の場所に同時に情報を送ることができ
る。
上記実施例においては、襞間により４つの反射鏡の形成
を行なったが反射鏡の形成法は弁開法に限定されるもの
でなく、化学エツチング、反応性イオン・エツチング（
ＲＩＥ）あるいは反応性イオンビーム・エツチング（Ｒ
ＩＢＥ）等として知られている種々のエツチング技術を
用いることによっても容易に実現し得る。また上記実施
例では液相エピタキシャル成長により二重へテロ接合構
造を作製することにより光導波路を形成したがこの光導
波路は気相エピタキシャル成長によっても実現されるも
のである。さらに、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）技術
や有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）技術などの
薄膜結晶成長技術により多重量子井戸構造を形成し光導
波路をよシ低損失とすることも可能であり、この場合半
導体レーザ素子の低閾値発据化が実現される。
を行なったが反射鏡の形成法は弁開法に限定されるもの
でなく、化学エツチング、反応性イオン・エツチング（
ＲＩＥ）あるいは反応性イオンビーム・エツチング（Ｒ
ＩＢＥ）等として知られている種々のエツチング技術を
用いることによっても容易に実現し得る。また上記実施
例では液相エピタキシャル成長により二重へテロ接合構
造を作製することにより光導波路を形成したがこの光導
波路は気相エピタキシャル成長によっても実現されるも
のである。さらに、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）技術
や有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）技術などの
薄膜結晶成長技術により多重量子井戸構造を形成し光導
波路をよシ低損失とすることも可能であり、この場合半
導体レーザ素子の低閾値発据化が実現される。
リング状共振器から外部にレーザ光を取り出す手段とし
て上記実施例においては共振器を構成する光導波路２０
＋に別の光導波路２０３を近接させたが、この手段に限
定されるものではない。即ち、光導波路の一部あるいは
全体に回折格子を形成したり、音響光変調器を具備する
ことにより、光測光機能や波長選択機能を実現させレー
ザ光をリング状共振器外部に取り出すことも可能である
。
て上記実施例においては共振器を構成する光導波路２０
＋に別の光導波路２０３を近接させたが、この手段に限
定されるものではない。即ち、光導波路の一部あるいは
全体に回折格子を形成したり、音響光変調器を具備する
ことにより、光測光機能や波長選択機能を実現させレー
ザ光をリング状共振器外部に取り出すことも可能である
。
尚、上記実施例はＧａＡｓ−ＧａＡｊＡｓ系の半導体レ
ーザについて説明したが、他の半導体材料を用いても適
用可能であることは明らかである。
ーザについて説明したが、他の半導体材料を用いても適
用可能であることは明らかである。
第１図は本発明の１実施例を示すリング共振器型半導体
レーザ素子の要部切欠斜視図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザ素子の基板」二に形
成された溝のパターンを示す平面図である。 第３図は第１図に示す半導体レーザ素子内部でのレーザ
光の伝搬の様子を説明する平面説明図である。 １・・ｐ型ＧａＡ３基板、２・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻
止層、３・・・溝、４・・・ｐ型ＧａＡＡＡｓ第１クラ
ッド、層、５−ｐ型ＧａＡｔＡｓ 活性層、６−ｎ型Ｇ
ａＡｔＡｓ第２クラッド層、７・・・ｎ型ＧａＡＳキャ
ップ層、８・・・ｎ側電極、９・・ｎ側電極、ＩＯ・・
・襞間面、Ｉｏｌ。 １０２．１０３・・溝、１０４．１０５・・・骨間方向
、２０１リング共振器用光導波路、２０２・・・襞間面
、２０３・レーザ光取り出し用光導波路、２０４・・レ
ーザ光。
レーザ素子の要部切欠斜視図である。 第２図は第１図に示す半導体レーザ素子の基板」二に形
成された溝のパターンを示す平面図である。 第３図は第１図に示す半導体レーザ素子内部でのレーザ
光の伝搬の様子を説明する平面説明図である。 １・・ｐ型ＧａＡ３基板、２・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻
止層、３・・・溝、４・・・ｐ型ＧａＡＡＡｓ第１クラ
ッド、層、５−ｐ型ＧａＡｔＡｓ 活性層、６−ｎ型Ｇ
ａＡｔＡｓ第２クラッド層、７・・・ｎ型ＧａＡＳキャ
ップ層、８・・・ｎ側電極、９・・ｎ側電極、ＩＯ・・
・襞間面、Ｉｏｌ。 １０２．１０３・・溝、１０４．１０５・・・骨間方向
、２０１リング共振器用光導波路、２０２・・・襞間面
、２０３・レーザ光取り出し用光導波路、２０４・・レ
ーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互いに対向する辺の光導波路が平行となる四角形状
に配置された４本のリング型光導波路を有し、該光導波
路の４隅交差部では交差角を二等分する角度にて反射鏡
面が形成され、 前記４本の光導波路のうち少なくとも１本の光導波路の
一部分あるいは全体に近接配置された光取出用導波路が
具備されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215781A JPS6276585A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/910,529 US4792962A (en) | 1985-09-28 | 1986-09-23 | A ring-shaped resonator type semiconductor laser device |
| DE19863632585 DE3632585A1 (de) | 1985-09-28 | 1986-09-25 | Halbleiterlaser |
| GB08623226A GB2181892B (en) | 1985-09-28 | 1986-09-26 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215781A JPS6276585A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276585A true JPS6276585A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16678120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215781A Pending JPS6276585A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4792962A (ja) |
| JP (1) | JPS6276585A (ja) |
| DE (1) | DE3632585A1 (ja) |
| GB (1) | GB2181892B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3727546A1 (de) * | 1987-08-18 | 1989-03-02 | Siemens Ag | Lichtverstaerker mit ringfoermig gefuehrter strahlung, insbesondere ringlaser-diode |
| DE4009728A1 (de) * | 1989-04-03 | 1990-10-04 | Teldix Gmbh | Verfahren zum herstellen eines grundkoerpers fuer einen laserkreisel |
| US5182233A (en) * | 1989-08-02 | 1993-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor pellet, and method for dicing compound semiconductor wafer |
| US5140651A (en) * | 1991-06-27 | 1992-08-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Semiconductive guided-wave programmable optical delay lines using electrooptic fabry-perot elements |
| US5241555A (en) * | 1991-10-28 | 1993-08-31 | Spitzer Mark B | Semiconductor single crystal external ring resonator cavity laser and gyroscope |
| US5231642A (en) * | 1992-05-08 | 1993-07-27 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor ring and folded cavity lasers |
| US5319727A (en) * | 1992-12-28 | 1994-06-07 | Honeywell Inc. | Ion-beam deposited, gain enhanced ring resonators |
| US5398256A (en) * | 1993-05-10 | 1995-03-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Interferometric ring lasers and optical devices |
| DE19504373C2 (de) * | 1995-02-10 | 2000-06-15 | Daimler Chrysler Ag | Diodengepumpter Festkörper-Ringlaserkreisel |
| JP2005249547A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザジャイロ |
| US7450623B2 (en) * | 2005-04-12 | 2008-11-11 | Eric G. Johnson | Wavelength locked laser including integrated wavelength selecting total internal reflection (TIR) structure |
| US7476048B2 (en) * | 2006-09-07 | 2009-01-13 | L'oreal | Cap seal for a product dispensing applicator |
| EP2643907A4 (en) * | 2010-10-25 | 2017-12-06 | MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | Long semiconductor laser cavity in a compact chip |
| JP5855693B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2016-02-09 | 富士重工業株式会社 | 振動検出装置及び振動検出方法 |
| WO2017200620A2 (en) * | 2016-02-29 | 2017-11-23 | Stc.Unm | Ring laser integrated with silicon-on-insulator waveguide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529147A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-01 | Fujitsu Ltd | Semiconductor ring laser device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3248671A (en) * | 1962-11-30 | 1966-04-26 | Ibm | Lasers utilizing internal reflection techniques |
| DE1295739B (de) * | 1964-11-28 | 1969-05-22 | Deutsche Bundespost | Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbares Medium (Injektionslaserdiode) |
| GB1305872A (ja) * | 1971-02-05 | 1973-02-07 | ||
| US3760297A (en) * | 1972-01-20 | 1973-09-18 | Int Standard Electric Corp | Laser to optical fiber coupling |
| GB1482936A (en) * | 1974-10-29 | 1977-08-17 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor lasers |
| FR2309890A1 (fr) * | 1975-04-30 | 1976-11-26 | Thomson Csf | Commutateur electro-optique et modulateur utilisant ce commutateur |
| US4112389A (en) * | 1977-01-21 | 1978-09-05 | Xerox Corporation | Diode laser with ring reflector |
| JPS5743485A (en) * | 1980-08-13 | 1982-03-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor ring laser device |
| US4347612A (en) * | 1980-08-25 | 1982-08-31 | Xerox Corporation | Semiconductor injection laser for high speed modulation |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP60215781A patent/JPS6276585A/ja active Pending
-
1986
- 1986-09-23 US US06/910,529 patent/US4792962A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-25 DE DE19863632585 patent/DE3632585A1/de not_active Ceased
- 1986-09-26 GB GB08623226A patent/GB2181892B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529147A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-01 | Fujitsu Ltd | Semiconductor ring laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4792962A (en) | 1988-12-20 |
| GB2181892B (en) | 1989-02-08 |
| DE3632585A1 (de) | 1987-04-02 |
| GB2181892A (en) | 1987-04-29 |
| GB8623226D0 (en) | 1986-10-29 |
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