JPH0629626A - 半導体リングレーザ - Google Patents
半導体リングレーザInfo
- Publication number
- JPH0629626A JPH0629626A JP18426592A JP18426592A JPH0629626A JP H0629626 A JPH0629626 A JP H0629626A JP 18426592 A JP18426592 A JP 18426592A JP 18426592 A JP18426592 A JP 18426592A JP H0629626 A JPH0629626 A JP H0629626A
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- Japan
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- waveguides
- ring laser
- semiconductor ring
- linear
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射ミラーでの散乱損失を可及的に低減した
半導体リングレーザを提供する。 【構成】 互いに連結して閉ループを形成する複数本の
直線状導波路を備えると共に、前記直線状導波路が連結
している各連結位置に、連結している直線状導波路の一
方から入射した光線を他方の直線状導波路に反射する反
射ミラーＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓを形成してある半導体リングレ
ーザにおいて、前記複数の連結位置のうち少なくとも一
つの連結位置に連なる一対の導波路を、劈開面に対する
垂直面に対して対称に位置させ、その連結位置に設ける
反射ミラーを劈開面にて構成してある。
半導体リングレーザを提供する。 【構成】 互いに連結して閉ループを形成する複数本の
直線状導波路を備えると共に、前記直線状導波路が連結
している各連結位置に、連結している直線状導波路の一
方から入射した光線を他方の直線状導波路に反射する反
射ミラーＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓを形成してある半導体リングレ
ーザにおいて、前記複数の連結位置のうち少なくとも一
つの連結位置に連なる一対の導波路を、劈開面に対する
垂直面に対して対称に位置させ、その連結位置に設ける
反射ミラーを劈開面にて構成してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、互いに連結して閉ルー
プを形成する複数本の直線状導波路を備えると共に、前
記直線状導波路が連結している各連結位置に、連結して
いる直線状導波路の一方から入射した光線を他方の直線
状導波路に反射する反射ミラーを形成してある半導体リ
ングレーザに関する。
プを形成する複数本の直線状導波路を備えると共に、前
記直線状導波路が連結している各連結位置に、連結して
いる直線状導波路の一方から入射した光線を他方の直線
状導波路に反射する反射ミラーを形成してある半導体リ
ングレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる半導体リングレーザでは、従来、
各連結位置に反射ミラーを形成するのに、連結位置をド
ライエッチングによってエッチングして、いわゆるエッ
チングミラーを形成していた（特開平３−４０４８０号
公報参照）。
各連結位置に反射ミラーを形成するのに、連結位置をド
ライエッチングによってエッチングして、いわゆるエッ
チングミラーを形成していた（特開平３−４０４８０号
公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のように、エッチングによって形成したエッチン
グミラーは、一般に面の平坦性が悪いため、各直線状導
波路から反射ミラーに入射した光のうち散乱損失によっ
て失われてしまう光の割合が多くなって、半導体リング
レーザの発光効率を低下させてしまうという不都合があ
った。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、反射ミラーでの散乱損失を可及的に低
減した半導体リングレーザを提供することにある。
来技術のように、エッチングによって形成したエッチン
グミラーは、一般に面の平坦性が悪いため、各直線状導
波路から反射ミラーに入射した光のうち散乱損失によっ
て失われてしまう光の割合が多くなって、半導体リング
レーザの発光効率を低下させてしまうという不都合があ
った。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、反射ミラーでの散乱損失を可及的に低
減した半導体リングレーザを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体リングレ
ーザは、互いに連結して閉ループを形成する複数本の直
線状導波路を備えると共に、前記直線状導波路が連結し
ている各連結位置に、連結している直線状導波路の一方
から入射した光線を他方の直線状導波路に反射する反射
ミラーを形成してあるものであって、その特徴構成は、
前記複数の連結位置のうち少なくとも一つの連結位置に
連なる一対の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して
対称に位置させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈
開面にて構成してある点にある。又、第２特徴構成は、
第１特徴構成の実施態様を限定するものであって、前記
複数本の直線状導波路が、四角形状の閉ループを形成す
るように４本の直線状導波路からなると共に、前記連結
位置の四つ全てにおいて、夫々の連結位置に連なる一対
の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して対称に位置
させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈開面にて構
成してある点にある。
ーザは、互いに連結して閉ループを形成する複数本の直
線状導波路を備えると共に、前記直線状導波路が連結し
ている各連結位置に、連結している直線状導波路の一方
から入射した光線を他方の直線状導波路に反射する反射
ミラーを形成してあるものであって、その特徴構成は、
前記複数の連結位置のうち少なくとも一つの連結位置に
連なる一対の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して
対称に位置させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈
開面にて構成してある点にある。又、第２特徴構成は、
第１特徴構成の実施態様を限定するものであって、前記
複数本の直線状導波路が、四角形状の閉ループを形成す
るように４本の直線状導波路からなると共に、前記連結
位置の四つ全てにおいて、夫々の連結位置に連なる一対
の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して対称に位置
させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈開面にて構
成してある点にある。
【０００５】
【作用】上記第１特徴構成によれば、直線状導波路を進
行するレーザ光は、直線状導波路が連結する位置に達す
ると、その連結位置に設けられた反射ミラーに入射し
て、他方の直線状導波路に反射される。このように連結
位置で反射されることで、レーザ光は閉ループを形成す
る複数本の直線状導波路内を連続して進行し、リングレ
ーザが形成される。上記の反射ミラーを半導体結晶の劈
開面にて構成すると、半導体結晶の劈開面が原子レベル
の平坦性を有しているため、その反射ミラーでは散乱損
失が極めて少ない。
行するレーザ光は、直線状導波路が連結する位置に達す
ると、その連結位置に設けられた反射ミラーに入射し
て、他方の直線状導波路に反射される。このように連結
位置で反射されることで、レーザ光は閉ループを形成す
る複数本の直線状導波路内を連続して進行し、リングレ
ーザが形成される。上記の反射ミラーを半導体結晶の劈
開面にて構成すると、半導体結晶の劈開面が原子レベル
の平坦性を有しているため、その反射ミラーでは散乱損
失が極めて少ない。
【０００６】上記第２特徴構成によれば、４本の直線状
導波路の四つ連結位置に形成される反射ミラーが全て半
導体結晶の劈開面にて構成されており、何れの反射ミラ
ーにおいても散乱損失が極めて少ない。
導波路の四つ連結位置に形成される反射ミラーが全て半
導体結晶の劈開面にて構成されており、何れの反射ミラ
ーにおいても散乱損失が極めて少ない。
【０００７】
【発明の効果】上記第１特徴構成、又は、第２特徴構成
によれば、上記の如く半導体リングレーザにおいて反射
ミラーでの散乱損失を低減でき、半導体リングレーザの
発光効率を向上できるため、半導体リングレーザの消費
電力の低減や素子寿命の長寿命化を図ることができる。
によれば、上記の如く半導体リングレーザにおいて反射
ミラーでの散乱損失を低減でき、半導体リングレーザの
発光効率を向上できるため、半導体リングレーザの消費
電力の低減や素子寿命の長寿命化を図ることができる。
【０００８】
【実施例】本発明を適用した半導体リングレーザの実施
例について図面に基づいて説明する。図１に示す半導体
リングレーザの斜視図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１の
（１０ ０）面上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層３、アンドープＡｌＧａＡｓ活
性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５、及び、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層６を、ＭＢＥ法等の結晶成長法によっ
て順次積層してある。ｐ型キャップ層６の上には、Ｓｉ
Ｏ2 絶縁膜７をＣＶＤ法にて積層し、ＳｉＯ 2 絶縁膜７
の上には、ｐ側電極８を蒸着にて形成してある。又、ｎ
型ＧａＡｓ基板１には、ｎ側電極９を蒸着にて形成して
ある。
例について図面に基づいて説明する。図１に示す半導体
リングレーザの斜視図において、ｎ型ＧａＡｓ基板１の
（１０ ０）面上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層３、アンドープＡｌＧａＡｓ活
性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５、及び、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層６を、ＭＢＥ法等の結晶成長法によっ
て順次積層してある。ｐ型キャップ層６の上には、Ｓｉ
Ｏ2 絶縁膜７をＣＶＤ法にて積層し、ＳｉＯ 2 絶縁膜７
の上には、ｐ側電極８を蒸着にて形成してある。又、ｎ
型ＧａＡｓ基板１には、ｎ側電極９を蒸着にて形成して
ある。
【０００９】半導体リングレーザの四つの側面Ｐ，Ｑ，
Ｒ，Ｓは、劈開面にて形成してあり、一方の向かい合う
側面ＰとＲとは（０ −１ １）面に相当し、もう一方
の向かい合う側面ＱとＳとは（０ −１ −１）面に相
当する。尚、結晶面の表記におけるミラー指数の『−』
記号は、ミラー指数を示す数字の上に付ける『−（バ
ー）』を意味するものとする。この四つの側面Ｐ，Ｑ，
Ｒ，Ｓのうち、側面Ｑ，Ｒ，Ｓには、図１では図示を省
略しているＳｉＯ2 膜又はＡｌ2 Ｏ3 膜等の誘電体保護
膜２０を、側面Ｐには、図１では図示を省略しているＴ
ｉＯ2 等の高屈折率誘電体膜２１を、ＣＶＤ法あるいは
スパッタリング法等で夫々成膜してある。
Ｒ，Ｓは、劈開面にて形成してあり、一方の向かい合う
側面ＰとＲとは（０ −１ １）面に相当し、もう一方
の向かい合う側面ＱとＳとは（０ −１ −１）面に相
当する。尚、結晶面の表記におけるミラー指数の『−』
記号は、ミラー指数を示す数字の上に付ける『−（バ
ー）』を意味するものとする。この四つの側面Ｐ，Ｑ，
Ｒ，Ｓのうち、側面Ｑ，Ｒ，Ｓには、図１では図示を省
略しているＳｉＯ2 膜又はＡｌ2 Ｏ3 膜等の誘電体保護
膜２０を、側面Ｐには、図１では図示を省略しているＴ
ｉＯ2 等の高屈折率誘電体膜２１を、ＣＶＤ法あるいは
スパッタリング法等で夫々成膜してある。
【００１０】ＳｉＯ2 絶縁膜７は、一様な膜を積層した
後、図２に示す平面図の斜線部Ａに相当する部分をエッ
チング除去してある。従って、この斜線部Ａに相当する
部分では、ｐ側電極８とｐ型ＧａＡｓキャップ層６とが
直接的に接触し、ｐ側電極から注入された電流は、この
部分から半導体リングレーザ内に流れ込むことになる。
尚、斜線部Ａの形状は、各角部が側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの
上辺中央部分に接する状態の正方形状であり、その正方
形の各辺は側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓに４５度の角度で交わっ
ている。
後、図２に示す平面図の斜線部Ａに相当する部分をエッ
チング除去してある。従って、この斜線部Ａに相当する
部分では、ｐ側電極８とｐ型ＧａＡｓキャップ層６とが
直接的に接触し、ｐ側電極から注入された電流は、この
部分から半導体リングレーザ内に流れ込むことになる。
尚、斜線部Ａの形状は、各角部が側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの
上辺中央部分に接する状態の正方形状であり、その正方
形の各辺は側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓに４５度の角度で交わっ
ている。
【００１１】上記の構成の半導体リングレーザに、ｐ側
電極８とｎ側電極９との間に順電圧をかけて、ｐ側電極
８から電流を注入すると、上記の如く、電流はＳｉＯ2
絶縁膜７を除いてある図２に示す斜線部分Ａに相当する
部分から半導体リングレーザ内部に流れ込む。その流れ
込んだ電流はアンドープＡｌＧａＡｓ活性層４に達する
とレーザ発光に寄与するが、その電流は、図２に示す斜
線部分Ａの形状を反映しながらアンドープＡｌＧａＡｓ
活性層４に達するため、レーザ発光も斜線部分Ａの形状
を反映して発生する。従って、厚さ方向の位置に関して
はアンドープＡｌＧａＡｓ活性層４とその近辺の位置
に、平面視の位置に関しては斜線部分Ａの形状を反映し
て、図３の平面図に示すような、側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの
位置において互いに連結して正方形状の閉ループを形成
するレーザ光の直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈが形成され
る。
電極８とｎ側電極９との間に順電圧をかけて、ｐ側電極
８から電流を注入すると、上記の如く、電流はＳｉＯ2
絶縁膜７を除いてある図２に示す斜線部分Ａに相当する
部分から半導体リングレーザ内部に流れ込む。その流れ
込んだ電流はアンドープＡｌＧａＡｓ活性層４に達する
とレーザ発光に寄与するが、その電流は、図２に示す斜
線部分Ａの形状を反映しながらアンドープＡｌＧａＡｓ
活性層４に達するため、レーザ発光も斜線部分Ａの形状
を反映して発生する。従って、厚さ方向の位置に関して
はアンドープＡｌＧａＡｓ活性層４とその近辺の位置
に、平面視の位置に関しては斜線部分Ａの形状を反映し
て、図３の平面図に示すような、側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの
位置において互いに連結して正方形状の閉ループを形成
するレーザ光の直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈが形成され
る。
【００１２】直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈが連結する四
つの連結位置において、各連結位置に連なる一対の直線
状導波路は、上記の如く、正方形状としてある斜線部分
Ａの各辺が側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓに４５度の角度で交わっ
ているために、側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの夫々に対する垂直
面に対して対称に位置しており、直線状導波路の一方か
ら入射したレーザ光は、劈開面である側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，
Ｓで、他方の直線状導波路に反射する。つまり、側面
Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓが反射ミラーとして機能してリングレー
ザを形成するのである。
つの連結位置において、各連結位置に連なる一対の直線
状導波路は、上記の如く、正方形状としてある斜線部分
Ａの各辺が側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓに４５度の角度で交わっ
ているために、側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓの夫々に対する垂直
面に対して対称に位置しており、直線状導波路の一方か
ら入射したレーザ光は、劈開面である側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，
Ｓで、他方の直線状導波路に反射する。つまり、側面
Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓが反射ミラーとして機能してリングレー
ザを形成するのである。
【００１３】尚、側面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓのうち、側面Ｑ，
Ｒ，Ｓでは、直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，誘電体保護
膜２０，及び，空気の三者の屈折率及び各側面Ｑ，Ｒ，
Ｓと直線状導波路のなす角度（４５°）の関係から、直
線状導波路を伝播するレーザ光が、入射側の直線状導波
路に連結しているもう一方の直線状導波路に全反射す
る。側面Ｐでは、直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，高屈折
率誘電体膜２１，及び，空気の三者の屈折率及び側面Ｐ
と直線状導波路のなす角度（４５°）の関係から、直線
状導波路を伝播するレーザ光の一部が入射側の直線状導
波路に連結しているもう一方の直線状導波路に反射し、
残りが高屈折率誘電体膜２１に入射して高屈折率誘電体
膜２１内を導波し、図３中に矢印Ｂで示す方向に、半導
体リングレーザの外部に取り出される。
Ｒ，Ｓでは、直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，誘電体保護
膜２０，及び，空気の三者の屈折率及び各側面Ｑ，Ｒ，
Ｓと直線状導波路のなす角度（４５°）の関係から、直
線状導波路を伝播するレーザ光が、入射側の直線状導波
路に連結しているもう一方の直線状導波路に全反射す
る。側面Ｐでは、直線状導波路Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，高屈折
率誘電体膜２１，及び，空気の三者の屈折率及び側面Ｐ
と直線状導波路のなす角度（４５°）の関係から、直線
状導波路を伝播するレーザ光の一部が入射側の直線状導
波路に連結しているもう一方の直線状導波路に反射し、
残りが高屈折率誘電体膜２１に入射して高屈折率誘電体
膜２１内を導波し、図３中に矢印Ｂで示す方向に、半導
体リングレーザの外部に取り出される。
【００１４】〔別実施例〕以下、別実施例を列記する。 上記実施例では、半導体リングレーザを構成する全
ての反射ミラーを劈開面にて構成してあるが、全ての反
射ミラーを劈開面にて構成する必要はなく、一部の反射
ミラーを劈開面にて構成して、他の反射ミラーをエッチ
ングミラーやＤＢＲ等としても良い。
ての反射ミラーを劈開面にて構成してあるが、全ての反
射ミラーを劈開面にて構成する必要はなく、一部の反射
ミラーを劈開面にて構成して、他の反射ミラーをエッチ
ングミラーやＤＢＲ等としても良い。
【００１５】 上記実施例では、直線状導波路によっ
て形成される閉ループを正方形状としているが、ひし形
状や長方形状としても良いし、又四角形以外の多角形と
しても良い。
て形成される閉ループを正方形状としているが、ひし形
状や長方形状としても良いし、又四角形以外の多角形と
しても良い。
【００１６】 上記実施例では、ＳｉＯ2 絶縁膜７に
よって半導体リングレーザに電流を注入する領域を規制
して、直線状導波路を形成しているが、活性層４のレー
ザ光伝播方向に対する左右両側を他の材料で埋め込む形
の、いわゆる埋め込み構造として直線状導波路を形成す
るようにしても良い。
よって半導体リングレーザに電流を注入する領域を規制
して、直線状導波路を形成しているが、活性層４のレー
ザ光伝播方向に対する左右両側を他の材料で埋め込む形
の、いわゆる埋め込み構造として直線状導波路を形成す
るようにしても良い。
【００１７】 上記実施例では、ＡｌＧａＡｓ系の結
晶で半導体リングレーザを構成しているが、ＩｎＰ系の
材料等の他の結晶材料で半導体リングレーザを構成する
ようにしても良い。
晶で半導体リングレーザを構成しているが、ＩｎＰ系の
材料等の他の結晶材料で半導体リングレーザを構成する
ようにしても良い。
【００１８】 上記実施例では、半導体リングレーザ
からレーザ光を取り出すために、側面Ｐに高屈折率誘電
体膜２１を成膜しているが、図４に示すように、平面視
の断面がほぼ台形となっている角柱状の高屈折率誘電体
結晶３０の側面Ｖを半導体リングレーザ素子の側面Ｐと
密着させることによって、半導体リングレーザからレー
ザ光を取り出すようにしても良い。 半導体リングレーザの側面Ｐから出射したレーザ光は、
高屈折率誘電体結晶３０の内部を矢印Ｃの方向に進み、
無反射膜３１を施した高屈折率誘電体結晶３０の側面Ｕ
及びＴから外部に取り出される。
からレーザ光を取り出すために、側面Ｐに高屈折率誘電
体膜２１を成膜しているが、図４に示すように、平面視
の断面がほぼ台形となっている角柱状の高屈折率誘電体
結晶３０の側面Ｖを半導体リングレーザ素子の側面Ｐと
密着させることによって、半導体リングレーザからレー
ザ光を取り出すようにしても良い。 半導体リングレーザの側面Ｐから出射したレーザ光は、
高屈折率誘電体結晶３０の内部を矢印Ｃの方向に進み、
無反射膜３１を施した高屈折率誘電体結晶３０の側面Ｕ
及びＴから外部に取り出される。
【００１９】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
【図１】本発明の実施例にかかる半導体リングレーザの
斜視図
斜視図
【図２】本発明の実施例にかかる半導体リングレーザの
製造工程の一部を説明する平面図
製造工程の一部を説明する平面図
【図３】本発明の実施例にかかる半導体リングレーザの
直線状導波路の位置を示す平面図
直線状導波路の位置を示す平面図
【図４】本発明の別実施例にかかる半導体リングレーザ
の概略平面図
の概略平面図
【符号の説明】 Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ 直線状導波路 Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ 反射ミラー
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに連結して閉ループを形成する複数
本の直線状導波路（Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）を備えると共に、
前記直線状導波路（Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）が連結している各
連結位置に、連結している直線状導波路の一方から入射
した光線を他方の直線状導波路に反射する反射ミラー
（Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ）を形成してある半導体リングレーザ
であって、 前記複数の連結位置のうち少なくとも一つの連結位置に
連なる一対の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して
対称に位置させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈
開面にて構成してある半導体リングレーザ。 - 【請求項２】 前記複数本の直線状導波路（Ｅ，Ｆ，
Ｇ，Ｈ）が、四角形状の閉ループを形成するように４本
の直線状導波路（Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ）からなると共に、 前記連結位置の四つ全てにおいて、夫々の連結位置に連
なる一対の導波路を、劈開面に対する垂直面に対して対
称に位置させ、その連結位置に設ける反射ミラーを劈開
面にて構成してある請求項１記載の半導体リングレー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18426592A JPH0629626A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 半導体リングレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18426592A JPH0629626A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 半導体リングレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629626A true JPH0629626A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16150296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18426592A Pending JPH0629626A (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 半導体リングレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019553A (ja) * | 2006-10-11 | 2007-01-25 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザ |
| US7630603B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-12-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical waveguide ring resonator with photo-tunneling input/output port |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP18426592A patent/JPH0629626A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007019553A (ja) * | 2006-10-11 | 2007-01-25 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザ |
| US7630603B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-12-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical waveguide ring resonator with photo-tunneling input/output port |
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