JPH06169129A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH06169129A JPH06169129A JP43A JP32096492A JPH06169129A JP H06169129 A JPH06169129 A JP H06169129A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 32096492 A JP32096492 A JP 32096492A JP H06169129 A JPH06169129 A JP H06169129A
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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- H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
- H01S5/18352—Mesa with inclined sidewall
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 垂直共振器型の面発光型構成の半導体レーザ
において、分布反射型多層膜を用いて低しきい値化及び
高出力化をはかる。 【構成】 ｛１００｝結晶面を主面１Ｓとする半導体基
体１上に、少なくとも分布反射型多層膜３と、第１のク
ラッド層５と、活性層６と、第２のクラッド層７とを積
層形成して、各層の上部に｛１１０｝結晶面の｛１１
０｝、｛１０１｝、｛１−１０｝、｛１０−１｝各結晶
面によって囲まれた斜面９Ａ、９Ｂ‥‥を反射鏡として
設ける構成とする。
において、分布反射型多層膜を用いて低しきい値化及び
高出力化をはかる。 【構成】 ｛１００｝結晶面を主面１Ｓとする半導体基
体１上に、少なくとも分布反射型多層膜３と、第１のク
ラッド層５と、活性層６と、第２のクラッド層７とを積
層形成して、各層の上部に｛１１０｝結晶面の｛１１
０｝、｛１０１｝、｛１−１０｝、｛１０−１｝各結晶
面によって囲まれた斜面９Ａ、９Ｂ‥‥を反射鏡として
設ける構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特に例
えば半導体レーザの出力光を基体に垂直な面方向に取り
出すいわゆる面発光型構成の半導体レーザ及びその製造
方法に係わる。
えば半導体レーザの出力光を基体に垂直な面方向に取り
出すいわゆる面発光型構成の半導体レーザ及びその製造
方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、光ディスク、光ファイ
バー通信用光源等として広く実用化されており、更に高
コヒーレンス化や高出力化等の特性の向上と共に、光変
調器などの機能デバイスとのモノリシック集積化が進め
られている。特に近年、光コンピュータ等における並列
光情報処理、或いは大容量並列光伝送などへの応用を考
えて、大規模な２次元集積化の実現が望まれている。し
かしながら、従来構成の半導体レーザは素子分離をしな
いと性能試験ができないなどの理由からモノリシックな
集積が極めて難しい。これに対して２次元集積化が可能
な半導体レーザとして、基板面に垂直な方向にレーザ光
を出射する面発光型のレーザが注目されている。
バー通信用光源等として広く実用化されており、更に高
コヒーレンス化や高出力化等の特性の向上と共に、光変
調器などの機能デバイスとのモノリシック集積化が進め
られている。特に近年、光コンピュータ等における並列
光情報処理、或いは大容量並列光伝送などへの応用を考
えて、大規模な２次元集積化の実現が望まれている。し
かしながら、従来構成の半導体レーザは素子分離をしな
いと性能試験ができないなどの理由からモノリシックな
集積が極めて難しい。これに対して２次元集積化が可能
な半導体レーザとして、基板面に垂直な方向にレーザ光
を出射する面発光型のレーザが注目されている。
【０００３】このような面発光レーザとしては、例えば
通常の半導体レーザの発光端面に対向して、基板に対し
４５°の角度をなすミラー面を設け、このミラー面に反
射させてレーザ光を基板面に対し垂直な方向に取り出す
構成が採られる。そしてこのような面発光レーザをモノ
リシック構成として形成するためには、一般にＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）、ＲＩＢＥ（反応性イオン
ビームエッチング）、イオンミリング等の異方性のドラ
イエッチングを利用することにより、例えば基板上に形
成した半導体層に対して基板に垂直な方向からと、４５
°程度の斜め方向からとの２回の異方性エッチングを行
うことによってレーザ光出射端面とミラー面とを形成し
て得ることができる。
通常の半導体レーザの発光端面に対向して、基板に対し
４５°の角度をなすミラー面を設け、このミラー面に反
射させてレーザ光を基板面に対し垂直な方向に取り出す
構成が採られる。そしてこのような面発光レーザをモノ
リシック構成として形成するためには、一般にＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）、ＲＩＢＥ（反応性イオン
ビームエッチング）、イオンミリング等の異方性のドラ
イエッチングを利用することにより、例えば基板上に形
成した半導体層に対して基板に垂直な方向からと、４５
°程度の斜め方向からとの２回の異方性エッチングを行
うことによってレーザ光出射端面とミラー面とを形成し
て得ることができる。
【０００４】しかしながら、このような異方性ドライエ
ッチングにより形成する場合、そのエッチング界面には
かなりのダメージが生じ、活性層端面やミラー面を原子
層オーダー程度の平坦性をもって形成することが難し
く、また活性層端面に高反射膜を被着する場合はこの被
着によって活性層がダメージを受け、特性の変動や低下
を生じるという不都合が生じ、レーザ光を効率よく面方
向に取り出すことは難しい。
ッチングにより形成する場合、そのエッチング界面には
かなりのダメージが生じ、活性層端面やミラー面を原子
層オーダー程度の平坦性をもって形成することが難し
く、また活性層端面に高反射膜を被着する場合はこの被
着によって活性層がダメージを受け、特性の変動や低下
を生じるという不都合が生じ、レーザ光を効率よく面方
向に取り出すことは難しい。
【０００５】このため、基板上に半導体層と反射面とを
積層して基板面に垂直な方向に共振器を形成し、垂直方
向にレーザ光を出射させる構成が提案されている（例え
ばＲ．Ｇｅｅｌｓらによる「応用物理」第６０巻第１号
（１９９１）ｐ．２〜１３）。この垂直共振器型の半導
体レーザの一例を図５を参照して説明する。
積層して基板面に垂直な方向に共振器を形成し、垂直方
向にレーザ光を出射させる構成が提案されている（例え
ばＲ．Ｇｅｅｌｓらによる「応用物理」第６０巻第１号
（１９９１）ｐ．２〜１３）。この垂直共振器型の半導
体レーザの一例を図５を参照して説明する。
【０００６】この場合例えばｎ型のＧａＡｓより成る半
導体基体１の上に、例えばＳｉがドープされたｎ型の分
布反射型多層膜１３が形成される。この分布反射型多層
膜１３は例えばＡｌＡｓとＧａＡｓが２８．５周期積層
された構成とし得る。そしてこの上に例えば厚さ８ｎｍ
のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る量子井戸構造の活性
層６、更に例えばＢｅがドープされたｐ型の分布反射型
多層膜１４が形成される。このｐ型分布反射型多層膜は
例えばＡｌＡｓとＧａＡｓとが２８．５周期積層された
構成とし得る。そして更にこの上にＧａＡｓ等より成
り、その厚さが発振光の波長に対し４分の１とされたキ
ャップ層１５が被着される。
導体基体１の上に、例えばＳｉがドープされたｎ型の分
布反射型多層膜１３が形成される。この分布反射型多層
膜１３は例えばＡｌＡｓとＧａＡｓが２８．５周期積層
された構成とし得る。そしてこの上に例えば厚さ８ｎｍ
のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る量子井戸構造の活性
層６、更に例えばＢｅがドープされたｐ型の分布反射型
多層膜１４が形成される。このｐ型分布反射型多層膜は
例えばＡｌＡｓとＧａＡｓとが２８．５周期積層された
構成とし得る。そして更にこの上にＧａＡｓ等より成
り、その厚さが発振光の波長に対し４分の１とされたキ
ャップ層１５が被着される。
【０００７】そして所定の幅及び長さをもって各層１
３、６、１４及び１５をパターニングする。即ちｎ型分
布反射型多層膜１３に達する深さの溝をフォトリソグラ
フィ等の適用によりエッチング形成した後、ポリイミド
等より成る埋込層１６により周囲を覆うようにして、こ
の上に全面的にＡｕ等より成る電極１０をスパッタリン
グ等により被着し、基体１の裏面側にも同様に電極１１
を形成して、矢印ＬO で示すように、ｐ型及びｎ型の各
分布反射型多層膜１３及び１４によって活性層６から発
振された光を反射するようにして、膜厚方向に共振器が
構成された垂直共振器型の半導体レーザを得ることがで
きる。
３、６、１４及び１５をパターニングする。即ちｎ型分
布反射型多層膜１３に達する深さの溝をフォトリソグラ
フィ等の適用によりエッチング形成した後、ポリイミド
等より成る埋込層１６により周囲を覆うようにして、こ
の上に全面的にＡｕ等より成る電極１０をスパッタリン
グ等により被着し、基体１の裏面側にも同様に電極１１
を形成して、矢印ＬO で示すように、ｐ型及びｎ型の各
分布反射型多層膜１３及び１４によって活性層６から発
振された光を反射するようにして、膜厚方向に共振器が
構成された垂直共振器型の半導体レーザを得ることがで
きる。
【０００８】このように特に共振器を構成する反射鏡を
ｐ型、ｎ型の一組の分布反射型多層膜により構成る場
合、多数のヘテロ障壁を含むため低抵抗のｐ型伝導を得
ることが困難であり、多層膜反射鏡を電流注入型のレー
ザに用いる場合は低抵抗化が難しいという問題がある。
分布反射型多層膜として誘電体多層膜を用いることも考
えられるが、この場合製造工程が複雑になるだけでな
く、電流注入が難しくなるという問題も生じる。
ｐ型、ｎ型の一組の分布反射型多層膜により構成る場
合、多数のヘテロ障壁を含むため低抵抗のｐ型伝導を得
ることが困難であり、多層膜反射鏡を電流注入型のレー
ザに用いる場合は低抵抗化が難しいという問題がある。
分布反射型多層膜として誘電体多層膜を用いることも考
えられるが、この場合製造工程が複雑になるだけでな
く、電流注入が難しくなるという問題も生じる。
【０００９】また上述の構成では共振器が垂直方向に形
成されるため、利得領域長が活性層の厚さによって決ま
り、これを大とすることが難しく、得られる利得が小さ
い。このため、充分な低しきい値化をはかるためには、
分布反射型多層膜を９５％程度以上の高反射率とする必
要がある。しかしながらこのように出射端面を高反射率
とする場合は、逆に外部への出射光量が小となることか
ら、高出力のレーザには適用し難いという問題がある。
成されるため、利得領域長が活性層の厚さによって決ま
り、これを大とすることが難しく、得られる利得が小さ
い。このため、充分な低しきい値化をはかるためには、
分布反射型多層膜を９５％程度以上の高反射率とする必
要がある。しかしながらこのように出射端面を高反射率
とする場合は、逆に外部への出射光量が小となることか
ら、高出力のレーザには適用し難いという問題がある。
【００１０】一方、充分に高出力の得られる構造とし
て、通常の水平共振器型レーザの端面近傍に４５°反射
鏡を形成して基板面に垂直な出力を得るものがある（例
えば"L.P.Lee et al. Appl.Phys.Lett.57(1990)pp2048-
2050" ）。この構成は原理的には簡単であるが、一般に
共振器端面や４５°外部反射鏡をＲＩＢＥ等のエッチン
グ技術を用いて作製するため、製造工程が複雑で且つ端
面や外部反射鏡の平面度や角度精度の制御が難しい。そ
のため出射角のずれや収差等が生じる恐れがある。
て、通常の水平共振器型レーザの端面近傍に４５°反射
鏡を形成して基板面に垂直な出力を得るものがある（例
えば"L.P.Lee et al. Appl.Phys.Lett.57(1990)pp2048-
2050" ）。この構成は原理的には簡単であるが、一般に
共振器端面や４５°外部反射鏡をＲＩＢＥ等のエッチン
グ技術を用いて作製するため、製造工程が複雑で且つ端
面や外部反射鏡の平面度や角度精度の制御が難しい。そ
のため出射角のずれや収差等が生じる恐れがある。
【００１１】更に、充分な高出力が得られる別の構造と
して、通常の水平共振器型レーザ構造を作製した後、垂
直な端面を形成せずに４５°エッチングを行ってその斜
め端面を内部全反射鏡とし、曲がり共振器を構成する例
が報告されている（例えば"N.Hamao et al. Appl.Phys.
Lett.54(1989)pp2389-2391" ）。しかしながらこの構造
でも上述の外部反射鏡型と同様にＲＩＢＥ等のエッチン
グ技術を利用して作製するため、上述の例と同様の問題
が生じる。特に４５度反射鏡の角度精度は極めて困難と
なる。
して、通常の水平共振器型レーザ構造を作製した後、垂
直な端面を形成せずに４５°エッチングを行ってその斜
め端面を内部全反射鏡とし、曲がり共振器を構成する例
が報告されている（例えば"N.Hamao et al. Appl.Phys.
Lett.54(1989)pp2389-2391" ）。しかしながらこの構造
でも上述の外部反射鏡型と同様にＲＩＢＥ等のエッチン
グ技術を利用して作製するため、上述の例と同様の問題
が生じる。特に４５度反射鏡の角度精度は極めて困難と
なる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レーザ光を
基板の主面に対して垂直な方向に取り出す面発光型構成
の半導体レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低
しきい値化及び高出力化をはかる。
基板の主面に対して垂直な方向に取り出す面発光型構成
の半導体レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低
しきい値化及び高出力化をはかる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、その一例の略
線的拡大断面図を図１に示すように、｛１００｝結晶面
を主面１Ｓとする半導体基体１上に、少なくとも分布反
射型多層膜３と、第１のクラッド層５と、活性層６と、
第２のクラッド層７とを積層形成して、各層の上部に
｛１１０｝結晶面の｛１１０｝、｛１０１｝、｛１−１
０｝、｛１０−１｝各結晶面によって囲まれた斜面９
Ａ、９Ｂ‥‥を反射鏡として設ける構成とする。
線的拡大断面図を図１に示すように、｛１００｝結晶面
を主面１Ｓとする半導体基体１上に、少なくとも分布反
射型多層膜３と、第１のクラッド層５と、活性層６と、
第２のクラッド層７とを積層形成して、各層の上部に
｛１１０｝結晶面の｛１１０｝、｛１０１｝、｛１−１
０｝、｛１０−１｝各結晶面によって囲まれた斜面９
Ａ、９Ｂ‥‥を反射鏡として設ける構成とする。
【００１４】また本発明は、その一例の略線的拡大断面
図を図２に示すように、｛１００｝結晶面を主面１Ｓと
する半導体基体１上に、少なくとも分布反射型多層膜３
と、第１のクラッド層５を形成して、この上に｛１１
０｝結晶面の｛１１０｝、｛１０１｝、｛１−１０｝、
｛１０−１｝の各結晶面によって囲まれた斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥を反射鏡として形成し、この斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
に囲まれた領域に少なくとも活性層６及び第２のクラッ
ド層７を設ける構成とする。
図を図２に示すように、｛１００｝結晶面を主面１Ｓと
する半導体基体１上に、少なくとも分布反射型多層膜３
と、第１のクラッド層５を形成して、この上に｛１１
０｝結晶面の｛１１０｝、｛１０１｝、｛１−１０｝、
｛１０−１｝の各結晶面によって囲まれた斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥を反射鏡として形成し、この斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
に囲まれた領域に少なくとも活性層６及び第２のクラッ
ド層７を設ける構成とする。
【００１５】また更に本発明は、上述の各レーザにおい
て、分布反射型多層膜３をｎ型として構成する。更に本
発明は、上述の各レーザにおいて、斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
に囲まれた領域の底面部の最も長い辺を１０μｍ以下と
して構成する。
て、分布反射型多層膜３をｎ型として構成する。更に本
発明は、上述の各レーザにおいて、斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
に囲まれた領域の底面部の最も長い辺を１０μｍ以下と
して構成する。
【００１６】
【作用】上述したように本発明においては、図１に示す
ように半導体基体１の｛１００｝主面１Ｓ上に少なくと
も分布反射型多層膜３とレーザを構成する第１のクラッ
ド層５、活性層６及び第２のクラッド層７が形成され、
この上に｛１１０｝結晶面より成る４つの斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥を反射鏡として構成するものであり、活性層６の
発振光をこの反射鏡と分布反射型多層膜３とで矢印ａ、
ｂ及び矢印ｄ、ｅで示すように反射させて半導体層の膜
厚方向に共振器を構成し、矢印ＬO で示すように基体１
の裏面側に発振光を出射することができる。
ように半導体基体１の｛１００｝主面１Ｓ上に少なくと
も分布反射型多層膜３とレーザを構成する第１のクラッ
ド層５、活性層６及び第２のクラッド層７が形成され、
この上に｛１１０｝結晶面より成る４つの斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥を反射鏡として構成するものであり、活性層６の
発振光をこの反射鏡と分布反射型多層膜３とで矢印ａ、
ｂ及び矢印ｄ、ｅで示すように反射させて半導体層の膜
厚方向に共振器を構成し、矢印ＬO で示すように基体１
の裏面側に発振光を出射することができる。
【００１７】このような｛１１０｝結晶面は、半導体基
体上に〈００１〉結晶軸方向に沿う辺を有するメサ突起
或いは成長阻止層を設けて、ＭＯＣＶＤ（有機金属によ
る化学的気相成長法）等のエピタキシャル成長方法によ
り半導体層を成長することによって自然発生的に得られ
る。
体上に〈００１〉結晶軸方向に沿う辺を有するメサ突起
或いは成長阻止層を設けて、ＭＯＣＶＤ（有機金属によ
る化学的気相成長法）等のエピタキシャル成長方法によ
り半導体層を成長することによって自然発生的に得られ
る。
【００１８】即ち、先の本出願人の出願に係る特願平４
−２６２２５９号出願に記載されているように、〈００
１〉結晶軸方向に延長するメサ突起或いは成長阻止層の
側部から｛１１０｝結晶面が発生すると、この｛１１
０｝結晶面上ではエピタキシャル成長速度が極めて遅い
ことから、半導体層の成長側面がこの｛１１０｝結晶面
によって規制されて成長する。そしてこの斜面の成長を
４つの斜面が交叉するまでその成長を行うことによって
４角錐状の４５°反射鏡を精度良く形成することができ
て、活性層６からの光を効率良く反射させることができ
る。
−２６２２５９号出願に記載されているように、〈００
１〉結晶軸方向に延長するメサ突起或いは成長阻止層の
側部から｛１１０｝結晶面が発生すると、この｛１１
０｝結晶面上ではエピタキシャル成長速度が極めて遅い
ことから、半導体層の成長側面がこの｛１１０｝結晶面
によって規制されて成長する。そしてこの斜面の成長を
４つの斜面が交叉するまでその成長を行うことによって
４角錐状の４５°反射鏡を精度良く形成することができ
て、活性層６からの光を効率良く反射させることができ
る。
【００１９】また本発明は、図２に示すように、半導体
基体１の｛１００｝主面１Ｓ上に、少なくとも分布反射
型多層膜３と、第１のクラッド層５を形成して、この上
の｛１１０｝各結晶面によって囲まれた領域に活性層６
を設けることから、活性層６の側面を自然発生的に形成
される斜面９Ａ、９Ｂ‥‥により規制して、この斜面に
より発振光を基体１に向かって反射させ、図２において
矢印ｃ、ｄ及びｅで示すようにいわば下向きのコ字型の
曲がり共振器を構成して、矢印ＬO で示すように基体１
の裏面側にレーザ光を出射することができる。
基体１の｛１００｝主面１Ｓ上に、少なくとも分布反射
型多層膜３と、第１のクラッド層５を形成して、この上
の｛１１０｝各結晶面によって囲まれた領域に活性層６
を設けることから、活性層６の側面を自然発生的に形成
される斜面９Ａ、９Ｂ‥‥により規制して、この斜面に
より発振光を基体１に向かって反射させ、図２において
矢印ｃ、ｄ及びｅで示すようにいわば下向きのコ字型の
曲がり共振器を構成して、矢印ＬO で示すように基体１
の裏面側にレーザ光を出射することができる。
【００２０】またこの場合においても斜面が交叉するま
で成長することによって４角錐状の４５°反射鏡を精度
良く形成することができ、分布反射型多層膜３から上方
向に反射された光を効率良く反射させることができる。
で成長することによって４角錐状の４５°反射鏡を精度
良く形成することができ、分布反射型多層膜３から上方
向に反射された光を効率良く反射させることができる。
【００２１】更に、この斜面９Ａ、９Ｂ‥‥に囲まれた
領域に活性層を設ける場合は、特に活性層の側面をＲＩ
Ｅ等のドライエッチングを適用することなく構成し得る
ため、活性層がダメージを受けることを回避でき、正確
な４５°のミラー面を得ることができる。
領域に活性層を設ける場合は、特に活性層の側面をＲＩ
Ｅ等のドライエッチングを適用することなく構成し得る
ため、活性層がダメージを受けることを回避でき、正確
な４５°のミラー面を得ることができる。
【００２２】またこれら本発明によれば膜厚方向に共振
器を構成することから、分布反射型多層膜３を活性層６
と半導体基体１との間に設けるのみで共振器を構成する
ことができることとなる。即ち、この分布反射型多層膜
３をｎ型として構成することにより、ｐ型の分布反射型
多層膜による高抵抗化を回避することができ、低閾値化
をはかることができる。
器を構成することから、分布反射型多層膜３を活性層６
と半導体基体１との間に設けるのみで共振器を構成する
ことができることとなる。即ち、この分布反射型多層膜
３をｎ型として構成することにより、ｐ型の分布反射型
多層膜による高抵抗化を回避することができ、低閾値化
をはかることができる。
【００２３】更にまたこれら本発明において、斜面９
Ａ、９Ｂ‥‥に囲まれた領域の底面部の最も長い辺を１
０μｍ以下とすることによって、この領域における発振
光の吸収を抑制して損失を低減化し、より高出力をもっ
てレーザ光を基体１の裏面側に出射させることができ
る。
Ａ、９Ｂ‥‥に囲まれた領域の底面部の最も長い辺を１
０μｍ以下とすることによって、この領域における発振
光の吸収を抑制して損失を低減化し、より高出力をもっ
てレーザ光を基体１の裏面側に出射させることができ
る。
【００２４】
【実施例】以下本発明半導体レーザの各例を図面を参照
して詳細に説明する。各例共に、半導体１の材料として
ｎ型のＧａＡｓを用い、この上にｎ型の分布反射型多層
膜３を設ける場合を示す。
して詳細に説明する。各例共に、半導体１の材料として
ｎ型のＧａＡｓを用い、この上にｎ型の分布反射型多層
膜３を設ける場合を示す。
【００２５】実施例１ この場合図１に示すように、半導体基体１の｛１００｝
結晶面の例えば（１００）結晶面より成る主面１Ｓ上
に、ｎ型の例えばＳｉがドープされたＡｌＡｓとＧａＡ
ｓとが２８．５周期で交互に積層された分布反射型多層
膜３をＭＯＣＶＤ等により形成する。更にこの上に、ｎ
型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第１のクラッド層
５、例えば８ｎｍの厚さのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より
成る量子井戸構造の活性層６、ｐ型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓ等より成る第２のクラッド層７を同様にＭＯＣＶＤ
等によりエピタキシャル成長する。
結晶面の例えば（１００）結晶面より成る主面１Ｓ上
に、ｎ型の例えばＳｉがドープされたＡｌＡｓとＧａＡ
ｓとが２８．５周期で交互に積層された分布反射型多層
膜３をＭＯＣＶＤ等により形成する。更にこの上に、ｎ
型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第１のクラッド層
５、例えば８ｎｍの厚さのＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より
成る量子井戸構造の活性層６、ｐ型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8
Ａｓ等より成る第２のクラッド層７を同様にＭＯＣＶＤ
等によりエピタキシャル成長する。
【００２６】そしてこれら各層３〜７より成るメサ突起
２０をフォトリソグラフィ等の適用によってエッチング
形成する。この場合、分布反射型多層膜３の厚さの中間
位置まで達する深さの溝をＲＩＥ等の異方性エッチング
によって形成し、メサ突起２０の各側面が矢印ｘ、ｙで
示す〈００１〉結晶軸方向、〈０−１０〉結晶軸方向に
沿う面となるように例えば平面正方形状にパターニング
形成する。
２０をフォトリソグラフィ等の適用によってエッチング
形成する。この場合、分布反射型多層膜３の厚さの中間
位置まで達する深さの溝をＲＩＥ等の異方性エッチング
によって形成し、メサ突起２０の各側面が矢印ｘ、ｙで
示す〈００１〉結晶軸方向、〈０−１０〉結晶軸方向に
沿う面となるように例えば平面正方形状にパターニング
形成する。
【００２７】次にこのメサ突起２０の各側面に高反射保
護膜４をその上部が第２のクラッド層７の上面から突出
するようにパターニング形成する。このパターニングは
例えば第２のクラッド層６上にこの第２のクラッド層６
とエッチング選択性を有する半導体層を形成した後メサ
突起２０を形成するパターニングを行い、更に全面的に
気相成長等により高反射保護層を被着した後、全面的に
ＲＩＥ等の異方性エッチングを行い、更にメサ突起２０
上の半導体層をエッチング除去して第２のクラッド層７
を露出させて形成することができる。
護膜４をその上部が第２のクラッド層７の上面から突出
するようにパターニング形成する。このパターニングは
例えば第２のクラッド層６上にこの第２のクラッド層６
とエッチング選択性を有する半導体層を形成した後メサ
突起２０を形成するパターニングを行い、更に全面的に
気相成長等により高反射保護層を被着した後、全面的に
ＲＩＥ等の異方性エッチングを行い、更にメサ突起２０
上の半導体層をエッチング除去して第２のクラッド層７
を露出させて形成することができる。
【００２８】そして更にこの上に、ＭＯＣＶＤ等により
ｐ型のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ等により成る半導体層８を
エピタキシャル成長する。このとき成長条件を常圧又は
減圧の例えば常圧ＭＯＣＶＤとし、成長速度を０．４ｎ
ｍ／ｓ以下、Ｖ/III比を２００以上、成長温度を８００
℃以上として、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等のメチル系材料に
より形成する。
ｐ型のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ等により成る半導体層８を
エピタキシャル成長する。このとき成長条件を常圧又は
減圧の例えば常圧ＭＯＣＶＤとし、成長速度を０．４ｎ
ｍ／ｓ以下、Ｖ/III比を２００以上、成長温度を８００
℃以上として、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等のメチル系材料に
より形成する。
【００２９】メサ突起２０の上面と側面とが交わる側部
２１Ａ、２１Ｂ‥‥は〈００１〉結晶軸方向に沿う辺と
なり、この側部２１Ａ、２１Ｂ‥‥から一旦｛１１０｝
結晶面が成長すると、この｛１１０｝結晶面上において
はエピタキシャル成長速度が極めて遅いため、半導体層
８はこの｛１１０｝結晶面より成る斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
を構成しながら成長する。
２１Ａ、２１Ｂ‥‥は〈００１〉結晶軸方向に沿う辺と
なり、この側部２１Ａ、２１Ｂ‥‥から一旦｛１１０｝
結晶面が成長すると、この｛１１０｝結晶面上において
はエピタキシャル成長速度が極めて遅いため、半導体層
８はこの｛１１０｝結晶面より成る斜面９Ａ、９Ｂ‥‥
を構成しながら成長する。
【００３０】このメサ突起２０の略線的拡大平面図を図
３に示す。図３において矢印ｘは〈００１〉結晶軸方
向、矢印ｙは〈０−１０〉結晶軸方向、矢印ｚは基体１
の主面１Ｓと直交する〈１００〉結晶軸方向を示す。こ
の場合メサ突起２０の各辺の長さＬｔを１０μｍ以下の
例えば５μｍとして形成する。この各側部から延長する
斜面９Ａ、９Ｂ、９Ｃ及び９Ｄはそれぞれ（１１０）、
（１−１０）、（１０１）及び（１０−１）の各結晶面
より成り、各斜面９Ａ〜９Ｄが交わるまでそのエピタキ
シャル成長を行って、４角錐状の反射鏡を構成する。
３に示す。図３において矢印ｘは〈００１〉結晶軸方
向、矢印ｙは〈０−１０〉結晶軸方向、矢印ｚは基体１
の主面１Ｓと直交する〈１００〉結晶軸方向を示す。こ
の場合メサ突起２０の各辺の長さＬｔを１０μｍ以下の
例えば５μｍとして形成する。この各側部から延長する
斜面９Ａ、９Ｂ、９Ｃ及び９Ｄはそれぞれ（１１０）、
（１−１０）、（１０１）及び（１０−１）の各結晶面
より成り、各斜面９Ａ〜９Ｄが交わるまでそのエピタキ
シャル成長を行って、４角錐状の反射鏡を構成する。
【００３１】そして更に図１に示すように、これら各斜
面９Ａ〜９Ｄに囲まれた４角錐状の頂部と基体１の裏面
側に電極１０、１１を被着して本発明による半導体レー
ザを得ることができる。この場合電極材料としては、半
導体層８を構成する例えばＡｌＧａＡｓやＧａＡｓとオ
ーミック電極を形成する材料の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
を用いることができる。そしてその形状は、発振光が反
射する部分で高い反射率を得るために例えば斜面９Ａ、
９Ｂ‥‥の下側部にのみ被着するように、例えば平面ほ
ぼ方形の中空きパターンにパターニング形成する。この
場合、電極１０を被着しない部分においては、半導体層
と空気の屈折率差により比較的高い反射率を得ることが
できる。例えばＧａＡｓと空気の場合３．６２：１程度
の比較的大きい屈折率差とすることができて、反射鏡と
して十分な反射率を得ることができる。
面９Ａ〜９Ｄに囲まれた４角錐状の頂部と基体１の裏面
側に電極１０、１１を被着して本発明による半導体レー
ザを得ることができる。この場合電極材料としては、半
導体層８を構成する例えばＡｌＧａＡｓやＧａＡｓとオ
ーミック電極を形成する材料の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
を用いることができる。そしてその形状は、発振光が反
射する部分で高い反射率を得るために例えば斜面９Ａ、
９Ｂ‥‥の下側部にのみ被着するように、例えば平面ほ
ぼ方形の中空きパターンにパターニング形成する。この
場合、電極１０を被着しない部分においては、半導体層
と空気の屈折率差により比較的高い反射率を得ることが
できる。例えばＧａＡｓと空気の場合３．６２：１程度
の比較的大きい屈折率差とすることができて、反射鏡と
して十分な反射率を得ることができる。
【００３２】このような構成とすることによって、活性
層６からの発振光を矢印ａ及びｂで示すように精度良く
垂直下方向に反射させることができ、また分布反射型多
層膜３により矢印ｄ及びｅで示すように上方向に光を反
射させて、斜面９Ａ、９Ｂ‥‥による反射鏡と分布反射
型多層膜３とによる膜厚方向の垂直共振器を構成するこ
とができる。この場合反射鏡は自然発生的に成長する結
晶面により構成することから精度良く形成され、基体１
の裏面側に矢印ＬO で示すように出射光を高出力で出射
させることができる。
層６からの発振光を矢印ａ及びｂで示すように精度良く
垂直下方向に反射させることができ、また分布反射型多
層膜３により矢印ｄ及びｅで示すように上方向に光を反
射させて、斜面９Ａ、９Ｂ‥‥による反射鏡と分布反射
型多層膜３とによる膜厚方向の垂直共振器を構成するこ
とができる。この場合反射鏡は自然発生的に成長する結
晶面により構成することから精度良く形成され、基体１
の裏面側に矢印ＬO で示すように出射光を高出力で出射
させることができる。
【００３３】またこの場合、ｎ型の分布反射型多層膜３
のみによって共振器を構成することができることから、
ｐ型分布反射型多層膜による高抵抗化を回避し、低閾値
化をはかることができる。更に、反射鏡を構成する領域
の底辺の長さを１０μｍ以下としたことによって、光出
力の損失を抑制することができる。
のみによって共振器を構成することができることから、
ｐ型分布反射型多層膜による高抵抗化を回避し、低閾値
化をはかることができる。更に、反射鏡を構成する領域
の底辺の長さを１０μｍ以下としたことによって、光出
力の損失を抑制することができる。
【００３４】実施例２ 次に、本発明による他の例を図２を参照して詳細に説明
する。この場合、ｎ型のＧａＡｓ等より成る半導体基体
１上に、例えばｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型の分布
反射型多層膜３をＭＯＣＶＤ等によりエピタキシャル成
長させた後に、上述の実施例１と同様の方法をもってメ
サ突起２０を形成する。この場合においても矢印ｘ、ｙ
で示す〈００１〉結晶軸方向、〈０−１０〉結晶軸方向
に延長する側面を有する平面ほぼ正方形状として形成
し、各辺の長さを１０μｍ以下の例えば１０μｍとして
形成する。
する。この場合、ｎ型のＧａＡｓ等より成る半導体基体
１上に、例えばｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型の分布
反射型多層膜３をＭＯＣＶＤ等によりエピタキシャル成
長させた後に、上述の実施例１と同様の方法をもってメ
サ突起２０を形成する。この場合においても矢印ｘ、ｙ
で示す〈００１〉結晶軸方向、〈０−１０〉結晶軸方向
に延長する側面を有する平面ほぼ正方形状として形成
し、各辺の長さを１０μｍ以下の例えば１０μｍとして
形成する。
【００３５】そしてこのメサ突起２０の周囲に上述の実
施例１と同様の形成方法をもって高反射保護膜４を被着
形成した後、ｎ型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第
１のクラッド層５、例えば８ｎｍの厚さのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓ等より成る量子井戸構造の活性層６、ｐ型のＡ
ｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第２のクラッド層７、更
に例えばｐ型ＧａＡｓ等より成る半導体層８をエピタキ
シャル成長する。
施例１と同様の形成方法をもって高反射保護膜４を被着
形成した後、ｎ型のＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第
１のクラッド層５、例えば８ｎｍの厚さのＩｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓ等より成る量子井戸構造の活性層６、ｐ型のＡ
ｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ等より成る第２のクラッド層７、更
に例えばｐ型ＧａＡｓ等より成る半導体層８をエピタキ
シャル成長する。
【００３６】このときその成長条件を、上述の実施例１
と同様に成長速度を０．４ｎｍ以下、Ｖ/III比を２００
以上、成長温度を８００℃以上として常圧又は減圧の例
えば常圧ＭＯＣＶＤ等により形成すると、｛１１０｝結
晶面の各面より成る斜面９Ａ、９Ｂ‥‥を構成しながら
各層が成長し、各斜面９Ａ、９Ｂ‥‥が交わるまでその
成長を行って、４角錐状の反射鏡を構成することができ
る。
と同様に成長速度を０．４ｎｍ以下、Ｖ/III比を２００
以上、成長温度を８００℃以上として常圧又は減圧の例
えば常圧ＭＯＣＶＤ等により形成すると、｛１１０｝結
晶面の各面より成る斜面９Ａ、９Ｂ‥‥を構成しながら
各層が成長し、各斜面９Ａ、９Ｂ‥‥が交わるまでその
成長を行って、４角錐状の反射鏡を構成することができ
る。
【００３７】そしてキャップ層８の頂部と基体１の裏面
側に電極１０、１１を被着して本発明による半導体レー
ザを得ることができる。この場合電極材料としては、上
述の実施例１と同様に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを用いる
ことができ、その形状は、活性層６からの発振光が斜面
９Ａ、９Ｂ‥‥で高反射率をもって反射されるように形
成する。即ちこの場合は頂部のみに被着する。
側に電極１０、１１を被着して本発明による半導体レー
ザを得ることができる。この場合電極材料としては、上
述の実施例１と同様に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを用いる
ことができ、その形状は、活性層６からの発振光が斜面
９Ａ、９Ｂ‥‥で高反射率をもって反射されるように形
成する。即ちこの場合は頂部のみに被着する。
【００３８】このような構成とすることによって、矢印
ｃで示す活性層内の発振光を、斜面９Ａ、９Ｂによって
規制される活性層６の端面によって下方へ反射させると
共に分布反射型多層膜３により矢印ｄ及びｅで示すよう
に上方向に光を反射させて、更に斜面９Ａ、９Ｂ‥‥に
よる反射鏡によって下方に反射させて、この反射鏡と分
布反射型多層膜３とによる膜厚方向の垂直共振器を構成
することができる。
ｃで示す活性層内の発振光を、斜面９Ａ、９Ｂによって
規制される活性層６の端面によって下方へ反射させると
共に分布反射型多層膜３により矢印ｄ及びｅで示すよう
に上方向に光を反射させて、更に斜面９Ａ、９Ｂ‥‥に
よる反射鏡によって下方に反射させて、この反射鏡と分
布反射型多層膜３とによる膜厚方向の垂直共振器を構成
することができる。
【００３９】この場合においても反射鏡を自然発生的に
成長する結晶面により構成することから精度良く形成す
ることができ、高出力でレーザ光を出射させることがで
きると共に、ｎ型の分布反射型多層膜３のみによって共
振器を構成することができることから、ｐ型分布反射型
多層膜による高抵抗化を回避することができる。更に、
反射鏡を構成する領域の底辺の長さを１０μｍ以下とし
たことによって、光出力の損失を抑制することができ
る。
成長する結晶面により構成することから精度良く形成す
ることができ、高出力でレーザ光を出射させることがで
きると共に、ｎ型の分布反射型多層膜３のみによって共
振器を構成することができることから、ｐ型分布反射型
多層膜による高抵抗化を回避することができる。更に、
反射鏡を構成する領域の底辺の長さを１０μｍ以下とし
たことによって、光出力の損失を抑制することができ
る。
【００４０】更にまたこの場合、斜面９Ａ、９Ｂ‥‥に
より囲まれた領域に活性層６を設ける構成とすることか
ら、活性層６の端面をＲＩＥ等のエッチングによる加工
を施すことなく自然発生的に生じる結晶面により構成す
ることができ、良好な結晶性をもってレーザを構成する
ことができる。
より囲まれた領域に活性層６を設ける構成とすることか
ら、活性層６の端面をＲＩＥ等のエッチングによる加工
を施すことなく自然発生的に生じる結晶面により構成す
ることができ、良好な結晶性をもってレーザを構成する
ことができる。
【００４１】実施例３ 次に、本発明の他の例を図４を参照して詳細に説明す
る。図３において、図１及び図２に対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
る。図３において、図１及び図２に対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
【００４２】この例においては、半導体基体１上に分布
反射型多層膜３、ｎ型の第１のクラッド層５、活性層６
及びｐ型の第２のクラッド層７をエピタキシャル成長し
た後、共振器を構成する領域を規制するように不純物を
注入して拡散領域２３を形成し、この後、誘電体等より
成る成長阻止層２４を、矢印ｘ、ｙで示す〈００１〉結
晶軸、〈０−１０〉結晶軸方向に延長する内側面を有す
るパターンとして、特にその各側面の長さを１０μｍ以
下の例えば１０μｍとして形成する。そしてこの上に更
にＧａＡｓ等より成る例えばキャップ層８を例えば上述
の実施例１及び２と同様の成長条件をもってエピタキシ
ャル成長し、｛１１０｝結晶面より成る各斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥によって構成される４角錐状の反射鏡を形成す
る。
反射型多層膜３、ｎ型の第１のクラッド層５、活性層６
及びｐ型の第２のクラッド層７をエピタキシャル成長し
た後、共振器を構成する領域を規制するように不純物を
注入して拡散領域２３を形成し、この後、誘電体等より
成る成長阻止層２４を、矢印ｘ、ｙで示す〈００１〉結
晶軸、〈０−１０〉結晶軸方向に延長する内側面を有す
るパターンとして、特にその各側面の長さを１０μｍ以
下の例えば１０μｍとして形成する。そしてこの上に更
にＧａＡｓ等より成る例えばキャップ層８を例えば上述
の実施例１及び２と同様の成長条件をもってエピタキシ
ャル成長し、｛１１０｝結晶面より成る各斜面９Ａ、９
Ｂ‥‥によって構成される４角錐状の反射鏡を形成す
る。
【００４３】そして矢印ａ、ｂで示すように反射鏡によ
りレーザ光を反射させ、またｎ型の分布反射型多層膜３
により矢印ｄ及びｅで示すように情報に反射させて共振
器を構成し、基体１の裏面側に矢印ＬO で示すようにレ
ーザ光を出射させることができる。
りレーザ光を反射させ、またｎ型の分布反射型多層膜３
により矢印ｄ及びｅで示すように情報に反射させて共振
器を構成し、基体１の裏面側に矢印ＬO で示すようにレ
ーザ光を出射させることができる。
【００４４】この場合においても垂直共振器を結晶面よ
り成る反射鏡によって構成することができて高出力でレ
ーザ光を出射させることができると共に、ｎ型の分布反
射型多層膜３のみによって共振器を構成することができ
ることから、ｐ型分布反射型多層膜による高抵抗化を回
避することができる。更に、反射鏡を構成する領域の底
辺の長さを１０μｍ以下としたことによって、光出力の
損失を抑制することができる。
り成る反射鏡によって構成することができて高出力でレ
ーザ光を出射させることができると共に、ｎ型の分布反
射型多層膜３のみによって共振器を構成することができ
ることから、ｐ型分布反射型多層膜による高抵抗化を回
避することができる。更に、反射鏡を構成する領域の底
辺の長さを１０μｍ以下としたことによって、光出力の
損失を抑制することができる。
【００４５】尚、上述の各例においてはＧａＡｓ系の半
導体基体を用いて、この上にＡｌＧａＡｓ系の分布反射
型多層膜、クラッド層、ＩｎＧａＡｓ系の活性層を設け
た場合であるが、その他例えばＩｎＰ系、ＧａＡｌＩｎ
Ａｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系等の各種の化合物半導体レー
ザに本発明を適用することができ、その構成においても
上述の各実施例の他種々の変形変更が可能であることは
いうまでもない。
導体基体を用いて、この上にＡｌＧａＡｓ系の分布反射
型多層膜、クラッド層、ＩｎＧａＡｓ系の活性層を設け
た場合であるが、その他例えばＩｎＰ系、ＧａＡｌＩｎ
Ａｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系等の各種の化合物半導体レー
ザに本発明を適用することができ、その構成においても
上述の各実施例の他種々の変形変更が可能であることは
いうまでもない。
【００４６】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、垂直
共振器型の面発光レーザを精度良く形成することができ
て、高出力化をはかることができる。
共振器型の面発光レーザを精度良く形成することができ
て、高出力化をはかることができる。
【００４７】また、活性層を反射鏡を構成する領域に形
成することによって、良好な結晶性をもってエピタキシ
ャル成長することができる。
成することによって、良好な結晶性をもってエピタキシ
ャル成長することができる。
【００４８】更に、ｐ型の分布反射型多層膜を形成する
ことなく共振器を構成することができることから、ｐ型
分布反射型多層膜による高抵抗化を回避し、これにより
低閾値化をはかることができる。
ことなく共振器を構成することができることから、ｐ型
分布反射型多層膜による高抵抗化を回避し、これにより
低閾値化をはかることができる。
【００４９】また更に、反射鏡を構成する領域の底辺の
長さを１０μｍ以下とすることによって、光出力の損失
を抑制することができる。
長さを１０μｍ以下とすることによって、光出力の損失
を抑制することができる。
【図１】本発明の第１実施例の略線的拡大断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２実施例の略線的拡大断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の各実施例の要部の略線的拡大平面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３実施例の略線的拡大断面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体レーザの一例の略線的拡大断面図
である。
である。
１ 半導体基体 ２ バッファ層 ３ 分布反射型多層膜 ４ 高反射保護膜 ５ 第１のクラッド層 ６ 活性層 ７ 第２のクラッド層 ８ 半導体層 ９Ａ 斜面 ９Ｂ 斜面 ９Ｃ 斜面 ９Ｄ 斜面 ２０ メサ突起
Claims (4)
- 【請求項１】 ｛１００｝結晶面を主面とする半導体基
体上に、少なくとも分布反射型多層膜と、第１のクラッ
ド層と、活性層と、第２のクラッド層とが積層形成さ
れ、 上記各層の上部に｛１１０｝結晶面の｛１１０｝、｛１
０１｝、｛１−１０｝、｛１０−１｝の各結晶面によっ
て囲まれた斜面が反射鏡として設けられて成ることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 ｛１００｝結晶面を主面とする半導体基
体上に、少なくとも分布反射型多層膜と、第１のクラッ
ド層が形成され、 この上に｛１１０｝結晶面の｛１１０｝、｛１０１｝、
｛１−１０｝、｛１０−１｝の各結晶面によって囲まれ
た斜面が反射鏡として形成され、上記斜面に囲まれた領
域に少なくとも活性層及び第２のクラッド層が設けられ
て成ることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 上記請求項１又は２に記載の半導体レー
ザにおいて、 上記分布反射型多層膜がｎ型とされることを特徴とする
半導体レーザ。 - 【請求項４】 上記請求項１又は２に記載の半導体レー
ザにおいて、 上記斜面に囲まれた領域の底面部の最も長い辺が１０μ
ｍ以下とされて成ることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04320964A JP3127635B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04320964A JP3127635B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169129A true JPH06169129A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3127635B2 JP3127635B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=18127267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-11-30 JP JP04320964A patent/JP3127635B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108780679A (zh) * | 2016-02-24 | 2018-11-09 | 株式会社自动网络技术研究所 | 带外装部件的电线 |
| CN108780679B (zh) * | 2016-02-24 | 2020-05-19 | 株式会社自动网络技术研究所 | 带外装部件的电线 |
| JP2021166272A (ja) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 住友電気工業株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
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