JP3949704B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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実施形態例1
本実施形態例は、第1及び第2の発明に係る半導体レーザ素子を一つにしてDFBレーザ素子に適用した実施形態の一例であって、図1は本実施形態例の半導体レーザ素子の構造を示す部分断面斜視図、図2は図1の矢視I−Iの半導体レーザ素子の断面図である。なお、実施形態例1及び後述の実施形態例2で示す化合物半導体層の組成、膜厚等は本発明の理解のための例示であって、本発明はこれらの例示に限定されるものではない。本実施形態例の半導体レーザ素子10は、発振波長を1550nmに設定した埋め込みへテロ型DFBレーザ素子として構成されている。
本実施形態例は、第1及び第2の発明に係る半導体レーザ素子を一つにしてDFBレーザ素子に適用した実施形態の別の例であって、図5は本実施形態例の半導体レーザ素子の構成を示す部分断面斜視図、及び図6は図5の矢視III−IIIの断面図である。実施形態例1のDFBレーザ素子10では、活性層の光利得分布とは独立に発振波長λe を選択できる波長選択構造として形成された回折格子20が利得ピーク波長のモードの光を選択的に吸収する層として機能している。一方、本実施形態例の半導体レーザ素子40は、同じく、発振波長を1550nmに設定した埋め込みへテロ型DFBレーザ素子として構成されているが、活性層の光利得分布のピーク波長のモードの光を選択的に吸収する選択的吸収層を回折格子とは別に備えている。
12 n−InP基板
14 n−InPバッファ層
16 MQW−SCH活性層
18 p−InPスペーサ層
20 回折格子
20′GaInAs層
21 回折格子パターン
22 回折格子を埋め込んだp−InP第1クラッド層
23 溝
24 p−InP層
26 n−InP層
28 p−InP第2クラッド層
30 p−GaInAsコンタクト層
32 p側電極
34 n側電極
40 実施形態例2のDFBレーザ素子
42 n−InP基板
44 n−InPバッファ層
45A 選択的吸収層
45B n−InPスペーサ層
46 MQW−SCH活性層
48 p−InPスペーサ層
50′ GaInAs層
50 回折格子
51 回折格子パターン
52 回折格子を埋め込んだp−InP第1クラッド層
53 溝
54 p−InP層
56 n−InP層
58 p−InP第2クラッド層
60 p−GaInAsコンタクト層
62 p側電極
64 n側電極
Claims (2)
- 活性層の光利得分布とは独立に発振波長λe を選択できる波長選択構造を共振器構造内の活性層の近傍に備えた、半導体レーザ素子において、
活性層の光利得分布のピーク波長λmax に対する吸収係数αmax が発振波長λe に対する吸収係数αe よりも大きくなる化合物半導体層で形成された吸収領域が、共振器構造内に設けられ、かつ吸収領域では、αe が実質的に0であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 吸収領域が量子化された化合物半導体層によって形成されており、活性層の光利得分布のピーク波長λmax が発振波長λe に対して、λe <λmax の関係にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
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