JP2021166272A - 面発光レーザおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発振スペクトルの数を少なくすることが可能な面発光レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】下部ＤＢＲ層１２と、前記下部ＤＢＲ層の上に設けられた活性層１４と、前記活性層の上に設けられた上部ＤＢＲ層１６と、を具備し、前記上部ＤＢＲ層に、前記下部ＤＢＲ層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタ５０が設けられ、前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である面発光レーザ１００。【選択図】図２

Description

本開示は面発光レーザおよびその製造方法に関するものである。

面発光型のレーザダイオード（面発光レーザ）が知られている。面発光レーザは基板の上に設けられた反射層および活性層を有する。活性層の上にコーナーリフレクタを設け、コーナーリフレクタと反射層とで共振器を形成する技術がある。

米国特許出願公開第２００６／００５６４７６

面発光レーザの変調特性の拡大などには、発振スペクトルの数を少なくすることが有効である。そこで、発振スペクトルの数を少なくすることが可能な面発光レーザおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本開示に係る面発光レーザは、第１反射層と、前記第１反射層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第２反射層と、を具備し、前記第２反射層に、前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタが設けられ、前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である。

本開示に係る面発光レーザの製造方法は、基板の上に、第１反射層、活性層、および第２反射層を順に積層する工程と、前記第２反射層の一部をエッチングすることで、前記第２反射層に前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタを形成する工程と、を有し、前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である。

本開示によれば発振スペクトルの数を少なくすることが可能である。

図１Ａは実施例１に係る面発光レーザを例示する平面図である。 図１Ｂは面発光レーザを例示する断面図であり、図１Ａの線Ａ−Ａに沿った断面を図示する。 図２はメサを拡大した断面図である。 図３Ａはコーナーリフレクタを例示する斜視図である。 図３Ｂはコーナーリフレクタを例示する平面図である。 図４Ａは比較例における発振スペクトルを例示する図である。 図４Ｂは第１実施形態における発振スペクトルを例示する図である。 図５Ａは面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。 図５Ｂは面発光レーザの製造方法を例示する断面図である。 図６Ａは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図６Ｂは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図７Ａは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図７Ｂは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図８Ａは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図８Ｂは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図９Ａは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図９Ｂは面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図１０は変形例に係る面発光レーザのコーナーリフレクタを例示する平面図である。 図１１は第２実施形態に係る面発光レーザを例示する断面図である。 図１２Ａは第３実施形態に係る面発光レーザを例示する断面図である。 図１２Ｂはコーナーリフレクタを例示する平面図である。 図１３は第４実施形態に係る面発光レーザを例示する断面図である。

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。

本開示の一形態は、（１）第１反射層と、前記第１反射層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第２反射層と、を具備し、前記第２反射層に、前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタが設けられ、前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である面発光レーザである。コーナーリフレクタが光の振幅分布を反転して光を反射する。回転非対称な高次横モードが抑圧され、回転対称な高次横モードのみが発振する。この結果、発振スペクトル数を低減することができる。
（２）前記コーナーリフレクタは前記面発光レーザの光軸の周りに３６０／８度回転対称以上の回転対称性を有してもよい。コーナーリフレクタが光軸周りに高い回転対称を有するため、回転非対称な高次横モードを抑圧し、回転対称な高次横モードのみを発振させる。この結果、発振スペクトル数を低減することができる。
（３）前記コーナーリフレクタの形状は円錐台、または多角錐台であり、前記コーナーリフレクタの上面は、光を出射する出射窓でもよい。コーナーリフレクタが光軸周りに高い回転対称を有するため、回転非対称な高次横モードを抑圧し、回転対称な高次横モードのみを発振させる。この結果、発振スペクトル数を低減することができる。上面から光を出射することができる。
（４）前記コーナーリフレクタの側面に設けられたキャップ層を具備し、前記キャップ層の屈折率は前記第２反射層の屈折率より低く、かつ２．７３以上であり、前記コーナーリフレクタの上面および前記キャップ層の上面から光を出射させてもよい。キャップ層により光を出射窓に導き、出射窓から出射することができる。光のロスを抑制することができる。
（５）前記第２反射鏡層は、前記コーナーリフレクタの側面から内側に向けて延伸する酸化領域を有してもよい。酸化領域は回折格子として機能し、光は回折格子で散乱され、出射される。
（６）基板を具備し、前記第１反射層、前記活性層および前記第２反射層は前記基板の上に順に設けられ、前記コーナーリフレクタの形状は円錐、または多角錐であり、前記基板の下面は、光を出射する出射窓でもよい。コーナーリフレクタが光軸周りに高い回転対称を有するため、回転非対称な高次横モードを抑圧し、回転対称な高次横モードのみを発振させる。発振スペクトル数を低減することができる。基板から光を出射することができる。
（７）前記出射窓の幅は、基本横モード成分のみを出射可能な幅の２倍以上でもよい。基本横モード成分とともに高次横モード成分の光を出射窓から出射することで、光出力を大きくすることができる。
（８）前記コーナーリフレクタは、入射する光の振幅分布を反転して反射してもよい。回転非対称な高次横モードを抑圧し、回転対称な高次横モードのみを発振させる。発振スペクトル数を低減することができる。基板から光を出射することができる。
（９）前記コーナーリフレクタの側面は、前記第１反射層の上面に対して４５°傾斜した面を含んでもよい。コーナーリフレクタに入射する光の振幅分布を反転させて、当該光を反射し、第１反射層側に戻すことができる。
（１０）前記第１反射層および前記第２反射層のそれぞれは、積層された複数の半導体層を含むＤＢＲ層である。
（１１）前記第１反射層はｐ型またはｎ型の半導体層であり、前記第２反射層は、前記活性層側から順に積層された第３反射層および第４反射層を含み、前記第３反射層は前記第１反射層とは反対の導電型の半導体層であり、前記第４反射層はノンドープの半導体層でもよい。第２反射層に先細りのコーナーリフレクタが設けられ、かつ第２反射層がノンドープの第４反射層を含むことで、寄生容量が低下する。寄生容量の低下により高速な変調特性を得ることができる。
（１１）基板の上に、第１反射層、活性層、および第２反射層を順に積層する工程と、前記第２反射層の一部をエッチングすることで、前記第２反射層に前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタを形成する工程と、を有し、前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である面発光レーザの製造方法である。回転非対称な高次横モードが抑圧され、回転対称な高次横モードのみが発振する。この結果、発振スペクトル数を低減することができる。発振スペクトル数を低減することにより、変調帯域を拡大し、高速な変調特性を得ることができる。第２反射層の一部をエッチングするため、第２反射層の堆積が減少し、寄生容量が低下する。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る面発光レーザおよびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

＜第１実施形態＞
（面発光レーザ）
図１Ａは実施例１に係る面発光レーザ１００を例示する平面図である。図１Ｂは面発光レーザ１００を例示する断面図であり、図１Ａの線Ａ−Ａに沿った断面を図示する。

図１Ａに示すように、面発光レーザ１００は例えば一辺が２００μｍ〜３００μｍの矩形の垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）である。

図１Ａに示すように、面発光レーザ１００にはメサ４０が設けられている。メサ４０の平面形状は矩形であり、各頂点に面取り部４２を有する。メサ４０に囲まれる位置に、溝１３、メサ１９が設けられている。メサ４０の上にパッド３２および３５が設けられている。

図１Ａに示すようにメサ１９の平面形状は円形である。メサ１９は溝１３に囲まれており、面発光レーザ１００の光出射部として機能する。メサ１９の上に電極３３が設けられる。電極３３は配線３４によりパッド３５に電気的に接続される。溝１３に電極３０が設けられる。電極３０は配線３１によりパッド３２に電気的に接続される。パッド３２および３５は面発光レーザ１００と外部機器との電気的な接続に用いられる。

図１Ｂに示すように、面発光レーザ１００は基板１０、下部ＤＢＲ（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層１２（第１反射層）、活性層１４、上部ＤＢＲ層１６（第２反射層）を備える。基板１０の上に下部ＤＢＲ層１２、活性層１４、上部ＤＢＲ層１６が順に積層される。下部ＤＢＲ層１２の途中にコンタクト層１５が設けられている。上部ＤＢＲ層１６は活性層１４側から順に積層されたｐ−ＤＢＲ層１６ａとｉ−ＤＢＲ層１６ｂを有する。上部ＤＢＲ層１６にコーナーリフレクタ５０が設けられている。図１Ｂにおける層の積層方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向の基板１０側を下方向、コーナーリフレクタ５０側を上方向とする。

基板１０、下部ＤＢＲ層１２、コンタクト層１５、活性層１４、および上部ＤＢＲ層１６はメサ４０を形成する。下部ＤＢＲ層１２、コンタクト層１５、活性層１４、および上部ＤＢＲ層１６はメサ１９を形成する。メサ１９および４０は上方向に延伸し、基板１０の上面に対して例えば垂直である。メサ１９の中央にコーナーリフレクタ５０が設けられている。コーナーリフレクタ５０の側面はｐ−ＤＢＲ層１６ａの面１６ｃに対して例えば４５°傾斜する。

基板１０は例えば半絶縁性のガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成された半導体基板である。下部ＤＢＲ層１２は例えば組成の異なるｎ型のアルミニウムガリウム砒素（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ、０≦ｘ≦０．３およびＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ、０．７≦ｙ≦１）を光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜である。λは活性層１４が出射する光の波長である。下部ＤＢＲ層１２には例えばシリコン（Ｓｉ）がドーピングされている。コンタクト層１５は例えばｎ型のＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓで形成される。

活性層１４は例えばＡｌＧａＡｓおよびインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）で形成され、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を有し、光学利得を有する。活性層１４と下部ＤＢＲ層１２との間、および活性層１４と上部ＤＢＲ層１６との間には、不図示の分散閉じ込めヘテロ構造のＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層が介在する。

上部ＤＢＲ層１６は例えばＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．３）およびＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０．７≦ｙ≦１）を光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜である。ｐ−ＤＢＲ層１６ａは例えば炭素（Ｃ）がドーピングされたｐ型の半導体層である。ｉ−ＤＢＲ層１６ｂはノンドープの半導体層である。コーナーリフレクタ５０のうち、電極３３に接続され、電流の経路となる部分、はｐ−ＤＢＲ層１６ａで形成される。コーナーリフレクタ５０のうち、電極３３に接続されず、電流の経路でない部分はｉ−ＤＢＲ層１６ｂで形成される。

基板１０、下部ＤＢＲ層１２、コンタクト層１５、活性層１４、上部ＤＢＲ層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。例えば基板１０はＧａＡｓ以外に、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．２）などでもよい。

上部ＤＢＲ層１６の一部を選択的に酸化させることで酸化狭窄層２２が形成される。図１Ｂに示すように、酸化狭窄層２２はメサ１９の上部ＤＢＲ層１６の端部から内側に向けて延伸し、上部ＤＢＲ層１６の中央部には形成されない。酸化狭窄層２２は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含み、絶縁性であり、酸化されない部分よりも電流が流れにくい。したがって上部ＤＢＲ層１６の中央側である未酸化部分が電流経路となり、効率的な電流注入が可能となる。

メサ１９の周縁部、およびメサ４０には高抵抗領域２０が形成されている。例えば下部ＤＢＲ層１２のコンタクト層１５よりも上側、活性層１４、上部ＤＢＲ層１６に、プロトンなどのイオンを注入することで高抵抗領域２０が形成される。溝１３は高抵抗領域２０を厚さ方向に貫通し、メサ１９を囲む。コンタクト層１５が溝１３の底面を形成する。

絶縁膜４４は例えば厚さ４００ｎｍの酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化シリコン（ＳｉＯ_２）で形成され、メサ１９および４０の表面を覆う。絶縁膜４６は例えば厚さ１００ｎｍのＳｉＮなどの絶縁体で形成され、絶縁膜４４を覆う。

電極３０は、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とニッケル（Ｎｉ）との積層構造を有するｎ型電極であり、溝１３の内側であってコンタクト層１５の上面に設けられている。電極３０はコンタクト層１５と電気的に接続されるオーミック電極である。電極３３は、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）およびＡｕの積層構造を有するｐ型電極であり、メサ１９の上であってｐ−ＤＢＲ層１６ａの上面および傾斜した面に設けられている。電極３３はｐ−ＤＢＲ層１６ａと電気的に接続されるオーミック電極である。

パッド３２および３５はメサ１９の外側であってメサ４０の上に位置する。配線３１はパッド３２と電極３０とを電気的に接続する。配線３４はパッド３５と電極３３とを電気的に接続する。配線３１および３４、パッド３２および３５はＡｕなどの金属で形成されている。配線およびパッドの下に不図示のシードメタルが設けられてもよい。

図２はメサ１９を拡大した断面図である。図３Ａはコーナーリフレクタ５０を例示する斜視図であり、図３Ｂはコーナーリフレクタ５０を例示する平面図である。図３Ａおよび図３Ｂにおいて、コーナーリフレクタ５０以外の構成は図示していない。面発光レーザ１００の光軸ＡＸはＺ軸方向に延伸する。

図２に示すように下部ＤＢＲ層１２および上部ＤＢＲ層１６は半導体多層膜である。上部ＤＢＲ層１６にコーナーリフレクタ５０が設けられている。コーナーリフレクタ５０は、上部ＤＢＲ層１６の面１６ｃから上に向けて先細りである。図３Ａに示すようにコーナーリフレクタ５０は、円錐台形状のアキシコンレトロリフレクタである。図３Ｂに示すようにコーナーリフレクタ５０の平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）は円である。コーナーリフレクタ５０は光軸ＡＸ周りに回転対称性を有する。

図２におけるコーナーリフレクタ５０の側面を面５２ａおよび５２ｂとする。面５２ａおよび５２ｂは、基板１０、下部ＤＢＲ層１２および活性層１４の上面、上部ＤＢＲ層１６の面１６ｃに対して例えば４５°傾斜している。面５４はコーナーリフレクタ５０の上面であり、基板１０の上面に対して平行であり、光の出射窓として機能する。面１６ｃから面５４までの高さＨ１は例えば２．５μｍ以下である。コーナーリフレクタ５０の下側の幅Ｗ１は例えば１０μｍであり、上側の幅Ｗ２は例えば５μｍである。酸化狭窄層２２の先端間の幅Ｗ３は例えば７μｍである。

下部ＤＢＲ層１２と上部ＤＢＲ層１６とは共振器（第１共振器）を形成する。コーナーリフレクタ５０と下部ＤＢＲ層１２とは共振器（第２共振器）を形成する。第１共振器と第２共振器とは複合共振器を形成し、第２共振器は外部共振器とみなすことができる。

図１Ａおよび図１Ｂに示したパッド３２および３５に電圧を印加し、活性層１４にキャリアを注入することで、活性層１４が光を出射する。活性層１４から出射される光は、下部ＤＢＲ層１２と上部ＤＢＲ層１６との間で反射を繰り返し、共振する。

コーナーリフレクタ５０は、光の振幅分布を光軸に対して反転して反射する。例えば、下方向からコーナーリフレクタ５０の面５２ａに入射する光は、面５２ａで全反射され、光軸ＡＸを挟んで反対側の面５２ｂに入射し、面５２ｂで全反射され、入射方向（下方向）に帰還する。光は下部ＤＢＲ層１２で反射され、再びコーナーリフレクタ５０に入射する。下方向から面５２ｂに入射する光は、面５２ｂで全反射され、面５２ａに入射し、面５２ａで全反射され、下方向に帰還する。光は、コーナーリフレクタ５０と下部ＤＢＲ層１２との間で反射を繰り返し、発振し、面５４から出射される。

光通信などに面発光レーザを用いる場合、面発光レーザの変調特性が重要となる。高速変調のためには変調帯域を高帯域化する。第１実施形態によれば面発光レーザ１００の変調帯域を高帯域化することが可能である。変調特性には共振器長、発振スペクトル数および寄生容量が影響する。

共振器長の影響について説明する。面発光レーザの変調帯域は緩和振動周波数によって定まり、緩和振動周波数が高くなるほど変調帯域の高帯域化が可能になる。次式のように緩和振動周波数ω_Ｒはフォトンライフタイムτ_ｐの平方根の逆数に比例する。

次式のようにフォトンライフタイムτ_ｐは有効共振器長Ｌ_ｅｆｆに比例する。

共振器長が短くなるほど、緩和振動周波数ω_Ｒが高くなり、変調帯域の高帯域化が可能となる。

『Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ ｒａｔｅ ｅｑｕａｔｉｏｎｓ ａｎｄ ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｅｘｔｅｒｎａｌ−ｃａｖｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒｓ』（Ａｇｒａｗａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ５６，３１１０，１９８４）によれば、共振器の緩和振動周波数は、外部共振器を設けることでさらに増大する。

コーナーリフレクタ５０の幅Ｗ１は例えば１０μｍであるため、下部ＤＢＲ層１２とコーナーリフレクタ５０とが形成する第２共振器（外部共振器）の共振器長も１０μｍ程度である。一方、下部ＤＢＲ層１２と上部ＤＢＲ層１６とが形成する第１共振器の共振器長Ｌ１は、第２共振器の共振器長に比べて小さく、例えばλ／２程度である。発振波長λが例えば８５０ｎｍならば、共振器長Ｌ１はλ／２＝４２５ｎｍ程度である。このため有効共振器長Ｌ_ｅｆｆが短くなり、フォトンライフタイムτ_ｐが低下し、緩和振動周波数ω_Ｒは増大する。この結果、コーナーリフレクタを有する面発光レーザにおいても、下部ＤＢＲ層と上部ＤＢＲ層とが形成する共振器のみを有する面発光レーザと同等以上の変調特性が得られる。

特許文献１では、上側のＤＢＲ層が形成されておらず、下側のＤＢＲ層とコーナーリフレクタとが共振器を形成する。共振器長は長く、１０μｍ程度である。これに対し第１実施形態では第１共振器の共振器長Ｌ１がλ／２〜４２５ｎｍ程度であり、１０μｍのおよそ１／２０倍である。このためフォトンライフタイムτ_ｐはおよそ１／２０倍になり、緩和振動周波数ω_Ｒはおよそ√２０＝４．５倍となる。

次に発振スペクトル数の変調特性への影響について説明する。図４Ａは比較例における発振スペクトルを例示する図であり、面発光レーザに１２ｍＡのバイアス電流を入力した際の発振スペクトルである。比較例は、上部ＤＢＲ層１６にコーナーリフレクタを設けず、他の構成は第１実施形態と同じ面発光レーザである。図４Ａに示すように、０次のモード（基本モード）、および１次から３次までの高次横モードが発振する。１次〜３次の高次横モードは複数のピークを含む。回転対称な高次横モードおよび回転非対称な高次横モードが発振するためである。

図４Ｂは第１実施形態における発振スペクトルを例示する図である。図４Ａの例に比べて１次〜３次モードのピークの数が減少しており、それぞれのモードは１つのピークを有する。図４Ｂの例における発振スペクトル数は、図４Ａの例のおよそ半分である。

コーナーリフレクタ５０と下部ＤＢＲ層１２とは第２共振器を形成する。図３Ａおよび図３Ｂに示したように、コーナーリフレクタ５０は光軸ＡＸ周りに回転対称であり、光の振幅分布を反転して、光を反射する。第２共振器によって、回転非対称な高次横モードは抑圧され、回転対称な高次横モードのみが発振する。この結果、図４Ｂのように発振スペクトル数が低減する。

マルチモード発振時の変調特性はマルチモード発振時の緩和振動周波数で決まる。『Ｓｍａｌｌ−Ｓｉｇｎａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｕｌｔｒａ−Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｍｕｌｔｉ−Ｍｏｄｅ ＶＣＳＥＬｓ』（Ｗｉｓｓａｍ Ｈａｍａｄ ｅｔ ａｌ． ＩＥＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱＵＡＮＴＵＭ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ．５２，ＮＯ．７，Ｊｕｎｅ ２０１６）によれば、緩和振動周波数ω_Ｒは、スレシホールド利得ｇ_ｔｈ、閉じ込め係数Γ、各モードの微分利得ａ_ｉ、各モードのフォトン密度Ｓ_ｉを用いて次式で表される。

発振スペクトル数が減少するほど各モードにおける微分利得ａ_ｉが増大する。図４Ｂの例では図４Ａの例に比べて発振スペクトル数が半分程度であるため、微分利得ａ_ｉは約２倍になる。緩和振動周波数は約√２倍＝１．４倍に増大する。この結果、変調特性が高速になる。

変調特性には寄生容量も影響する。面発光レーザ１００ではｐ−ＤＢＲ層１６ａをエッチングすることでコーナーリフレクタ５０が形成される。ｐ−ＤＢＲ層１６ａの体積が減少するため、寄生容量が低下し、変調帯域が拡大する。コーナーリフレクタ５０を設けない場合に比べて、ｐ−ＤＢＲ層１６ａの体積が半分程度になる。この影響により変調帯域は約１．４倍になる。スペクトル数の低減による効果と、寄生容量の低減の効果を合わせると、コーナーリフレクタ５０を設けない場合に比べて変調帯域はおよそ２倍となる。

（製造方法）
次に面発光レーザ１００の製造方法を説明する。図５Ａおよび図５Ｂは面発光レーザ１００の製造方法を例示する断面図である。図６Ａから図９Ｂは面発光レーザ１００の製造方法を例示する平面図である。

まず、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などにより基板１０上に下部ＤＢＲ層１２、活性層１４および上部ＤＢＲ層１６を順にエピタキシャル成長する。下部ＤＢＲ層１２の成長の途中にコンタクト層１５も成長する。上部ＤＢＲ層１６は酸化狭窄層２２形成のためのＡｌ組成の高い層（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０．９≦ｘ≦１．０）など）を含む。

イオン注入を行うことで高抵抗領域２０を形成する。具体的には、例えば厚さ１０μｍ以上、１５μｍ以下のフォトレジストをスピン塗布する。フォトレジストの一部をマスクで覆い、露光装置を用いて例えば波長３６５ｎｍの紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を照射する。フォトレジストのうち露光した部分を水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ溶液で溶解し、フォトレジストのうちマスクで覆われた部分を残存させる。例えばプロトン（Ｈ^＋）などのイオンを注入することで高抵抗領域２０を形成する。ウェハのうちフォトレジストで覆われた部分にはプロトンは注入されず、フォトレジストから露出する部分にプロトンが注入される。注入深さは例えば５μｍである。イオン注入後、有機溶媒および酸素プラズマなどによるアッシングを行い、フォトレジストを除去する。

図５Ａでは上部ＤＢＲ層１６を抜き出している。上部ＤＢＲ層１６の上に、例えば厚さ２．５μｍ以上のフォトレジストをスピン塗布する。フォトレジストの露光、現像およびポストベークにより、上部ＤＢＲ層１６の一部を覆うレジストマスク５１を形成する。レジストマスク５１は例えば円錐台形状であり、露光条件、ポストベークの温度および時間などによりレジストマスク５１の傾斜角度を調整することができる。レジストマスク５１を用いて、上部ＤＢＲ層１６を例えば２．５μｍの深さまでドライエッチングする。図５Ｂに示すように、レジストマスク５１に対応した形状が上部ＤＢＲ層１６にも形成される。すなわちドライエッチングによりコーナーリフレクタ５０が形成される。

図６Ａに示すように、例えば誘電結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）装置を用いて高抵抗領域２０のドライエッチングを行い、メサ１９を形成する。このとき高抵抗領域２０には下部ＤＢＲ層１２まで達する溝１３が形成され、エッチングしない部分は不図示のフォトレジストで保護される。エッチングガスとして例えばＢＣｌ_３ガス、またはＢＣｌ_３とＣｌ_２との混合ガスを用いる。エッチング条件の例を以下に示す。
ＢＣｌ_３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ_３／Ｃｌ_２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ〜１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ〜５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下

図６Ｂに示すように、例えば水蒸気雰囲気中で４００℃程度に加熱することで、メサ１９の上部ＤＢＲ層１６の一部をメサ１９の端部側から酸化し、酸化狭窄層２２を形成する。酸化狭窄層２２が所定の幅に達し、酸化狭窄層２２の間に所定の幅の未酸化部分が残るように加熱時間を定める。

図７Ａに示すように、高抵抗領域２０、下部ＤＢＲ層１２および基板１０の一部をドライエッチングすることで溝１１を形成する。メサ１９および溝１３などエッチングしない部分は不図示のフォトレジストで覆う。エッチングガスとして例えばＢＣｌ_３ガス、またはＢＣｌ_３とＣｌ_２との混合ガスを用いる。エッチングの条件を以下に示す。
ＢＣｌ_３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ_３／Ｃｌ_２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ〜１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ〜５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下

溝１１は素子分離のためのものである。溝１１の深さは例えば７μｍであり、溝１１からは基板１０が露出する。溝１１の内側に面取り部４２を有するメサ４０が形成される。複数の面発光レーザ１００間において下部ＤＢＲ層１２、活性層１４および上部ＤＢＲ層１６は分離されるため、複数の面発光レーザ１００は電気的に分離される。隣り合う面発光レーザ１００間の距離は例えば３０〜６０μｍである。

図７Ｂに示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などによりウェハを覆う絶縁膜４４を形成する。絶縁膜４４は例えばＳｉＯＮ膜またはＳｉＯ_２膜である。

図８Ａに示すように、レジストパターンの形成およびエッチングなどにより絶縁膜４４に開口部４４ａおよび４４ｂを形成する。開口部４４ａは溝１３に位置し、開口部４４ｂはメサ１９上に位置する。

図８Ｂに示すように、レジストパターニングおよび真空蒸着法により開口部４４ａ内のコンタクト層１５の表面に電極３０を形成し、開口部４４ｂ内の上部ＤＢＲ層１６の表面に電極３３を形成する。電極の形成後に例えば４００℃程度の温度で１分間の熱処理を行うことで、電極と半導体との間でオーミック接触をとる。電極３０は下部ＤＢＲ層１２と電気的に接続され、電極３３は上部ＤＢＲ層１６と電気的に接続される。

図９Ａに示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などにより、絶縁膜４４、電極３０および３３の上に絶縁膜４６を形成する。絶縁膜４６は例えばＳｉＮなどの絶縁体で形成されている。図９Ａに示すように、レジストパターンを用いて絶縁膜４６をエッチングすることで、絶縁膜４６に電極３０が露出する開口部４６ａ、および電極３３が露出する開口部４６ｂを形成する。また、絶縁膜４４および４６のうち溝１１内の部分をエッチングし、基板１０を露出させる。

図９Ｂに示すように、メッキ処理などにより、電極３０に接続される配線３１およびパッド３２、電極３３に接続される配線３４およびパッド３５を形成する。さらに不図示の絶縁膜（パッシベーション膜）を設け、パッシベーション膜にパッド３２が露出する開口部、パッド３５が露出する開口部を設ける。

バックグラインダーまたはラッピング装置などを用いて基板１０の裏面を研磨し、厚さを１００〜２００μｍ程度とする。ウェハをテープに貼り付け、ブレードなどを用いて、溝１１において基板１０を切断し、個片化された面発光レーザ１００を作成する。

第１実施形態によれば、上部ＤＢＲ層１６にコーナーリフレクタ５０が設けられ、コーナーリフレクタ５０の平面形状は円形である。コーナーリフレクタ５０は、光軸ＡＸ周りに回転対称であり、下部ＤＢＲ層１２と共振器を形成する。共振器により、回転非対称な高次横モードが抑圧され、回転対称な高次横モードを発振させることができる。この結果、図４Ｂに示したように発振スペクトル数を低減することができる。

下部ＤＢＲ層１２と上部ＤＢＲ層１６とは第１共振器を形成し、下部ＤＢＲ層１２とコーナーリフレクタ５０とは第２共振器を形成する。第１共振器によって、コーナーリフレクタ５０のない面発光レーザと同程度の変調帯域が得られる。第２共振器により、回転非対称な高次横モードを抑圧し、発振スペクトル数を低減することができる。発振スペクトル数が低減することで変調帯域が拡大し、高速変調が可能となる。例えば図４Ｂのように図４Ａに比べて発振スペクトル数を半分程度とすることで、変調帯域がおよそ１．４倍に拡大される。

コーナーリフレクタ５０の形状は円錐台であり、コーナーリフレクタ５０の斜面で光を全反射し、下部ＤＢＲ層１２に戻す。コーナーリフレクタ５０は光軸ＡＸ周りに回転対称である。このため回転対称な高次横モードが支配的となり、回転非対称な高次横モードは強く抑圧される。発振スペクトル数が低減され、高速な変調特性が実現される。

図２に示すように、コーナーリフレクタ５０の側面は上部ＤＢＲ層１６の上面に対して例えば４５°傾斜している。コーナーリフレクタ５０に入射する光を側面で反射し、活性層１４側に帰還させることができる。反射された光の振幅分布は、入射光とは反転する。傾斜角度θは側面のすべての位置で４５°でなくてもよい。側面が４５°傾斜した面を含めばよく、側面の一部が例えば４５°以上傾斜してもよいし、４５°未満傾斜してもよい。面１６ｃから面５４までの平均した傾斜角度θが４５°である。コーナーリフレクタ５０は入射する光の振幅分布を反転して反射する作用を有してればよい。

コーナーリフレクタ５０の上面（面５４）は光の出射窓として機能し、光を面５４から外部へと出射することができる。面５４の幅Ｗ２（直径）は基本横モード成分のみを出射可能な幅の２倍以上であることが好ましい。具体的には、発振波長が８５０ｎｍ〜９００ｎｍの場合、幅Ｗ２は５μｍ以上である。幅Ｗ２をこのように大きくすることで、基本横モード成分の光だけでなく、高次横モード成分の光も面５４から出射することができ、光出力の向上が可能となる。

上部ＤＢＲ層１６のエッチングによりコーナーリフレクタ５０を形成することで、コーナーリフレクタ５０を設けない場合に比べ、電極３０と電極３３との間における、上部ＤＢＲ層１６に含まれる半導体層の層数が減少する。上部ＤＢＲ層１６の体積が例えば半分程度に減少する。寄生容量が低下し、変調帯域がより拡大する。

上部ＤＢＲ層１６の全体がｐ−ＤＢＲ層でもよいが、上部ＤＢＲ層１６は順に積層されたｐ−ＤＢＲ層１６ａとｉ−ＤＢＲ層１６ｂとを含むことが好ましい。電極３３をｐ−ＤＢＲ層１６ａに接続し、ｉ−ＤＢＲ層１６ｂには接続しない。電極３３からｐ−ＤＢＲ層１６ａを通じて活性層１４に電流を注入することができる。上部ＤＢＲ層１６がｉ−ＤＢＲ層１６ｂを含むことで、寄生容量が低下し、変調帯域がより拡大する。下部ＤＢＲ層１２がｐ型の層であり、上部ＤＢＲ層１６のｐ−ＤＢＲ層１６ａに代えてｎ型の層を設けてもよい。すなわち、図２の上側から下側にかけてｐ−ｉ−ｎ構造である、またはｎ−ｉ−ｐ構造である。

図３Ａに示すようにコーナーリフレクタ５０の形状は円錐台であり、図３Ｂに示すように平面形状は円形である。変形例で説明するように、コーナーリフレクタの形状は円錐台に限定されず、光軸ＡＸ周りに高い回転対称性を有していればよい。

（変形例）
図１０は変形例に係る面発光レーザのコーナーリフレクタ５８を例示する平面図である。変形例は、コーナーリフレクタ以外は第１実施形態と同じ構成である。コーナーリフレクタ５８の形状は八角錐台であり、図１０に示すようにコーナーリフレクタ５８の平面形状は正八角形である。コーナーリフレクタ５８は光軸ＡＸ周りに３６０／８度対称である。３６０度／８度対称とは、３６０度の１／８の角度回転すると元の図形と重なる対称性である。である。面５８ａと面５８ｂとは光軸ＡＸを挟んで対向する。これらの面と同様に、コーナーリフレクタ５８の８つの側面のうち１つは、光軸ＡＸを挟んで１つの側面に対向する。面５４は出射窓として機能する。

コーナーリフレクタ５８と図１Ｂに示した下部ＤＢＲ層１２とは共振器を形成する。活性層１４側からコーナーリフレクタ５８の面５８ａに入射する光は、面５８ａで全反射され、面５８ｂに入射し、面５８ｂで全反射され、入射方向に戻り、下部ＤＢＲ層１２に反射され、面５８ｂに再び入射する。面５８ｂに入射する光は、面５８ｂで全反射され、面５８ａに入射し、面５８ａで全反射され、入射方向に戻る。コーナーリフレクタ５８は、光の振幅分布を反転して反射する。

変形例によれば、コーナーリフレクタ５８は光軸ＡＸ周りに８回対称性を有する。コーナーリフレクタ５８と下部ＤＢＲ層１２とが形成する共振器により、１次〜３次の回転非対称な高次横モードが抑圧され、回転対称な高次横モードを主に発振させることができる。図４Ｂの例と同様に発振スペクトル数が低減される。発振スペクトル数が低減することで変調帯域が拡大し、高速変調が可能となる。

コーナーリフレクタの平面形状が奇数個の頂点を有する多角形の場合、光が第２共振器内を１往復しても、振幅分布が元に戻る固有解が存在せず、良好な発振が得られない。コーナーリフレクタの平面形状が偶数個の頂点を有する多角形であることにより、回転非対称な高次横モードが抑圧され、回転対称な高次横モードを主に発振させることができる。コーナーリフレクタの平面形状が８個以上かつ偶数個の頂点を有し、光軸ＡＸを挟んで対向する２つの辺が平行な多角形であることがより好ましい。コーナーリフレクタは例えば十角錐台、十二角錐台、二十角錐台などでもよい。

第１実施形態および変形例に示したように、コーナーリフレクタは円錐台、または八角錐台以上の偶数多角錐台である。コーナーリフレクタの平面形状は円形、または８個以上かつ偶数個の頂点を有する多角形である。コーナーリフレクタが光軸ＡＸ周りに８回対称以上の回転対称性を有することで、回転非対称な高次横モードを抑圧することができる。なおコーナーリフレクタの平面形状が多角形の場合、出射窓の幅は当該多角形の内接円の直径で定義される。コーナーリフレクタの平面形状が円形の場合、出射窓の幅は円の直径で定義される。

＜第２実施形態＞
図１１は第２実施形態に係る面発光レーザ２００を例示する断面図であり、メサ１９を拡大している。第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。

図１１に示すように、コーナーリフレクタ５０の側面にキャップ層６０が設けられている。キャップ層６０は、円錐台形状のコーナーリフレクタ５０の側面の全体を覆い、面５４は覆わない。キャップ層６０の上面はコーナーリフレクタ５０の面５４と同じ高さに位置し、面５４とともに面６２を形成する。キャップ層６０の側面はコーナーリフレクタ５０と同じ角度を有し、面１６ｃに対して４５°傾斜している。

キャップ層６０は例えばＳｉ、ＳｉＮ、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などで形成され、導光層として機能する。キャップ層６０の屈折率は、上部ＤＢＲ層１６の屈折率より低く、空気の屈折率より高い。ＡｌＧａＡｓの上部ＤＢＲ層１６の屈折率は例えば約３．９であり、空気の屈折率は約１である。キャップ層６０の屈折率は例えば２．７３以上、３．９未満である。ここでの屈折率は発振波長における屈折率である。

キャップ層６０の屈折率が２．７３以上であるため、コーナーリフレクタ５０に入射する光は全反射されず、一部はコーナーリフレクタ５０で反射され、一部はキャップ層６０に入射する。例えばコーナーリフレクタ５０の面５２ａに下方向から入射する光の一部は、面５２ａを透過しキャップ層６０に入射する。光はキャップ層６０内を上方向に伝搬し、キャップ層６０と空気との界面で反射し、水平方向に伝搬し、キャップ層６０と面５２ａとの界面でさらに反射される。最終的に光は面６２から上方向に出射される。キャップ層６０に水平方向から入射する光は、キャップ層６０と空気との界面、およびキャップ層６０と上部ＤＢＲ層１６との界面で反射され、下方向に伝搬し、上部ＤＢＲ層１６で反射され、最終的に面６２から上方向に出射される。キャップ層６０は入射した光を面６２に伝搬させる導光層として機能し、面６２は出射窓として機能する。

第２実施形態によれば、キャップ層６０に入射する光をキャップ層６０内で伝搬させ、面６２から出射させる。このため光のロスを抑制し、高い出力を実現することができる。第１実施形態と同様に、発振スペクトル数を低減し、変調帯域を拡大することができる。コーナーリフレクタ５０の表面に酸化膜を設け、屈折率を低下させることで、キャップ層６０への入射光量を調節することもできる。

＜第３実施形態＞
図１２Ａは第３実施形態に係る面発光レーザ３００を例示する断面図であり、メサ１９を拡大している。第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。図１２Ａに示すように、上部ＤＢＲ層１６のうち、コーナーリフレクタ５０となる部分に酸化領域６４が形成されている。より詳細には、上部ＤＢＲ層１６を構成する半導体層（ＡｌＧａＡｓ層）のそれぞれに、酸化領域６４が形成されている。１つの酸化領域６４の厚さＴ１（上部ＤＢＲ層１６中の１つの半導体層の厚さ）は例えば５０〜１００ｎｍである。複数の酸化領域６４のそれぞれは、上部ＤＢＲ層１６の側面から内側に向けて延伸する。上部ＤＢＲ層１６の半導体層（ＡｌＧａＡｓ層）のＡｌ組成比に応じて、酸化領域６４の長さは異なる。酸化領域６４におけるＡｌ組成比は、酸化狭窄層２２におけるＡｌ組成比より低い。

図１２Ｂはコーナーリフレクタ５０を例示する平面図である。複数の酸化領域６４の内側の端部を点線で示す。図１２Ｂに示すように、複数の酸化領域６４は光軸ＡＸを中心に同心円状に配置されている。酸化領域６４の屈折率は、上部ＤＢＲ層１６の酸化領域６４以外の部分の屈折率より低い。

コーナーリフレクタ５０に酸化領域６４が設けられることで、コーナーリフレクタ５０に屈折率分布が生じる。１つの酸化領域６４の厚さＴ１は発振波長より小さく、屈折率分布の周期は発振波長に比べて小さい。複数の酸化領域６４は回折格子として機能する。コーナーリフレクタ５０に入射した光は酸化領域６４で散乱され、キャップ層６０に入射し、キャップ層６０に導光され、面６２から出射される。第３実施形態によれば、光のロスを抑制し、高い出力を実現することができる。また、第１実施形態と同様に、発振スペクトル数を低減し、変調帯域を拡大することができる。

第３実施形態におけるキャップ層６０の屈折率は上部ＤＢＲ層１６の屈折率と等しい、または大きくてもよい。キャップ層６０は設けなくてもよい。

＜第４実施形態＞
図１３は第４実施形態に係る面発光レーザ４００を例示する断面図であり、メサ１９を拡大している。第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。

図１３に示すように、上部ＤＢＲ層１６には、コーナーリフレクタ５０に代えてコーナーリフレクタ７０が設けられている。コーナーリフレクタ７０の形状は円錐であり、上に向けて先細りである。コーナーリフレクタ７０は光の出射窓となる面を有さず、上端に頂点を有する。コーナーリフレクタ７０に入射する光は、コーナーリフレクタ７０で下方向に反射され、基板１０の下側の面１０ａから出射される。面１０ａの幅（直径）は基本横モード成分のみを出射可能な幅の２倍以上であることが好ましい。

第４実施形態によれば、コーナーリフレクタ７０の形状が円錐形であり、高い回転対称性を有する。第１実施形態と同様に、発振スペクトル数を低減し、変調帯域を拡大することができる。基板１０の面１０ａが出射窓として機能するため、光を下側から出射することができる。

コーナーリフレクタ７０は、円錐以外に、八角錐、十角錐、十二角錐など、八角錐以上の偶数多角錐でもよい。光を反射して面１０ａ側に帰還させるため、コーナーリフレクタ７０は頂点を有する形状であることが好ましい。

以上、本開示の実施形態について詳述したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１６ｃ、５２ａ、５２ｂ、５８ａ、５８ｂ 面
１０ａ、５４、６２ 面（出射窓）
１１、１３ 溝
１２ 下部ＤＢＲ層
１４ 活性層
１５ コンタクト層
１６ 上部ＤＢＲ層
１６ａ ｐ−ＤＢＲ層
１６ｂ ｉ−ＤＢＲ層
１９、４０ メサ
２０ 高抵抗領域
２２ 酸化狭窄層
３０、３３ 電極
３１、３４ 配線
３２、３５ パッド
４２ 面取り部
４４、４６ 絶縁膜
４４ａ、４４ｂ、４６ａ、４６ｂ、１８ａ、１８ｂ 開口部
５０、５８、７０ コーナーリフレクタ
５１ レジストマスク
６０ キャップ層
６４ 酸化領域
１００、２００、３００、４００ 面発光レーザ

Claims (12)

1. 第１反射層と、
   前記第１反射層の上に設けられた活性層と、
   前記活性層の上に設けられた第２反射層と、を具備し、
   前記第２反射層に、前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタが設けられ、
   前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である面発光レーザ。
2. 前記コーナーリフレクタは前記面発光レーザの光軸の周りに３６０／８度回転対称以上の回転対称性を有する請求項１に記載の面発光レーザ。
3. 前記コーナーリフレクタの形状は円錐台、または多角錐台であり、
   前記コーナーリフレクタの上面は、光を出射する出射窓である請求項１または請求項２に記載の面発光レーザ。
4. 前記コーナーリフレクタの側面に設けられたキャップ層を具備し、
   前記キャップ層の屈折率は前記第２反射層の屈折率より低く、かつ２．７３以上であり、
   前記コーナーリフレクタの上面および前記キャップ層の上面から光を出射させる請求項３に記載の面発光レーザ。
5. 前記第２反射層は、前記コーナーリフレクタの側面から内側に向けて延伸する酸化領域を有する請求項３または請求項４に記載の面発光レーザ。
6. 基板を具備し、
   前記第１反射層、前記活性層および前記第２反射層は前記基板の上に順に設けられ、
   前記コーナーリフレクタの形状は円錐、または多角錐であり、
   前記基板の下面は、光を出射する出射窓である請求項１または請求項２に記載の面発光レーザ。
7. 前記出射窓の幅は、基本横モード成分のみを出射可能な幅の２倍以上である請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
8. 前記コーナーリフレクタは、入射する光の振幅分布を反転して反射する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
9. 前記コーナーリフレクタの側面は、前記第１反射層の上面に対して４５°傾斜した面を含む請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
10. 前記第１反射層および前記第２反射層のそれぞれは、積層された複数の半導体層を含むＤＢＲ層である請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
11. 前記第１反射層はｐ型またはｎ型の半導体層であり、
    前記第２反射層は、前記活性層側から順に積層された第３反射層および第４反射層を含み、
    前記第３反射層は前記第１反射層とは反対の導電型の半導体層であり、
    前記第４反射層はノンドープの半導体層である請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
12. 基板の上に、第１反射層、活性層、および第２反射層を順に積層する工程と、
    前記第２反射層の一部をエッチングすることで、前記第２反射層に前記第１反射層とは反対側に向けて先細りのコーナーリフレクタを形成する工程と、を有し、
    前記コーナーリフレクタの平面形状は円形、または偶数個の頂点を有する多角形である面発光レーザの製造方法。
    

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