JPS5853519B2 - 二重導波路型半導体レ−ザ - Google Patents
二重導波路型半導体レ−ザInfo
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- JPS5853519B2 JPS5853519B2 JP2521376A JP2521376A JPS5853519B2 JP S5853519 B2 JPS5853519 B2 JP S5853519B2 JP 2521376 A JP2521376 A JP 2521376A JP 2521376 A JP2521376 A JP 2521376A JP S5853519 B2 JPS5853519 B2 JP S5853519B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザの改良に関するものである。
近年光エレクトロニクスが通信情報処理等の分野に大き
な可能性を持って出現し、エレクトロニクスにおける集
積回路のごとき、光集積回路化が要望され始めた。
な可能性を持って出現し、エレクトロニクスにおける集
積回路のごとき、光集積回路化が要望され始めた。
この光集積化は、小形、簡素化、高密度化、高信頼化等
の点で当然半導体結晶を母体として進められるのが望し
い。
の点で当然半導体結晶を母体として進められるのが望し
い。
その中心部である発光源となるのが半導体レーザである
。
。
実現している半導体レーザを光集積回路中の一素子とし
て用いる際、次のような問題にぶつかる。
て用いる際、次のような問題にぶつかる。
第一にモノリシックに光集積回路を作ろうとする時には
、反射鏡面の作成に骨間の方法が使えない。
、反射鏡面の作成に骨間の方法が使えない。
第二に端面からの光を取り出す方法は光集積回路には不
適当であり、いかにして出力光を光共振器から取り出し
、しかも同一基板内の他の素子へ効率よく導くことが難
しいという問題である。
適当であり、いかにして出力光を光共振器から取り出し
、しかも同一基板内の他の素子へ効率よく導くことが難
しいという問題である。
これらの問題点を解決する方法として、集積二重導波路
型半導体レーザや分布帰還型半導体レーザが提案されて
いる。
型半導体レーザや分布帰還型半導体レーザが提案されて
いる。
そしてそれはそれなりに一応前記問題点を解決したかに
みえるので、以下その詳細を考え、本発明を説明するた
めの足掛りとする。
みえるので、以下その詳細を考え、本発明を説明するた
めの足掛りとする。
まず、集積二重導波路型半導体レーザの概略図を第１図
に示し、その構造およびその機構等について、図面を用
いて簡単に説明する。
に示し、その構造およびその機構等について、図面を用
いて簡単に説明する。
例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上に液相エピタキシャル
成長法を用いて、ｎ型Ａ４．３５ Ｇ ａＯ０６５Ａｓ
層２、出力導波路のｎ型Ａ １３０．Ｉ Ｇ ａ ６．
ｇ Ａ ｓ層３、ｎ型Ａｌｏ、２５ Ｇ ａｏ、７５
Ａ ｓ層４、活性導波路のｐ型ＧａＡｓ層（ｚ−０の例
）５、ｐ型ＡｌＯ，３５Ｇａ□、６５ Ａ ｓ層６、電
極用のｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層７を順次成長させる。
成長法を用いて、ｎ型Ａ４．３５ Ｇ ａＯ０６５Ａｓ
層２、出力導波路のｎ型Ａ １３０．Ｉ Ｇ ａ ６．
ｇ Ａ ｓ層３、ｎ型Ａｌｏ、２５ Ｇ ａｏ、７５
Ａ ｓ層４、活性導波路のｐ型ＧａＡｓ層（ｚ−０の例
）５、ｐ型ＡｌＯ，３５Ｇａ□、６５ Ａ ｓ層６、電
極用のｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ層７を順次成長させる。
活性導波路５の反射鏡１２を得るために、ウェーハー上
に１１０面と平行に設けたマスクを利用して、逆スパツ
タ法で、ｎ型ＡＡ□、２５ Ｇａ□、７．Ａ ３層４の
中途まで削り落す。
に１１０面と平行に設けたマスクを利用して、逆スパツ
タ法で、ｎ型ＡＡ□、２５ Ｇａ□、７．Ａ ３層４の
中途まで削り落す。
表面電流を除ぐために、Ｓ ｉ０２膜８を設け、その上
に電極と活性導波路の反射を増す目的をかねた金属膜９
を蒸着し、同時にｎ型電極１０をつける。
に電極と活性導波路の反射を増す目的をかねた金属膜９
を蒸着し、同時にｎ型電極１０をつける。
出力導波路３の両端面１１は骨間で形成し、集積二重導
波路型半導体レーザが製作される。
波路型半導体レーザが製作される。
レーザ発振は電流励起により活性導波路５で生じた発振
光が、方向性結合器の原理により、下の出力導波路３に
入りこれを介して出力として端面１１から取り出される
。
光が、方向性結合器の原理により、下の出力導波路３に
入りこれを介して出力として端面１１から取り出される
。
出力導波路３のＡｌ成分比を変えて、禁止帯幅を活性導
波路５のそれより広くすることによって、出力導波路は
発振光の波長に対して吸収が起らない低損失導波器にで
きる。
波路５のそれより広くすることによって、出力導波路は
発振光の波長に対して吸収が起らない低損失導波器にで
きる。
また中間層のＡｌｏ、２５Ｇａｏ、７．Ａｓ４の厚みを
適当に薄くすることで効率の良い光の結合が得られる。
適当に薄くすることで効率の良い光の結合が得られる。
活性導波路と出力導波路との結合を強くするためには、
それぞれの導波路の固有モードの伝搬定数が等しくなる
ようにする（位相整合）。
それぞれの導波路の固有モードの伝搬定数が等しくなる
ようにする（位相整合）。
そのためには、活性導波路および出力導波路の屈折率と
厚みとを適当に選ぶ必要がある。
厚みとを適当に選ぶ必要がある。
また、活性導波路と出力導波路とに並行な中間層の厚み
もまた結合度を左右する。
もまた結合度を左右する。
位相整合が不十分な場合でも中間層の厚みが薄くなれば
結合度は強まり、その厚みを活性導波路内の約半波長（
ＧａＡｓの場合は約０．１２５μｍ）以下にすると位相
整合に依存せず効率の良い結合が得られる。
結合度は強まり、その厚みを活性導波路内の約半波長（
ＧａＡｓの場合は約０．１２５μｍ）以下にすると位相
整合に依存せず効率の良い結合が得られる。
故に中間層の厚みは０．１２５μｍ以下にする必要があ
る。
る。
しかし、このような薄い層を液相成長法で得ることは、
実際問題非常に難しく、その再現性も悪い。
実際問題非常に難しく、その再現性も悪い。
更に中間層が薄くなると、活性導波路の反射鏡を作る場
合、逆スパツタ法で不必要な層を削り落す寸法的精度が
厳しくなり製造技術的は困難生ずる。
合、逆スパツタ法で不必要な層を削り落す寸法的精度が
厳しくなり製造技術的は困難生ずる。
以上纒々説明した事柄を総合的に判断すると、この集積
二重導波路型半導体レーザでは、再現性や信頼性の優れ
たものを製造するのは困難であるとの結論に達する。
二重導波路型半導体レーザでは、再現性や信頼性の優れ
たものを製造するのは困難であるとの結論に達する。
この発明の目的は、従来の集積二重導波路型半導体レー
ザの有する欠点を除去し、効率の良い光結合が得られ、
信頼性の高いかつ容易に製作し得る新規な二重導波路型
半導体レーザを提供することである。
ザの有する欠点を除去し、効率の良い光結合が得られ、
信頼性の高いかつ容易に製作し得る新規な二重導波路型
半導体レーザを提供することである。
この発明によれば、活性導波路と出力導波路とからなる
ペテロ構造の半導体接合レーザであって、１）ＡｌｘＧ
ａ１−ＸＡＳの３つの層の間にはさまれるように設けた
活性導波路のＡｌｚＧａＩ ｚＡｓ層と出力導波路の
Ａ ！ｌ ｙ Ｇ ａｘ −ｙ Ａ Ｓ層を有し、活性
導波路のＡｌｚＧａｌ−２Ａｓ層はその一方の界面で半
導体レーザのｐｎの接合を形成し、Ａ １１ ｘ Ｇ
ａ １− ｘ Ａｓ層の中の少なくとも１つの層は中間
層であり、その両側に活性導波路のＡ Ａ！ ｚ Ｇ
ａｔ −ｚ Ａ ｓ層と出力導波路（７）Ａ［。
ペテロ構造の半導体接合レーザであって、１）ＡｌｘＧ
ａ１−ＸＡＳの３つの層の間にはさまれるように設けた
活性導波路のＡｌｚＧａＩ ｚＡｓ層と出力導波路の
Ａ ！ｌ ｙ Ｇ ａｘ −ｙ Ａ Ｓ層を有し、活性
導波路のＡｌｚＧａｌ−２Ａｓ層はその一方の界面で半
導体レーザのｐｎの接合を形成し、Ａ １１ ｘ Ｇ
ａ １− ｘ Ａｓ層の中の少なくとも１つの層は中間
層であり、その両側に活性導波路のＡ Ａ！ ｚ Ｇ
ａｔ −ｚ Ａ ｓ層と出力導波路（７）Ａ［。
Ｇａ１ Ａｓ層とを配置し、
２）前記出力導波路の禁止帯幅は前記活性導波路のそれ
より広く、Ａ１１ｘＧａ１−ＸＡｓ層のそれより狭く即
ち（ｘ＞ｙ＞ｚ≧Ｏ）とし、 ３）レーザの光軸方向に前記各層が接合面と交わる方向
に少なくとも１個所以上屈曲すること、を特徴として備
えた二重導波路型半導体レーザを得る。
より広く、Ａ１１ｘＧａ１−ＸＡｓ層のそれより狭く即
ち（ｘ＞ｙ＞ｚ≧Ｏ）とし、 ３）レーザの光軸方向に前記各層が接合面と交わる方向
に少なくとも１個所以上屈曲すること、を特徴として備
えた二重導波路型半導体レーザを得る。
次に本発明の実施例について、図面を参照して説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例の二重導波路型半導体レー
ザの概略図である。
ザの概略図である。
たとえば、１００面を表面とするｎ型ＧａＡｓ基板１３
に＜１１０＞軸方向に平行な幅３００μｍ、高さ５μｍ
の細長い台形を選択エツチングで形成する。
に＜１１０＞軸方向に平行な幅３００μｍ、高さ５μｍ
の細長い台形を選択エツチングで形成する。
この基板上に液相成長法で厚み５μ、ｎ型のＡｌｏ、３
Ｇａｏ、７Ａｓ層１４、厚み１μｍ、ｐ型ＧａＡｓ活性
導波路１５、厚み２μｍ、ｐ型のＡｌｏ、３Ｇａｏ、７
Ａｓ中間層１６、厚み３μｍ、ｐ型のｋｌｏ、１Ｇａ□
、ｇＡｓ出力導波路１７、厚み２μｍ、ｐ型のＡｌ１６
．３ Ｇ３６．７ Ａｓｓ層８を順次成長する。
Ｇａｏ、７Ａｓ層１４、厚み１μｍ、ｐ型ＧａＡｓ活性
導波路１５、厚み２μｍ、ｐ型のＡｌｏ、３Ｇａｏ、７
Ａｓ中間層１６、厚み３μｍ、ｐ型のｋｌｏ、１Ｇａ□
、ｇＡｓ出力導波路１７、厚み２μｍ、ｐ型のＡｌ１６
．３ Ｇ３６．７ Ａｓｓ層８を順次成長する。
次にｐ型Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ層１８上にＳｉＯ２
膜１９膜設９、選択エツチングによって台形上のみＳ
１０２膜を除去し電極金属２０．２１を両全面に蒸着す
る。
膜１９膜設９、選択エツチングによって台形上のみＳ
１０２膜を除去し電極金属２０．２１を両全面に蒸着す
る。
＜１１０＞軸方向に平行な幅３００μｍの台形を中心に
互いに６００μｍはなれた２つの反射面２２を持つ棒状
の結晶片を（１１０）の襞間で形成し、更に反射面２２
と交わる方向に幅１００μｍ程度で細分成形して、本発
明を実施した二重導波路型半導体レーザができあがる。
互いに６００μｍはなれた２つの反射面２２を持つ棒状
の結晶片を（１１０）の襞間で形成し、更に反射面２２
と交わる方向に幅１００μｍ程度で細分成形して、本発
明を実施した二重導波路型半導体レーザができあがる。
このようにして製作した二重導波路型半導体レーザの電
極２０に正、電極２１に負の電圧を印加すると、Ｓ ｉ
０２膜１９を除去した台形部真下、活性導波路２３のみ
に電流注入がおこる。
極２０に正、電極２１に負の電圧を印加すると、Ｓ ｉ
０２膜１９を除去した台形部真下、活性導波路２３のみ
に電流注入がおこる。
そして、レーザ発振光がこの電流励起活性導波路２３で
発生する。
発生する。
本実施例によれば電流励起活性導波路２３の光軸方向の
両端部、即ち台形部の両端２４が接合面に交わる方向に
傾斜した階段状に屈曲し、それにつれて各々の成長層も
同様な形状を保ちながら連続的に積み重なった構造をな
している。
両端部、即ち台形部の両端２４が接合面に交わる方向に
傾斜した階段状に屈曲し、それにつれて各々の成長層も
同様な形状を保ちながら連続的に積み重なった構造をな
している。
その結果、電流励起活性導波路２３で発振した光の一部
は屈曲した非励起活性導波路内に浸み込む。
は屈曲した非励起活性導波路内に浸み込む。
この非励起導波路は、自由キャリヤー濃度が大きいため
、浸み込んだ発振光に対して損失の大きな導波路として
働く。
、浸み込んだ発振光に対して損失の大きな導波路として
働く。
したがって発振光は吸収によりしだいに減衰してしまう
。
。
又一部の発振光は、そのまま直進し、中間層１６内に進
入する。
入する。
中間層１６の禁止帯幅は活性導波路１５のそれより十分
に広いため、発振光の波長に対して透明に近い特性を有
する。
に広いため、発振光の波長に対して透明に近い特性を有
する。
故にその発振光は、中間層１６中で減衰することなく通
り抜けて出力導波路１７に達する。
り抜けて出力導波路１７に達する。
出力導波路１７は発振光に対して低損失の導波路として
機能するため、この領域に達した光は損失することなく
層内を伝播し、出力光として両端面２２から外部に取り
出される。
機能するため、この領域に達した光は損失することなく
層内を伝播し、出力光として両端面２２から外部に取り
出される。
このように電流励起活性導波路２３で生じた発振光を、
非励起活性導波路になるべく浸み込ませないで、多くを
出力導波路１７の端面２２から取り出すには、すなわち
、光結合度を強めるためには、励起活性導波路を限定す
る傾斜階段状に屈曲している、境界面２４と基板１３の
基平面となす角θの値に大きく左右される。
非励起活性導波路になるべく浸み込ませないで、多くを
出力導波路１７の端面２２から取り出すには、すなわち
、光結合度を強めるためには、励起活性導波路を限定す
る傾斜階段状に屈曲している、境界面２４と基板１３の
基平面となす角θの値に大きく左右される。
この傾斜階段状に屈曲した境界面２４で、接合面に平行
な光が全反射せずに透過するための境界面２４の傾斜角
θは、θ＞ｃｏｓ−１（１−−） ２ （ｎｔはＡ Ｉ Ｘ Ｇ ａ １− Ｘ Ａ ｓ中間層
の屈折率、ｎ２は１２Ｇａ１−２Ａｓ活性導波路の屈折
率を表わす。
な光が全反射せずに透過するための境界面２４の傾斜角
θは、θ＞ｃｏｓ−１（１−−） ２ （ｎｔはＡ Ｉ Ｘ Ｇ ａ １− Ｘ Ａ ｓ中間層
の屈折率、ｎ２は１２Ｇａ１−２Ａｓ活性導波路の屈折
率を表わす。
）なる条件をみたす必要がある。
この条件下では、結合度は中間層１６の厚みには無関係
となる。
となる。
Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７ＡＳ ＧａＡｓ（ｚ＝ｏのとき
）へテロ境界面を有する場合、各々の屈折率がｎ１＝３
．５、ｎ ２ ＝ ３．６であるからθ〉１４°となる
。
）へテロ境界面を有する場合、各々の屈折率がｎ１＝３
．５、ｎ ２ ＝ ３．６であるからθ〉１４°となる
。
すなわち、活性導波路１５の傾斜階段状屈曲部の境界面
２４が基板１３の基平面となす角度θが、１４゜以上傾
斜しておればＡｌｏ、３Ｇａｏ、７ＡＳ中間層１６の厚
さが十分に厚くとも、出力導波路との効率の良い光結合
度が得られる。
２４が基板１３の基平面となす角度θが、１４゜以上傾
斜しておればＡｌｏ、３Ｇａｏ、７ＡＳ中間層１６の厚
さが十分に厚くとも、出力導波路との効率の良い光結合
度が得られる。
傾斜階段状屈曲部の境界面は、Ｇ ａ Ａ ｓ基板の（
１００）面内（０１１）方向に平行に形成するとすれば
、たとえば、Ｂｒ ＣＨ２０Ｈ系のエツチング液を用
いて容易に実現できる。
１００）面内（０１１）方向に平行に形成するとすれば
、たとえば、Ｂｒ ＣＨ２０Ｈ系のエツチング液を用
いて容易に実現できる。
そのエツチングの側面がかならず（１１１）Ａ面となる
からである。
からである。
この（１１１） Ａ面は基板（１００）と丁度５４°４
４′の角度を有する。
４′の角度を有する。
したがって、このエツチング面をそまま用いるならば、
本発明の結合度の条件を満足する。
本発明の結合度の条件を満足する。
このように、エツチング液の結晶方位の選択性を利用す
るならば、屈曲部の階段状の傾斜面は非常に簡単に結晶
学的精度のものが得られる。
るならば、屈曲部の階段状の傾斜面は非常に簡単に結晶
学的精度のものが得られる。
その結果、正確な面方位を持った形状の基板上の液相成
長は、その基板形状に忠実な成長層が得られやすいとい
う利点を利用出来る。
長は、その基板形状に忠実な成長層が得られやすいとい
う利点を利用出来る。
逆にθが１４°以下の時は、中間層の厚みに依存し、そ
の厚さを活性導波路内の約半波長以下にすれば良いこと
になる。
の厚さを活性導波路内の約半波長以下にすれば良いこと
になる。
中間層を透過した発振光を更に損失少なく出力導波路に
導くには、少なくとも出力導波路の一部分が励起活性導
波路と同じ高さの位置に配位するのが望ましい。
導くには、少なくとも出力導波路の一部分が励起活性導
波路と同じ高さの位置に配位するのが望ましい。
発振光が出力導波路に直進して浸入すれば、それだけ途
中での散乱損失がより少なくなるためである。
中での散乱損失がより少なくなるためである。
この位置合せは、都合の良いことに活性導波路の厚さに
比較して出力導波路の厚さをあつくしても発振特性に悪
い影響をおよぼさないため、出力導波路の厚さと中間層
の厚さとを適当に設計するのみで簡単に得られる。
比較して出力導波路の厚さをあつくしても発振特性に悪
い影響をおよぼさないため、出力導波路の厚さと中間層
の厚さとを適当に設計するのみで簡単に得られる。
発振電流密度は活性導波路の厚みｄの関数として、
λ／２≦ｄ≦３μｍ
の間でほぼ直線的に減少する。
ここでλは活性導波路中で測定した発振光の波長である
。
。
一方、出力の放射角、特に接合面に垂直な方向の拡がり
角度は、活性導波路の厚さｄが薄くなるにしたがい、す
なわち、発振電流密度の減少するにそって大きくなる。
角度は、活性導波路の厚さｄが薄くなるにしたがい、す
なわち、発振電流密度の減少するにそって大きくなる。
この放射角が広いことは、端面からの出力光を他の素子
へ効率よく導くことが困難となる。
へ効率よく導くことが困難となる。
本発明によれば、活性導波路の厚みを発振電流密度が最
小になる厚さにしても、出力導波路を、それよりも十分
に厚くすることが可能なため、この放射角の問題は自ず
と解決される。
小になる厚さにしても、出力導波路を、それよりも十分
に厚くすることが可能なため、この放射角の問題は自ず
と解決される。
第３図に示した実施例は、第２図の実施例と逆の構造に
した場合で、励起活性導波路２３を基板１３に形成した
凹状の構に成長させ、出力導波路２５が活性導波路１５
より下層に位置する層構造としたものであるが、得られ
る機能、効果はなんら劣ることはない。
した場合で、励起活性導波路２３を基板１３に形成した
凹状の構に成長させ、出力導波路２５が活性導波路１５
より下層に位置する層構造としたものであるが、得られ
る機能、効果はなんら劣ることはない。
第４図の実施例は、第２図の実施例の出力導波路部１７
に回折格子２７を形成し、分布帰還型の光共振器を構成
した二重導波路型半導体レーザである。
に回折格子２７を形成し、分布帰還型の光共振器を構成
した二重導波路型半導体レーザである。
このような構成にすると、出力端面を鏡面にする必要が
なくなるため、光集積回路における光源として更に適し
たものとなる。
なくなるため、光集積回路における光源として更に適し
たものとなる。
しかも、回折格子を加工する。
際に発生する欠陥が、電流励起活性導波路に直接影響を
およぼさぬ様に構成できるのは従来の分布帰還型にない
本発明の卓譲した効果であり、その加工も結晶成長後の
プロセスで作れる利点がある。
およぼさぬ様に構成できるのは従来の分布帰還型にない
本発明の卓譲した効果であり、その加工も結晶成長後の
プロセスで作れる利点がある。
従って本発明による二重導波路型半導体レーザは、高信
頼、長寿命、容易な製造で得られる等の数多くの利点が
ある。
頼、長寿命、容易な製造で得られる等の数多くの利点が
ある。
なお、本発明を適用するに当って、第１図に示した従来
例の如く電極を取りやすくするための層７に相当する層
付加して設けても一部にかまわないし、それにより本発
明の効果が減じるものでもない。
例の如く電極を取りやすくするための層７に相当する層
付加して設けても一部にかまわないし、それにより本発
明の効果が減じるものでもない。
以上詳述したように、本発明によれば、活性導波路の一
部をヘテロ境界面で光軸方向に限定し、出力導波路を集
積化することで、光結合度の太きい、製作が簡単で、信
頼性の高い全く新規な二重導波路型半導体レーザが得ら
れる。
部をヘテロ境界面で光軸方向に限定し、出力導波路を集
積化することで、光結合度の太きい、製作が簡単で、信
頼性の高い全く新規な二重導波路型半導体レーザが得ら
れる。
第１図は従来の集積二重導波路型半導体レーザの概略図
を、第２図および第３図は本発明の最も簡素な実施例で
ある二重導波路型半導体レーザの概略図を、第４図は本
発明の実施例に分布帰還型共振器を付加した二重導波路
型半導体レーザの概略図をそれぞれ示す。 図において、１，１３・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
２ 、１４”−ｎ型Ａ １ＸＧａ１−Ｘ Ａｓ層、３，
２５””・・ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ出力導波路、４
，２６・・・・・・ｎ型ＡＡｘＧａ１−＞（Ａｓ中間層
、５，１５・・・・・・ｐ型Ａ７ ｚ Ｇａ１−２ Ａ
ｓ活性導波路、６ 、１８−−−−−・ｐ型ＡｌＸＧａ
１−）（Ａｓ層、７・・・・・・ｐ型ＧａＡｓ層、８．
１９・・・・・・Ｓ ｔ ０２膜、９，１０，２０，２
１・・・・・・電極、１１，２２・・・・・・出力導波
路端面、１２・・・・・・・・・活性導波路端面、１６
・・・・・・ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ中間層、１７・
・・・・・ｐ型Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ １−ｙＡ ｓ出力
導波路、２３・・・・・・励起活性導波路、２４・・・
・・・階段状へテロ境界面、２７・・・・・・回折格子
、θ・・・・・・階段状へテロ境界面と基板の基平面と
のなす角、をそれぞれ示す。
を、第２図および第３図は本発明の最も簡素な実施例で
ある二重導波路型半導体レーザの概略図を、第４図は本
発明の実施例に分布帰還型共振器を付加した二重導波路
型半導体レーザの概略図をそれぞれ示す。 図において、１，１３・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、
２ 、１４”−ｎ型Ａ １ＸＧａ１−Ｘ Ａｓ層、３，
２５””・・ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ出力導波路、４
，２６・・・・・・ｎ型ＡＡｘＧａ１−＞（Ａｓ中間層
、５，１５・・・・・・ｐ型Ａ７ ｚ Ｇａ１−２ Ａ
ｓ活性導波路、６ 、１８−−−−−・ｐ型ＡｌＸＧａ
１−）（Ａｓ層、７・・・・・・ｐ型ＧａＡｓ層、８．
１９・・・・・・Ｓ ｔ ０２膜、９，１０，２０，２
１・・・・・・電極、１１，２２・・・・・・出力導波
路端面、１２・・・・・・・・・活性導波路端面、１６
・・・・・・ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ中間層、１７・
・・・・・ｐ型Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ １−ｙＡ ｓ出力
導波路、２３・・・・・・励起活性導波路、２４・・・
・・・階段状へテロ境界面、２７・・・・・・回折格子
、θ・・・・・・階段状へテロ境界面と基板の基平面と
のなす角、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 活性導波路と出力導波路とからなるヘテロ構造の半
導体接合レーザであって、 １）ＡｌｘＧａ１−ＸＡｓの３つの層の間にはさまれる
ように設けた活性導波路のＡ ７３ ｚ Ｇ ａｌ −
ｚ Ａ Ｓ層と出力導波路のＡ［ｙＧａｌ−ｙＡｓ層と
を有し、活性導波路のｋｌＺＧａｌ−２Ａｓ層はその一
方の界面で半導体レーザのｐｎ接合を形成し、ＡｌｘＧ
ａ１−＞（Ａｓ層の中の少なくとも１つの層は中間層で
あり、その両側に活性導波路のＡ１２Ｇ ａｌ −２Ａ
ｓ層と出力導波路のＡｌ、Ｇａ１−。 Ａｓ層とを配置し、 ２）前記出力導波路の禁止帯幅は前記活性導波路のそれ
より広く、Ａ＃ Ｘ Ｇａｌ −ｘ Ａ ｓ層のそれよ
りは狭く、即ち（ｘ＞ｙ＞ｚ≧０）とし、３）レーザの
光軸方向に前記各層が接合面と交わる方向に少くとも１
個所以上屈曲すること、を特徴として備えた二重導波路
型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2521376A JPS5853519B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 二重導波路型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2521376A JPS5853519B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 二重導波路型半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52108778A JPS52108778A (en) | 1977-09-12 |
| JPS5853519B2 true JPS5853519B2 (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=12159671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2521376A Expired JPS5853519B2 (ja) | 1976-03-09 | 1976-03-09 | 二重導波路型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853519B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161590A (ja) * | 1989-10-05 | 1990-06-21 | Fuji Electric Co Ltd | 自動販売機の商品取出口装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216486A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
-
1976
- 1976-03-09 JP JP2521376A patent/JPS5853519B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161590A (ja) * | 1989-10-05 | 1990-06-21 | Fuji Electric Co Ltd | 自動販売機の商品取出口装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52108778A (en) | 1977-09-12 |
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