JPH01184971A - スラブ導波光出射半導体レーザー - Google Patents
スラブ導波光出射半導体レーザーInfo
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- JPH01184971A JPH01184971A JP63008239A JP823988A JPH01184971A JP H01184971 A JPH01184971 A JP H01184971A JP 63008239 A JP63008239 A JP 63008239A JP 823988 A JP823988 A JP 823988A JP H01184971 A JPH01184971 A JP H01184971A
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ストライプ状のレーザー共振器中に形成され
たグレーティングによりレーザー発振光波の一部をブラ
ッグ回折させ、ストライプ部側部に形成されたスラブ導
波゛路に出射させる構造を有する半導体レーザーに関す
る。
たグレーティングによりレーザー発振光波の一部をブラ
ッグ回折させ、ストライプ部側部に形成されたスラブ導
波゛路に出射させる構造を有する半導体レーザーに関す
る。
（従来の技術）
従来、光集積回路の応用例として光スベクトラムアナラ
イザが提案されている。この動作原理を第１４図をもと
に説明する。スラブ導波路１０１の端面に結合されてい
る半導体レーザー１０３からの光は発散光１０８として
スラブ導波路１０１を伝搬し、導波路レンズ１０４によ
ってコリメートされる。コリメートされた光波１０９は
くし型電極１０６で励起された弾性表面波１１２によっ
て回折をうけ、さらに、導波路レンズ１０５によってフ
ーリエ変換されて光波１１０．１１１になる。このよう
に、フーリエ変換面を端面に設定し、ＣＣＤ等のライン
センサを端面に設けることによって、印加されたｒｆ
（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｇｕｅｎｃｙ）信号のスペクト
ル分析が可能となる。以上の例に限らず、その他多くの
実例において半導体レーザーを光集積回路等に応用する
際には、例えばスラブ導波路内での導波路レンズのよう
な、何らかのビームコリメート手段を必要とされる。一
方、コリメートされたスラブ導波光を得る手段として第
１５図に示すように、グレーティング１２５を具備する
チャネル導波路】２４からの回折光を用いる提案がなさ
れている（提案Ｎｏ、 ＣＪＹＯＮｏ、８５６３０ ）
。チャネル導波路＋２４の端面に結合された半導体レ
ーザー１２３によって出射される光波１２６は均一周期
のグレーティング１２５によってブラッグ回折をうけ、
光波＋２６の一部がスラブ導波路を伝搬するスラブ導波
光１２７に結合される。このように均一周期のグレーテ
ィングを用いることによって位相のそろったコリメート
ビームを得ることが可能となる。また、コリメート手段
を特に用いることなく線状の光源を提供する従来例とし
ては例えば、文献ｒＥｄｇｅ−ａｎｄ ｓｕｒｆａｃｅ
−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇ
ｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ
ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌａｃｔｉｖ
ｅ／ｐａｓｓｉｖｅ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ」（Ｋ、
Ｋｏｊｊｍａ ｅｔｄｌ Ａｔ）ｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔ、ｔ、５’０．５．２２７−２２９頁（＋９８７
） ）に開示されている様に、２次の回折を反射として
利用するＤＦＢ （分布帰還型）レーザーにおいて、光
出力の一部が１次の回折波に結合し、基板と垂直方向に
出力されるレーザーの試作例の報告がある。
イザが提案されている。この動作原理を第１４図をもと
に説明する。スラブ導波路１０１の端面に結合されてい
る半導体レーザー１０３からの光は発散光１０８として
スラブ導波路１０１を伝搬し、導波路レンズ１０４によ
ってコリメートされる。コリメートされた光波１０９は
くし型電極１０６で励起された弾性表面波１１２によっ
て回折をうけ、さらに、導波路レンズ１０５によってフ
ーリエ変換されて光波１１０．１１１になる。このよう
に、フーリエ変換面を端面に設定し、ＣＣＤ等のライン
センサを端面に設けることによって、印加されたｒｆ
（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｇｕｅｎｃｙ）信号のスペクト
ル分析が可能となる。以上の例に限らず、その他多くの
実例において半導体レーザーを光集積回路等に応用する
際には、例えばスラブ導波路内での導波路レンズのよう
な、何らかのビームコリメート手段を必要とされる。一
方、コリメートされたスラブ導波光を得る手段として第
１５図に示すように、グレーティング１２５を具備する
チャネル導波路】２４からの回折光を用いる提案がなさ
れている（提案Ｎｏ、 ＣＪＹＯＮｏ、８５６３０ ）
。チャネル導波路＋２４の端面に結合された半導体レ
ーザー１２３によって出射される光波１２６は均一周期
のグレーティング１２５によってブラッグ回折をうけ、
光波＋２６の一部がスラブ導波路を伝搬するスラブ導波
光１２７に結合される。このように均一周期のグレーテ
ィングを用いることによって位相のそろったコリメート
ビームを得ることが可能となる。また、コリメート手段
を特に用いることなく線状の光源を提供する従来例とし
ては例えば、文献ｒＥｄｇｅ−ａｎｄ ｓｕｒｆａｃｅ
−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇ
ｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ １ａｓｅｒ ｗｉｔｈ
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Ｌｅｔ、ｔ、５’０．５．２２７−２２９頁（＋９８７
） ）に開示されている様に、２次の回折を反射として
利用するＤＦＢ （分布帰還型）レーザーにおいて、光
出力の一部が１次の回折波に結合し、基板と垂直方向に
出力されるレーザーの試作例の報告がある。
しかしながら、第１４図に示した光スペクトラムアナラ
イザでは導波路レンズ１０４の製造やデバイスの小型化
が困難であるなど、デバイスの実用化の大きな障害とな
っていた。一方、上記第１５図に示した従来例では、チ
ャネル導波路１２４を伝搬する光波１２６はスラブ導波
路１２０に結合されることによってその光パワーが減少
していく傾向を示す。その結果、得られる゛スラブ導波
光１２７の強度分布は横方向（第１５図におけるＸ方向
）に不均一となり、後段に取付ける光利用器機等の性能
に悪影響を及ぼすことになる。なお、均一な強度分布の
出力を得る方法としては、グレーティングの結合強度（
屈折率変化、レリーフ深さ等に依存）をテーバ化する方
法があるが、この方法によっても作製上の制御性が悪く
、光の利用効率が低いなどの欠点がある。線状の光源を
提供する従来例においては、共振器中を双方向に伝搬す
る光波が存在するため出射角が非常に近接した２つのビ
ームが出射されることになり、これらのビームの結像を
行った場合、２つのスポットとなって表われるという問
題点がある。また、出射方向が基板に垂直となるため、
他の導波路に・結合する場合、２つの基板を接近させる
必要があり、電極などの存在する上面から発光するタイ
プのＬ Ｄ （Ｌａ５ｅｒＤｉｏｄｅ ）との結合では
、構成が複雑になるという問題点がある。
イザでは導波路レンズ１０４の製造やデバイスの小型化
が困難であるなど、デバイスの実用化の大きな障害とな
っていた。一方、上記第１５図に示した従来例では、チ
ャネル導波路１２４を伝搬する光波１２６はスラブ導波
路１２０に結合されることによってその光パワーが減少
していく傾向を示す。その結果、得られる゛スラブ導波
光１２７の強度分布は横方向（第１５図におけるＸ方向
）に不均一となり、後段に取付ける光利用器機等の性能
に悪影響を及ぼすことになる。なお、均一な強度分布の
出力を得る方法としては、グレーティングの結合強度（
屈折率変化、レリーフ深さ等に依存）をテーバ化する方
法があるが、この方法によっても作製上の制御性が悪く
、光の利用効率が低いなどの欠点がある。線状の光源を
提供する従来例においては、共振器中を双方向に伝搬す
る光波が存在するため出射角が非常に近接した２つのビ
ームが出射されることになり、これらのビームの結像を
行った場合、２つのスポットとなって表われるという問
題点がある。また、出射方向が基板に垂直となるため、
他の導波路に・結合する場合、２つの基板を接近させる
必要があり、電極などの存在する上面から発光するタイ
プのＬ Ｄ （Ｌａ５ｅｒＤｉｏｄｅ ）との結合では
、構成が複雑になるという問題点がある。
本発明の目的は、以上の問題点を解決し、光集積回路の
応用に有用な線状の光源を提供することにある。
応用に有用な線状の光源を提供することにある。
本発明のスラブ導波光出射半導体レーザーは、半導体基
板上にレーザー発振可能なレーザー構造を成すストライ
プ部が形成され、ストライプ部はチャネル導波路を構成
し、かつストライプ部内にはグレーティングが設けられ
、ストライプ部側部には平面状のスラブ導波路を有する
半導体レーザーにおいて、 グレーティングのグレーティングヘクトルの方向及び大
きさは、チャネル導波路を伝搬する半導体レーザー発振
の第１の光波をスラブ導波路を伝搬する第２の光波にブ
ラッグ条件で結合させる様に設定され、第１の光波が第
２の光波として取り出せることを特徴としている。
板上にレーザー発振可能なレーザー構造を成すストライ
プ部が形成され、ストライプ部はチャネル導波路を構成
し、かつストライプ部内にはグレーティングが設けられ
、ストライプ部側部には平面状のスラブ導波路を有する
半導体レーザーにおいて、 グレーティングのグレーティングヘクトルの方向及び大
きさは、チャネル導波路を伝搬する半導体レーザー発振
の第１の光波をスラブ導波路を伝搬する第２の光波にブ
ラッグ条件で結合させる様に設定され、第１の光波が第
２の光波として取り出せることを特徴としている。
この結果、上記構成により、レーザー共振器面を対向し
て、チャネル導波路を伝搬するレーザー発振の光波はそ
れぞれ、選択的に左右のスラブ導波路にふり分けられ、
両光波の混在がなくなるとともに、両光波のスラブ導波
光への結合効率も高められる。また、レーザー共振器内
部で光結合させることによフて先出力の制御、出力光波
の強度分布の一様性を達成することが可能となる。さら
に、レーザー出力の形態がレーザー共振器側部のスラブ
導波路を伝搬する光波となっているため、光集積回路の
応用上、有用な線状の発光源を提供することができ、異
種基板との結合の上でも有利である。
て、チャネル導波路を伝搬するレーザー発振の光波はそ
れぞれ、選択的に左右のスラブ導波路にふり分けられ、
両光波の混在がなくなるとともに、両光波のスラブ導波
光への結合効率も高められる。また、レーザー共振器内
部で光結合させることによフて先出力の制御、出力光波
の強度分布の一様性を達成することが可能となる。さら
に、レーザー出力の形態がレーザー共振器側部のスラブ
導波路を伝搬する光波となっているため、光集積回路の
応用上、有用な線状の発光源を提供することができ、異
種基板との結合の上でも有利である。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
〈実施例１〉
第１図は本発明のスラブ導波光出射半導体レーザーの第
１の実施例を示す模式斜視図、第２図は第１図の詳細断
面図である。第１図においては微細な導波構造、電極構
造は省略されており、チャネル導波路２（光共振器に対
応）とその周辺に付随するスラブ導波路６に簡略化して
表現されている。すなわち、第１図に表現されているグ
レーティング３及びスラブ導波光４，５は上面電極ｌＯ
の下に存在し、実際には観測できない構造となフている
。以下の実施例についても同様の表現方法を用いた。
１の実施例を示す模式斜視図、第２図は第１図の詳細断
面図である。第１図においては微細な導波構造、電極構
造は省略されており、チャネル導波路２（光共振器に対
応）とその周辺に付随するスラブ導波路６に簡略化して
表現されている。すなわち、第１図に表現されているグ
レーティング３及びスラブ導波光４，５は上面電極ｌＯ
の下に存在し、実際には観測できない構造となフている
。以下の実施例についても同様の表現方法を用いた。
レーザー構造の一例であるリッジ型とされた本実施例で
は、［；ａＡｓ等の半導体基板１上にスラブ導波路６と
リッジによって形成され、かつグレーティング３を有す
るチャネル導波路２が設けられ、共振器が構成されてい
るとともに電流注入が選択的に行なわれるようになって
いる。グレーティング３はチャネル導波路２に斜めに刻
まれて形成されており、共振器発振のレーザー光は前後
の端面２２．２３をミラーとして発振し、前進波９ｂと
後進波９ａが共振器内部（チャネル導波路２）に存在す
ることになるが、前進波９ｂはグレーティング３によっ
てブラッグ反射をうけ左に伝搬するスラブ導波光４に結
合され、一方後進波９ａは右に伝搬するスラブ導波光５
に結合される。スラブ導波光４．５はそれぞれ端面２１
．２．０において線状の光源となり、基板の厚さ方向に
のみ発散する円柱状の出射光７．８となる。
は、［；ａＡｓ等の半導体基板１上にスラブ導波路６と
リッジによって形成され、かつグレーティング３を有す
るチャネル導波路２が設けられ、共振器が構成されてい
るとともに電流注入が選択的に行なわれるようになって
いる。グレーティング３はチャネル導波路２に斜めに刻
まれて形成されており、共振器発振のレーザー光は前後
の端面２２．２３をミラーとして発振し、前進波９ｂと
後進波９ａが共振器内部（チャネル導波路２）に存在す
ることになるが、前進波９ｂはグレーティング３によっ
てブラッグ反射をうけ左に伝搬するスラブ導波光４に結
合され、一方後進波９ａは右に伝搬するスラブ導波光５
に結合される。スラブ導波光４．５はそれぞれ端面２１
．２．０において線状の光源となり、基板の厚さ方向に
のみ発散する円柱状の出射光７．８となる。
なお、共振器として利用する前後の端面２２．２３は高
い反射率を示すようになっており、出力端面２１、２０
には反射防止の条件を満足するように誘導多層膜２０ａ
（Ｓｉ／Ｓｉ 、 Ａｌ２Ｏ３，／ＳｉＯ□等）が
形成されており、これによりデバイスの効率化が図れる
。
い反射率を示すようになっており、出力端面２１、２０
には反射防止の条件を満足するように誘導多層膜２０ａ
（Ｓｉ／Ｓｉ 、 Ａｌ２Ｏ３，／ＳｉＯ□等）が
形成されており、これによりデバイスの効率化が図れる
。
また、各端面２０．２１．２２．２３はＧａＡｓ結晶の
垂直へき開あるいはエツチングによって形成されている
。
垂直へき開あるいはエツチングによって形成されている
。
次に、第２図を参照して作製方法を説明する。
半導体基板１上に順次、ｎ型エピタキシャル膜１９、Ｇ
ａＡ ＩＡｓ活性Ｎ１２、ｐ型エピタキシャル膜１８を
エピタキシャル成長により積層する。ｎ型エピタキシャ
ルＩｌ！２１９、ｐ型エピタキシャル膜１８は、ＭＢＥ
法、ＭＯＣＶＤ等の方法で、積層すればよい。
ａＡ ＩＡｓ活性Ｎ１２、ｐ型エピタキシャル膜１８を
エピタキシャル成長により積層する。ｎ型エピタキシャ
ルＩｌ！２１９、ｐ型エピタキシャル膜１８は、ＭＢＥ
法、ＭＯＣＶＤ等の方法で、積層すればよい。
その後、グレーティング３の形成のため、このＰ型エピ
タキシャル膜１８にホログラフィック干渉、電子ビーム
露光等の技術を適用する。ざらに１、Ｐ型エピタキシャ
ル膜１８をエツチングした後、ｐ型エピタキシャル膜１
７およびキャップ層１６を形成する。グレーティング３
の結合係数は上下のｐ型エピタキシャル膜１７．１８の
屈折率差で調節することができる。リッジはフォトリソ
技術を用いてエツチングによって形成し、半導体基板１
の下面、ＳｉＮｘ層１１の上面にそれぞれ下部電極Ｉ３
、上部電極ｌＯを形成して、第２図のレーザー構造を作
製する。
タキシャル膜１８にホログラフィック干渉、電子ビーム
露光等の技術を適用する。ざらに１、Ｐ型エピタキシャ
ル膜１８をエツチングした後、ｐ型エピタキシャル膜１
７およびキャップ層１６を形成する。グレーティング３
の結合係数は上下のｐ型エピタキシャル膜１７．１８の
屈折率差で調節することができる。リッジはフォトリソ
技術を用いてエツチングによって形成し、半導体基板１
の下面、ＳｉＮｘ層１１の上面にそれぞれ下部電極Ｉ３
、上部電極ｌＯを形成して、第２図のレーザー構造を作
製する。
リッジ構造によって光波は横方向にも閉じ込められ、か
つ電流は狭窄され、リッジに沿うレーザー共振器で発振
可能となる。なお、第２図のＧａＡｌＡｓ活性層１２、
ｐ型エピタキシャル膜１８、ｎ型エピタキシャル膜１９
は第１図のスラブ導波路６に相当し、出射光７，８はＧ
ａＡｌＡｓ活性［１２から出射する。チャネル導波路２
（リッジ部）の両側部であるスラブ導波路６においても
スラブ導波光４゜５は基板１の厚さ方向に閉じ込められ
、チャネル導波路２を伝搬する光波１４（即ち、レーザ
ーの発振光）は、グレーティング３によってスラブ導波
光１５ａ、 １５ｂに放射結合されることになる。
つ電流は狭窄され、リッジに沿うレーザー共振器で発振
可能となる。なお、第２図のＧａＡｌＡｓ活性層１２、
ｐ型エピタキシャル膜１８、ｎ型エピタキシャル膜１９
は第１図のスラブ導波路６に相当し、出射光７，８はＧ
ａＡｌＡｓ活性［１２から出射する。チャネル導波路２
（リッジ部）の両側部であるスラブ導波路６においても
スラブ導波光４゜５は基板１の厚さ方向に閉じ込められ
、チャネル導波路２を伝搬する光波１４（即ち、レーザ
ーの発振光）は、グレーティング３によってスラブ導波
光１５ａ、 １５ｂに放射結合されることになる。
第３図、第４図は、それぞれ第１図におけるチャネル導
波光の前進波９ｂ、後進波９ａとスラブ導波光の結合を
示すベクトル図である。ここで、ｔβ、 、 ／ｆ１．
はそれぞれ前進波９ｂ、後進波９ａのベクトル、βＦ、
βＳはそれぞれ前進波９ｂ、後進波９ａの伝搬定数であ
り、１７１３Ｐｌ＝β、、ｌ／ｆｌＢ ＋＝βＢの関係
にある。また、／ａ Ｌ、 ／ａ Ｒはそれぞれ左方向
、右方向に伝搬するスラブ導波光４，５のベクトル、β
Ｌ１β□はそれぞれスラブ導波光４．５の伝搬定数テア
リ、１１０Ｌ Ｉ＝β、、、１／＃Ｒ＋＝βＲの関係に
ある。なお、ψはグレーティングの傾き角、Ｋはグレー
ティングベクトル、Ｋはグレーティングベクトル７にの
大きさを示し、グレーティング周期をΔとすると、Ｋ＝
２π／Δの関係にある。前進波９ｂとスラブ導波光４、
後進波９ａとスラブ導波光５の高い結合効率を達成する
ためにはこれらのベクトルが第３図（ａ）、第４図（ａ
）に示したように閉じている、すなわちブラッグ条件を
満足していることが必要である。グレーティング周期Δ
は例えば、スラブ導波光の偏向出射角θを４５°、波長
λを０．７８鱗、各 ゛導波路の等偏屈折率Ｎを等
しくして、Ｎ＝β／に＝：１．３ （ｋ＝２π／λ）
とすれば、ブラッグ条件の式＝２βｓｉｎθ＝に から Δ＝λｓｉｎθ／Ｎ ＝ ０．１６７４ とな
る。
波光の前進波９ｂ、後進波９ａとスラブ導波光の結合を
示すベクトル図である。ここで、ｔβ、 、 ／ｆ１．
はそれぞれ前進波９ｂ、後進波９ａのベクトル、βＦ、
βＳはそれぞれ前進波９ｂ、後進波９ａの伝搬定数であ
り、１７１３Ｐｌ＝β、、ｌ／ｆｌＢ ＋＝βＢの関係
にある。また、／ａ Ｌ、 ／ａ Ｒはそれぞれ左方向
、右方向に伝搬するスラブ導波光４，５のベクトル、β
Ｌ１β□はそれぞれスラブ導波光４．５の伝搬定数テア
リ、１１０Ｌ Ｉ＝β、、、１／＃Ｒ＋＝βＲの関係に
ある。なお、ψはグレーティングの傾き角、Ｋはグレー
ティングベクトル、Ｋはグレーティングベクトル７にの
大きさを示し、グレーティング周期をΔとすると、Ｋ＝
２π／Δの関係にある。前進波９ｂとスラブ導波光４、
後進波９ａとスラブ導波光５の高い結合効率を達成する
ためにはこれらのベクトルが第３図（ａ）、第４図（ａ
）に示したように閉じている、すなわちブラッグ条件を
満足していることが必要である。グレーティング周期Δ
は例えば、スラブ導波光の偏向出射角θを４５°、波長
λを０．７８鱗、各 ゛導波路の等偏屈折率Ｎを等
しくして、Ｎ＝β／に＝：１．３ （ｋ＝２π／λ）
とすれば、ブラッグ条件の式＝２βｓｉｎθ＝に から Δ＝λｓｉｎθ／Ｎ ＝ ０．１６７４ とな
る。
また、グレーティングの傾き角ψはψ＝θ／２＝２２．
５°となる。−Ｆ記のグレーティング周期Δは一次の回
折を用いた場合であり、２次の回折を利用する場合のグ
レーティング同期Δ′はΔ′；２Δ＝ Ｏ，：１３４μ
ｓとなる。また、ｎ次の回折におけるグレーティング周
期Δ。はΔ。＝ｎΔの関係にある。ただしグレーティン
グの傾き角ψはψ＝２２．５°のままに維持しておく必
要がある。以上の本実施例のように均一周期のグレーテ
ィングを用いた場合、レーザー発振のチャネル導波光の
一部を効率良く側部のスラブ導波路に結合させ、コリメ
ートされたスラブ導波光を得ることが可能となる。
５°となる。−Ｆ記のグレーティング周期Δは一次の回
折を用いた場合であり、２次の回折を利用する場合のグ
レーティング同期Δ′はΔ′；２Δ＝ Ｏ，：１３４μ
ｓとなる。また、ｎ次の回折におけるグレーティング周
期Δ。はΔ。＝ｎΔの関係にある。ただしグレーティン
グの傾き角ψはψ＝２２．５°のままに維持しておく必
要がある。以上の本実施例のように均一周期のグレーテ
ィングを用いた場合、レーザー発振のチャネル導波光の
一部を効率良く側部のスラブ導波路に結合させ、コリメ
ートされたスラブ導波光を得ることが可能となる。
〈実施例２〉
第５図は本発明の第２の実施例を示す模式斜視図である
。
。
本実施例は第１の実施例において、スラブ導波路６の一
部にグレーティング３０．３３を設けたものであって、
スラブ導波光５，４を半導体基板１の上方に光ビーム３
１．３２として取り出し、２次元のコリメートビームを
得る半導体レーザーである。
部にグレーティング３０．３３を設けたものであって、
スラブ導波光５，４を半導体基板１の上方に光ビーム３
１．３２として取り出し、２次元のコリメートビームを
得る半導体レーザーである。
スラブ導波路６の上面は第２図に示した様に、金属電極
で覆われているため、グレーティング３０゜３３形成時
、グレーティングが形成される部分にエツチングをほど
こす必要がある。グレーティング３０．３３の形成はホ
ログラフィック露光あるいは電子ビーム露光を用いれば
よい。出力された光ビーム３１．３２は均一な変調のグ
レーティング３に対しては幅方向（第５図中のＸ方向）
には均一であるが、伝搬方向（第５図中のＸ方向）には
指数関数的に減少するため、不均一なビームとなる。
で覆われているため、グレーティング３０゜３３形成時
、グレーティングが形成される部分にエツチングをほど
こす必要がある。グレーティング３０．３３の形成はホ
ログラフィック露光あるいは電子ビーム露光を用いれば
よい。出力された光ビーム３１．３２は均一な変調のグ
レーティング３に対しては幅方向（第５図中のＸ方向）
には均一であるが、伝搬方向（第５図中のＸ方向）には
指数関数的に減少するため、不均一なビームとなる。
より均一なビームを得るためにはグレーティング３の変
調（屈折率変化、レリーフ深さ）をテーパ化し、最適化
を図る必要があるが、本実施例によれば、従来のストラ
イプ構造のレーザーの性質を生かしたままで、グレーテ
ィング３の変調をテーパ化せずに面発光型のレーザー光
源が提供できることになる。なお、光ビーム３１．３２
の横幅Ｗはチャネル導波路２のグレーティング３の長さ
Ｗｌで規定されるのに対し、縦幅りはグレーティング３
０、３３の結合長で決まる値となる。従って、グレーテ
ィング３０．３３の変調を最適に調整し、所望のビーム
形状を得るようにすることが設計上必要である。つまり
、第６図に示すように、通常のグレーティング３０では
、−ａにスラブ導波光１５は空気側放射光３１ａ 、基
板側放射光３１ｂにふり分けられ、基板側放射光３１ｂ
は一般的に損失である。この損失を小さくするためには
例えば、第６図に示した様に活性層１２の下層にＧａＡ
ｌＡｓからなる多層反射層３４を形成し、基板側放射光
３１ｂを反射光３１ａ’として反射させ、これと空気側
放射光３１ａと同位相で重ね合わせ光ビーム３１とする
ことができる。
調（屈折率変化、レリーフ深さ）をテーパ化し、最適化
を図る必要があるが、本実施例によれば、従来のストラ
イプ構造のレーザーの性質を生かしたままで、グレーテ
ィング３の変調をテーパ化せずに面発光型のレーザー光
源が提供できることになる。なお、光ビーム３１．３２
の横幅Ｗはチャネル導波路２のグレーティング３の長さ
Ｗｌで規定されるのに対し、縦幅りはグレーティング３
０、３３の結合長で決まる値となる。従って、グレーテ
ィング３０．３３の変調を最適に調整し、所望のビーム
形状を得るようにすることが設計上必要である。つまり
、第６図に示すように、通常のグレーティング３０では
、−ａにスラブ導波光１５は空気側放射光３１ａ 、基
板側放射光３１ｂにふり分けられ、基板側放射光３１ｂ
は一般的に損失である。この損失を小さくするためには
例えば、第６図に示した様に活性層１２の下層にＧａＡ
ｌＡｓからなる多層反射層３４を形成し、基板側放射光
３１ｂを反射光３１ａ’として反射させ、これと空気側
放射光３１ａと同位相で重ね合わせ光ビーム３１とする
ことができる。
同位相で重ねるため多層膜反射層３４およびバッファ層
１９の膜厚を調節する必要がある。
１９の膜厚を調節する必要がある。
〈実施例３〉
第７図は本発明の第３の実施例を示す模式斜視図である
。
。
本実施例はレーザー共振器のチャネル導波路２に複数の
傾き角の異なるグレーティング４０．４１を設けて、そ
れぞれ異なる出射角の複数のスラブ導波光４２．４３．
４４．４５を得る半導体レーザーである。本実施例では
、異なる傾き角を持つグレーティングがチャネル導波路
２に形成されたデバイスを示したが、同一の傾き角を持
つ複数のグレーティングでも良い。
傾き角の異なるグレーティング４０．４１を設けて、そ
れぞれ異なる出射角の複数のスラブ導波光４２．４３．
４４．４５を得る半導体レーザーである。本実施例では
、異なる傾き角を持つグレーティングがチャネル導波路
２に形成されたデバイスを示したが、同一の傾き角を持
つ複数のグレーティングでも良い。
〈実施例４〉
第８図は本発明の第４の実施例を示す模式斜視図である
。上述した第３の実施例においては、グレーティング４
０．４１の傾き角は異なっていたが、均一な周期を有し
ていたために、グレーティング４０、４１では発振レー
ザー光の波長、伝搬定数が変化するとそれらはブラッグ
条件を満足せず、このため、光出力が急激に減少する場
合がある。また、グレーティング４０．４１の周期、傾
き角の作製誤差もデバイス性能の低下につながる。本実
施例においては上記のレーザー発振状態の変化、グレー
ティング作製誤差に対するためグレーティングとして周
期が徐々に変化するチャーブ型グレーティング５２を用
いている。これにより、チャネル導波路の光波はブラッ
グ条件を満足するグレーティング領域でのみ回折されて
、スラブ導波光５０、５１になる。
。上述した第３の実施例においては、グレーティング４
０．４１の傾き角は異なっていたが、均一な周期を有し
ていたために、グレーティング４０、４１では発振レー
ザー光の波長、伝搬定数が変化するとそれらはブラッグ
条件を満足せず、このため、光出力が急激に減少する場
合がある。また、グレーティング４０．４１の周期、傾
き角の作製誤差もデバイス性能の低下につながる。本実
施例においては上記のレーザー発振状態の変化、グレー
ティング作製誤差に対するためグレーティングとして周
期が徐々に変化するチャーブ型グレーティング５２を用
いている。これにより、チャネル導波路の光波はブラッ
グ条件を満足するグレーティング領域でのみ回折されて
、スラブ導波光５０、５１になる。
〈実施例５〉
第９図は本発明の第５の実施例を示す模式斜視図である
。本実施例ではグレーティング５５のグレーティング周
期、傾き角とも一様でないため、チャネル導波光を片側
で集束光５６、他の側で発散光５７として得ることがで
きる。つまり、グレーティング５５は一種のレンズとし
て機能し、グレーティング周期、傾き角はレンズの焦点
位置から求めることができる。
。本実施例ではグレーティング５５のグレーティング周
期、傾き角とも一様でないため、チャネル導波光を片側
で集束光５６、他の側で発散光５７として得ることがで
きる。つまり、グレーティング５５は一種のレンズとし
て機能し、グレーティング周期、傾き角はレンズの焦点
位置から求めることができる。
〈実施例６〉
第１Ｏ図（ａ）は本発明の第６の実施例を示す模式ト面
図である。本実施例はレーザー共振器のミラーとしてグ
レーティング６１．６２を用いたＤＢＲ（分布反射）型
のレーザー構造に本発明を適用したものである。前述ま
での実施例によれば、第１図の両側の端面２０．２１
（通常のへき開端面を用いるとレーザー共振器ミラー面
と直交する。）における入射角は重連のブラッグ条件で
決まる偏光出射角θに対応し、入射角の増大に伴って空
気側へのビーム出力はスネルの法則に従って大きな角度
を有することになり、入射角がさらに全反射角を越える
と出力光は空気側には取り出されないことになる。これ
は、チャネル導波路が高い屈折率を持っていることに起
因するものである。しかし、本実施例によれば、結晶へ
き開面をミラーとして用いないので、結晶軸に対してレ
ーザー共振器（チャネル導波路）の傾き角を自由に選択
できることになる。このように、レーザー共振器を結晶
軸に傾きをもって作製することにより、常に出力光６４
．６５を両側の端面２０．２１に垂直にとり出すことが
可能となる。
図である。本実施例はレーザー共振器のミラーとしてグ
レーティング６１．６２を用いたＤＢＲ（分布反射）型
のレーザー構造に本発明を適用したものである。前述ま
での実施例によれば、第１図の両側の端面２０．２１
（通常のへき開端面を用いるとレーザー共振器ミラー面
と直交する。）における入射角は重連のブラッグ条件で
決まる偏光出射角θに対応し、入射角の増大に伴って空
気側へのビーム出力はスネルの法則に従って大きな角度
を有することになり、入射角がさらに全反射角を越える
と出力光は空気側には取り出されないことになる。これ
は、チャネル導波路が高い屈折率を持っていることに起
因するものである。しかし、本実施例によれば、結晶へ
き開面をミラーとして用いないので、結晶軸に対してレ
ーザー共振器（チャネル導波路）の傾き角を自由に選択
できることになる。このように、レーザー共振器を結晶
軸に傾きをもって作製することにより、常に出力光６４
．６５を両側の端面２０．２１に垂直にとり出すことが
可能となる。
なお、第１０図（ｂ）に示す様にグレーティング６１、
６２のＤＢＲ構造のかわりにエツチングで形成された端
面６８．６９を用いても同様の効果が得られることは言
うまでもない。
６２のＤＢＲ構造のかわりにエツチングで形成された端
面６８．６９を用いても同様の効果が得られることは言
うまでもない。
〈実施例７〉
第１１図、第１２図はそれぞれ本発明の第７の実施例の
模式断面図、模式斜視図である。
模式断面図、模式斜視図である。
本実施例では、スラブ導波光を一方の端面のみから出力
させるため、片側のスラブ導波路にスラブ導波光を終端
させるための溝７０が形成されている。溝７０の深さは
活性層１２より下に位置するように、エピ°タキシャル
膜がエツチングされている。
させるため、片側のスラブ導波路にスラブ導波光を終端
させるための溝７０が形成されている。溝７０の深さは
活性層１２より下に位置するように、エピ°タキシャル
膜がエツチングされている。
これにより、第１１図、第１２図において、右方に回折
された光波７３はそのまま出力され、誘導多層膜２１ａ
が形成された端面２０から出射される。一方、左方に回
折された光波７４は溝７０が形成するエツチング面７６
によって反射され右方に回折される光波７５となる。回
折された光波７３．７５は２つの線状光諒となり、−一
般に異なった角度で、出射光７１ａ。
された光波７３はそのまま出力され、誘導多層膜２１ａ
が形成された端面２０から出射される。一方、左方に回
折された光波７４は溝７０が形成するエツチング面７６
によって反射され右方に回折される光波７５となる。回
折された光波７３．７５は２つの線状光諒となり、−一
般に異なった角度で、出射光７１ａ。
７１ｂとして出射することになる。
なお、エツチング端面７６で反射された光波７５は正反
射でない限りブラッグ条件を満たさないため、グレーテ
ィング３によって再びチャネル導波路２にカップリング
されることはない。しかしながら、」一連したような出
射の異なる２つの光波が出射されるのを望まない場合も
ある。このような場合には、溝７０のエツチング端ｌ￥
ｊ７６を垂直斜面とせずに傾きをもたせたエツチング面
とすることによって光波７５に位相ずれを与え反射率を
下げるようにすればよく、光波の大部分は基板方向に散
乱され、損失となる。他の方法としては、左方に回折す
る光波７４が正反射で溝７０のエツチング端面７６に入
射する様に溝７０の傾きを調整して右方に回折する光波
７３と重ね合わせる。光波７３と光波７５の位相を一致
させるためにはレーザー共振器に対し溝７０の傾き角（
基板面内）、溝の位置（往復の位相差）を精度良く設定
する必要がある。
射でない限りブラッグ条件を満たさないため、グレーテ
ィング３によって再びチャネル導波路２にカップリング
されることはない。しかしながら、」一連したような出
射の異なる２つの光波が出射されるのを望まない場合も
ある。このような場合には、溝７０のエツチング端ｌ￥
ｊ７６を垂直斜面とせずに傾きをもたせたエツチング面
とすることによって光波７５に位相ずれを与え反射率を
下げるようにすればよく、光波の大部分は基板方向に散
乱され、損失となる。他の方法としては、左方に回折す
る光波７４が正反射で溝７０のエツチング端面７６に入
射する様に溝７０の傾きを調整して右方に回折する光波
７３と重ね合わせる。光波７３と光波７５の位相を一致
させるためにはレーザー共振器に対し溝７０の傾き角（
基板面内）、溝の位置（往復の位相差）を精度良く設定
する必要がある。
上記実施例においてはエツチングによる端面形成の例を
示したが、へき開による端面形成を用いてもよい。
示したが、へき開による端面形成を用いてもよい。
〈実施例８〉
第１３図は本発明の第８の実施例の模式斜視図であり、
第１４図の従来例の光スペクトラムアナライザを小型化
したものである。
第１４図の従来例の光スペクトラムアナライザを小型化
したものである。
本実施例の線状発光半導体レーザーの基本構成はＬｉＮ
ｂＯ３基板８１と光検出器基板８２である。光共振器８
０からのコリメートされた入射光波８９は端面結合によ
ってＴｉ拡散されたＬｉＮｂＯ３導波路９２に結合され
る。さらに、くし型電極８５で励起された弾性表面波９
３によって入射光波８９は回折をうけ、さらに導波路レ
ンズ８７によってフーリエ変換された光波９０は、導波
路端面に印加ｒｆ周波数に応じたスペクトル分布として
現われる。さらに、光検出器アレー８８で電気信号に変
換され、信号として取り出される。本実施例によれば、
従来例（第１４図）で必要とされていたコリメート用導
波路レンズか不要となり、長さ方向に半分程度の小型化
が図れることになる。また各基板のアライメントに対し
ても有利となる。
ｂＯ３基板８１と光検出器基板８２である。光共振器８
０からのコリメートされた入射光波８９は端面結合によ
ってＴｉ拡散されたＬｉＮｂＯ３導波路９２に結合され
る。さらに、くし型電極８５で励起された弾性表面波９
３によって入射光波８９は回折をうけ、さらに導波路レ
ンズ８７によってフーリエ変換された光波９０は、導波
路端面に印加ｒｆ周波数に応じたスペクトル分布として
現われる。さらに、光検出器アレー８８で電気信号に変
換され、信号として取り出される。本実施例によれば、
従来例（第１４図）で必要とされていたコリメート用導
波路レンズか不要となり、長さ方向に半分程度の小型化
が図れることになる。また各基板のアライメントに対し
ても有利となる。
以」−の実施例においては、レーザー構造としてリッジ
型を例にあげたが、埋め込み型等種々のストライプ型レ
ーザーにも本発明を適用できることは言うまでもない。
型を例にあげたが、埋め込み型等種々のストライプ型レ
ーザーにも本発明を適用できることは言うまでもない。
なお、スラブ導波光が、チャネル導波光に対し直交する
角度近傍で出射する場合には一般にレーザーのＴＥモー
ドは電界の振動方向と伝搬方向が＋ｌｉなる条件となる
ため、偏向効率は著しく減少することが予想される。こ
の場合には、レーザー発振がＴＥモードから７Ｍモード
になるように温度変化等の工夫をすれば、本発明を適用
することは可能である。
角度近傍で出射する場合には一般にレーザーのＴＥモー
ドは電界の振動方向と伝搬方向が＋ｌｉなる条件となる
ため、偏向効率は著しく減少することが予想される。こ
の場合には、レーザー発振がＴＥモードから７Ｍモード
になるように温度変化等の工夫をすれば、本発明を適用
することは可能である。
以上説明したように、本発明のスラブ導波光出射半導体
レーザーはストライプ型レーザーの共振器内部にグレー
ティングを設けることによって、レーザーの発掘光であ
るチャネル導波光の一部とチャネル導波路のスラブ導波
光とを効率よく結合ができ、位相がそろい強度分布も均
一なスラブ導波光の出力が可能となる。また、本発明に
おいてグレーティングを均一周期とし、スラブ導波光を
端面から取り出すレーザー構造とすることによって、コ
リメート手段を用いることなく、光集積回路の応用上有
用なコリメートされた線状発光レーザーを提供すること
が可能となる。さらに、グレーティングとして種々のタ
イプのものを組み込むことにより、種々のスラブ導波光
を得ることが可能となり、従来共振器の構造に強く制約
されていた半導体レーザーの出力光の設計の自由度を著
しく高めることができる。
レーザーはストライプ型レーザーの共振器内部にグレー
ティングを設けることによって、レーザーの発掘光であ
るチャネル導波光の一部とチャネル導波路のスラブ導波
光とを効率よく結合ができ、位相がそろい強度分布も均
一なスラブ導波光の出力が可能となる。また、本発明に
おいてグレーティングを均一周期とし、スラブ導波光を
端面から取り出すレーザー構造とすることによって、コ
リメート手段を用いることなく、光集積回路の応用上有
用なコリメートされた線状発光レーザーを提供すること
が可能となる。さらに、グレーティングとして種々のタ
イプのものを組み込むことにより、種々のスラブ導波光
を得ることが可能となり、従来共振器の構造に強く制約
されていた半導体レーザーの出力光の設計の自由度を著
しく高めることができる。
第１図は本発明のスラブ導波光出射レーザーの一実施例
を示す模式斜視図、第２図は第１図の詳細断面図、第３
図、第４図はグレーティングによるブラッグ回折のベク
トル図、第５図は本発明の第２の実施例を示す模式斜視
図、第６図は第５図の基板に多層膜反射層を設けた場合
の断面図、第７図、第８図、第９図は本発明の第３．第
４．第５の実施例を示す模式斜視図、第１０図（ａ）、
（ｂ）は本発明の第６の実施例を示す上面図、第１１図
、第１２図はそれぞれ本発明の第７の実施例を示す模式
断面図、模式斜視図、第１３図は本発明の第８の実施例
を示す模式斜視図、第１４図、第１５図は従来例を示す
模式斜視図である。 １ 、１２１ 、１０２・・・半導体基板、２、８３．
１２４・・・チャネル導波路、３．３０．３３．４０．
４１．５２．５５．６１．６２．６３．８４゜１２５・
・・グレーティング、 ４、５．１５．１５ａ、 １５ｂ、 ４２．４３．４４
．４５．５０．５１゜１２７・・・スラブ導波光、 ６ 、１０１ 、１２０ 、１２７・・・スラブ導波路
、７、８．７１．７１ａ、 ７１ｂ−・・出射光、９ａ
・・・後進波、 ９ｂ・・・前進波、 １０．１３・・
・電極、１１・・・ＳｉＮｘ層、 １２・・・Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層、１４．７２，７３，７４，７５． １
０９． １１０． １１１． １２６・・・光波、 １６・・・キャップ層、 １７、１８・・・ｐ型エピタキシャル膜、１９・・・ｎ
型エピタキシャル膜（バッファー層）、２０、２１．２
２．２３．６８．６９−・・端面、２０ａ・・・誘導多
層膜 ３１、３２−・・光ビーム、 ３１ａ、 ３１ｂ−放
射光、３１ａ’・・・反射光、 ３４・・・多層
反射層、５６・・・集束光、 ５７．１０８・
・・発散光、６４、６５・・・出力光、 ６６、６
７・・・出射光、７０・・・溝、 ７６
・・・エツチング端面、８０・・・光共振器、
８５．１０６・・・くし型電極、８１・・・ＬｆＮｂＱ
ｘ基板、 ８２−・・光検出器基板、８６、１０７
・・・電源、 ８７、１０４．１０５・・・導波路レンズ、８８・・・
光検出器アレー、 ８９・・・入射光波、９２・・・Ｌ
ｉＮｂＯ３導波路、 １０３、１２３・・・半導体レーザー、９３、１１２・
・・弾性表面波。
を示す模式斜視図、第２図は第１図の詳細断面図、第３
図、第４図はグレーティングによるブラッグ回折のベク
トル図、第５図は本発明の第２の実施例を示す模式斜視
図、第６図は第５図の基板に多層膜反射層を設けた場合
の断面図、第７図、第８図、第９図は本発明の第３．第
４．第５の実施例を示す模式斜視図、第１０図（ａ）、
（ｂ）は本発明の第６の実施例を示す上面図、第１１図
、第１２図はそれぞれ本発明の第７の実施例を示す模式
断面図、模式斜視図、第１３図は本発明の第８の実施例
を示す模式斜視図、第１４図、第１５図は従来例を示す
模式斜視図である。 １ 、１２１ 、１０２・・・半導体基板、２、８３．
１２４・・・チャネル導波路、３．３０．３３．４０．
４１．５２．５５．６１．６２．６３．８４゜１２５・
・・グレーティング、 ４、５．１５．１５ａ、 １５ｂ、 ４２．４３．４４
．４５．５０．５１゜１２７・・・スラブ導波光、 ６ 、１０１ 、１２０ 、１２７・・・スラブ導波路
、７、８．７１．７１ａ、 ７１ｂ−・・出射光、９ａ
・・・後進波、 ９ｂ・・・前進波、 １０．１３・・
・電極、１１・・・ＳｉＮｘ層、 １２・・・Ｇａ
ＡｌＡｓ活性層、１４．７２，７３，７４，７５． １
０９． １１０． １１１． １２６・・・光波、 １６・・・キャップ層、 １７、１８・・・ｐ型エピタキシャル膜、１９・・・ｎ
型エピタキシャル膜（バッファー層）、２０、２１．２
２．２３．６８．６９−・・端面、２０ａ・・・誘導多
層膜 ３１、３２−・・光ビーム、 ３１ａ、 ３１ｂ−放
射光、３１ａ’・・・反射光、 ３４・・・多層
反射層、５６・・・集束光、 ５７．１０８・
・・発散光、６４、６５・・・出力光、 ６６、６
７・・・出射光、７０・・・溝、 ７６
・・・エツチング端面、８０・・・光共振器、
８５．１０６・・・くし型電極、８１・・・ＬｆＮｂＱ
ｘ基板、 ８２−・・光検出器基板、８６、１０７
・・・電源、 ８７、１０４．１０５・・・導波路レンズ、８８・・・
光検出器アレー、 ８９・・・入射光波、９２・・・Ｌ
ｉＮｂＯ３導波路、 １０３、１２３・・・半導体レーザー、９３、１１２・
・・弾性表面波。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基板上にレーザー発振可能なレーザー構造を
成すストライプ部が形成され、該ストライプ部はチャネ
ル導波路を構成し、かつ該ストライプ部内にはグレーテ
ィングが設けられ、該ストライプ部側部には平面状のス
ラブ導波路を有する半導体レーザーにおいて、 前記グレーティングのグレーティングベクトルの方向及
び大きさは、前記チャネル導波路を伝搬する前記半導体
レーザー発振の第１の光波を前記スラブ導波路を伝搬す
る第２の光波にブラッグ条件で結合させるように設定さ
れ、第１の光波が第２の光として取り出せることを特徴
とするスラブ導波光出射半導体レーザー。 ２）前記第２の光波は、前記半導体レーザーのへき開面
から出射される請求項１記載のスラブ導波光出射半導体
レーザー。 ３）前記第２の光波は、前記スラブ導波路に形成された
第２のグレーティングによって前記半導体レーザーの上
方に出射される請求項１記載のスラブ導波光出射半導体
レーザー。４）前記へき開面の少なくとも一方には反射
防止のための誘電体多層膜が形成されている請求項２記
載のスラブ導波光出射半導体レーザー。 ５）前記ストライプ部の端面に反射ミラーが形成され、
該反射ミラーによって、該端面からは光が実質的に出射
されない請求項１記載のスラブ導波光出射半導体レーザ
ー。
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|---|---|---|---|
| JP63008239A JP2624279B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | スラブ導波光出射半導体レーザー |
| US07/298,357 US4935930A (en) | 1988-01-20 | 1989-01-18 | Laser light source for generating beam collimated in at least one direction |
| DE68915293T DE68915293T2 (de) | 1988-01-20 | 1989-01-19 | Laserlichtquelle zur Erzeugung eines in wenigstens einer Richtung kollimierten Strahls. |
| EP89100886A EP0325251B1 (en) | 1988-01-20 | 1989-01-19 | Laser light source for generating beam collimated in at least one direction |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008239A JP2624279B2 (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | スラブ導波光出射半導体レーザー |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184971A true JPH01184971A (ja) | 1989-07-24 |
| JP2624279B2 JP2624279B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
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|---|---|
| US (1) | US4935930A (ja) |
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| DE (1) | DE68915293T2 (ja) |
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- 1988-01-20 JP JP63008239A patent/JP2624279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1989
- 1989-01-18 US US07/298,357 patent/US4935930A/en not_active Expired - Lifetime
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