JPS61231791A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

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Publication number
JPS61231791A
JPS61231791A JP7389085A JP7389085A JPS61231791A JP S61231791 A JPS61231791 A JP S61231791A JP 7389085 A JP7389085 A JP 7389085A JP 7389085 A JP7389085 A JP 7389085A JP S61231791 A JPS61231791 A JP S61231791A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dbr
reflector
lasers
dbrs
light emitting
Prior art date
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Pending
Application number
JP7389085A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Terashige
寺重 隆視
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7389085A priority Critical patent/JPS61231791A/ja
Publication of JPS61231791A publication Critical patent/JPS61231791A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、多重波長半導体発光素子に関する。
従来の技術 従来、多重光通信用に開発された半導体レーザば、例え
ば、昭和59年秋期応用物理学会講演予稿12pH14
に示されるように複数の半導体レーザを平行に配置した
アレイ構造をとっていた。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構造では、発光パターンは一列に並ら
ぶ。したが−で一本の光ファイバ等と結合しようとする
ときには、それぞれの波長の光源ごとに光ファイバを結
合し、さらにそれらの光ファイバからの光を干渉膜フィ
ルタ合波器あるいは干渉膜フィルタ合波器等で一本の光
ファイバに導波しなければならない。しかし干渉膜フィ
ルタは分解能が悪く、例えば昭和59年秋期応用物理学
会講演予稿12pR14のように波長間隔50人程度の
出力光を合波することは不可能でありまた、高分解能の
グレーティング合波器は大型となる。
さらに、これらの合波器は高価でもある。従来の構造の
多重波長光源を、一本の光ファイバに結合するには以上
のような問題点があ−た。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、分布反射器(以下DBRと略す)または鏡面
反射器からなる第1の反射器と、DBRからなる第2の
反射器とで構成される共振器を具備する複数の分布反射
型半導体レーザ(以下1)BRレーザと略す)を、前記
第2の反射器から見て、前記第1の反射器が外側になる
ように放射状に配置しすることによって前記問題別を解
決した。
たとえば、共振波長が互いに数10人づつ異なる複数の
DBRレーザの、前記第2の反射器たるDBHの周期を
、光出力を前記DBHに垂直な方向に取り出せるよう設
定し、それぞれのDBRレーザを前記第2の反射器たる
DBRを内側にして放射状に配置する。
作用 本発明は上記した構成により、レーザ光はDBHに垂直
な方向に出射し、またそれらの発光バタン数はDBRレ
ーザの数に等しく該発光パタンはある円の周上にのる。
また、分布帰還の作用により発光スポット径は拡がるの
で出力ビームの拡がり角は小さくなり平行ビームに近く
なる。
したが−で、この円の中心を通る垂線を光軸として単一
のレンズ系を介して光ファイバNを結合すると、それぞ
れの波長のレーザ光は、合波器を用いることなく即ち合
波器の分解能に関係なくファイバに結合される。このと
きレンズ系をこの発光素子と同一パッケージに組み込み
、さらに光ファイバも前記パッケージに固定することに
より、小型軽量の多重波長光源が得られる。
実施例 第1図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第1図において点0を中心に21.22,23゜24の
4個のDBRレーザが配置されている。
21 & 、221L 、231L 、24Lは1次の
グレーティングからなるDBRであり、21 b 、 
22b。
23b 、24bは2次のグレーティングからなるDB
Rであり、DBR21aとDBR21b 。
DBR22&とDBR22b 、DBR231LとDB
R23b 、DBR24aとpBR24b 、とでそれ
ぞれ共振波長の異なる4つのDBRレーザ21.22,
23.24が形成されている。DBR21b 、22b
 、23b 、24bは2次のグレーティングからなり
、ブラッグ反射器としての機能と、これらのDBHに垂
直、即ち第1図において紙面に垂直の方向に光出力を取
り出すグレーティング・カシブラーとしての機能とを有
する。一方DBR21a 、22a 、23a 、24
1Lは1次のグレーティングからなり、ブラッグ反射器
としてのみ機能させる。
第2図は第1図のB B’断面、即ちDBRレーザ22
.24の断面を示している。n−GaAs基板16上に
n−人10.3 ”O,?人Sクラッド層16 、 G
aAs活性層14.P−人13oxs ”as*ASガ
イド層13゜P−ムlo、s G’O,?ムSクラリド
層12 、 P−GaAsコンタクト層11がエピタキ
シャル成長されている。
またDBR22a 、22b 、24& 、24bは、
ガイド層13上に形成されている。また、電子線描画法
とドライエツチング法を用いることにより結晶面のどの
方向にも同一形状のグレーティングを形成することが可
能である。
このような構成により、DBRレーザ21.22゜23
.24による波長の異なる4個の出力光を、DBR21
b 、22b 、23b 、24bからそれぞれのDB
Hに垂直に、即ち第1図において紙面に垂直に出射させ
ることができる0しかも、このときのビーム拡がり角は
分布反射の効果により平行ビームに近くなる。このとき
第1図において、点Oを通る垂線を光軸として集光レン
ズ系を介して光ファイバを結合すればDBR21b 、
22b。
23b 、24bから出射する。それぞれ、波長が数十
人程度づつ異なるレーザ光を合波器を用いることなく光
ファイバと結合することができる。第2図において22
C,240はそれぞれ22.24からの出力光である。
220.240はレンズ31で集光され光ファイバ30
へ結合される。
なお、この実施例では4組のDBRレーザを用いたが、
4組未満または4組を超える複数個のDBRレーザを用
いることもできる。また本実施例では、21 & 、2
2& 、231L 、24aをDBRとしたが、これら
は鏡面反射器でもよく、さらにこの実施例では材料とし
てA7!GaAs /GaAs系を使用したがInGa
AsP /InP系でもよい。
また、本発明による発光素子とレンズ系を同一パノケー
ジに組み込みさらに光ファイバを結合し固定することに
よって、小型軽量な多重波長の半導体発光素子ができる
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば互いに接近した
異なる発振波長を有する複数のDBRレーザから出射す
る光を合波器を使用することなしに一本の光ファイバあ
るいは単一のレンズ系に結合できるので多重波長光通信
用光源として極めて重要である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における半導体発光素子を模
式的に示す平面図、第2図は第1図のBB’線における
断面図である。 10・・・・・・P側電極、17・・・・・・n側電極
、21゜22.23,24・・・・・・DBRレーザ、
220・・・・・・DBRレーザ22よりの出力光、2
4Q・・・・・−DBRレーザ24よりの出力光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 2f〜24−D8F、L−T” f!la、、fl、、2;’ai2b、23a、23b
、Ma、f!%−0’737?。 ===/2fa。 9ゝ詭

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)分布反射器または鏡面反射器からなる第1の反射
    器と、分布反射器からなる第2の反射器とで構成される
    共振器を具備する複数の分布反射型半導体レーザを、前
    記第2の反射器から見て前記第1の反射器が外側になる
    ように放射状に配置してなることを特徴とする半導体発
    光素子。
  2. (2)複数の分布反射型半導体レーザを具備し、それぞ
    れ前記分布反射型半導体レーザの発振波長が異なること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体発光素
    子。
JP7389085A 1985-04-08 1985-04-08 半導体発光素子 Pending JPS61231791A (ja)

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JP7389085A JPS61231791A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 半導体発光素子

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JP7389085A JPS61231791A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 半導体発光素子

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JPS61231791A true JPS61231791A (ja) 1986-10-16

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ID=13531254

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JP7389085A Pending JPS61231791A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 半導体発光素子

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JP (1) JPS61231791A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184971A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Canon Inc スラブ導波光出射半導体レーザー
JPH03257888A (ja) * 1990-03-07 1991-11-18 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 面発光半導体レーザ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01184971A (ja) * 1988-01-20 1989-07-24 Canon Inc スラブ導波光出射半導体レーザー
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