JP2925237B2 - 半導体放射素子の放射光結合システムおよびこれを用いた放射光処理アレイ - Google Patents

半導体放射素子の放射光結合システムおよびこれを用いた放射光処理アレイ

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体発光素子への放射光と半導体発光素
子からの放射光との結合のためのシステムに関する。
［発明の詳細な説明］ 半導体レーザアレイは一般に平面基板上に形成された
複数の半導体インジェクションレーザを含む。あるレー
ザ装置においては、放射光はレーザ素子（以下、素子と
称する）から放射光の光軸が一般に基板の平面にほぼ垂
直となるように放射される。レーザアレイの形成におい
て、各レーザの出力がその他のレーザの出力とコヒーレ
ントになり、アレイが単一の光源として作用するよう
に、レーザが位相ロックされていることが一般に望まし
い。エバネッセントカップリングは、隣接する平行な素
子を位相ロックする１つの技法であるが、この技法は、
放射光カップリングが通常隣り合う素子の間だけに発生
するという点で制限がある。その他のアレイの配置とし
ては、第１の素子の出力端の一部を、第１の素子の光出
力端と一列に並べられている第２の素子の入力端に結合
することにより形成された直線アレイが含まれる。後者
の配置は１次元のアレイに限られる。
本発明者は、すべての素子が、隣り合わない場合、あ
るいは単に直線状に排列されていない場合にも放射光が
結合されるように、素子が１つ以上のアレイに構成され
た位相ロックされるレーザの２次元の列を形成すること
が望ましく、それによってより多くの素子が基板の比較
的狭い領域中で効率的に結合されることを認識してい
る。
本発明による、半導体発光素子により放射された放射
光を結合するための光結合システムは、広い表面を有す
る基板を含む。間隔を置いた複数のノジュールを含む光
学格子は、基板の広い表面上に重なっている。格子は、
広い表面の平面に平行な平面中にある光軸に沿って放射
された放射光を受けるようになっている。ノジュールは
格子中に配置され、受けられた放射光の第１の部分が格
子から光軸に沿った方向に反射し、かつ受けられた放射
光の第２の部分が格子により第１の方向とは異なる第２
の方向に偏向されるように配置されている。その結果、
それによって受けられた放射光を処理するようになって
いる多数の発光素子が、素子により放射された放射光の
位相ロックを行なうために結合される。
［実施例］ 第１図は本発明の１実施例による放射光結合システム
の等角斜視図、第２図は第１図のシステムの典型的なレ
ーザゲインセクションの断面立面図、第３図は第１図の
システムの格子部分の平面図、第４図は本発明の原理の
いくつかを説明するのに有効な第１図のシステムと同様
のシステムの図式平面図、第５図は第４図に示した型の
複数の結合システムの図式平面図、第６図および第７図
は第５図のシステムと同様のシステムの部分の図式平面
図であり、アレイ中の様々なレーザゲインセクションへ
の様々な接触接続を示す図である。
第１図において、システム10は広い表面14を有する半
導体基板12を含む。広い表面14上に重なっているのはＮ
型クラッド層15で、クラッド層15上にはラージオプティ
カルキャビティ層（以下、LOC層と称する）16が重なっ
ている。LOC層16上に重なっているのは、レーザダイオ
ードゲインセクション17〜19すべてを含む第１の直線ア
レイである。セクション17〜19は軸線20に平行に一列に
並べられている。セクション17〜19は軸線20に垂直で表
面14に平行な第２の軸線22に平行に放射光を放射する。
軸線20および22は、広い表面14に平行な平面を定める。
レーザダイオードゲインセクション17′〜19′すべてを
含む第２のアレイはLOC層16上でセクション17〜19から
間隔を置き、かつそれぞれそれらと一列に並べられてい
る。セクション17′〜19′はすべて軸線20に平行に一列
に並べられ、各々が軸線22に平行な方向に放射光を放射
する。ダイオードセクション17′は軸線22に平行な軸線
上でセクション17と一列に並べられている。セクション
17〜17′は互いに向かって放射光を放射するように配置
されている。同様にセクション18′はセクション18と、
セクション19′はセクション19と、軸線22に平行な方向
に一列に並べられている。セクション18〜18′もセクシ
ョン19〜19′も、それぞれ互いに向かって放射光を放射
する。
レーザダイオードセクション24〜24′の第２のアレイ
はLOC層上にある。セクション24は軸線20に平行な方向
にセクション24′と一列に並べられている。セクション
24〜24′はそれぞれ互いに向かって放射光を放射する。
実施例としては、セクション24はセクション19〜19′の
並びの（図面の）左側の直線上にあり、セクション24′
はセクション17〜17′の並びの右側に調整されている。
レーザダイオードセクション17〜19、17′〜19′および
24〜24′は、中央のほぼ正方形の領域26の範囲を定め
る。領域26中のLOC層16上に配置されているのは本発明
の１実施例による光学格子である。セクション17からセ
クション18およびセクション18からセクション19までの
間隔は、ほぼ同じである。セクション24〜24′からセク
ション17〜19および17′〜19′のアレイまでの間隔もほ
ぼ同じである。レーザダイオードセクションの配置は対
称的であることが好適であるが、例として示しているに
すぎない。その他の実施例においては、セクションは与
えられた実施例にしたがって一列には並べられない。例
えば、セクション24〜24′は軸線20に平行な軸線に関し
て一列に並べられず、同様に素子17〜19のどれも、セク
ション17′〜19′のどれに関しても軸線22に平行な方向
に一列に並べられない。各セクションは、本実施例の第
２図の典型的なセクション24′と同一であるが、セクシ
ョンは当然、様々な実施例により異なる。
格子28は基板12の広い表面14上に重なる領域全体にわ
たって、LOC層16表面上に重なっている。各セクション
の光軸は表面14に平行である。格子28は、各素子ゲイン
セクションから格子領域を通過して一列に並べられた向
い側の素子ゲインセクションに光を伝達させるものであ
る。例えばセクション24′からの放射光は格子28に向か
って放射され、かつ格子28によりセクション24に伝達さ
れるし、また逆も同様である。同様に、セクション17か
らの光は、レーザダイオードセクション17′に向かって
放射され、セクション17′に入射し、かつ受け入れら
れ、その他同様である。格子28は、一列に並べられたダ
イオードセクションに直接的に光を伝達させるほか、放
射素子にブラグ反射を引き起し、放射方向に垂直な横方
向に光を偏向させる。
格子28は複数のノジュールを含み、各ノジュールは谷
に取り囲まれている。第２図においては、例えばノジュ
ール40は中間の谷46および48により、ノジュール42およ
び44からそれぞれ間隔を置いて配置されている。格子28
中のノジュールのアレイは対称的に配置されている。第
３図においてはノジュール51の第１のアレイ50における
ノジュールの配列は、軸線52上に一列に並べられてい
る。ノジュール55の第２のアレイ54は、軸線52に平行な
軸線56上に一列に並べられている。格子28のノジュール
はすべて軸線52および56に平行な軸線上に一列に並べら
れている。
セクション18′により形成された代表的な素子は光軸
58を有する。光軸58は第１図の軸線22に平行である。光
軸58は各アレイ50、54の軸線52および56その他に対して
45°で配置されているが、格子のノジュールもアレイ6
0、62、64その他のように、第２のアレイに一列に並べ
られている。アレイ60、62および64は互いに平行である
が、軸線52および56に直角な各軸線61、63、65その他の
上に一列に並べられている。軸線60、62、64も軸線22に
対して45°の角度である。
軸線61、63、65は素子セクション18′の軸線58に対し
て45°である。ノジュール66のような、すぐ隣の４つの
ノジュールからなるアレイは、本実施例では対称的に正
方形のアレイになっている。すべてのノジュールは同様
の４つのノジュールからなるアレイを形成する。ノジュ
ールはやや丸みのある山、または半球形の形状をしてお
り、それらの間には谷がある。第３図の円形はノジュー
ルの形状の特定のというより代表的な記載であり、ノジ
ュールの前記円形は説明および図の単純化のために示し
たにすぎない。ノジュール間の相互接続部分は、第２図
に示すようにほぼ正弦曲線のような曲線である。
第３図のアレイ28中のノジュール51は、周期Λ1を有
する第１の格子を形成するためにその他のノジュールと
一列に並べられている。例えば、アレイ50のノジュール
は、アレイ54のノジュールとの組み合わせにおいてΛ1
の格子周期を有する。アレイ50および54に垂直な方向の
アレイの間の間隔が等しいので、アレイ50および54に平
行なアレイの各ノジュール間の空間は一定の格子周期Λ
1である。ノジュールのアレイが対称的であるため、ア
レイ60のノジュールはアレイ62のノジュールから間隔を
置いて配置され、アレイ62はアレイ64から第２の周期Λ
2の間隔を置いて配置されている。ノジュールの間隔は
格子のアレイ全体にわたって等しく、Λ1はΛ2に等し
い。
格子周期Λ1は、放射された放射光を、例えば光軸58
に沿ったセクション18′に対応する素子から光軸58に垂
直な、例えば方向70に偏向させるような周期である。す
なわちセクション18′から方向72に放射された光子が、
光軸58上に一列に並べられている各ノジュールに入射す
るとき、周期Λ1が存在することによって、前記ノジュ
ールにより方向70に平行な方向に偏向される。このよう
に光軸58上に一列に並べられているノジュール51は、方
向70に平行な方向に光子のいくらかを偏向させる傾向が
ある。同様に軸線58上のノジュール55も、光軸58上に一
列に並べられている残りの各ノジュール74および76その
他のように、いくらかの光子を方向70に偏向させる傾向
がある。格子により偏向された光子は光軸58と一列に並
ぶ方向および光軸58に垂直な方向に伝播させられる。
同様に軸線61、63、65のそれぞれの上のアレイ60、62
および64などに平行に配置されている前記ノジュールの
周期Λ2は、ノジュールがセクション18′により光軸58
に沿って放射された光子を、軸線20に平行で方向70とは
反対の方向78に反射するような数値である。光軸58上に
一列に並べられている各ノジュールは、格子の周期Λ2
によりいくらかの光子を方向78に偏向させる。第３の格
子周期Λ3は格子アレイ28のノジュールにより形成され
ている。周期Λ3は、光子が、例えば軸線58上のセクシ
ョン18′のようなダイオード素子の光の径路に沿って、
従来の分布ブラッグ反射器（以下、DBRと略記）モード
で反射させられる分布ブラッグ反射器格子を形成する。
周期Λ3は、軸線58に対して45°の周期Λ1およびΛ2の
角度配置により、 である。周期Λ1およびΛ2は、DBR周期Λ3に比較して、
以後分布ブラッグ偏向器（以下、DBDと略記）周期と呼
ぶ。従って格子アレイ28は２つのDBD周期Λ1およびΛ2
ならびに第３のDBR周期Λ3を形成する。直線の格子要素
を利用するDBDシステムの一般的な分析は、エイチ．エ
ム．ストールによる「分布ブラッグ反射器：多機能集積
光学素子」［Applied Optics,Vol.17,Aug.15,1978,p256
3−2569］の論文でより詳細に論じられている。
Λ1およびΛ3の大きさによって異なる次数の光がDBR
反射として反射されたり、DBD反射として偏向されたり
して、格子は光を格子表面から、および／または基板中
の方向に放射するような配列をとることができる。例え
ば光は90°で屈折されると、セクション18′に対して90
°で配置されているレーザアレイの光によってセクショ
ン18′のレーザ光が固定され、レーザ発振のための２次
のフィードバックが生じ、かつ格子アレイの表面から基
板12中への１次の光が結合される。例えば第１図におい
てセクション18′はセクション24〜24′およびセクショ
ン18に光学的に結合されている。セクション18′からの
光子は、格子領域分野26を通ってセクション18に達す
る。光子はまた、Λ1およびΛ2のDBD偏向型格子周期に
より、セクション24〜24′に対して90°偏向される。さ
らにその他の光子は、格子の表面から基板12の表面14の
平面に平行でない方向に放射される。
セクション18′からの光子は、アレイのその他のセク
ションからの光子と同様に結合されることが示されてい
る。例えば第４図でレーザダイオード400は光子を放射
し、光子は格子アレイを通ってレーザダイオード402に
直接伝達される。細い実線404は屈折され、かつ、レー
ザバンク406のレーザに偏向される光子を示す。実線404
により示される光子は、矢印408により示された複数の
平行な光子の径路に分散される。点線410は、DBD格子周
期Λ2により矢印412の方向に偏向される別の組の光子を
示すが、高い次数の光子は小さな円のアレイによって示
される多数の異なる径路中の格子ノジュールにより屈折
される。１つの経路は光子を径路410から、レーザダイ
オード素子416および418に分岐する径路414に分配し、
径路420は、径路422および424をたどってそれぞれレー
ザダイオード素子426および428に達する光子を含む。径
路430からの光子はダイオード432に送られるだけではな
く、径路422および424に分岐する。図示した分岐は、与
えられた素子からの光子が本実施例のアレイ中の個々の
あらゆる素子に結合される例によるものである。所定の
レーザダイオード素子により受けられた光子は、前記レ
ーザダイオード素子により増幅され、かつ、さらに種々
のレーザ素子間での分配のために格子アレイ中に再び放
射され、その結果位相ロック作用が生ずる。第４図の光
子の分配は光子を放射するレーザダイオード素子400を
用いた例によってのみ示されているが、実際上は第４図
に示すすべてのレーザ素子が受けた光子を放射し、か
つ、増幅する。結果として、その他のすべてのレーザダ
イオード素子は光学的に結合され、かつ位相ロックされ
た放射光信号を生ずる。
分布回折角度θb、格子の波長ベクトルＫ、および自
由空間の波長ベクトルＫoの間の関係は次に示される。
Ｋ＝2KOsin（θb/2） KO＝２π／λO、Ｋ＝２π／Λ、λOは自由空間の波長で
あり、Λは機械的な格子周期である。
第３図のブラッグ回折角度（θb）は、方向70および7
8への光子の偏向角度で、この場合の周期Λ1およびΛ2
に関しては90°である。Λ3に対するブラッグ回折角度
は当然各素子に関して180°である。従って、第４図の
素子のアレイの両者の次元、例えばアレイ406は１つの
次元にあり、アレイ430は第２の次元にあるが、同じ光
学的ロックメカニズムにより結合されている。１つの次
元にロックするためのエバネッセントカップリングまた
はＹ字形導波路によるアレイは、最終的には第１のアレ
イの要素から最後の要素までコヒレーンスを維持する能
力により制限される。さらにエバネッセントおよびＹ字
形導波路のカップリングは最も近くの素子間にしか生じ
ないが、第１図の格子アレイのDBR−DBD結合メカニズム
は、単位セル中で各レーザからの光子を、その他のすべ
てのレーザ中に偏向させる。単位セルは第１図に示した
ようなもので、中央の格子と周縁のレーザ素子より構成
されている。
第４図にその一つが示されているレーザ素子の多数の
セルの比較的大きなアレイが第５図に示されている。ア
レイの各レーザのために格子中には多数の散乱径路があ
り、それにより連絡が可能とされ、その結果、原則的に
アレイ中の他のどのレーザともロック可能となる。図の
太さの異なる線は、レーザ径路のいくつかを示してい
る。例えば径路500はレーザ502からレーザ504に延び、
レーザ508への第２の径路506を形成し、最後は横のレー
ザ510および512中に回折される。レーザ516により形成
された第２の径路514は、レーザ518および520に分岐す
る。第５図のアレイの種々のセルの種々の格子を通る光
子の直接的な伝達および偏向による散乱は、高次元の散
乱と同様複雑で、比較的高出力の光の比較的大きなコヒ
ーレントビームを形成するために、または大きな開きの
狭いビームを得るために、レーザ発光する素子のすべて
を光学的に結合する傾向がある。ある実施例においては
表面放射型格子は、第５図のアレイを利用した光回路増
幅器を提供するために使用される必要はない。いかなる
数のセルも第１図の基板12のような単一の基板上に組み
入れられ、格子アレイは第３図の周期Λ1、Λ2およびΛ
3に対応する単一の格子範囲中のすべてのセルにわたっ
て配置されている。
エバネッセント結合、Ｙ字形導波路結合または導波路
ベンドに相互のロック機構を与えることに加えて、第５
図の複合セル中のレーザ素子の垂直および水平の列によ
り、ウェーハ基板に機械的な剛性が加わる。それによ
り、基板のロスを減少させるため、またはEPI層の両側
への接触を備えるため、格子領域中のウェーハ基板を薄
くすることができる。格子アレイ28は、互いに直角で、
第３図の周期Λ3の明らかに２次のDBR格子をつくる２つ
の２次の90°のDBD格子を含む。周期Λ3の明らかな２次
のDBR格子の存在は、GaAs基板中にエッチングされてい
る交差したDBD格子上で測定された格子の回折により証
明された。２次のDBR格子は、約4000オングストローム
と測定された。
格子は、従来のBDR格子の線が互いに90°で交差して
製造されていることを除き、従来の格子加工技術を利用
してLOC層16上に形成される。例えば、LOC層16の表面に
はフォトレジストが使用され、露出されている。露出
は、第３図の光軸58に対して45°に配置されている従来
のDBR格子の平行な線を示すように行われる。第２のDBR
格子は第１の格子に対して90°で配置された線を持つよ
う露出され、それによって第３図の２つの格子周期Λ1
およびΛ2を形成する。２つの交差した格子の線の露出
後、フォトレジストは第１図および第３図に示したよう
な格子の山またはノジュールを露出するために処理され
る。フォトレジストが処理された後には、従来の方法で
パターンがイオンビームエッチングされる。その結果と
して生ずるエッチングパターンがノジュールのアレイを
示す。格子のノジュールの周期によって、種々の次数の
放射光が望むように格子から回折されるか、反射される
か、または放射される。
第３図においては、各アレイ60および62の典型的な軸
線61および63ならびに各アレイ50および54の典型的な軸
線52および56は、軸線20および22ならびにセクション1
8′の光軸58のようなレーザダイオードセクションの軸
線に対して45°で配置されている。あるいは軸線61およ
び63は軸線20に対して平行で、その結果セクション24お
よび24′の軸線に対して平行とすることもできる。さら
に、この場合の軸線52および56は第１図の軸線22ならび
にダイオードセクション17〜19および17′〜19′に対し
て平行である。すなわち、第３図においてノジュールの
アレイの配置が図示されている配置から45°回転され
る。ノジュールの間隔はこれとは異なって元のまま変わ
らないと想定すれば、回転されたアレイは周期Λ1およ
びΛ2の値に対応するDBR周期の値ならびにΛ3の値に対
応するDBD周期を有する。そのように回転された場合、D
BD周期Λの値は 周期となり、換言すれば となる。
第５図の大形セルアレイでは、格子周期は、与えられ
た実施例にしたがい種々のグループに種々の特徴を与え
るため、セルまたはセルのグループによって異なるよう
されている。例えば、１つの格子アレイはアレイの外部
結合を行なうため光子を表面放射し、その他の格子アレ
イは表面放射を行なわず、光子が格子アレイ内のみを通
るように、回折および反射させるようにできる。また、
光子が望みの種々の方向に増幅されるように異なる様々
な径路も作られている。第２図に示すLOC層とは異なる
構造も本発明の格子に使用されている。そのような異な
る構造には、グレーディドインデックス分離閉じ込めヘ
テロ構造、単一または多重量子ウェル構造、あるいは従
来の分離閉じ込めヘテロ構造、単一または多重量子ウェ
ル構造が含まれる。
表１は、アルミニウムガリウム砒化物およびインジウ
ムガリウム砒化燐化物材料システムに対する１次および
２次のDFB/DBRおよびDBD格子の周期を示す。
表１において、１次DFB/DBRはDBRフィードバック格子
周期Λ3を指す。１次DBDはΛ1およびΛ2のようなDBD周
期に必要とされる格子周期を指す。周期Λ3のような２
次DBD/DBR格子周期に必要とされる格子周期は、異なる
素材に対する２次DBD格子周期同様に示されている。DBR
−DBDの組み合わせ格子アレイの最も単純な入り組んで
いない形状は、フィードバックおよび出力光の結合のた
めに２次DBD格子およびその結果としての「明らかな」
２次DBR格子を利用するものである。別の方法は、２次D
BR格子から物理的に分離され得る１次DBD格子を使用す
るものである。例えば、DBD格子は導波路と上部クラッ
ド層との間のインタフェースに配置され、DBR格子は導
波路と底部クラッド層との間のインタフェースに配置さ
れている。この構成には、（１）DBR格子が分布帰還型
（DFB）構造中に連続的に延長され、それが出力の開き
に最大の充足要因となり、（２）DBD格子およびDBR格子
はフィードバックおよび出力の結合の二重の役割のた
め、独自に最適化されるという２つの追加利点がある。
第２図においては、基板12は典型的に厚さ約250μｍ
で、（100）結晶面に平行な、またはそれからわずかに
狂った方向に配置されている第１の主要表面14を有する
Ｎ型GaAsからなる。第１のクラッド領域32は典型的に厚
さ約1.26μｍで、典型的にＰ型Alx Ga1-x Asで、ｘが
約0.4である。第１の電気接触層38は好適には連続的に
被着されたゲルマニウム、金ニッケルおよび金の層から
なる。第２の電気接触層39は、好適にはZnまたはCdの拡
散された表面上に連続的に被着されたチタニウム、白金
および金の層からなる。表面格子を使用した他の表面放
射型素子の構造は、本発明にも同様に適用できることは
理解されよう。遷移セクション41は任意で、ジー．エ
イ．エバンスその他による論文「動的波長安定性および
0.25°のファーフィールド角度を有する表面放射型２次
DBRレーザ」「Appl．Phys．Lett．49（６）,Aug.11,198
6,pp.314−315］およびエヌ．ダブリュ．カールソンそ
の他による論文「格子表面放射型ダイオードレーザアレ
イの位相ロック作用」［Appl．Phys．Lett．50（19）,M
ay 11,1987,pp.1301−1303］でより詳細に論じられてい
る。
システム10は、各層および各領域を成層させるために
標準的な液相エピタキシャル法を利用して製造されてい
る。適切な液相エピタキシャル法は、米国特許第3,753,
801号にロックウッドその他によって開示されており、
本文中に参照として組み入れられている。フォトレジス
トはダイオードゲインセクション11上に形成され、第２
の電気接触層39がダイオードゲインセクションの外側に
イオンによる切削によって形成される。キャップ層36、
第２のクラッド領域32および活性層18は、次に、典型的
にはHF緩衝液およびH2SO4：H2O2：H2Oのような化学的手
段によりダイオードゲインセクションの外側で取り除か
れる。格子領域は標準的なホログラフィーおよびエッチ
ング技術を利用することにより、ダイオードゲインセク
ションの放射光の光軸から約45°の２つの直角の方向に
複数のほぼ平行な直線要素を形成することによって形成
される。
動作において、適切な極性のバイアス電圧が第１およ
び第２の電気接触層38および39のそれぞれに加えられ、
活性領域30中に放射光が発生する。前記放射光の一部は
格子領域により放射される。実施例によっては、格子領
域は基板の平面にほぼ垂直に放射光を放射するか、ある
いはその他の実施例においては放射光をLOC層16の平面
に局限するが、格子領域も光学的フィードバックを行な
うので、それによって素子28のあるものがレーザ光を放
射することが可能になる。さらに光がその他の素子のす
べてに結合されるように、光の一部が典型的には90°の
角度で、LOC層16の平面中の種々の方向に回折される。
それによってアレイの両ディメンションが共通の光学的
位相ロック機構を有することが可能になる。それとは対
照的に、エバネッセント結合または直線アレイのような
その他の標準的な種類の結合によるその他の素子は、ア
レイ中の第１の素子から最後の素子までコヒーレンスを
維持する能力により制限される。これらの後者の素子に
おいては、結合は隣接する素子間に生じるが、本発明で
は各素子からその他のすべての素子中への放射光の結合
を行なう。
第６図および第７図は、第５図のセルのアレイを使用
する異なる他の電極の構成を示している。第６図では、
図示の電極のアレイは、例として熱伝導体および電気絶
縁体である酸化ベリリウムヒートシンク層上に成層され
ている。電極のアレイ600は、セル602、604、606その他
のような電極セルを含む。セル602は例えば第５図のセ
ル520に対応する。また例としてセル604はセル522に対
応し、セル606はセル524に対応する。電極のセル606は
電極608、610、612および614の対称アレイおよび鏡像と
なっている電極アレイ616を含む。電極608および610は6
14および612の各電極の鏡像である。電極608中の直線61
8は第５図のセル524の種々のレーザセクションの位置を
示す。電極608は、第５図のレーザアレイ526に対応する
レーザのＰ型接触層39（第２図）に対応し、かつ、対と
なる。第５図にはレーザアレイ526中に５つのレーザセ
クションしか示されていない。それは説明としてそうな
っているのであり、実際には与えられたアレイにレーザ
がより多数の場合も、より少数の場合もある。より多数
の、例えば10のレーザがある場合には、電極608は前記
アレイの半数、あるいは電極の接触層39の５つのレーザ
に接触することとなる。同様に電極610は第５図のアレ
イ528と電気的に接触する。アレイ528も５つのレーザセ
クションとして示されているが、実際には先に述べたよ
うにより多数のレーザセクションを含む場合もある。こ
のレーザアレイの半数は第６図の電極610と電気的接触
をする。残りの電極は第５図のレーザセルアレイ524中
のレーザセクションの対応するアレイに接触する。
第５図のレーザセルと組み合わせた第６図の電極アレ
イの動作において、光子に対するかじとり能力を備える
ために、電極の異なるものに異なる値の電流が流され
る。代りの方法としては、電流が、すべてのアレイのす
べての電極、またはアレイ600のいくつかのサブセルに
加えられるものと同一とされる。第６図の電極を利用す
ることの他の方法として、第５図のセルのレーザ接触
は、ワイヤボンディング工程により外部端子に接続され
ている第６図の電極に対応する各セルのサブアレイのア
レイにワイヤボンディングすることによって、電気的に
接続され得る。
第７図は、第５図のレーザ素子セクションに接続され
ている電極の、さらに異なる他の構造を示す。例えば、
電極のセル700は４つの電極702、704、706および708を
含む。電極702および708は電極700および704の鏡像であ
る。電極702は、第５図のレーザセクションアレイ526の
レーザ素子のすべてと接続する。電極704は、セクショ
ンアレイ528その他のレーザのすべてと接続する。
電極アレイ710は電極アレイ700と同一である。電極71
2は電極702の鏡像であり、電極702と同じレーザ素子に
接触する。アレイ714は、電極704と同じレーザ素子に接
触し、かつ前記電極の鏡像である電極716を有する。異
なるセルアレイの残りの電極は図示するように鏡像であ
る。一定の実施目的により、同じ、または異なるレーザ
セクションに異なる電流が加えられる。電極上の直線、
例えばセル710の電極上の直線711は、第５図のアレイ52
7のレーザダイオードセクションを示す。
第１図および第３図の格子アレイの特定の方位および
配置は、限定ではなく例として示しているものである。
第１図の格子28の格子ノジュールの種々の部分は、望ま
しい実施により種々の結合効果を提供するために、種々
の大きさを有する場合もある。また、第５図の多数のセ
ルアレイのうち１つのセルの格子が、アレイのその他の
セルとは異なった大きさである場合もある。さらに格子
の方位は、望みの特定の結合効果を達成するために、異
なる領域で幾分異なる場合もある。本文中の記載事項
は、限定によるのではなく、説明により与えられるもの
である。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の１実施例による放射光結合システムの
等角斜視図、第２図は第１図のシステムの典型的なレー
ザゲインセクションの断面立面図、第３図は第１図のシ
ステムの格子部分の平面図、第４図は本発明の原理のい
くつかを説明するのに有効な第１図のシステムと同様の
システムの図式平面図、第５図は第４図に示した型の複
数の結合システムの図式平面図、第６図および第７図は
第５図のシステムと同様のシステムの部分の図式平面図
であり、アレイ中の様々なレーザゲインセクションへの
様々な接触接続を示す。 10……放射光結合システム、12……基板、14……広い表
面、15……Ｎ型クラッド層、16……LOC層、17、17′、1
8、18′、19、19′……レーザダイオードゲインセクシ
ョン、20、22……軸線、24、24′……レーザダイオード
セクション 26……領域、28……格子、30……活性層、32……Ｐ型ク
ラッド層、36……Ｐ型キャップ層、38……Ｎ型接触層、
39′……接触層、40、42、44……ノジュール、41……遷
移セクション、46、48……谷、50……アレイ、51……ノ
ジュール、52……軸線、54……アレイ、55……ノジュー
ル、56……軸線、58……光軸、60……アレイ、61……軸
線、62……アレイ、63……軸線、64……アレイ、65……
軸線、66……ノジュール、70、72……方向 74、76……ノジュール、78……方向、400、402……レー
ザダイオード素子、404……実線、406……アレイ、408
……矢印、410……点線、412……矢印、414……径路、4
16、418……レーザダイオード素子、420、422、424……
径路、426、428……レーザダイオード素子、430……径
路、432……レーザダイオード素子、500……径路、50
2、504……レーザ、506……径路、508、510、512……レ
ーザ、514……径路、516、518、520……レーザ、522、5
24……セル、526、527、528……アレイ、600……アレ
イ、602、604、606……セル、608、610、612、614……
電極、616……アレイ、618……直線、700……セル、70
2、704、706、708……電極、710……アレイ、711……直
線、712……電極、714……アレイ、716……電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−83083（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−231791（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ 53 ［22］（1988）Ｐ．2123−2125 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ 51 ［19］（1987）Ｐ．1478−1480 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (25)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体放射素子により放射された放射光を
    結合するための放射光結合システムであって、広い平面
    の表面を有する半導体基板と該基板の広い表面上に重な
    っている光学格子を含み、前記格子は、格子状に配置さ
    れ、かつ前記広い表面の平面に平行な平面内にある光軸
    に沿った前記放射光を受けるように構成された複数の分
    離したノジュールを含み、該ノジュールは、受けられた
    前記放射光の第１の部分が格子から前記光軸に沿う第１
    の方向に反射し、受けられた放射光の第２の部分が格子
    により前記第１の方向と異なる第２の方向に偏向される
    ように配置されている放射光結合システム。
  2. 【請求項２】前記ノジュールが直線の平行な横の列およ
    び直線の平行な縦の列に並べられ、横の列が前記縦の列
    に直角に、かつ、前記光軸に関して一定の角度で配置さ
    れている請求項１記載の放射光結合システム。
  3. 【請求項３】前記ノジュールがそれぞれ凸状でほぼ均一
    な寸法と相互間隔を有している請求項１記載の放射光結
    合システム。
  4. 【請求項４】ノジュールが、前記光軸に沿って受けられ
    た前記放射光を反射するための第１の格子周期および前
    記光軸を横切る前記第２の方向に受けられた前記放射光
    を偏向させるための第２の格子周期を形成するように格
    子中に配置されている請求項１記載の放射光結合システ
    ム。
  5. 【請求項５】前記ノジュールが前記広い表面の平面を横
    切る前記格子の表面から、受けられた前記放射光の第３
    の部分を放射するために配置されている請求項４記載の
    放射光結合システム。
  6. 【請求項６】格子が１つの層中に、前記受けられた放射
    光の第３の部分が第１の方向とは反対の第３の方向に該
    層中を通過するように配置されている請求項１記載の放
    射光結合システム。
  7. 【請求項７】さらに、前記第２の格子中の放射光を前記
    光軸に平行な方向に放射するために前記格子に結合され
    ている少なくとも１つの第１の半導体発光素子と、前記
    異なる方向に放射光を放射するために前記格子に結合さ
    れている少なくとも１つの第２の半導体発光素子とを含
    み、前記格子がそれぞれの素子により放射された放射光
    を互に他の素子に偏向させるように配置されている請求
    項１記載の放射光結合システム。
  8. 【請求項８】格子が、前記少なくとも１つの第１および
    第２の素子により放射された放射光の位相ロックを行な
    うように寸法構成されている請求項７記載の放射光結合
    システム。
  9. 【請求項９】前記少なくとも１つの第１の素子の第１の
    複数個と、前記少なくとも１つの第２の素子の第２の複
    数個とを含み、第１の複数個の各素子が光軸に平行に放
    射光を放射し、第２の複数個の各素子が横方向の平行に
    放射光を放射する請求項７記載の半導体発光素子の放射
    光結合システム。
  10. 【請求項１０】格子が、各素子の放射光がその他の各素
    子に結合されるように配置されている請求項９記載の放
    射光結合システム。
  11. 【請求項１１】平面の主要表面を有する半導体基板と、 基板上に形成され、主要表面の平面に平行な第１の放射
    光の径路を第１の方向に定める第１の光軸を有する第１
    の半導体発光素子と、 前記第１の径路から放射光を受けるために結合され、ま
    た受けられた放射光の少なくとも一部を前記第１の方向
    と異なり、かつ、前記第１の主要表面に平行な第２の方
    向に偏向させるように配置された、前記基板上に重なっ
    ている複数のノジュールの格子要素と、 前記基板上に第１の素子から間隔を置いて形成され、前
    記第２の方向に平行な第２の放射光の径路を定める第２
    の光軸を有し、前記偏向された放射光の少なくとも一部
    を受け、前記第２の径路中を第２の複数の前記要素に対
    して放射光を放射する第２の半導体発光素子とを含み、
    第２の半導体発光素子から放射された放射光の少なくと
    も一部が、前記第２の複数の要素により第１の方向に平
    行な方向に偏向される放射光処理アレイ。
  12. 【請求項１２】前記第１および第２の素子からの放射光
    の少なくとも一部が、前記要素により前記主要表面の平
    面と交差する方向に放射される請求項11記載の放射光処
    理アレイ。
  13. 【請求項１３】前記第１および第２の素子が位相ロック
    されたレーザである請求項11記載の放射光処理アレイ。
  14. 【請求項１４】前記要素が２つの直角の方向に互いに間
    隔を置いて配置されている請求項11記載の放射光処理ア
    レイ。
  15. 【請求項１５】要素がほぼ均一な寸法で、かつ、対称な
    格子中に配置されている請求項14記載の放射光処理アレ
    イ。
  16. 【請求項１６】前記要素が前記主要表面の平面に平行な
    ２つの交差する方向に並べられている格子アレイ状に配
    置された請求項14記載の放射光処理アレイ。
  17. 【請求項１７】要素が格子アレイ中にあり、前記第１お
    よび第２の光軸の方向に対して約45°の前記直角の方向
    に並べられている請求項14記載の放射光処理アレイ。
  18. 【請求項１８】さらに複数の前記素子を含み、第１の前
    記複数の素子が、放射光を受け、かつ、前記第１および
    第２の複数の要素の各々に放射光を放射するために、第
    １および第２の複数の前記要素間の領域中に配置されて
    いる請求項11記載の放射光処理アレイ。
  19. 【請求項１９】さらに第２および第３の複数の前記素子
    を含み、前記第２および第３の複数の素子の光軸が前記
    第１の複数の素子の光軸を横切って配置されている請求
    項18記載の放射光処理アレイ。
  20. 【請求項２０】平面の主要表面を有する半導体基板と、 基板上に間隔を置いて形成された複数の半導体レーザ発
    光素子で、第１の複数の素子が与えられた方向に伝播す
    る光を放射し、かつ、処理するために、少なくとも第１
    および第２の間隔を置いて配置された平行な横の列に並
    べられ、前記列が前記与えられた方向を横切る第１の方
    向に延びている複数の半導体レーザ発光素子と、 第２の複数の前記素子で、少なくとも第１および第２の
    間隔を置いて配置された平行な縦の列に並べられてお
    り、前記縦の列および横の列が中央領域の範囲を定め、
    前記第２の複数の素子が前記第１の方向に伝播する光を
    放射し、かつ、処理し、前記縦の列が前記与えられた方
    向に延びる第２の複数の前記素子と、 前記横の列中の１つの少なくとも１つの第１の素子か
    ら、少なくとも１つの縦の列中の少なくとも１つの第２
    の素子に放射された光を偏向させるために、基板上、前
    記横の列と縦の列との間の前記中央領域中に形成され、
    かつ、複数の前記素子に光学的に結合されている格子構
    造とを含む半導体光処理アレイ。
  21. 【請求項２１】複数の中央領域を形成する複数の前記横
    の列および縦の列を含み、前記領域の１つが前記横の列
    および縦の例の１つにより第２の領域から分離され、各
    領域が前記基板上に形成された前記格子構造を含む請求
    項20記載の半導体光処理アレイ。
  22. 【請求項２２】格子構造が、間隔を置いて配置されてい
    る格子ノジュールの格子を含む請求項20記載の半導体光
    処理アレイ。
  23. 【請求項２３】格子が、前記与えられた方向と横の方向
    とに対して約45°に調整された与えられた方向を有する
    請求項22記載の半導体光処理アレイ。
  24. 【請求項２４】少なくとも１つの格子構造が、主要表面
    の平面を横切る方向に放射光を表面放射するように寸法
    構成されている請求項23記載の半導体光処理アレイ。
  25. 【請求項２５】格子構造が、アレイ中の各素子からその
    他の各素子への光を光学的に結合するように間隔を置い
    て寸法構成されている請求項20記載の半導体光処理アレ
    イ。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2719187B2 (ja) * 1989-05-08 1998-02-25 キヤノン株式会社 光導波路及びそれを用いた光アイソレータ
US5022730A (en) * 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
DE4034000C1 (ja) * 1990-10-25 1991-10-17 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5235663A (en) * 1990-11-09 1993-08-10 National Semiconductor Corporation Optical interconnects
US5123078A (en) * 1990-11-09 1992-06-16 National Semiconductor Corp. Optical interconnects
US5198008A (en) * 1990-11-09 1993-03-30 National Semiconductor Corporation Method of fabricating an optical interconnect structure
US5265177A (en) * 1992-05-08 1993-11-23 At&T Bell Laboratories Integrated optical package for coupling optical fibers to devices with asymmetric light beams
EP0964305A1 (en) * 1998-06-08 1999-12-15 Corning Incorporated Method of making a photonic crystal
US6647048B2 (en) 2000-04-28 2003-11-11 Photodigm, Inc. Grating-outcoupled surface-emitting lasers using quantum wells with thickness and composition variation
US6600765B2 (en) 2000-04-28 2003-07-29 Photodigm, Inc. High-power coherent arrays of vertical cavity surface-emitting semiconducting lasers
US6636547B2 (en) 2000-04-28 2003-10-21 Photodigm, Inc. Multiple grating-outcoupled surface-emitting lasers
US6963597B2 (en) 2000-04-28 2005-11-08 Photodigm, Inc. Grating-outcoupled surface-emitting lasers
US6714575B2 (en) 2001-03-05 2004-03-30 Photodigm, Inc. Optical modulator system
US6775427B2 (en) * 2001-03-09 2004-08-10 Photodigm, Inc. Laterally coupled wave guides
GB2379084B (en) * 2001-08-24 2006-03-29 Marconi Caswell Ltd Surface emitting laser
US6885686B2 (en) * 2002-01-18 2005-04-26 Wisconsin Alumni Research Foundation High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser
US7457340B2 (en) * 2002-01-18 2008-11-25 Wisconsin Alumni Research Foundation High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser
US6911674B2 (en) * 2003-04-16 2005-06-28 Zeolux Corporation Feedback and coupling structures and methods
US7113526B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-26 Photodigm, Inc. Multi-wavelength grating-outcoupled surface emitting laser system
US7092598B2 (en) * 2003-10-09 2006-08-15 Photodigm, Inc. Chip-scale WDM system using grating-outcoupled surface-emitting lasers
US7558305B2 (en) * 2003-12-31 2009-07-07 Wisconsin Alumni Research Foundation Intersubband mid-infrared electroluminescent semiconductor devices
US7403552B2 (en) * 2006-03-10 2008-07-22 Wisconsin Alumni Research Foundation High efficiency intersubband semiconductor lasers
JP4793820B2 (ja) * 2006-03-20 2011-10-12 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
WO2009060365A1 (en) * 2007-11-07 2009-05-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Extended cavity semiconductor laser device with increased intensity
JP2012156378A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
US10992104B2 (en) 2015-12-17 2021-04-27 Ii-Vi Delaware, Inc. Dual layer grating coupler
EP3391482B1 (en) 2015-12-17 2022-11-23 Finisar Corporation Surface coupled systems
US11435522B2 (en) * 2018-09-12 2022-09-06 Ii-Vi Delaware, Inc. Grating coupled laser for Si photonics
US11404850B2 (en) 2019-04-22 2022-08-02 Ii-Vi Delaware, Inc. Dual grating-coupled lasers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE788374A (fr) * 1971-12-08 1973-01-02 Rca Corp Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat
US4497535A (en) * 1982-03-19 1985-02-05 Gte Laboratories Incorporated Optical pulse generator

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ ５１［１９］（１９８７）Ｐ．１４７８−１４８０
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，Ｌｅｔｔ ５３［２２］（１９８８）Ｐ．２１２３−２１２５

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