JPS6269516A - 半導体装置の金属配線層の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の金属配線層、特に、コンタクト
穴などの凹部を横切る金属配線層の形成方法に関するも
のである。

〔従来の技術〕

従来、このような金属配Ｍ層の形成においては主にスパ
ッタ蒸着法が用いられて来た。第２図はスパッタ蒸着法
によ多形成された従来の金属配線層のコンタクト穴付近
での形状を示す断面図で、（１）は拡散等の工程′ｆＩ
：完了した半導体基板、または多層配線構造における下
層配線層（以下「下層体」と呼ぶ）、（２１は下層体（
１）の上に形成された絶縁膜、（３）　Ｖｉ絶縁膜（２
）に形成され下層体（１）の表面に達するコンタクト穴
、（４）はスパッタ蒸着によって絶縁膜（２）の上およ
びコンタクト穴（３）内に下層体（１）に接続されるよ
うに形成された金属配線層である。

次に従来技術による金属配線層の形成法について説明す
る。下層体（基板もしくは下部配線層）（１）の上に絶
縁膜（２）を形成し、写真製版１食刻によって、コンタ
クト穴（３）ｔ−形成する。次いで、スパッタ蒸着法に
よって金属全蒸着し、これをパターニングし金属配線層
（４）ｔ−形成する。

〔発明が解決しようとする…ｊ粗点〕

従来の金属配線層の形成はスパッタ蒸着法によっている
ので、コンタクト穴（３）に金鵜が入りにくく、第２図
に（４）で示したような形状とな９、穴（３）の側面の
金属が薄くなり、断線等の不良の原因となるとともに、
金属配線層（４）上に大きい段差を残すので、更に上部
に配線を形成するときの障害になるなどの多くの問題点
があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、コンタクト穴などの凹部に完全に金属を埋め
ることの出来る金属配Ｍ！形成方法を提供することを目
的とする。

〔問題点全解決するだめの手段〕

この発明に係る金属配線層の形成方法は金属微粒粉を、
コンタクト穴、その他の段差の形成された基板上に均一
に散布し、さらに、それをホットプレスするものである
。

〔作用〕

この発明においては、金属微粒粉の散布によって、コン
タクト穴などの四部を完全に埋めることができ、これに
ホットプレスを加えることにより、強固な金属膜を形成
することができる。

〔実施例〕

第１図Ａ、Ｂはこの発明の二実施例の各工程における状
態を示す断面図で、第２図の従来例と同一符号は同等部
分を示す。この実施例では、まず第１図Ａに示すように
、下層体（１）の上に絶縁膜（２）を形成し、写真製版
１食刻によってコンタクト穴（３）を形成し、このコン
タクト穴（３）が形成された絶縁膜（２）の上に、コン
タクト穴（３）の寸法に比して十分に小さい平均粒径を
もつ金属微粒粉末（５）全上面が平坦になるように均一
に撒布する。次に、この金属の軟化温度程度の温度でホ
ットプレスすることＫよって、金属微粒粉末（５）全焼
結固化して、第１図Ｂに示すように、コンタクト穴（３
）全完全に埋める焼結金属層（５ａ）を形成する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、コンタクト穴なとの
凹部を有する絶縁層の上に金属微粒粉末を上記凹部を埋
めるように撒布した後に、焼結固化するので、四部を完
全に埋め、表面の平坦な金属配線層が得られる。

【図面の簡単な説明】

Ｍ１図Ａ、Ｂはこの発明の一実施例による金属配線層の
形成力法の各工程における状態を示す断面図、第２図は
従来方法で形成された金属配線層の断面図である。 図において、（１）は下層体、（２）は絶縁膜、（３）
はコンタクト穴、（５）は金属微粒粉末、（５ａ）は焼
結金属層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板または下層配線層からなる下層体の上
   に、形成されコンタクト穴などの凹部を有する絶縁膜の
   上に上記凹部の寸法に比して十分に小さい粒径を有する
   金属微粒粉末を上記凹部を埋めるとともに上面が実質的
   に平坦になるように撒布した後に、ホットプレス法によ
   つて上記金属微粒粉末を焼結して焼結金属層とすること
   を特徴とする半導体装置の金属配線層の形成方法。