JPH036675B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ 産業上の利用分野 Ｂ 開示の概要 Ｃ 従来技術 Ｄ 発明が解決しようとする問題点 Ｅ 問題点を解決するための手段 Ｆ 実施令 f1 構造（第１図、第２図） f2 製造工程（第３，４，５，６，７，８図） f3 さらに別の構造（第９図） f4 さらに別の構造の製造工程（第１０，１１，
１２，１３，１４図） Ｇ 発明の効果 Ａ 産業上の利用分野 この発明は、一対の導電層の間に微細化された
導電結線をもつ結線デバイスと、そのような結線
デバイスに関するものである。

Ｂ 開示の概要 本発明により開示される導電結線構造は、例え
ば出来上がつたデバイスが微細橋絡とトンネル・
デバイスとをもつジヨセフソ弱リンク（weak−
link）デバイスであるようなものである。この導
電結線は適用に応じて通常の金属か、超電導体
か、低バンド・ギヤツプの絶縁体か、半金属か半
導体からなり、通常の金属か、低バンド・ギヤツ
プの絶縁体か、超電導体か、半金属か半導体か、
これらの物質の任意の組み合わせからなる２つの
層間の貫通孔を形成する。この発明の構造及び製
造方法は汚染レジスト円錐構造に関る。この汚染
レジスト円錐構造は、シリコン・オイルなどの炭
素系膜で汚染された基板を表面を電子ビームで照
射することにより形成される。すなわち、電子ビ
ームと、時間を追つてこのビームの方へ拡散する
汚染との相互作用により、基板表面には汚染レジ
ストの円錐体がつくり上げられる。これらの絶縁
汚染レジスト円錐体は100nｍのオーダーの基底
直径をもつ。基板上に汚染円錐体が基板上に形成
された後は、円錐体の少くとも一部及び基板上に
導電層が付着される。次に、導電層と円錐体上に
は整合的に絶縁物質が付着される。この付着は、
導電層上の絶縁物質の厚さが汚染円錐体の高さよ
りも小さくなるように行なわれる。次に、絶縁物
質の基準面よりも上に突出する、絶縁物質、導電
層及び汚染円錐体の部分が除去され、これにより
円錐体の一部と導電層の一部が露出され、その導
電層の部分が結線を形成する。最終工程では、絶
縁層と、導電結線及び円錐体の露出部分上に別の
導電物質の層が付着され、これによりはじめに付
着しておいた導電層と後で付着した導電層の間で
電気的な接続がはかられる。

Ｃ 従来技術 集積回路の出現は、電気的デハイスを一層小型
化してゆくことにより達成される恩恵を明らかに
実証している。それと同様に、微細橋絡とジヨセ
フソン・トンネル・デバイスとをもつ弱リンク・
デバイスのような構造もまた一層小型化されるこ
とで恩恵を受けている。サブミクロンの寸法をも
つ金属ラインが形成されつつあるということは今
日ではさほど特殊なレベルではなく、そのような
状況にあつては金属もまたラインの寸法に適合す
るサイズでなくてはならない。しかし、現在使用
されている技術は、結線構造を形成するためには
十分なチツプ領域が必要であり、幾つかのフオト
リソグラフイツク・マスク工程とエツチング工程
を要するという点において満足できるものではな
い。以下で掲げる従来技術から見てとれらことで
はあるが、電子ビームまたは別のタイプのレジス
トを利用する方法も幾つか従来より使用されてい
る。別の方法においては、絶縁層に単に孔が形成
され、その孔に導電物質を付着することにより導
電結線が形成される。

米国特許第4197332号には汚染レジスト円錐体
を形成することが示されている。汚染レジスト円
錐体の形成におけるこの特許の技術は、本願発明
で利用される。

米国特許第4224630号には絶縁層を間にして重
ね合わされた２つの超電導層を備えた超伝導量子
干渉計（SQUID）を開示されている。これにお
いては、絶縁層を貫通し超電導物質で充たされた
複数の孔が層の間の弱リンク（weak link）を形
成する。この構造は、絶縁層の孔をパターン化す
るために、標準的なフオトレジスト手続を用いて
形成されている。そのあと、絶縁層及び孔上に超
電導物質が形成される。

米国特許第4430790号には基板上に超電導体−
絶縁体−超電導体３層構造をもつ超電導デバイス
が開示されている。これにおいては、介在する分
離層の厚さを横断して一方の超電導体から他方の
超電導体に弱リンクが延長されている。こうして
出来上がつた構造は、完全に平面上である本願発
明の構造に対して“擬平面”デバイスとして特徴
づけられる。

米国特許第3689780号は超電導物質の層の間に
形成された複数の弱リンク構造を開示する。この
特許の第８図には、上面に弱リンク物質が形成さ
れてなる円錐形の超電導体が示されている。そし
て、一対の超電導素子がその両端で弱リンク物質
に接触する。

米国特許第3846166号には、上面に絶縁層が形
成されてなるパターン導電層が開示されている。
この絶縁層はエツチングされて先端を切断した円
錐形の構造を形成する。そして導電物質からなる
最終の層がエツチングされた孔と絶縁層の上面に
付着され、これにより２つのレベルの導電物質間
に結線が形成される。

Ｄ 発明が解決しようとする問題点 この発明の主な目的は、結線が通常の金属素子
か、超電導金属素子か、低バンド・ギヤツプ絶縁
素子か、半金属物質素子か、半導体物質素子から
なる結線デバイスを提供することにある。

この発明の別の目的は、平面的であり、それゆ
え集積回路に適合する結線構造を提供することに
ある。

この発明のさらに別の目的は、ｎｍ（ナノメー
タ）の寸法をもつ結線構造を形成するために汚染
レジスト円錐体またはそれの一部を利用する製造
方法を提供することにある。

この発明のさらに別の目的は、導電体によつて
挟まれた絶縁層の厚さが結線手段の長さを決定す
るような製造方法を提供することにある。

Ｅ 問題点を解決するための手段 この発明は、結線デバイスと、そのような結線
デバイスを形成するための方法に関するものであ
る。この結線構造は、上面に非導電物質の素子が
配置されてなる基板を備え、その非導電物質の形
状は、少くともその一部が円錐形である。この結
線構造は導電物質からなる第１の層を有し、その
導電物質の一部は基板上にあり、別の部分は上記
非導電物質の一部と隣接している。この構造はさ
らに、非導電物質の少くとも第１の部分上に配置
された結線手段を有し、結線手段の第１の部分は
上記第１の層と電気的に接触する。第１の層上に
は絶縁層が配置され、その第１の層の一部は上記
結線手段の第２の部分に隣接している。最後に、
導電物質からなる第２の層が絶縁層上に配置され
る。上記非導電性素子の第２の部分は結線手段の
第３の部分と電気的に接触する関係にある。この
導電物質の層は通常の金属か、半導体か、半金属
か、低バンド・ギヤツプの絶縁体か、超電導体の
どれかでよい。そして使用される物質に応じて、
出来上がつた構造は２つの通常または超電導金属
間の結線か、２つの半導体層間の結線か、２つの
超電導層間でトンネル電流を輸送するジヨセフソ
ン素子または２つの超電導層間のジヨセフソン微
細橋絡の形式の超電導接続として働く。この絶縁
層は２酸化シリコン、酸化アルミニウムなどの周
知の絶縁層から成つていてもよい。この結線構造
は基板の表面を炭素質の物質の層で汚染すること
により形成される。この汚染層は次に、汚染レジ
スト円錐体を形成するに十分な時間だけ電子ビー
ムにさらされる。そして導電物質からなる第１の
層が基板上に付着され、電気結線素子がそれと同
時かまたはその第１の導電層に続いて少くとも円
錐体の一部に整合するように付着される。次にそ
の導電層と、汚染円錐体及び結線素子の表面に整
合するように絶縁層が付着される。このとき、導
電層の表面上の絶縁物質の厚さが汚染円錐体及び
結線素子よりも底くなるように付着が行なわれ
る。そして、絶縁層の基準的な厚さよりも高い位
置にある、絶縁層の部分、結線素子及び汚染円錐
体が除去され、汚染円錐体及び結線素子の一部が
露出される。最後に、絶縁層、円錐体の露出され
た部分及び結線素子上には第２の導電物質の層が
付着され、これにより第１及び第２の導電層の間
に導電接続部が形成される。

Ｆ 実施例 f1 構造 第１図を参照すると、本発明の教示に基づく結
線デバイスの構造が示されている。第１図では、
結線素子が汚染レジストからなる円錐体（円錐
台）の一部の上に形成されており、これにより、
互いに離隔された一対の導電層間に電気的接続が
はかられている。この結果素子は微細橋絡または
トンネル障壁のように一対の超電導層間のジヨセ
フソン弱リンクであつてもよい。あるいは、結線
素子は半導体または半金属または２つの導電層の
間の貫通路として働くにすぎない通常の金属であ
つてもよい。この図示された構造は平面状であ
り、平面状の最終構造を得るために、重層する導
電層の厚さが、はじめに形成した汚染円錐体の高
さとほば等しいかそれより小さいときに使用され
る。

第１図においては、結線デバイス１が基板２を
もつ。この基板２はデバイス１が配置されるべき
用途に応じて絶縁物質か、導電物質か、超電導物
質のうちのどれかからなる。基板２の表面には絶
縁物質からなる円錐台または切断された円錐体３
が配置されている。そして、一対の導電層４，５
が絶縁物質の層６をサンドイツチ状に挟んでい
る。但し例外は切断された円錐体３の上面であ
り、そこでは結線素子７が導電層４，５を接続す
る。デバイス１の適用に応じて、結線素子７はア
ルミニウムのような通常の金属から成るか、また
はポリシリコンを導電化するための濃くドープさ
れたポリシリコンから形成される。これらの例で
は、導電層４，５がアルミニウムまたは濃くドー
プされたポリシリコンから成ることができる。あ
るいは、結線素子７は微細橋絡（microbridge）
を形成する超電導物質から成つていてもよい。こ
の例では、導電層４，５はニオブまたは他の適当
な超電導物質から成つていてもよい。上述したど
の例においても、層６は２酸化シリコン、酸化ア
ルミニウムまたは酸化ニオブのような任意の適当
な絶縁物質でよい。円錐台または切断された円錐
体３は好適には汚染レジストから成る。後で詳し
く述べるけれども、汚染レジストからなる円錐体
は、基板２をシリコン・オイルまたはその他の有
機物質の蒸気に曝し、基板平面上のその汚染層
に、きわめて小さい汚染レジストを形成するのに
十分な時間だけ電子ビームを照射することにより
形成される。

第１図の構造においては、導電層５が付着され
るときに、その層が薄く平面状であるように円錐
台３を形成するために汚染レジストの円錐体の先
端が切断される。第１図の構造は２つの導電層ま
たは超電導層間に直接電気的接続をはかるために
使用することができる。これらの例においては、
結線素子７は導電物質及び超電導物質から成つて
いる。第１図の構造においては、導電層４，５は
もちろん別の物質から成つてもよい。尚、第９〜
１４図を参照してより詳細に説明するけれども、
結線素子７は切断された円錐体３を完全にとり囲
む必要がないことを理解されたい。すなわち、結
線素子７が、導電層４，５の間に延長された導電
物質の単なる挟い橋絡部であるように、所望の物
質が上端を切断された円錐体の上面の一部に形成
されていればよい。そのような例では、橋絡部を
形成する結線素子７が存在する箇所以外のあらゆ
る箇所で絶縁物質の層６が、上端を切断された円
錐体３の表面に接触することになろう。上述した
例では、結線素子７は、もし超電導物質で形成さ
れているならば、やはり超電導物質で形成されて
いる導電層４，５間に微細橋絡を形成することに
なろう。

第２図を参照すると、はじめに形成されたまま
の汚染円錐体が使用されていることを除けば第１
図に類似する構造の断面図が示されている。この
場合、結線素子７の物質は導電層４，５の物質と
は異なり、導電層５は汚染円錐体の高さよりもは
るかに厚くなつている。こうして出来上がつた構
造はほぼ平面状である。

第２図においては、第１図と同様の構成につい
ては同一の参照番号が付されている。第２図では
汚染レジストの円錐体８が、第１図における円錐
台または上端を切断された円錐に置き換えられて
いる。さらに、導電層４上には導電層９が配置さ
れ、結線素子７は導電層９から形成されている。
第２図の構造は導電層５の厚さが円錐体８の高さ
よりもはるかに大きい場合に利用することができ
る。すなわち、そのような状況においては、円錐
体８の頂部が層６よりも上に延長されているとい
う事実により、導電層５の平面度があまり損なわ
れない。第２図のデバイス１の構造は結線素子７
の物質が導電層４，５の物質と異ならなければな
らない場合に使用することができる。例えば、結
線素子７が層４，５とは別の物質で形成すること
が望ましい場合、結線素子７は所望の物質の導電
層９とともに形成することができる。この種の構
造においては、結線素子７及び層９は、硫化カド
ミウム、テルル、酸化インジウムなどの、一対の
超電導層間でトンネル電流が導通するのを可能な
らしめる低バンド・ギヤツプ物質でもよく、ある
いは所望の適用に応じてビスマス・アンチモンな
どの半金属または半導体でもよい。

第１，２図の構造は集積回路及びその他の微細
化された環境で利用されるきわめて微細な寸法で
製造することができる。こうして、上端を切断さ
れた円錐体３及び円錐体８は100nｍ以下の基底
直径を有するように形成する事ができる。絶縁層
６は、10nｍの範囲の厚さを有する事ができる
が、いかなる場合でも絶縁層６は、いくらかの電
子が通過するのを防止できる程には厚くなければ
ならない。導電層４，５は10nｍのオーダーの厚
さをもち、結線エレメント７は通常絶縁層６とほ
ぼ同じ程度の厚さをもち、層４よりは薄い。

f2 製造工程 第３図は、第１図と同様に結線素子７と第１の
導電物質４が同一の整合する物質からなるような
構造の、中間製造工程をあらわす断面図である。
結線素子７の物質は、付着されたとき、汚染円錐
体３Ａを支持する基板２の表面上に付着された厚
さよりも円錐体３Ａの表面に付着された厚さの方
が小さい。第３図においては、汚染レジスト３Ａ
の円錐がナノリソグフイツク
（nanolithographic）技術で周知の技術を用いて
形成される。尚、この技術については、アカデミ
ツク・プレス社（Academic Press Inc.）刊1982
の「物質科学及び技術に関する論文集
（TREATISE ON MATERIALS SCIENCE
AND TECHNOLOGY）」Vol.24という書物の、
R.B.レイボウイツツ（Laibowitz）らによる“超
微細構造の製造及び物理的性質（Fabrication
and Physical Properties of Ultra Small
Structures）”と題する論文の291ページの、“汚
染リソグラフイ（Contamination
Lithography）”という表題のＣ項に記載されて
いる。これを手短かに述べると、基板２は、通常
拡散ポンプ中に存在するようなシリコン・オイル
の蒸気にさらされる。そして、電子ビームが十分
な時間、そのシリコン・オイルの選択された部分
上に照射されると、円錐状の形状をもつレジスト
領域がつくり上げられる。そうして一旦汚染レジ
スト円錐体３Ａが基板２の表面上に形成され残り
のシリコン・オイルの膜が除去されると、次に円
錐体３Ａと基板２に蒸着工程が行なわれ、これに
より導電層４が円錐体３Ａと基板２上に整合的に
付着される。この蒸着工程はよく知られた任意の
方法で実行することができ、これにより、円錐体
３Ａの表面上よりも基板２の表面上の方が厚くな
るような整合的な付着層が得られる。

第４図は、導電層４の表面に絶縁物質の層６を
整一に付着した後の断面図である。層６は周知の
真空蒸着技術またはスパツタリングにより均一に
付着される。既に述べたように、層６はデバイス
を配置するという最終的な目的な適合する任意の
絶縁物質でよい。第４図においては、層６の厚さ
が結線素子７の最終的な長さを決定するので、そ
の厚さは注意深く制御されなくてはならない。

第５図は、第４図の構造をアルゴン・イオン摩
砕（milling）工程に曝した後の構造の断面図で
ある。このイオン摩砕工程は円錐体３Ａの先端を
覆う層４，６の部分とともに層６の上方に突出す
る汚染円錐体３Ａの部分を除去するに十分な時間
だけ実行される。

最終工程では、第１図に示した導電層５が真空
蒸着またはスパツタリングによつて、第５図のイ
オン真砕工程により形成された平面上に付着され
る。こうして得られた構造は第１図に示すもので
ある。尚、前に示したように、導電物質の層５は
導電層４と同一の物質でもよく、異なる物質でも
よい。こうして絶縁層６の上面に導電層５が付着
されると、円錐体３Ａの周囲に配置された結線素
子７を介して導電層４，５間の電気的接続が達成
される。そして、出来上がつた構造は、微細橋
絡、または結線素子７を形成する為に使用された
物質上の簡単な貫通経路として使用する事ができ
る。

上述の方法によつて製造されたジヨセフソン微
細橋絡に関しては、本願の方法が、従来の橋絡構
造に存在する低電気抵抗の問題を克服する、とい
うことを認識されたい。この低抵抗は従来技術の
橋絡構造の断面積が大きいことによる。多くの適
用技術に利用するためには、微細橋絡の通常の抵
抗は１〜10オームのオーダーでなければならな
い。本願の方法を用いると、基底の直径100nｍ
の円錐体上で厚さ5nｍ、長さ10nｍのニオブ結線
素子７を有する微細橋絡は１オーム程度の抵抗を
もつことになろう。この抵抗値は、円錐体の基底
の直径を30nｍまで低減して、結線素子７の物質
が円錐体の側面に付着するように製造手続を変更
するだけで６オームまで上昇する。

不適切な熱の散逸により従来技術の微細橋絡の
電流−電圧特性にヒステリシスがあらわれること
によつて微細橋絡としての応用が阻まれていた程
度まで、ここに述べた結線デバイス１の３次元幾
何構造によれば熱を効率的に逃がすことが可能と
なり、その結果、微細橋絡構造のヒステリシスの
量が大幅に低減される。

次に、第２図の構造の製造方法を説明しよう。

第６図には、第１図の構造の中間製造工程に似
た結線デバイス１の断面図が示されている。第６
図は、基板２の表面に付着された導電物質の層４
を示している。層４は真空蒸着またはスパツタリ
ングによつて基板２の表面及び汚染円錐体８の表
面に整合的に付着される。この円錐体８は第３図
に関連して説明したのと同様の方法で形成された
ものである。層４が整合的に付着されると、この
構造は、その構造を回転しながら基板２の平面に
平行にアルゴン・イオンを噴射することにより、
イオン摩砕工程を施される。このようにして、円
錐体８の面に対応する部分の層４が除去される。
次に別の真空蒸着またはスパツタリング工程を用
いて、円錐体８Ａ及び層４の露出面上に導電物質
からなる層９が整合的に付着される。

第６図においては、層９の物質は通常、層４の
物質及びあとで付着される層５の物質とは異な
る。それゆえ、層９の物質は、半導体、半金属、
超電導体、通常の金属または低バンド・ギヤツプ
絶縁物質のどれでもよい。

第７図を参照すると、第６図において絶縁物質
の層６が整合的に層９上に付着された後の断面図
が図示されている。このとき層６の厚さは、第４
図に関連して既に述べたように、この層の厚さが
結線素子７の長さを決定するのであるから注意深
く制御されなくてはならない。

次に第８図を参照すると、第７図の構造に、層
６の平面から上方に突出する円錐体８の上面に配
置された部分の層６，９を除去するのに十分な時
間だけ基板２の平面に平行な方向にイオン摩砕工
程が施された後の構造をあらわす断面図が示され
ている。このとき、円錐体８の表面に整合する層
９の残りの部分が、層６の面が露出している部を
もつ結線素子７を形成する。

最終工程では、導電物質の層５が、絶縁層６
と、結線素子７の露出部分と、層６の平面から上
方に突出する円錐体８の先端上に付着される。層
５の厚さは、第２図に示す面がほとんど平坦にな
るように十分に大きく設定されている。真空蒸着
またはスパツタリングによつて層５を付着した後
の構造は第２図に示すとおりである。

既に述べたように、（層９の物質と同じ物質で
形成されている）結線素子７は、通常、層４，５
とは異なる物質から成つている。例えば、もし層
４，５が超電導体であり、結線素子７が超電導金
属橋絡でなく、低バンド・ギヤツプの絶縁体また
は半導体であるなら、電流はトンネル効果によつ
てデバイスを通過し、出来上がつたデバイスは微
細橋絡でなくジヨセフソン・トンネル接合とな
る。この発明の方法を用いると、従来のものより
も1/40だけ小さい接合面積を達成することができ
る。すなわち接合面積が減少するとキヤパシタン
スが低下し、RCの積が減少するので従来のトン
ネル接合よりもスイツチング速度が向上する。
RCの値が小さいことはまた、トンネル接合電流
電圧特性におけるスイツチング・ヒステリシスを
低減または解消する働きを行う。

f3 さらに別の構造 第９図を参照すると、結線素子７が切断された
円錐体３の上面の一部のみに付着され、結線素子
７の物質が層４，５とは異なるような結線デバイ
ス１の断面図が示されている。

f4 さらに別の構造の製造工程 第１０図は、層４が基板２の表面及び円錐体３
Ａ上に付着された後の中間製造工程における第９
図の構造の断面図である。この構造は第３図に関
連して説明したのと同じ方法により製造される。

第１１図は、第１０図の構造を回転しながら、
基板２の面に平行な方向に沿つて、円錐３Ａにア
ルゴン・イオンを照射することによりイオン摩砕
工程を施した後の構造の断面図である。この工程
により円錐体３Ａの面上にある部分の層４が除去
される。

第１２図は、所望の物質を基板２の表面に対し
て小さい角度をなすように真空蒸着することによ
つて結線素子７が円錐体３Ａの一部に付着された
後の、第１１図の構造の断面図である。この構造
においては、結線素子７が層４とは異なる物質か
ら成ることができ、その物質は結線素子７がジヨ
セフソン電流を輸送することができるような低バ
ンド・ギヤツプ物質であつてもよい。あるいは、
素子７は超微細橋絡への使用に好適な超電導物質
であつてもよい。層４上に付着された物質は基板
２の表面に対して高角度でアルゴン・イオン摩砕
することにより除去することができ、これにより
素子７がほぼ処理を受けないまま残される。

第１３図は、絶縁物質の層６が構造上に付着さ
れた後の第１２図の構造の断面図である。

第１４図は、第１３図の構造を回転しながら基
板２の上面に平行な方向にアルゴン・イオン摩砕
工程を施した後の構造の断面図である。この工程
により、層６の平坦面から上に突出する部分の層
６及び円錐体3Aの上端部が除去され、素子７の
先端部分が露出される。

最終工程では、層５が付着され、全体的に平面
状である第９図の結線デバイス１が得られる。

Ｇ 発明の効果 本発明による上述の構造と方法によれば、デバ
イスに適合する抵抗値をもつほぼ理想的なジヨセ
フソン微細橋絡を製造することが可能となる。こ
れらの微細橋絡は、そのような橋絡の端部に接続
された超電導体のコヒーレントな長さ
（coherence length）と等しいかそれより短い橋
絡の長さ（bridge length）をもつ。そして、そ
の橋絡を３次元構造と大きさにより橋絡からの熱
の散逸が極大化され、それと同時にオーム性の加
熱により微細橋絡の電気的特性におけるヒステリ
シスが最小限に抑えられる。また、微細橋絡に加
えてきわめて小さい断面積をもつトンネル接合を
形成することも可能となる。

尚、本発明の構造及び方法は単一の円錐台また
は円錐体に関連して説明されてきたが、同一の構
造上で、そのような複数の結線デバイス１のアレ
イを形成できることを理解されたい。この製造手
続は集積回路技術に完全に適合し、従つて弱リン
ク・デバイス及び金属化レベル間の結線も完全に
可能である。また、上記の実施例では一対の金属
化レベルを接続する結線素子について図示されて
いるが、それと同一の方法は２つ以上のレベルに
も利用できることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る結線構造の
断面図、第２図は、本発明の他の実施例に係る結
線構造の断面図、第３〜５図は、第１図の構造の
製造工程を示す断面図、第６〜８図は、第２図の
構造の製造工程を示す断面図、第９図は、本発明
のさらに他の実施例に係る結線構造の断面図、第
１０〜１４図は、第９図の構造の製造工程を示す
断面図である。 ３，８……非導電性物質の素子、４……第１の
層、７……結線素子、６……絶縁物質の層、５…
…第２の層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ (a) 基板と、 (b) 上記基板上に配置されて少くとも円錐形の一
   部であるような形状をもつ非導電性物質の素子
   と、 (c) 一部が上記基板上に配置され、別の部分が上
   記非導電性物質の素子の第１の部分に隣接する
   導電物質の第１の層と、 (d) 上記非導電性素子の表面の第２の部分上に配
   置された素子であり、該素子の第１の部分は上
   記第１の層と電気的に接触してなる結線素子
   と、 (e) 上記第１の層上に配置された絶縁物質の層で
   あつて、その一部が上記結線素子の第２の部分
   と隣接してなる絶縁物質の層と、 (f) 上記絶縁物質の層と上記非導電性素子の第３
   の部分上に配置され、上記結線素子の第３の部
   分に電気的に接触する導電物質の第２の層、 とを具備する電気的結線構造。 ２ 上記非導電物の素子が汚染レジストから形成
   されてなる特許請求の範囲第１項に記載の電気的
   結線構造。 ３ 上記結線素子が導電性の通常の金属である特
   許請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 ４ 上記結線素子が超電導物質の素子である特許
   請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 ５ 上記結線素子が半導体物質の素子である特許
   請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 ６ 上記結線素子が半金属物質の素子である特許
   請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 ７ 上記結線素子がジヨセフソン・トンネル効果
   を可能ならしめるに十分な厚さをもつ低バンド・
   ギヤツプの物質である特許請求の範囲第１項に記
   載の電気的結線構造。 ８ 上記第１及び第２の層が超電導金属である特
   許請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 ９ 上記第１及び第２の層が半導体である特許請
   求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 １０ 上記第１及び第２の層が半金属である特許
   請求の範囲第１項に記載の電気的結線構造。 １１ (a) 形状が円錐体の少くとも一部である様
   な少くとも１つの非導電性の素子を基板上に形
   成し、 (b) 上記基板の表面上に導電物質の第１の層を付
   着し、上記少くとも１つの非導電性素子の少く
   とも一部に結線素子を付着し、 (c) 上記第１の層と上記結線素子上に、少くとも
   １つの非導電素子と上記結線素子の高さよりも
   小さい厚さとなるように絶縁物質の層を付着
   し、 (d) 上記結線素子の一部を露出するために、上記
   絶縁物質の層の厚さよりも大きい高さをもつ結
   線素子及び上記絶縁物質の層の少くとも一部を
   除去し、 (e) 上記絶縁物質の層の残りの部分及び上記結線
   素子の上記一部上に導電物質の第２の層を付着
   し、以て上記第１及び第２の層の間に電気的接
   続をはかる工程を含む電気的結線構造の形成方
   法。 １２ 上記非導電性の素子を基板上に形成する工
   程が、 上記基板の表面上に炭素系物質の層を形成し、 上記炭素系物質の層の少くとも１つの円錐体が
   形成されるに十分な時間だけ電子ビームを上記炭
   素系物質の層に照射する工程を含む特許請求の範
   囲第１１項に記載の電気的結線構造の形成方法。 １３ 上記結線素子が通常の金属からなる特許請
   求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形成
   方法。 １４ 上記結線素子が超電導物質からなる特許請
   求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形成
   方法。 １５ 上記結線素子が半導体物質からなる特許請
   求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形成
   方法。 １６ 上記結線素子が半金属からなる特許請求の
   範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形成方
   法。 １７ 上記結線素子がジヨセフソン・トンネル効
   果を可能ならしめるに十分な厚さをもつ低バン
   ド・ギヤツプの物質である特許請求の範囲第１１
   項に記載の電気的結線構造の形成方法。 １８ 上記第１及び第２の層が超電導物質である
   特許請求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造
   の形成方法。 １９ 上記第１及び第２の層が半導体である特許
   請求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形
   成方法。 ２０ 上記第１及び第２の層が半金属である特許
   請求の範囲第１１項に記載の電気的結線構造の形
   成方法。