JPS6243116A - アルミニウム箔からなるコンデンサ電極の製法 - Google Patents
アルミニウム箔からなるコンデンサ電極の製法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D11/12—Anodising more than once, e.g. in different baths
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は低電圧用（定格１００ｖのコンデンサ用）の、
１５０Ｖまでで腐食された箔を中間電圧ないし高電圧用
に適合させる二行程陽極処理法に関する。
１５０Ｖまでで腐食された箔を中間電圧ないし高電圧用
に適合させる二行程陽極処理法に関する。
従来の技術
低電圧として腐食された箔は一般に微細な腐食構造を有
する。腐食処理が直流を用いて電気化学的に行なわれる
場合、腐食構造は方向を頻繁に変える狭い管又はトンネ
ルからなり、完全に線条である。低電圧コンデンサ用（
０〜１００■）として、障壁を陽極処理された成形皮膜
は比較的薄く、これらのトンネルの内部は充填又は埋込
まれることなく陽極酸化物で覆われる。
する。腐食処理が直流を用いて電気化学的に行なわれる
場合、腐食構造は方向を頻繁に変える狭い管又はトンネ
ルからなり、完全に線条である。低電圧コンデンサ用（
０〜１００■）として、障壁を陽極処理された成形皮膜
は比較的薄く、これらのトンネルの内部は充填又は埋込
まれることなく陽極酸化物で覆われる。
従ってその表面積は大きくまた充填又は使用コンｒノサ
′賀解液はこれらのトンネル内を貫通することができる
。
′賀解液はこれらのトンネル内を貫通することができる
。
高電圧用（約２５０Ｖ）の、直流を使用して電気化学的
に腐食された箔は一般にかなり粗いトンネル腐食構造を
有する。トンネルは広く、無秩序に配列されているので
はなく、腐食構造は子供のジャングルジムに類似してい
るといえる。この広いトンネルは高電圧作業に必要とさ
れる厚い陽極酸化物皮膜を提供する。
に腐食された箔は一般にかなり粗いトンネル腐食構造を
有する。トンネルは広く、無秩序に配列されているので
はなく、腐食構造は子供のジャングルジムに類似してい
るといえる。この広いトンネルは高電圧作業に必要とさ
れる厚い陽極酸化物皮膜を提供する。
交流を用いて腐食された箔は著しく異なる腐食構造を有
する。トンネルよりもむしろ穴が形成され、腐食構造は
葡萄の房又はカリフラワーの花に類似する。低電圧ＡＣ
（交流）腐食は、極めて微細でまた陽極酸化物によって
容易に埋込まれる可能性のある穴を生じ、その結果表面
積、従って静′１容量は減少する。高電圧ＡＣ腐食は一
層深い多数の円形の穴を生じ、この穴は腐食によって生
じた増大した箔表面積を著しく減少させることなしに、
より厚い陽極酸化物層を提供する。
する。トンネルよりもむしろ穴が形成され、腐食構造は
葡萄の房又はカリフラワーの花に類似する。低電圧ＡＣ
（交流）腐食は、極めて微細でまた陽極酸化物によって
容易に埋込まれる可能性のある穴を生じ、その結果表面
積、従って静′１容量は減少する。高電圧ＡＣ腐食は一
層深い多数の円形の穴を生じ、この穴は腐食によって生
じた増大した箔表面積を著しく減少させることなしに、
より厚い陽極酸化物層を提供する。
中間電圧用（１５０〜２５０Ｖ）の箔は、前記の一層均
整のとれた幅広い双方の腐食構造によって示されるもの
の中間構造を有する。
整のとれた幅広い双方の腐食構造によって示されるもの
の中間構造を有する。
更にコンデンサ製造業者は広範な電圧範囲でのコンデン
サを製造可能とするため多数の腐食箔を記録しなければ
ならない。腐食された箔の各範囲を多数記録保持するこ
とによって経費はかかるが、さもなければ特殊な電圧範
囲での需用が大きい場合適当な箔が不足するという危険
が生じる。
サを製造可能とするため多数の腐食箔を記録しなければ
ならない。腐食された箔の各範囲を多数記録保持するこ
とによって経費はかかるが、さもなければ特殊な電圧範
囲での需用が大きい場合適当な箔が不足するという危険
が生じる。
発明を達成するだめの手段
本発明により低電圧で腐食されたアルミニウム箔は二行
程陽極処理法で中間〜高電圧用に適合される。箔を第一
行程でアジピン酸塩電解液中で低電圧で陽極処理し、次
いで第二行程で硼酸塩電解液中で高電圧で陽極処理する
。両行程１１８５℃から電解液の沸点までの温度で、有
利には９０℃で実施する。
程陽極処理法で中間〜高電圧用に適合される。箔を第一
行程でアジピン酸塩電解液中で低電圧で陽極処理し、次
いで第二行程で硼酸塩電解液中で高電圧で陽極処理する
。両行程１１８５℃から電解液の沸点までの温度で、有
利には９０℃で実施する。
好まし７いアジピン酸塩電解液は、米国特許第４．５３
７，６６５号明細書に記載されており、これはアジピン
酸塩０５〜１２％を含む水溶液、有利にはアジピン酸ゾ
アンモニウム４５％溶液である。
７，６６５号明細書に記載されており、これはアジピン
酸塩０５〜１２％を含む水溶液、有利にはアジピン酸ゾ
アンモニウム４５％溶液である。
好まし７い硼酸塩電解液は、第二の高電圧行程（例えば
２０口Ｖ以上）で要求される高抵抗率を得るため、硼酸
５〜１０％、有利には１０チをかむ溶液である。
２０口Ｖ以上）で要求される高抵抗率を得るため、硼酸
５〜１０％、有利には１０チをかむ溶液である。
本発明の二行程陽極処理で、低電圧コンデンサ用として
腐食されまた微細な腐食構造を有する箔は、微細な腐食
構造を埋込むことなく高電圧で陽極処理することができ
る。この結果第一行程のアジピン酸塩陽極処理で腐食構
造容積の多くを消費しない薄い誘電酸化物が生じ、第二
の陽極酸化物層が提供される。結果的に記録中の箔の種
類を減少させ及び／又は中間ないし高電圧範囲の多くの
需用に応することができる。
腐食されまた微細な腐食構造を有する箔は、微細な腐食
構造を埋込むことなく高電圧で陽極処理することができ
る。この結果第一行程のアジピン酸塩陽極処理で腐食構
造容積の多くを消費しない薄い誘電酸化物が生じ、第二
の陽極酸化物層が提供される。結果的に記録中の箔の種
類を減少させ及び／又は中間ないし高電圧範囲の多くの
需用に応することができる。
実施例
低電圧用、すなわち定格１００■以下のコンデンサ用の
腐食された箔をまずアゾピン酸中で陽極処理し、次いで
硼酸中で陽極処理した。所望の化成電圧に応じてアゾピ
ン酸塩電解液はアジピン酸塩、有利にはアジピン酸ゾア
ンモニウム０．５〜１２チを含む水溶液である。硼酸電
解液は２００Ｖ以上で陽極処理するのに適した硼酸５〜
１０チを含む水溶液である。双方の陽極処理行程は８５
℃から電解液の沸点までの間で実施する。
腐食された箔をまずアゾピン酸中で陽極処理し、次いで
硼酸中で陽極処理した。所望の化成電圧に応じてアゾピ
ン酸塩電解液はアジピン酸塩、有利にはアジピン酸ゾア
ンモニウム０．５〜１２チを含む水溶液である。硼酸電
解液は２００Ｖ以上で陽極処理するのに適した硼酸５〜
１０チを含む水溶液である。双方の陽極処理行程は８５
℃から電解液の沸点までの間で実施する。
下記の実施例では１５０Ｖまでで腐食した箔を本発明の
方法（Ａ）で陽極処理し、標準高電圧法（Ｂ）例えば予
備沸騰により水和酸化物層を生ぜしめ、次いで高電圧陽
極処理することにより製造した、同じ１５０ｖで腐食し
た箔と比較した。更に高電圧で腐食した箔を比較のだめ
記載する。
方法（Ａ）で陽極処理し、標準高電圧法（Ｂ）例えば予
備沸騰により水和酸化物層を生ぜしめ、次いで高電圧陽
極処理することにより製造した、同じ１５０ｖで腐食し
た箔と比較した。更に高電圧で腐食した箔を比較のだめ
記載する。
試料（Ａ）はまずアジピン酸ジアンモニウムの４．５チ
水溶液系中で１５０ｖで陽極処理し、洗浄し、次いで硼
酸の１０チ水溶液中で２８０ｖで陽極処理した。試料（
Ｂ）は水中で沸騰させて水利酸化物層を形成させ、次い
で硼酸塩電解液中で２８０ｖで陽極処理する標準高電圧
法で陽極処理した。
水溶液系中で１５０ｖで陽極処理し、洗浄し、次いで硼
酸の１０チ水溶液中で２８０ｖで陽極処理した。試料（
Ｂ）は水中で沸騰させて水利酸化物層を形成させ、次い
で硼酸塩電解液中で２８０ｖで陽極処理する標準高電圧
法で陽極処理した。
試料１の箔は標準の直流（ＤＣ）で腐食した低電圧箔で
あり、試料２はＡＣで腐食した低電圧箔であり、試料６
は実験的なパルスＤＣ腐食箔であり、これはアジピン酸
塩−硼酸塩処理によって陽極処理されており、試料４は
高電圧ＤＣ腐食箔（２００〜３５０Ｖ）であった。
あり、試料２はＡＣで腐食した低電圧箔であり、試料６
は実験的なパルスＤＣ腐食箔であり、これはアジピン酸
塩−硼酸塩処理によって陽極処理されており、試料４は
高電圧ＤＣ腐食箔（２００〜３５０Ｖ）であった。
陽極酸化物皮膜の厚さの定性分析値である注水電圧（平
均１２久／Ｖ）及び箔００６−４５ｃ’（＝１ｉｆ＄２
）当りの静電容量（μＦ ）は２８０Ｖｆで各試料につ
き測定した。
均１２久／Ｖ）及び箔００６−４５ｃ’（＝１ｉｆ＄２
）当りの静電容量（μＦ ）は２８０Ｖｆで各試料につ
き測定した。
箔 注水電圧 静電容量
Ｉ Ａ ３２９ ４ 、８５１ Ｂ
３３４ ３ 、３６２Ａ ３
３１ ５．３４２Ｂ ３３４
４．７０３Ａ ３２７ ４．４１４
Ａ ３２５ ４．６９４Ｂ
５２７ ４．８０僅少な差が存在することを示
す。しかし低電圧箔を使用した場合、本発明による二行
程アゾピン酸塩−硼酸塩化成は、標準高電圧陽啄処理を
行なった場合よりも高い静電容量を生じた。
３３４ ３ 、３６２Ａ ３
３１ ５．３４２Ｂ ３３４
４．７０３Ａ ３２７ ４．４１４
Ａ ３２５ ４．６９４Ｂ
５２７ ４．８０僅少な差が存在することを示
す。しかし低電圧箔を使用した場合、本発明による二行
程アゾピン酸塩−硼酸塩化成は、標準高電圧陽啄処理を
行なった場合よりも高い静電容量を生じた。
更に結果は、試料Ａ（本発明方法）で得られた静電容量
が高電圧箔（箔４Ｂ）を使用して標準高電圧法で得られ
た静電容量と十分に比較可能であることを示す。従って
本発明は、必要な場合には高電圧用の適当な生成物を生
じる低電圧箔の陽極処理法である。
が高電圧箔（箔４Ｂ）を使用して標準高電圧法で得られ
た静電容量と十分に比較可能であることを示す。従って
本発明は、必要な場合には高電圧用の適当な生成物を生
じる低電圧箔の陽極処理法である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、低電圧用の、腐食処理によつて得られた微細な腐食
構造を有するアルミニウム箔からコンデンサ電極を製造
する方法において、前記箔をアジピン酸塩溶液からなる
第一行程電解液中で低電圧で陽極処理し、箔から第一電
解液を洗い落し、次いでこの箔を硼酸塩化成電解液を使
用しての第二陽極処理行程で高電圧で陽極処理し、これ
により前記箔の微細な腐食構造は埋込まれず、箔は高電
圧コンデンサ用に適合されることを特徴とする、アルミ
ニウム箔からなるコンデンサ電極の製法。 ２、アジピン酸塩溶液が０．５〜１２％のアジピン酸塩
溶液である、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、アジピン酸塩がアジピン酸ジアンモニウムである、
特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、アジピン酸塩溶液が４．５％のアジピン酸ジアンモ
ニウム溶液である、特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５、硼酸塩溶液が５〜１０％の硼酸塩溶液である、特許
請求の範囲第１項記載の方法。 ６、硼酸塩溶液が１０％の硼酸溶液である、特許請求の
範囲第５項記載の方法。 ７、アジピン酸塩陽極処理及び硼酸塩陽極処理を８５℃
から溶液の沸点までの間の温度で実施する、特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ８、各陽極処理温度が９０℃である、特許請求の範囲第
７項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US765742 | 1985-08-15 | ||
| US06/765,742 US4582574A (en) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | Preparation of capacitor electrodes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243116A true JPS6243116A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0797543B2 JPH0797543B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=25074360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190701A Expired - Lifetime JPH0797543B2 (ja) | 1985-08-15 | 1986-08-15 | アルミニウム箔からなるコンデンサ電極の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4582574A (ja) |
| JP (1) | JPH0797543B2 (ja) |
| CA (1) | CA1244104A (ja) |
| GB (1) | GB2179059B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4936957A (en) * | 1988-03-28 | 1990-06-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Thin film oxide dielectric structure and method |
| US5643432A (en) * | 1995-07-13 | 1997-07-01 | Avx Corporation | Selective anodization of capacitor anode body |
| US6287673B1 (en) | 1998-03-03 | 2001-09-11 | Acktar Ltd. | Method for producing high surface area foil electrodes |
| US6865071B2 (en) * | 1998-03-03 | 2005-03-08 | Acktar Ltd. | Electrolytic capacitors and method for making them |
| US6299752B1 (en) * | 1999-03-10 | 2001-10-09 | Pacesetter, Inc. | Very high volt oxide formation of aluminum for electrolytic capacitors |
| US7125610B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-10-24 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor containing aluminum anode foil anodized in low water content glycerine-phosphate electrolyte without a pre-anodizing hydration step |
| US7578924B1 (en) | 2004-07-29 | 2009-08-25 | Pacesetter, Inc. | Process for producing high etch gains for electrolytic capacitor manufacturing |
| IL173121A (en) * | 2006-01-12 | 2011-07-31 | Dina Katsir | Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings |
| US8405956B2 (en) * | 2009-06-01 | 2013-03-26 | Avx Corporation | High voltage electrolytic capacitors |
| US10072349B2 (en) | 2016-01-05 | 2018-09-11 | Pacesetter, Inc. | Etch solutions having bis(perfluoroalkylsulfonyl)imides, and use thereof to form anode foils with increased capacitance |
| US10422050B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-09-24 | Pacesetter, Inc. | Process for using persulfate in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance |
| US10309033B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-06-04 | Pacesetter, Inc. | Process additives to reduce etch resist undercutting in the manufacture of anode foils |
| US10240249B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-03-26 | Pacesetter, Inc. | Use of nonafluorobutanesulfonic acid in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance |
| CN107287639A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-10-24 | 新疆金泰新材料技术有限公司 | 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法 |
| CN111020663B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-05-28 | 河南裕展精密科技有限公司 | 铝合金氧化膜的制作方法、铝合金氧化膜及铝合金制品 |
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1985
- 1985-08-15 US US06/765,742 patent/US4582574A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-06-30 CA CA000512821A patent/CA1244104A/en not_active Expired
- 1986-07-24 GB GB8618105A patent/GB2179059B/en not_active Expired
- 1986-08-15 JP JP61190701A patent/JPH0797543B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6137977A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-22 | Marcon Electronics Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8618105D0 (en) | 1986-09-03 |
| US4582574A (en) | 1986-04-15 |
| JPH0797543B2 (ja) | 1995-10-18 |
| GB2179059A (en) | 1987-02-25 |
| GB2179059B (en) | 1989-08-16 |
| CA1244104A (en) | 1988-11-01 |
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