CN107287639A - 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法 - Google Patents

一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107287639A
CN107287639A CN201710561577.3A CN201710561577A CN107287639A CN 107287639 A CN107287639 A CN 107287639A CN 201710561577 A CN201710561577 A CN 201710561577A CN 107287639 A CN107287639 A CN 107287639A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chemical conversion
melted
level
aqueous solution
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710561577.3A
Other languages
English (en)
Inventor
严民
陈宇峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang Jintai New Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Xinjiang Jintai New Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinjiang Jintai New Material Technology Co Ltd filed Critical Xinjiang Jintai New Material Technology Co Ltd
Priority to CN201710561577.3A priority Critical patent/CN107287639A/zh
Publication of CN107287639A publication Critical patent/CN107287639A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/12—Anodising more than once, e.g. in different baths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/055—Etched foil electrodes

Abstract

本发明公开了一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，包括铝箔的一级化成、二级化成、三级化成、四级化成和五级化成，其中，铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行，二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行，三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行，四级化成和五级化成均在含有硼酸和五硼酸铵的水溶液中进行。利用该方法制造出的电极箔比容高、折曲强度高，并且低漏电，有效提高电极箔的品质。

Description

一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法
技术领域
本发明属于电极箔生产领域，具体涉及一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法。
背景技术
目前现有的中高压铝电解电容器用的电极箔的制造方法是这样的：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔，在95-100℃的纯水中浸渍10min；取出后置于0.1wt％的壬二酸和2wt％的壬二酸铵的水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为200v的条件下，一级化成18min；再置于7wt％的硼酸和0.4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为430v的条件下，二级化成18min；再置于7wt％的硼酸和0.3wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为530v的条件下，三级化成30min；取出后进行500℃的高温热处理3-4min；然后再置于7wt％的硼酸和0.3wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为530v的条件下，化成10-12min，最后取出，烘干。采用这种电极箔的制造方法，工艺要求电流密度大，能耗高，且生产效率低，并且通过上述制造方法制造出的电极箔的比容低、折曲强度低且漏电大。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明公开一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，利用该方法制造出的电极箔比容高、折曲强度高，并且低漏电，有效提高电极箔的品质。
本发明通过下述技术方案实现：
一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，包括铝箔的一级化成、二级化成、三级化成、四级化成和五级化成，其中，铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行，二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行，三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行，四级化成和五级化成均在含有硼酸和五硼酸铵的水溶液中进行。
本发明采用五级化成，其中，铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行，二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行，三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行，由于壬二酸及壬二酸铵的作用，得到的电极箔具有比容高、折曲强度高，并且低漏电的优异性能，提高了电极箔的品质，同时，各级化成所需的电流密度相比于现有方法而言大大减小，且每级化成时间大大缩短，节约了大量电能，提高了电极箔的化成效率。
其中，所述一级化成的具体工艺为：将经过预处理的铝箔浸入含有1-2wt％的壬二酸和2-5wt％的壬二酸铵的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、120V条件下化成6min。
所述二级化成的具体工艺为：将一级化成后的铝箔浸入含有1-2wt％的壬二酸、1.5-3wt％的壬二酸铵和1-3wt％硼酸的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、250V条件下化成6min。
所述三级化成的具体工艺为：将二级化成后的铝箔浸入含有1-3wt％的柠檬酸、1.5-3wt％的壬二酸铵和1-3wt％硼酸的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、400V条件下化成6min。
所述四级化成的具体工艺为：将铝箔浸入含有3-5wt％的硼酸和4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、550V条件下化成6min。
所述五级化成的具体工艺为：将四级化成后的铝箔浸入添加了5-6wt％的硼酸、2-4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在75-79.5℃、8-10mA/cm2、520V的条件下，化成12min。
在铝箔的三级化成完成后，将铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电，然后再进行四级化成和五级化成。
铝箔预处理的具体工艺为：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为97-98℃的纯水中处理9-12min形成一水水和氧化膜或三水水和氧化膜，然后将铝箔在1-5wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为83-85℃。
五级化成完成后，将铝箔依次进行高温焙烧、修复化成、化学处理、再次修复化成和烘干工艺。
高温焙烧、修复化成、化学处理和再次修复化成工艺具体为：将铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有6-7wt％的硼酸、4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在70-85℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理6-12min，再置于含有6-7wt％的硼酸、4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85-88℃、1-2mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
本发明一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，采用五级化成，其中，铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行，二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行，三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行，由于壬二酸及壬二酸铵的作用，得到的电极箔具有比容高、折曲强度高，并且低漏电的优异性能，提高了电极箔的品质，同时，各级化成所需的电流密度相比于现有方法而言大大减小，且每级化成时间大大缩短，节约了大量电能，提高了电极箔的化成效率。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，具体实施步骤如下：
(1)预处理：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为97℃的纯水中处理12min，然后将铝箔在5wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为85℃；
(2)一级化成：将经过预处理的铝箔浸入含有1wt％的壬二酸和5wt％的壬二酸铵的水溶液中，在85℃、10mA/cm2、120V条件下化成6min；
(3)二级化成：将一级化成后的铝箔浸入含有1wt％的壬二酸、3wt％的壬二酸铵和3wt％硼酸的水溶液中，在85℃、10mA/cm2、250V条件下化成6min；
(4)三级化成：将二级化成后的铝箔浸入含有3wt％的柠檬酸、1.5wt％的壬二酸铵和3wt％硼酸的水溶液中，在85℃、10mA/cm2、400V条件下化成6min；
(5)将三级化成后的铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电；
(6)四级化成：将铝箔浸入含有3wt％的硼酸和6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85℃、10mA/cm2、550V条件下化成6min；
(7)五级化成：将四级化成后的铝箔浸入添加了5wt％的硼酸、4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在79.5℃、10mA/cm2、520V的条件下，化成12min；
(8)将五级化成后的铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有7wt％的硼酸、4wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在85℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理6min，再置于含有7wt％的硼酸、4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85℃、2mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
实施例2
一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，具体实施步骤如下：
(1)预处理：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为98℃的纯水中处理9min，然后将铝箔在1wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为83℃；
(2)一级化成：将经过预处理的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸和2wt％的壬二酸铵的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、120V条件下化成6min；
(3)二级化成：将一级化成后的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸、1.5wt％的壬二酸铵和1wt％硼酸的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、250V条件下化成6min；
(4)三级化成：将二级化成后的铝箔浸入含有1wt％的柠檬酸、3wt％的壬二酸铵和1wt％硼酸的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、400V条件下化成6min；
(5)将三级化成后的铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电；
(6)四级化成：将铝箔浸入含有5wt％的硼酸和4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、550V条件下化成6min；
(7)五级化成：将四级化成后的铝箔浸入添加了6wt％的硼酸、2wt％的五硼酸铵的水溶液中，在75℃、8mA/cm2、520V的条件下，化成12min；
(8)将五级化成后的铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有6wt％的硼酸、6wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在70℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理12min，再置于含有6wt％的硼酸、6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在88℃、1mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
实施例3
一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，具体实施步骤如下：
(1)预处理：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为98℃的纯水中处理10min，然后将铝箔在4wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为84℃；
(2)一级化成：将经过预处理的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸和3wt％的壬二酸铵的水溶液中，在86℃、9mA/cm2、120V条件下化成6min；
(3)二级化成：将一级化成后的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸、2wt％的壬二酸铵和2wt％硼酸的水溶液中，在86℃、9mA/cm2、250V条件下化成6min；
(4)三级化成：将二级化成后的铝箔浸入含有2wt％的柠檬酸、2wt％的壬二酸铵和2wt％硼酸的水溶液中，在86℃、9mA/cm2、400V条件下化成6min；
(5)将三级化成后的铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电；
(6)四级化成：将铝箔浸入含有4wt％的硼酸和5wt％的五硼酸铵的水溶液中，在86℃、9mA/cm2、550V条件下化成6min；
(7)五级化成：将四级化成后的铝箔浸入添加了6wt％的硼酸、3wt％的五硼酸铵的水溶液中，在76℃、9mA/cm2、520V的条件下，化成12min；
(8)将五级化成后的铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有7wt％的硼酸、5wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在75℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理10min，再置于含有7wt％的硼酸、5wt％的五硼酸铵的水溶液中，在87℃、2mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
实施例4
一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，具体实施步骤如下：
(1)预处理：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为98℃的纯水中处理10min，然后将铝箔在4wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为84℃；
(2)一级化成：将经过预处理的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸和4wt％的壬二酸铵的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、120V条件下化成6min；
(3)二级化成：将一级化成后的铝箔浸入含有2wt％的壬二酸、2wt％的壬二酸铵和3wt％硼酸的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、250V条件下化成6min；
(4)三级化成：将二级化成后的铝箔浸入含有2wt％的柠檬酸、2wt％的壬二酸铵和3wt％硼酸的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、400V条件下化成6min；
(5)将三级化成后的铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电；
(6)四级化成：将铝箔浸入含有4wt％的硼酸和5wt％的五硼酸铵的水溶液中，在86℃、8mA/cm2、550V条件下化成6min；
(7)五级化成：将四级化成后的铝箔浸入添加了4wt％的硼酸、3wt％的五硼酸铵的水溶液中，在78℃、8mA/cm2、520V的条件下，化成12min；
(8)将五级化成后的铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有7wt％的硼酸、5wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在80℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理8min，再置于含有6wt％的硼酸、5wt％的五硼酸铵的水溶液中，在86℃、2mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，包括铝箔的一级化成、二级化成、三级化成、四级化成和五级化成，其中，铝箔的一级化成在含有壬二酸和壬二酸铵的水溶液中进行，二级化成在含有壬二酸、壬二酸铵和硼酸的水溶液中进行，三级化成在含有柠檬、硼酸和壬二酸铵的水溶液中进行，四级化成和五级化成均在含有硼酸和五硼酸铵的水溶液中进行。
2.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，所述一级化成的具体工艺为：将经过预处理的铝箔浸入含有1-2wt％的壬二酸和2-5wt％的壬二酸铵的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、120V条件下化成6min。
3.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，所述二级化成的具体工艺为：将一级化成后的铝箔浸入含有1-2wt％的壬二酸、1.5-3wt％的壬二酸铵和1-3wt％硼酸的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、250V条件下化成6min。
4.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，所述三级化成的具体工艺为：将二级化成后的铝箔浸入含有1-3wt％的柠檬酸、1.5-3wt％的壬二酸铵和1-3wt％硼酸的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、400V条件下化成6min。
5.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，所述四级化成的具体工艺为：将铝箔浸入含有3-5wt％的硼酸和4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85-86℃、8-10mA/cm2、550V条件下化成6min。
6.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，所述五级化成的具体工艺为：将四级化成后的铝箔浸入添加了5-6wt％的硼酸、2-4wt％的五硼酸铵的水溶液中，在75-79.5℃、8-10mA/cm2、520V的条件下，化成12min。
7.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，在铝箔的三级化成完成后，将铝箔通过添加了柠檬酸与柠檬酸铵的馈电槽供电，然后再进行四级化成和五级化成。
8.根据权利要求2所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，铝箔预处理的具体工艺为：将经过腐蚀的、纯度为99.99wt％的铝箔置于温度为97-98℃的纯水中处理9-12min，然后将铝箔在1-5wt％的富马酸水溶液进行去极化处理，富马酸水溶液温度为83-85℃。
9.根据权利要求1所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，五级化成完成后，将铝箔依次进行高温焙烧、修复化成、化学处理、再次修复化成和烘干工艺。
10.根据权利要求9所述的一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法，其特征在于，高温焙烧、修复化成、化学处理和再次修复化成工艺具体为：将铝箔置于空气中，500℃高温焙烧2min，再置于含有6-7wt％的硼酸、4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中修复化成；然后在70-85℃、6wt％磷酸水溶液中化学处理6-12min，再置于含有6-7wt％的硼酸、4-6wt％的五硼酸铵的水溶液中，在85-88℃、1-2mA/cm2、520v的条件下，再次修复化成3min。
CN201710561577.3A 2017-07-11 2017-07-11 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法 Pending CN107287639A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710561577.3A CN107287639A (zh) 2017-07-11 2017-07-11 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710561577.3A CN107287639A (zh) 2017-07-11 2017-07-11 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107287639A true CN107287639A (zh) 2017-10-24

Family

ID=60101638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710561577.3A Pending CN107287639A (zh) 2017-07-11 2017-07-11 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107287639A (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107967996A (zh) * 2017-11-15 2018-04-27 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种点焊机电容器用阳极箔的化成方法
CN108221024A (zh) * 2017-12-07 2018-06-29 四川中雅科技有限公司 铝电解电容器用高压阳极氧化膜的制备方法
CN109023474A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 南通海星电子股份有限公司 一种电极箔馈电液及高强度低压化成箔的制造方法
CN110055571A (zh) * 2019-04-18 2019-07-26 宜都东阳光化成箔有限公司 一种提高铝电解电容器用中高压化成箔容量的预处理溶液及化成工艺
CN110172728A (zh) * 2019-06-12 2019-08-27 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 馈电液及其应用、电极箔及其制备方法
CN110189932A (zh) * 2019-06-12 2019-08-30 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 电极箔及其制备方法和应用
CN111330535A (zh) * 2020-03-25 2020-06-26 南通海星电子股份有限公司 一种水处理用新型吸附材料及其制备方法
CN111599598A (zh) * 2020-04-30 2020-08-28 新疆众和股份有限公司 一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺
CN113990667A (zh) * 2021-10-27 2022-01-28 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 一种电极箔的化成方法
CN114164473A (zh) * 2021-12-02 2022-03-11 四川石棉华瑞电子有限公司 用于铝电解电容器的高压化成箔化成方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6137977A (ja) * 1984-07-28 1986-02-22 Marcon Electronics Co Ltd 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法
US4582574A (en) * 1985-08-15 1986-04-15 Sprague Electric Company Preparation of capacitor electrodes
JP2007115947A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Nichicon Corp 電解コンデンサの駆動用電解液
CN101826397A (zh) * 2010-04-27 2010-09-08 四川中雅科技有限公司 中高压铝电解电容器用电极箔的五级制造方法
CN102610390A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 严民 铝电解电容器用超高压阳极箔的化成方法
CN102677056A (zh) * 2012-05-30 2012-09-19 南通海星电子有限公司 提高中高压化成箔耐水性的化成处理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6137977A (ja) * 1984-07-28 1986-02-22 Marcon Electronics Co Ltd 電解コンデンサ用アルミ箔の化成方法
US4582574A (en) * 1985-08-15 1986-04-15 Sprague Electric Company Preparation of capacitor electrodes
JP2007115947A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Nichicon Corp 電解コンデンサの駆動用電解液
CN101826397A (zh) * 2010-04-27 2010-09-08 四川中雅科技有限公司 中高压铝电解电容器用电极箔的五级制造方法
CN102610390A (zh) * 2011-01-20 2012-07-25 严民 铝电解电容器用超高压阳极箔的化成方法
CN102677056A (zh) * 2012-05-30 2012-09-19 南通海星电子有限公司 提高中高压化成箔耐水性的化成处理方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107967996A (zh) * 2017-11-15 2018-04-27 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 一种点焊机电容器用阳极箔的化成方法
CN108221024A (zh) * 2017-12-07 2018-06-29 四川中雅科技有限公司 铝电解电容器用高压阳极氧化膜的制备方法
CN109023474A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 南通海星电子股份有限公司 一种电极箔馈电液及高强度低压化成箔的制造方法
CN110055571A (zh) * 2019-04-18 2019-07-26 宜都东阳光化成箔有限公司 一种提高铝电解电容器用中高压化成箔容量的预处理溶液及化成工艺
CN110172728A (zh) * 2019-06-12 2019-08-27 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 馈电液及其应用、电极箔及其制备方法
CN110189932A (zh) * 2019-06-12 2019-08-30 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 电极箔及其制备方法和应用
CN110189932B (zh) * 2019-06-12 2021-11-09 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 电极箔及其制备方法和应用
CN111330535A (zh) * 2020-03-25 2020-06-26 南通海星电子股份有限公司 一种水处理用新型吸附材料及其制备方法
CN111599598A (zh) * 2020-04-30 2020-08-28 新疆众和股份有限公司 一种缩体牛角型铝电解电容器用高压阳极箔的制备工艺
CN113990667A (zh) * 2021-10-27 2022-01-28 宝兴县剑锋制箔电子有限公司 一种电极箔的化成方法
CN114164473A (zh) * 2021-12-02 2022-03-11 四川石棉华瑞电子有限公司 用于铝电解电容器的高压化成箔化成方法
CN114164473B (zh) * 2021-12-02 2023-08-22 四川石棉华瑞电子有限公司 用于铝电解电容器的高压化成箔化成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107287639A (zh) 一种高比容、高折曲、低漏电电极箔的化成方法
CN107287638A (zh) 一种耐大纹波电流电极箔的化成方法
CN104499028B (zh) 一种超低电压阳极氧化铝箔制造方法
CN101221855B (zh) 中高压铝电解电容器用化成箔的制造方法
CN101777432A (zh) 特高压铝电解电容器用阳极箔的化成工艺
CN101187048A (zh) 铝电解电容器用中高压化成箔五级化成法
CN103187181A (zh) 一种中高压铝电解电容器阳极箔六级化成方法
CN102709059A (zh) 一种中压铝电解电容器阳极箔的化成方法
US20140161970A2 (en) A method of manufacturing an anode foil for aluminum electrolytic capacitor
CN102610396B (zh) 节能灯电解电容器用化成箔的制造方法
CN101707141A (zh) 一种铝电解电容器阳极箔的制造方法
CN107993846A (zh) 一种提高中高压铝电解电容器用化成箔耐水性的处理方法
CN102723205A (zh) 中高压铝电解电容器阳极箔的腐蚀方法
CN101748462A (zh) 高压铝电解电容器用阳极铝箔的化成方法
CN101383228A (zh) 低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法
WO2023056725A1 (zh) 一种孔长高一致性的腐蚀铝箔的制备方法
CN106340404B (zh) 一种低压铝电解电容器用高介电纳米复合氧化膜阳极箔的制备方法
CN107967996A (zh) 一种点焊机电容器用阳极箔的化成方法
CN109859949A (zh) 一种降低中高压化成箔漏电流的方法
CN107799313A (zh) 一种化成箔及其生产工艺
CN1117185C (zh) 中高压铝电解电容器用电极箔的四级制造方法
CN105624757B (zh) 一种铝电解电容器用阳极铝箔的工频交流阳极氧化法
CN109023474A (zh) 一种电极箔馈电液及高强度低压化成箔的制造方法
CN105742067A (zh) 提高固态电容器容量引出率及改善漏电电流铝箔生产方法
CN113957504A (zh) 一种高比容的节能的高压铝箔交流阳极氧化方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171024

RJ01 Rejection of invention patent application after publication