JPS5832407A - タンタル電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

タンタル電解コンデンサの製造方法

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JPS5832407A
JPS5832407A JP13112781A JP13112781A JPS5832407A JP S5832407 A JPS5832407 A JP S5832407A JP 13112781 A JP13112781 A JP 13112781A JP 13112781 A JP13112781 A JP 13112781A JP S5832407 A JPS5832407 A JP S5832407A
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JP
Japan
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voltage
chemical conversion
tantalum
tantalum electrolytic
electrolytic capacitor
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JP13112781A
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JPS629206B2 (ja
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中田 維明
上野 二良
泰弘 小川
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はタンタル電解コンデンサの製造方法に関するも
のである。
タンタル電解コンデンサ等の固体電解コンデンサにおい
ては、その誘電体皮膜である化成皮膜は、電解質に溶液
が用いられる湿式や乾式コンデンサに比較して、その厚
さが大幅に大きく選ばれている。すなわち、湿式あるい
は乾式の電解コンデンサにおいては、皮膜の厚さを決定
する化成電圧が定格電圧の約1.5倍であるのに対し、
固体電解コンデンサでは、3ないし4倍に選ばれている
。これは、固体電解コンデンサにおいては、電解質であ
る二酸化マンガンの付着工程での漏れ電流の増大や化成
皮膜耐電圧の低下が避けられないことと、二酸化マンガ
ンの化成皮膜に対する修復機能が溶液型電解質より劣る
ためである。
本発明の目的は、タンタルの化成皮膜を、二酸化マンガ
ン付着工程で劣化し難い皮膜に転換することによって、
化成皮膜を薄くして靜p、に容Mの増大を計ろうとする
ことにある。
本発明は、タンタルの化成皮膜を形成するに際し、通常
タンタル電極の化成に用いられているりン酸水溶液など
の化成液中でタンタル電極を化成して誘電酸化膜を形成
させたのち、硝酸塩や亜硝酸塩又はこれらの混合物の溶
誘塩中で陽極的に通電処理をし、こののちさらに水溶液
の電解液中で陽極的に通電処理をすることを特徴とする
ものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
1.6mmφX2.OmmLの円柱状のタンタル焼結電
極を86℃の0.1%の燐酸中で3 s mA/gの電
流密度で所定の化成電圧まで定電圧化成し、2時間この
電圧で保持する(ム1化成と呼ぶ)、いわゆる一般的に
行なわれている方法による化成電極と、こののち更に、
溶融塩電解液として硝酸塩、亜硝酸塩又はこれらの混合
塩の溶融塩中に浸漬して、陽極的に所定の電圧で10分
間通電処理(F化成と呼ぶ)し、更に白6℃の0.1チ
燐酸中で30分間所定の’rt+用・で1lfl 17
7 Ql、l’lll (ム2化成、111・F、ζ:
)1./、−ものを準備する。次に、周知の製造方法に
従って固体コンデンサを作成する。すなわち、硝酸マン
ガン水溶液を電極に含浸しこれを加熱分解して二酸化マ
ンガンを化成皮膜上に形成させる工程と、この電極を水
溶液電解液中に浸漬して陽極的に40Vの電圧を印加し
て熱分解中に生じた皮膜の損傷を修復させる工程を数回
繰り返すことにより、二酸化マンガン層を化成皮膜上に
均一に形成させる。
こののち、二酸化マンガン上にコロイダルカーボン層、
ムqペイント層を順次設けることによって、電極層を形
成して固体電解コンデンサ素体が完成する。完成したコ
ンデンサ素体について、キャパシタンスブリッジによっ
て、120Hzの交流で容量およびtanδを測定した
。次に16vの直流を3分間印加したのちの漏れ電流を
測定した。さらに、3ov/分の電圧上昇速度で、コン
デンサの破壊電圧(BDV)を測定した。
第1表は、いくつかの化成条件で試作したメンタルコン
デンサ素体の特性値を示したものである。
第1表から明らかなように、本発明の化成方法によれば
、従来のものより、漏れ電流や破壊電圧などの特性を劣
化せしめることなく大きい静電容量を得ることができる
。なお、溶融塩の温度については、第1表では300℃
および320℃の場合について示したが、これらの温度
に限定されるものではない。
(↓j・下徐白) つぎに溶融塩温度を変化させたときの実施例を示す。
2.8 +nmφX2,8rnnnLの円柱状のタンタ
ル焼結電極を既に述べたような条件でA1化成したもの
と、こののち、硝酸ナトリウムと硝酸カリウムの等重量
比の混合塩からなる溶融塩中で陽極的に所定の電圧で1
0分分間化成したのち、A2化成を行なったものとを準
備する。次にすでに述べた周知の方法でこれらの電極を
固体コンデンサ素子に仕上げた。但し、二酸化マンガン
形成工程における皮膜修復のための再化成電圧は30v
で行なった。
第2表はコンデンサの化成条件と電気特性を示したもの
である。
本発明の方法について260℃から350℃の溶門塩温
度にわたって、A1化成電圧がSOVの場合に着目する
と、漏れ電流およびBDVの顕著な改善が見られる。ま
た従来の化成では、化成電圧を4ovと低くとって、静
電□容量を増大させて保持して、′しかも静電容量の増
大を計ることができる。
なお、実施例では、A1化成電圧が4oVおよび6ov
の場合を例示したが、本発明は従来の化成の可能な化成
電圧範囲全域にわたって適用可能である。
(上り、下冷白) 以上に述べたように、本発明の方法により、漏れ電流お
よび破壊電圧の改善された化成皮膜が形成できるので、
電気特性の優れたタンタル電解コンデンサの製造が可能
である。又、漏れ電流および破壊電圧を従来の水準に留
めれば、静電容量を大きく引き出すことができるので、
高価なメンタル材料を節約でき、資源的にもきわめて有
用である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  タンタル金属を水溶液電解液中で化成して誘
    雷酸化膜を形成したのち、硝酸塩、亜硝酸塩又はこれら
    の混合物の溶融塩中で陽極的に電圧を印加して通電処理
    し、とののち更に水溶液の電解液中で陽極的に電圧を印
    加して通電処理することにより前記メンタル金属の表面
    に化成皮膜を形成し、しかる後、この化成皮膜上に二酸
    化マンガン層および電極層を形成することを特徴とする
    タンタル電解コンデンサの製造方法。 (2、特許請求の範囲第(1)項の記載において、硝酸
    塩、亜硝酸塩又はこれらの混合物の溶融塩として、25
    0〜350’Cの温度範囲にあるものを用いることを特
    徴とするタンタル電解コンデンサの製造方法。
JP13112781A 1981-03-19 1981-08-20 タンタル電解コンデンサの製造方法 Granted JPS5832407A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13112781A JPS5832407A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 タンタル電解コンデンサの製造方法
US06/359,837 US4450049A (en) 1981-03-19 1982-03-19 Method of forming tantalum capacitor anodes and making the capacitors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13112781A JPS5832407A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 タンタル電解コンデンサの製造方法

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JPS5832407A true JPS5832407A (ja) 1983-02-25
JPS629206B2 JPS629206B2 (ja) 1987-02-27

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ID=15050610

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JPS646606U (ja) * 1987-07-02 1989-01-13

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JPS629206B2 (ja) 1987-02-27

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