KR890001604B1 - 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박(化成箔)의 제조방법 - Google Patents
전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박(化成箔)의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
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Description
본 발명은 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박(化成箔)의 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 화성전해액중에서 열화(劣化)가 적은 산화막을 저압용으로 에칭된 알루미늄박에 붙이고 양극산화시켜서 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 화성(化成)이라고 하는 것은 에칭된 알루미늄박을 거의 용해되지 않는 약산 및 그 염의 수용액중에는 양극산화시켜서 전기절연성 및 유전성이 있는 치밀한 산화피막(1.3Å/V)을 알루미늄 표면에 부착시키는 것을 의미하는 것으로서, 에칭된 알루미늄박을 화성하는 기술정도에 따라 전해 콘덴서의 특성이 좌우되고, 콘덴서 수명에 절대적인 영향을 주게되는 것이다.
종래의 전해 콘덴서 화성기술은 완전에 가까운 기술로 여겨졌지만, 열화가 적은 산화막을 부착시키는 방법이나 에칭효과를 떨어뜨리지 않도록 하는 기술부분에 대해서는 개선되어야 할 점이 많이 있었다.
이에 본 발명은 화성전처리를 실시하여 내수성을 갖는 얇은 뵘석(bohmite)층이 형성되도록 하므로써 불순물과 리플전류에 강하도록 하고, 결정성산화물을 형성시켜 열화에 강하고, 우수한 고온부하특성을 가지며 콘덴서 수명특성을 향상시킨 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 에칭된 알루미늄박을 화성처리하는데 있어서, 화성처리전의 에칭된 알루미늄박을 전처리로서 인산수용액으로 저비(著沸)처리시키되 이때 인산 수용액의 pH는 2.5 내지 3.0으로 조절하고, 온도는 95℃ 내지 100℃로 유지시켜서 5분 내지 10분동안 저비처리시키고 난 다음, 이를 순수 1ℓ당 아디프산 4g과 아디프산암모늄 35g을 혼합시켜 이루어진 화성액의 존재하에서 비저항 25Ωcm, 온도 80℃, pH가 5.3의 조건으로 화성처리시킨 후 최종적으로 화성열처리시켜서 됨을 특징으로 하는 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박의 제조방법인 것이다.
이하 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 저압용(10FV-140FV)으로 에칭된 알루미늄박(일본 Jcc제품, 70LM6E, OVAV)에 화성박을 피막시키기 이전에 화성전처리 과정을 실시하게 되는데, 여기서 화성전처리는 인산수용액으로 저비(箸沸 : 부글부글 끓음)처리과정을 말하는 것으로서, 이때 인산수용액의 pH를 2.5 내지 3.0으로 조절하고 온도는 95℃ 내지 100℃로 유지시켜서 5분 내지 10분동안, 좋기로는 약 9분동안 저비처리를 실시한다.
다만, 인산성분을 소량 함유한 알루미늄의 수산화막 및 산화막일 경우에는 물로 저비처리한다고 하여도 그 변화는 상당히 미소하며, 또한 수화에 대해서도 독특한 안정성이 있다고 아는 것은 이미 공지된 사실인 것이다.
이렇게 하게 되면 화성전의 알루미늄막 표면에 얇고 치밀한 뵘석(bohmite : r-Al2O3.H2O)층이 형성되게 되는데, 상기 뵘석측의 형성은 최종적으로 에칭된 피막에 형성된 화성피막에 내수성을 주게되며 열화에 강한 특성을 나타내는 데에도 도움을 주게 된다.
한편, 상기와 같이 화성전처리과정을 실시한 후에는 산화 피막의 두께를 일정하게 유지하도록 하는데, 화성도중에 생성되는 수산화 알루미늄등의 생성을 적게하기 위해서는 pH를 산성으로 낮출 필요가 있다. 그러나 이때 pH가 너무 산성으로 기울면 생성된 산화 피막조차도 쉽게 용해되는 경향이 있으므로 수산화 피막의 생성이 안정된 상태로 되도록 하기 위하여 순수 1ℓ당 아디프산과 아디프산암모늄이 적정비율로 혼합된 화성액 약품조성물을 사용하여 온도를 80℃로 유지시키는 것이 열화에 강한 결정성 산화물을 생성시키는데 좋고, 또 화성액의 pH를 5.3으로 유지되도록 하며, 비저항을 25Ωcm로 하여 저압화성에 적합하도록 한다.
그 다음으로는 최종적으로 화성열처리단계를 거쳐야 하는데, 즉 화성열처리는 450 내지 500℃에서 2 내지 3분간 실시하되 반복해서 2회 실시하는 것이 좋다.
이와같이 본 발명에서는 저압용으로 에칭된 알루미늄박을 화성전처리로서 인산저비를 실시함으로서 화성피막에 내수성을 부여하고, 또 화성전 알루미늄의 표면에 얇고 치밀한 뵘석측을 형성시키므로서, 최종제품의 에칭효과를 떨어뜨리지 않으면서도 불순물과 리플전류에 강한 화성피막을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 화성액 온도를 80℃로 유지시켜서 열화게 강한 결정성 산화물을 생성시키고, 화성액의 pH를 5.3, 화성액의 비저항을 25Ωcm로 유지시키는 화성방법으로서, 수산화 알루미늄박 생성 및 용해로 나타나는 화성액중의 백탈발생의 문제점을 해소시킬 수 있으며, 열화에 강하고 고온부하특성이 우수한 전해 콘덴서용 양극산화 피막을 갖는 화성박을 제조할 수 있는 것이다.
이하 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
[실시예]
인산수용액에 의한 화성전처리
pH가 2.8로 조절된 인산수용액의 온도를 95℃로 유지시킨 후 화성전의 에칭된 알루미늄박을 9분동안 저비처리한다.
화성액조건 및 약품조성
다음과 같은 조성비로 이루어진 화성액약품을 준비한다.
아디프산 4g/l
아디프산암모늄 35g/l
순수(H2O, /MΩ이상)1l
상기와 같이 준비된 화성액을 80℃의 온도로 조절하고 pH를 5.3으로 유지시키며, 비저항은 상기의 온도에서 25Ωcm로 되도록 한다.
그다음에 화성액의 전압을 22FV로 하고, 초기 전류밀도를 3A/dm2로 하면서 저비처리된 알루미늄박을 화성액 존재하에서 480℃의 온도에서 화성열처리를 3분간 2회 실시하여 알루미늄 화성박을 제조한다.
신뢰성 시험
상기와 같이 제조된 알루미늄 화성박을 1,000시간에 걸쳐 고온부하시험(사용전압 : 16WV용량 47μF)을 하여 본 결과 용량변화는 10%이하로 나타났으며, 누설전압은 0.0003CV/μA이하이었고, 총손실은 10%이하이었다.
이와같이 본 발명의 방법에 따라 제조할 경우 다음과 같은 효과가 있다. 첫째 : 화성도중 수산화알루미늄 생성 및 용해로 인하여 발생되는 백탁현상이 현저히 작으며 이에 따라 백탁제거 설비가 불필요하여 상당히 경제적인 방법이다. 둘째 : 화성전처리로서 내수성을 갖는 얇은 뵘층이 형성되므로 불순물에 강하고, 리플전류에도 강하며, 누설전류가 적은 화성피막이 얻어지므로 보다 효과적으로 사용할 수 있으며, 넷째 : 산화 피막두께가 균일하며, 결정성 산화물이 형성되어 열화에 강하므로, 콘덴서 수명특성이 현저히 우수한 특징이 있다.
Claims (1)
- 에칭된 알루미늄박을 화성처리하는데 있어서, 화성처리전의 에칭된 알루미늄박을 전처리로서 인산수용액으로 저비처리시키되 인산수용액의 pH를 2.5 내지 3.0으로 조절하고, 온도는 95℃ 내지 100℃로 유지시켜서 5분 내지 10분동안 저비처리시키고 난 다음, 이를 순수 1ℓ당 아디프산 4g과 아디프산암모늄 35g을 혼합시켜 화성액의 존재하에서 비저항 25Ωcm, 온도 80℃, pH가 5.3의 조건으로 화성처리시킨 후 최종적으로 화성열처리시켜서 됨을 특징으로 하는 전해 콘덴서 양극용 알루미늄 화성박의 제조방법.
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