JPH05335186A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】静電容量の向上を図る。 【構成】エッチングされたアルミニウム箔を純水ボイル
した後、本化成および再化成するにあたって、少なくと
もそのいずれかの工程において不飽和ジカルボン酸また
はその塩を含有する硼酸水溶液中で化成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、この種の電極箔は次のようにし
て作られている。まず、エッチングされ、かつ、純水中
でボイル処理されたアルミニウム箔を用意し、このアル
ミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一定の電
圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。そし
て、数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱処理
工程を数回繰返す。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では静電容量を高めるのに限度があり、最近とみに要
望されているより一層の小形かつ高容量化に応えること
ができない。

【０００４】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
ので、より高い静電容量が得られることができるように
したアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１においては、エッチングされたアルミニ
ウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処理し
た後、少なくとも不飽和ジカルボン酸またはその塩を含
有する硼酸水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して陽
極酸化することを特徴としている。

【０００６】また請求項２では、エッチングされたアル
ミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処
理した後、本化成工程を行ない、さらに再化成工程を行
なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法に
おいて、上記再化成工程では少なくとも不飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液を用いて陽極酸
化を行なうことを特徴としている。

【０００７】さらに請求項３においては、エッチングさ
れたアルミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬して
ボイル処理した後、本化成工程を行ない、さらに再化成
工程を行なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製
造方法において、上記本化成工程および上記再化成工程
のいずれにおいても、少なくとも一度は不飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含む硼酸水溶液中で化成することを
特徴としている。

【０００８】本化成および再化成は、必要に応じて数回
繰り返されるが、その場合、例えば最初にアルミニウム
箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第
１の陽極酸化を行ない、引き続きそのアルミニウム箔を
不飽和ジカルボン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液
中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第２の陽極酸化を
行なうようにしてもよいし、これとは反対に上記の第１
の陽極酸化工程と第２の陽極酸化工程とを入れ替えても
よい。

【０００９】ここで使用される不飽和ジカルボン酸また
はその塩としては、例えばフマル酸、マレイン酸、シト
ラコン酸などの鎖式ジカルボン酸またはその塩、フタル
酸、ニトロフタル酸、テトラヒドロフタル酸またはその
塩などの環式ジカルボン酸またはその塩が好ましい。

【００１０】不飽和ジカルボン酸またはその塩を含有す
る硼酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に
設定される。この硼酸水溶液中における不飽和カルボン
酸の濃度は０．００２〜１．０ｗｔ％、液温は７０〜１
００℃が好適である。また、硼酸の濃度は、０．５〜１
０ｗｔ％が好ましい。

【００１１】本化成後に、減極処理、熱処理および再陽
極酸化処理が少なくとも１回実施される。その場合、再
陽極酸化処理には本化成と同様、不飽和ジカルボン酸ま
たはその塩を含有する硼酸水溶液を用いることが好まし
く、これによれば、従来法に比べて静電容量が約１０％
以上増大する。なお、減極処理にはｐＨ７〜９で液温７
０℃のアンモニア水、またはｐＨ４〜８の燐酸水溶液な
どが用いられ、その浸漬時間は１〜５分であることが好
ましい。

【００１２】

【実施例】

〔実施例１〕 （Ａ）まず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。

【００１３】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。

【００１４】（Ｃ）次に、硼酸２０ｇ／純水１ｌ（リッ
トル）にフマル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸
水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成
を行なった。

【００１５】（Ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成
を行なった。

【００１６】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマ
ル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成
電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加し
た。

【００１７】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００１８】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００１９】（Ｈ）上記（Ｃ）と同じ条件の水溶液、す
なわち硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１ｇ添加
した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上
昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を行な
った。

【００２０】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００２１】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００２２】（Ｋ）引き続き、上記（Ｈ）と同じ条件で
再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００２３】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５４μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００２４】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極とし、一方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、
エッチング倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍｍ×３
００ｍｍ）を陰極とし、セパレ−タを介して巻回して、
コンデンサ素子を作成した。そして、このコンデンサ素
子に電解液を含浸させ、ケ−ス内に封入し、定格４００
Ｖ，１６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その
静電容量は１８．０μＦであった。

【００２５】なお、上記工程（Ｋ）と工程（Ｌ）との間
に、８５ｗｔ％の燐酸２５ｍｌ／ｌの水溶液であって、
アンモニア水でｐＨ６．５に調整した液温３０℃の水溶
液に４分間浸漬処理を行う工程を介在させてもよい。こ
の工程を追加した電解コンデンサは、例えば１０５℃、
１０００時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流に
よる劣化を防止できる。

【００２６】〔実施例２〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００２７】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにマレイン酸
アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで
上昇させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行
なった。

【００２８】（Ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにマレイン酸アンモ
ニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加し
て第２の本化成を行なった。

【００２９】（Ｅ）さらに、硼酸２０ｇ／純水１ｌにマ
レイン酸アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の
硼酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電
流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６０
０Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して第３の本
化成を行なった。

【００３０】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００３１】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００３２】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにマレイン酸
アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間
印加して第１の再化成を行なった。

【００３３】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００３４】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００３５】（Ｋ）引き続き、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００３６】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５５μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００３７】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１８．１μＦであった。

【００３８】〔実施例３〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００３９】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフタル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【００４０】（Ｄ）続いて、同アルミニウムエッチング
箔を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフタル酸を０．１ｇ
添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度
１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖま
で上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を
行なった。

【００４１】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌにフタ
ル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成
電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加し
た。

【００４２】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００４３】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００４４】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフタル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の
再化成を行なった。

【００４５】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００４６】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００４７】（Ｋ）引き続き、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００４８】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４４８μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００４９】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１７．８μＦであった。

【００５０】〔実施例４〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００５１】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【００５２】（Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１ｇ添
加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで
上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行
なった。

【００５３】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマ
ル酸アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸
水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流
を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０
分間印加した。

【００５４】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３
分間浸漬し、減極処理を行なった。

【００５５】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００５６】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の
再化成を行なった。

【００５７】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。

【００５８】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００５９】（Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００６０】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５６μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００６１】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１８．１μＦであった。

【００６２】〔実施例５〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００６３】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【００６４】（Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１ｇ添
加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで
上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行
なった。

【００６５】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマ
ル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成
電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して
第３の本化成を行なった。

【００６６】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００６７】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００６８】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て第１の再化成を行なった。

【００６９】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００７０】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００７１】（Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００７２】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５６μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００７３】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１８．１μＦであった。

【００７４】〔実施例６〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００７５】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【００７６】（Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１ｇ添
加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで
上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行
なった。

【００７７】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマ
ル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成
電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して
第３の本化成を行なった。

【００７８】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００７９】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００８０】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の
再化成を行なった。

【００８１】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００８２】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００８３】（Ｋ）しかる後、硼酸２０ｇ／純水１ｌに
硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸
水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流
を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３
分間印加して第２の再化成を行なった。

【００８４】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５５μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００８５】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１８．１μＦであった。

【００８６】〔実施例７〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００８７】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【００８８】（Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を０．１ｇ添
加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで
上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行
なった。

【００８９】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸
アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間
印加して第３の本化成を行なった。

【００９０】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００９１】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００９２】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て第１の再化成を行なった。

【００９３】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【００９４】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【００９５】（Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【００９６】（Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４５０μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【００９７】（Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１７．９μＦであった。

【００９８】〔実施例８〕 （Ａ）のアルミニウムエッチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【００９９】（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌにフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。

【０１００】（Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモニウムを０．５ｇ
添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度
１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖま
で上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を
行なった。

【０１０１】（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を同じく硼酸２０ｇ／純水１ｌ
に硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼
酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４
０分間印加して第３の本化成を行なった。

【０１０２】（Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【０１０３】（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１０４】（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て第１の再化成を行なった。

【０１０５】（Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。

【０１０６】（Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１０７】（Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と
同じ条件で再化成を繰り返した（第２の再化成）。

【０１０８】（Ｍ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４４０μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【０１０９】（Ｌ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容
量は１７．５μＦであった。

【０１１０】＜比較例１＞ （ａ）使用したアルミニウムエッチング箔、上記実施例
１の（Ａ）と同じ。

【０１１１】（ｂ）ボイル工程も上記実施例１の（Ｂ）
と同じ。

【０１１２】（ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌの水溶液、液
温８５℃中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流
密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００
Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化
成を行なった。

【０１１３】（ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を硼酸２０ｇ／純水１ｌの水溶液、液温８５℃中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第
２の本化成を行なった。

【０１１４】（ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌの水溶
液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電
圧を４０分間印加して第２の本化成を行なった。

【０１１５】（ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３
分間浸漬し、減極処理を行なった。

【０１１６】（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１１７】（ｈ）第１の再化成として、上記（ｃ）と
同じ条件の水溶液すなわち硼酸２０ｇ／純水１ｌの水溶
液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電
圧を１３分間印加した。

【０１１８】（ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。

【０１１９】（ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１２０】（ｋ）再び、硼酸２０ｇ／純水１ｌの水溶
液、液温８５℃中に再度浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平
方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して第２の再化成を行なった。

【０１２１】（ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．２９６μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【０１２２】（ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様の定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その容量は
１１．７μＦであった。

【０１２３】＜比較例２＞ （ａ）のアルミニウムエッチング箔および（ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。

【０１２４】（ｃ）硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なっ
た。

【０１２５】（ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔
を硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸アンモニウムを０．５ｇ
添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエッ
チング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流
を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０
分間印加して第２の本化成を行なった。

【０１２６】（ｅ）さらに、第３の本化成として、同ア
ルミニウムエッチング箔を硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸
アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで
上昇させ、同電圧を４０分間印加した。

【０１２７】（ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔
を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３
分間浸漬し、減極処理を行なった。

【０１２８】（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１２９】（ｈ）第１の再化成として、硼酸２０ｇ／
純水１ｌに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８
５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方
ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同
電圧を１３分間印加した。

【０１３０】（ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。

【０１３１】（ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。

【０１３２】（ｋ）再び、硼酸２０ｇ／純水１ｌに硼酸
アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間
印加して第２の再化成を行なった。

【０１３３】（ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容
量を測定したところ、０．４２３μＦ／平方ｃｍであっ
た。

【０１３４】（ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様の定格４００Ｖ，１
６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その容量は
１６．８μＦであった。

【０１３５】参考までに、次表に上記各実施例および各
比較例で得られた化成箔の箔容量とその化成箔を用いて
試作した電解コンデンサの静電容量を示す。

【０１３６】

【表１】 この表から明らかなように、本発明によると箔容量およ
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約１０
％以上増大している。

【０１３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチングされたアルミニウム箔を純水ボイルした後、
少なくとも本化成工程において、不飽和カルボン酸もし
くはその塩を含有する硼酸水溶液中で化成するようにし
たことにより、静電容量の高い電極箔が製造される。

【手続補正書】

【提出日】平成３年８月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】 明細書

【発明の名称】 アルミニウム電解コンデンサ用電
極箔の製造方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、この種の電極箔は次のようにし
て製造されている。まず、エッチングされ、かつ、純水
中でボイル処理されたアルミニウム箔を用意し、このア
ルミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一定の
電圧を印加して陽極酸化処理（化成処理）を行ない、所
望の厚さの酸化皮膜を生成させる。そして、酸またはア
ルカリ水溶液中に浸漬する減極処理および数１００℃の
高温雰囲気中に数分間放置する熱処理工程を行なう。こ
れら化成処理、減極処理、熱処理は、通常数回繰り返さ
れる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では静電容量を高めるのに限度があり、最近とみに要
望されているより一層の小形かつ高容量化に応えること
ができない。

【０００４】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
ので、より高い静電容量が得られることができるように
したアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を
提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１においては、エッチングされたアルミニ
ウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処理し
た後、少なくとも不飽和ジカルボン酸またはその塩を含
有する硼酸水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して陽
極酸化することを特徴としている。

【０００６】また請求項２では、エッチングされたアル
ミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処
理した後、本化成工程を行ない、さらに再化成工程を行
なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法に
おいて、上記再化成工程では少なくとも不飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液を用いて陽極酸
化を行なうことを特徴としている。

【０００７】さらに請求項３においては、エッチングさ
れたアルミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬して
ボイル処理した後、本化成工程を行ない、さらに再化成
工程を行なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製
造方法において、上記本化成工程および上記再化成工程
のいずれにおいても、少なくとも一度は不飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含む硼酸水溶液中で化成することを
特徴としている。

【０００８】本化成および再化成は、必要に応じて数回
繰り返されるが、その場合、例えば最初にアルミニウム
箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第
１の陽極酸化（本化成処理）を行ない、必要に応じて減
極処理を行なった後、引き続きそのアルミニウム箔を不
飽和ジカルボン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液中
に浸漬し、所定時間電圧を印加して第２の陽極酸化（再
化成処理）を行なう。これとは反対に上記の第１の陽極
酸化工程と第２の陽極酸化工程とを入れ替えてもよい。

【０００９】本化成処理および再化成処理は、それぞれ
液組成、電圧印加時間などの条件を代えた複数の陽極酸
化処理であってもよい。

【００１０】ここで使用される不飽和ジカルボン酸また
はその塩としては、例えばフマル酸、マレイン酸、シト
ラコン酸などの鎖式ジカルボン酸またはその塩、フタル
酸、ニトロフタル酸、テトラヒドロフタル酸またはその
塩などの環式ジカルボン酸またはその塩が好ましい。

【００１１】本発明においては、不飽和ジカルボン酸ま
たはその塩に代えて、その前駆体を適宜用いてもよい。
この場合の前駆体としては、酸アミド、エステル、酸無
水物などが例示される。

【００１２】不飽和ジカルボン酸またはその塩を含有す
る硼酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に
設定される。この硼酸水溶液中における不飽和カルボン
酸の濃度は０．００２〜１．０ｗｔ％、液温は７０〜１
００℃が好適である。また、硼酸の濃度は、０．５〜１
０ｗｔ％が好ましい。

【００１３】本化成後に、減極処理、熱処理および再陽
極酸化処理が少なくとも１回実施される。その場合、再
陽極酸化処理には本化成と同様、不飽和ジカルボン酸ま
たはその塩を含有する硼酸水溶液を用いることが好まし
く、これによれば、従来法に比べて静電容量が約１０％
以上増大する。なお、減極処理にはｐＨ７〜９で液温５
０〜９０℃のアンモニア水（濃度０．００１〜０．２ｗ
ｔ％）、またはｐＨ４〜８の燐酸水溶液（濃度０．１〜
８ｗｔ％）などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分で
あることが好ましい。

【００１４】

【実施例】 〔実施例１〕 （Ａ）まず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦（プレーン）箔
に対して２０倍である。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）次に、純水１ｌ（リットル）に硼酸を２０ｇおよ
びフマル酸を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液
中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上
昇させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行な
った。 （Ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチング箔を同じく
純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加
した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上
昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行な
った。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）上記（Ｃ）と同じ条件の水溶液、すなわち純水１
ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加した液
温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／
平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を行なっ
た。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）引き続き、上記（Ｈ）と同じ条件で再化成を繰り
返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５４μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極と
し、一方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エッチング倍
率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍｍ×３００ｍｍ）を
陰極とし、セパレ−タを介して巻回して、コンデンサ素
子を作成した。そして、このコンデンサ素子に電解液を
含浸させ、ケ−ス内に封入し、定格４００Ｖ１６μＦの
電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
８．０μＦであった。

【００１５】なお、上記工程（Ｋ）と工程（Ｌ）との間
に、８５ｗｔ％の燐酸２５ｍｌ／ｌの水溶液であって、
アンモニア水でｐＨ６．５に調整した液温３０℃の水溶
液に４分間浸漬処理を行なう工程を介在させてもよい。
この工程を追加した電解コンデンサは、例えば１０５
℃、１０００時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電
流による劣化を防止できる。

【００１６】〔実施例２〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびマレイン酸アンモ
ニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なっ
た。 （Ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチング箔を同じく
純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびマレイン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第
２の本化成を行なった。 （Ｅ）さらに、純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびマレイン
酸アンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水
溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度
１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖま
で上昇させ、同電圧を４０分間印加して第３の本化成を
行なった。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびマレイン酸アンモ
ニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て第１の再化成を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）引き続き、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５５μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．１μＦ
であった。

【００１７】〔実施例３〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフタル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）続いて、同アルミニウムエッチング箔を同じく純
水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフタル酸を０．１ｇ添加し
た液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍ
Ａ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフタル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４
００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフタル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成
を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）引き続き、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４４８μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１７．８μＦ
であった。

【００１８】〔実施例４〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を同じく純水
１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸ア
ンモニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間
印加した。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成
を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５６μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μF の電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．１μＦ
であった。

【００１９】〔実施例５〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を同じく純水
１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して第３の
本化成を行なった。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第
１の再化成を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５６μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．１μＦ
であった。

【００２０】〔実施例６〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を同じく純水
１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６
００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して第３の
本化成を行なった。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成
を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）しかる後、純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸ア
ンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間
印加して第２の再化成を行なった。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５５μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．１μＦ
であった。

【００２１】〔実施例７〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を同じく純水
１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモ
ニウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加し
て第３の本化成を行なった。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第
１の再化成を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５０μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１７．９μＦ
であった。

【００２２】〔実施例８〕 （Ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （Ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよびフマル酸を０．１
ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエ
ッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電
流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。 （Ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を純水１ｌに
硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加し
た液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍ
Ａ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧４００Ｖまで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。 （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を同じく純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸
アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間
印加して第３の本化成を行なった。 （Ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｈ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第
１の再化成を行なった。 （Ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、３．５ｗｔ％燐酸水溶液に３分間浸漬し、減極処理
を行なった。 （Ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （Ｋ）しかる後、同実施例の上記（Ｈ）と同じ条件で再
化成を繰り返した（第２の再化成）。 （Ｍ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４４０μＦ／平方ｃｍであった。 （Ｌ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１７．５μＦ
であった。

【００２３】＜比較例１＞ （ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （ｃ）純水１ｌに硼酸２０ｇを添加した硼酸水溶液、液
温８５℃中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流
密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧２００
Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化
成を行なった。 （ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を純水１ｌに
硼酸２０ｇを添加した硼酸水溶液、液温８５℃中に浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化成電
圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第
２の本化成を行なった。 （ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸２０ｇを添加した硼酸水溶
液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃ
ｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電
圧を４０分間印加して第２の本化成を行なった。 （ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （ｈ）第１の再化成として、上記（ｃ）と同じ条件の水
溶液、すなわち純水１ｌに硼酸２０ｇを添加した硼酸水
溶液、液温８５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方
ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同
電圧を１３分間印加した。 （ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （ｋ）再び、純水１ｌに硼酸２０ｇを添加した硼酸水溶
液、液温８５℃中に再度浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平
方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して第２の再化成を行なった。 （ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．２９６μＦ／平方ｃｍであった。 （ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様の定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その容量は１１．７μＦであ
った。

【００２４】＜比較例２＞ （ａ）純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアルミニウ
ムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング
倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０倍であ
る。 （ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。 （ｃ）純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミ
ニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方
ｃｍの電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同
電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。 （ｄ）次に、同アルミニウムエッチング箔を純水１ｌに
硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加し
た液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエッチング
箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流
し、化成電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間
印加して第２の本化成を行なった。 （ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ッチング箔を純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／平方ｃｍの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を４０分間印加した。 （ｆ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （ｈ）第１の再化成として、純水１ｌに硼酸を２０ｇお
よび硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の
硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの
電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を
１３分間印加した。 （ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング箔を液温７０
℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬
し、減極処理を行なった。 （ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。 （ｋ）再び、純水１ｌに硼酸を２０ｇおよび硼酸アンモ
ニウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／平方ｃｍの電流を流し、化
成電圧６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て第２の再化成を行なった。 （ｌ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４２３μＦ／平方ｃｍであった。 （ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様の定格４００Ｖ１６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その容量は１６．８μＦであ
った。

【００２５】参考までに、次表に上記各実施例および各
比較例で得られた化成箔の静電容量とその化成箔を用い
て試作した電解コンデンサの静電容量を示す。

【００２６】

【表１】 この表から明らかなように、本発明によると箔の静電容
量および製品の静電容量ともに、従来法による比較例に
比べて約１０％以上増大している。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチングされたアルミニウム箔を純水ボイルした後、
少なくとも本化成工程において、不飽和カルボン酸また
はその塩を含有する硼酸水溶液中で化成するようにした
ことにより、静電容量の高い電極箔が製造される。

フロントページの続き (72)発明者 遠藤 優 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナ−株式会社内 (72)発明者 羽賀 昇 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナ−株式会社内 (72)発明者 佐々木 幹夫 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号 旭 硝子株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
   の純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、少なく
   とも不飽和ジカルボン酸またはその塩を含有する硼酸水
   溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して陽極酸化するこ
   とを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の
   製造方法。
2. 【請求項２】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
   の純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、本化成
   工程を行ない、さらに再化成工程を行なうアルミニウム
   電解コンデンサ用電極箔の製造方法において、上記再化
   成工程では少なくとも不飽和ジカルボン酸またはその塩
   を含有する硼酸水溶液を用いて陽極酸化を行なうことを
   特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造
   方法。
3. 【請求項３】 エッチングされたアルミニウム箔を高温
   の純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、本化成
   工程を行ない、さらに再化成工程を行なうアルミニウム
   電解コンデンサ用電極箔の製造方法において、上記本化
   成工程および上記再化成工程のいずれにおいても、少な
   くとも一度は不飽和ジカルボン酸またはその塩を含む硼
   酸水溶液中で化成することを特徴とするアルミニウム電
   解コンデンサ用電極箔の製造方法。