JPH0494111A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
一般に、この種の電極箔は次のようにして作られている
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の溶液に浸漬し、一定
の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。そ
して、数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱処
理工程を数回繰返す。
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の溶液に浸漬し、一定
の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。そ
して、数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱処
理工程を数回繰返す。
しかしながら、この方法では静電容量を高めるのに限度
があり、最近頓に要望されているより一層の小形かつ高
容量化に応えることができない。
があり、最近頓に要望されているより一層の小形かつ高
容量化に応えることができない。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので。
より高い静電容ｔが得られることができるようにしたア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供す
ることにある。
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供す
ることにある。
上記した目的を達成するため、本発明においては、まず
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後そのアルミニウム箔を脂肪族飽和
ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸溶液中に浸
漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を行うようにし
ている。
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後そのアルミニウム箔を脂肪族飽和
ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸溶液中に浸
漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を行うようにし
ている。
この場合、脂肪族飽和ジカルボン酸としては、Ｘ０ＯＣ
−（ＣＨ，）ｎ−ＣＯＯＸの化学式（但し。
−（ＣＨ，）ｎ−ＣＯＯＸの化学式（但し。
ＸはＨ＋またはＮＨ４”、 ｎ ＝ １〜１２好ましく
はｎ＝１〜８）で表わされるものが用いられる。また、
硼酸溶液のｐＨは３〜９．好ましくは４．５〜７に設定
される。この硼酸溶液中における脂肪族飽和ジカルボン
酸の濃度は０．００２〜１．０％、液温は７０〜１００
℃が好適である６ 上記陽極酸化工程後に、減極処理、熱処理および再陽極
酸化処理が少なくとも１回実施され、これによれば、従
来法に比べて静電容量が約５〜１０％以上増大する。な
お、この減極処理にはｐＨ７〜９で液温７０℃のアンモ
ニア水、またはｐＨ４〜８の燐酸水溶液などが用いられ
、その浸漬時間は１〜５分であることが好ましい。
はｎ＝１〜８）で表わされるものが用いられる。また、
硼酸溶液のｐＨは３〜９．好ましくは４．５〜７に設定
される。この硼酸溶液中における脂肪族飽和ジカルボン
酸の濃度は０．００２〜１．０％、液温は７０〜１００
℃が好適である６ 上記陽極酸化工程後に、減極処理、熱処理および再陽極
酸化処理が少なくとも１回実施され、これによれば、従
来法に比べて静電容量が約５〜１０％以上増大する。な
お、この減極処理にはｐＨ７〜９で液温７０℃のアンモ
ニア水、またはｐＨ４〜８の燐酸水溶液などが用いられ
、その浸漬時間は１〜５分であることが好ましい。
〔実施例１〕
（Ａ）まず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエツチング箔を用意したにの場合、そのエツチ
ング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０倍
である。
ミニウムエツチング箔を用意したにの場合、そのエツチ
ング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０倍
である。
（Ｂ）このアルミニウムエツチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。
の純水中で１５分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、硼酸２０ｇ／純水ＩＱにこはく酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸溶液中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
ｅｌｆの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ
、同電圧を４０分間印加して化成を行った。
ウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸溶液中にアル
ミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
ｅｌｆの電流を流し、化成電圧６００Ｖまで上昇させ
、同電圧を４０分間印加して化成を行った。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行った。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行った。
（Ｅ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）上記（Ｃ）と同じ条件の水溶液中に再度浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／−の電流を流し、化成電圧６００ｖ
まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成した。
電流密度１０ｍＡ／−の電流を流し、化成電圧６００ｖ
まで上昇させ、同電圧を１３分間印加して再化成した。
（Ｇ）上記（Ｅ）と同じ熱処理をした。
（Ｈ）上記ＣＦ）と同じ化成処理をした。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４６５μＦ／−であった。
ところ、０．４６５μＦ／−であった。
（Ｊ）この化成箔（１５■Ｘ ２７０■）を陽極とし。
方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エツチング倍率５０
倍のアルミニウム箔（１５鵬Ｘ３００■）を陰極とし、
セパレータを介して巻回して、コンデンサ素子を作成し
た。そして、このコンデンサ素子に電解液を含浸させ、
ケース内に封入し、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コ
ンデンサを作成したところ、その静電容量は１８．５μ
Ｆであった。
倍のアルミニウム箔（１５鵬Ｘ３００■）を陰極とし、
セパレータを介して巻回して、コンデンサ素子を作成し
た。そして、このコンデンサ素子に電解液を含浸させ、
ケース内に封入し、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コ
ンデンサを作成したところ、その静電容量は１８．５μ
Ｆであった。
なお、上記工程（Ｈ）と工程（Ｉ）との間に、８５ｗｔ
％のリン酸２５ＩＩＱ／Ｑの水溶液であって、アンモニ
ア水でｐＨ６，５に調整しだ液温３０℃の水溶液に４分
間浸漬処理を行う工程を介在させてもよい。この工程を
追加した電解コンデンサは１例えば１０５℃、１０００
時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化
を防止できる。
％のリン酸２５ＩＩＱ／Ｑの水溶液であって、アンモニ
ア水でｐＨ６，５に調整しだ液温３０℃の水溶液に４分
間浸漬処理を行う工程を介在させてもよい。この工程を
追加した電解コンデンサは１例えば１０５℃、１０００
時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化
を防止できる。
〔実施例２〕
（Ａ）（Ｂ）上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸ｚｏｇ／純水ＩＱにアジピン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
（Ｄ）〜（Ｈ）上記実施例１と同じ。
（Ｉ）実施例１と同様、水洗し、乾燥させて化成箔の静
電容量を測定したところ、０．４６１μＦ／ａｗｌであ
った。
電容量を測定したところ、０．４６１μＦ／ａｗｌであ
った。
（Ｊ）この化成箔（１５閣ｘ ２７０■）を陽極として
、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コ
ンデンサを作成したところ５その静電容量は１８，３μ
Ｆであった・ 〔実施例３〕 （Ａ）（Ｂ）上記実施例１と同じ。
、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コ
ンデンサを作成したところ５その静電容量は１８，３μ
Ｆであった・ 〔実施例３〕 （Ａ）（Ｂ）上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにスペリン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
（Ｄ）〜（Ｈ）上記実施例１と同じ。
（Ｉ）実施例１と同様、水洗し、乾燥させて化成箔の静
電容量を測定したところ、０．４４４μＦ／ｃｄであっ
た。
電容量を測定したところ、０．４４４μＦ／ｃｄであっ
た。
（Ｊ）この化成箔（１５■Ｘ２７０１）を陽極として、
実施例１と同様、定格４００Ｖ、 ＩＳμＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１７．６μＦ
であった。
実施例１と同様、定格４００Ｖ、 ＩＳμＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１７．６μＦ
であった。
〔実施例４〕
（Ａ）（Ｂ）上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにセバシン酸アンモニウム
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
を０．１ｇ添加した。液温、電流密度、化成電圧および
電圧印加時間は実施例１と同じ。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエツチング箔をＰｅｌ温７
０℃、３．５ｗｔ％に調製した燐酸水溶液中に３分間浸
漬し、減極処理を行なった。
０℃、３．５ｗｔ％に調製した燐酸水溶液中に３分間浸
漬し、減極処理を行なった。
（Ｅ）〜（Ｈ）上記実施例１と同じ。
（Ｉ）実施例１と同様、水洗し、乾燥させて化成箔の静
電容量を測定したところ、０．４６３μＦ／ｄであった
。
電容量を測定したところ、０．４６３μＦ／ｄであった
。
（Ｊ）この化成Ｍ（１５■×２７０■）を陽極として、
実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．４μＦ
であった。
実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．４μＦ
であった。
く比較例１〉
（ａ）上記（Ａ）と同じ
（ｂ）上記（Ｂ）と同じ
（ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５℃中に
上記（Ｃ）と同じ条件で化成電圧を印加した。
上記（Ｃ）と同じ条件で化成電圧を印加した。
（ｄ）上記（Ｄ）と同じ条件で減極処理を行った。
（ｅ）上記（Ｅ）と同じ条件で熱処理を行った。
（ｆ）上記（ｃ）と同じ条件の水溶液中、液温８５℃中
に再度浸漬した。電流密度（Ｉ ＯｍＡ ／ ａｊ ）
、化成電圧（３８０Ｖ）および印加時間（１３分）は
１−記（ト′）と同し。
に再度浸漬した。電流密度（Ｉ ＯｍＡ ／ ａｊ ）
、化成電圧（３８０Ｖ）および印加時間（１３分）は
１−記（ト′）と同し。
（ｇ）上記（Ｅ）と同し条件で熱処理を行った。
（ｈ）上記（ｆ）と同じ化成処理を行なった。
（ｉ）上記（Ｉ）と同じであるが、この場合、化成箔の
容量を測定したところ、０．２９６μＦ／ｃｄであった
。
容量を測定したところ、０．２９６μＦ／ｃｄであった
。
（ｊ）上記（Ｊ）と同じ電解コンデンサを作成したとこ
ろ、その容量は１１．７μＦであった。
ろ、その容量は１１．７μＦであった。
〈比較例２〉
（ａ）（ｂ）上記比較例１と同じ。
（ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱと硼酸アンモニウム０．５
ｇからなる水溶液、液温８５℃中に上記比較例１と同じ
条件で化成電圧を印加した。
ｇからなる水溶液、液温８５℃中に上記比較例１と同じ
条件で化成電圧を印加した。
Ｃｄ’）〜（ｈ）上記比較例工と同じ。
（ｉ）上記比較例１と同様、化成箔の容量を測定したと
ころ、０．４２３μＦ／ａＪであった。
ころ、０．４２３μＦ／ａＪであった。
（ｊ）上記比較例１と同じ電解コンデンサを作成したと
ころ、その容量は１６．８μＦであった。
ころ、その容量は１６．８μＦであった。
参考までに、次表に上記各実施例および各比較例で得ら
れた化成箔の箔容嫌とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す６（表） この表から明らかなように、本発明によると箔容量およ
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約５〜
ｌＯ％増大している。
れた化成箔の箔容嫌とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す６（表） この表から明らかなように、本発明によると箔容量およ
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約５〜
ｌＯ％増大している。
以上説明したように、本発明によれば、エツチングされ
たアルミニウム箔を純水ボイルし１次いで同アルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含む硼
酸溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を
行うようにしたことにより、静電容量の高い電極箔が製
造される。
たアルミニウム箔を純水ボイルし１次いで同アルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含む硼
酸溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を
行うようにしたことにより、静電容量の高い電極箔が製
造される。
特許出願人 エルナー株式会社
Claims (5)
- （１）エッチングされたアルミニウム箔を高温の純水中
に所定時間浸漬する純水ボイル工程と、しかる後そのア
ルミニウム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩
を含有する硼酸溶液中に浸漬して所定時間電圧を印加す
る陽極酸化工程とを含むことを特徴とするアルミニウム
電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （２）上記脂肪族飽和ジカルボン酸は、 ＸＯＯＣ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＸ の化学式（但し、ＸはＨ＾＋またはＮＨ＿４＾＋，ｎ＝
１〜１２）で表わされるものからなる請求項１記載のア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （３）上記硼酸溶液のｐＨは４〜９である請求項１記載
のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （４）上記硼酸溶液中における上記脂肪族飽和ジカルボ
ン酸の濃度は０．００２〜１．０％．液温は７０〜１０
０℃である請求項１記載のアルミニウム電解コンデンサ
用電極箔の製造方法。 - （５）請求項１記載の陽極酸化工程後に、減極処理、熱
処理および再陽極酸化処理を少なくとも１回行うアルミ
ニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21185590A JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21185590A JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494111A true JPH0494111A (ja) | 1992-03-26 |
| JPH0785463B2 JPH0785463B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=16612716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21185590A Expired - Fee Related JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785463B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21185590A patent/JPH0785463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0785463B2 (ja) | 1995-09-13 |
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