JPH04196304A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH04196304A JPH04196304A JP2326360A JP32636090A JPH04196304A JP H04196304 A JPH04196304 A JP H04196304A JP 2326360 A JP2326360 A JP 2326360A JP 32636090 A JP32636090 A JP 32636090A JP H04196304 A JPH04196304 A JP H04196304A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
一般に、この種の電極箔は次のようにして作られている
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一
定の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。
。まず、エツチングされたアルミニウム箔を用意し、こ
のアルミニウム箔を燐酸や硼酸等の水溶液に浸漬し、一
定の電圧を印加して所望厚さの酸化皮膜を生成させる。
そして、数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱
処理工程を数回繰返す。
処理工程を数回繰返す。
しかしながら、この方法では静電容量を高めるのに限度
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、より高
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
上記した目的を達成するため、本発明においては、まず
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬したのち、本化成および再化成を行なうにあた
って、そのいずれの工程においても、少なくとも一回は
脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸
水溶液中で化成することを特徴としている。
エツチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬したのち、本化成および再化成を行なうにあた
って、そのいずれの工程においても、少なくとも一回は
脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸
水溶液中で化成することを特徴としている。
すなわち、本化成工程および再化成工程において、例え
ば最初にアルミニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定
時間電圧を印加して第１の陽極酸化を行ない、引き続き
そのアルミニウム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸もしくは
その塩を含有する硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧
を印加して第２の陽極酸化を行なうようにしてもよいし
、これとは反対にこの第１の陽極酸化工程と第２の陽極
酸化工程とを入九替えてもよい。
ば最初にアルミニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定
時間電圧を印加して第１の陽極酸化を行ない、引き続き
そのアルミニウム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸もしくは
その塩を含有する硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧
を印加して第２の陽極酸化を行なうようにしてもよいし
、これとは反対にこの第１の陽極酸化工程と第２の陽極
酸化工程とを入九替えてもよい。
この場合、脂肪族飽和ジカルボン酸としては、Ｘ ００
Ｃ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＸの化学式（但し、ＸはＨ
″または” Ｈ４” Ｉ ｎ ＝ １〜１２好ましくは
ｎ ＝ １〜８）で表わされ、その代表例としては、コ
ハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スペリ
ン酸、アゼライン酸、セバシン酸などがある。
Ｃ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＸの化学式（但し、ＸはＨ
″または” Ｈ４” Ｉ ｎ ＝ １〜１２好ましくは
ｎ ＝ １〜８）で表わされ、その代表例としては、コ
ハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スペリ
ン酸、アゼライン酸、セバシン酸などがある。
上記脂肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する
硼酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に設
定される。この硼酸水溶液中における脂肪族飽和ジカル
ボン酸の濃度は０．００２〜１．０％、Ｈ，温は７０〜
１００℃が好適である。また、硼酸の濃度は、０．５〜
１０％ｉｔ％が好ましい。
硼酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に設
定される。この硼酸水溶液中における脂肪族飽和ジカル
ボン酸の濃度は０．００２〜１．０％、Ｈ，温は７０〜
１００℃が好適である。また、硼酸の濃度は、０．５〜
１０％ｉｔ％が好ましい。
上記陽極酸化工程後に、減極処理、熱処理および再陽極
酸化処理が少なくとも１回実施される。
酸化処理が少なくとも１回実施される。
その場合、再陽極酸化処理には本化成と同様、脂肪族飽
和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水溶液が
用いられるのであるが、これによれば、従来法に比べて
静電容量が約５〜１０％以上増大する。なお、減極処理
にはＰＨ７〜９で液温７０℃のアンモニア水、またはｐ
Ｈ４〜８の燐酸水溶液などが用いられ、その浸漬時間は
１〜５分であることが好ましい。
和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水溶液が
用いられるのであるが、これによれば、従来法に比べて
静電容量が約５〜１０％以上増大する。なお、減極処理
にはＰＨ７〜９で液温７０℃のアンモニア水、またはｐ
Ｈ４〜８の燐酸水溶液などが用いられ、その浸漬時間は
１〜５分であることが好ましい。
〔実施例１〕
（Ａ）まず、純度９９．９９％で厚さ１００μ朧のアル
ミニウムエツチング箔を用意した。この場合、そのエツ
チング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエツチング箔を用意した。この場合、そのエツ
チング倍率はエツチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエツチング箔を液温９８℃以上
の純水中で１５分間ボイル処理した。
の純水中で１５分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ ｄの電流を流し、化成電圧２００ｖまで上昇させ、
同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
ウムを０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ ｄの電流を流し、化成電圧２００ｖまで上昇させ、
同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
（Ｄ）引き続き、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２
０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／−の電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ、同
電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なったや （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し
、電流密度１０−／−の電流を流し、化成電１６００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／−の電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ、同
電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なったや （Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し
、電流密度１０−／−の電流を流し、化成電１６００Ｖ
まで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
（Ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）上記（Ｃ）と同じ条件の水溶液、すなわち硼酸２
０ｇ／Ｎ水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加
しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
＋ａＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６００■まで上昇さ
せ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を行なった
。
０ｇ／Ｎ水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加
しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
＋ａＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６００■まで上昇さ
せ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を行なった
。
（Ｉ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｊ）引き続き、上記（Ｈ）と同じ条件で再化成を繰り
返した（第２の再化成）。
返した（第２の再化成）。
（Ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４５８μＦ／ｃＪであった。
ところ、０．４５８μＦ／ｃＪであった。
（Ｊ）この化成箔（１５＋＋ｍ ｘ ２７０ｍ＋ ）を
陽極とし、−方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エツチ
ング倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍ Ｘ ３００
■）を陰極とし、セパレータを介して巻回して、コンデ
ンサ素子を作成した。そして、このコンデンサ素子に電
解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格４００Ｖ、
１６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電
容量は１８．２μＦであった。
陽極とし、−方純度９９．２％で厚さ２０μｍ、エツチ
ング倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍ Ｘ ３００
■）を陰極とし、セパレータを介して巻回して、コンデ
ンサ素子を作成した。そして、このコンデンサ素子に電
解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格４００Ｖ、
１６μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電
容量は１８．２μＦであった。
なお、上記工程（Ｈ）と工程（Ｉ）との間に、 ８５ｔ
ｇｔ％の燐酸２５ｍ Ｑ ／ Ｑの水溶液であって、ア
ンモニア水でＰＨ６，５に調整しだ液温３０℃の水溶液
に４分間浸漬処理を行う工程を介在させてもよい。この
工程を追加した電解コンデンサは、例えば１０５℃、１
０００時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流によ
る劣化を防止できる。
ｇｔ％の燐酸２５ｍ Ｑ ／ Ｑの水溶液であって、ア
ンモニア水でＰＨ６，５に調整しだ液温３０℃の水溶液
に４分間浸漬処理を行う工程を介在させてもよい。この
工程を追加した電解コンデンサは、例えば１０５℃、１
０００時間の高温貯蔵試験における製品の漏れ電流によ
る劣化を防止できる。
〔実施例２〕
（Ａ）のアルミニウムエツチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。
ル工程は上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｄ／ｄの電流
を流し、化成電圧２００ｖまで上昇させ、同電圧を１０
分間印加して第１の本化成を行なった。
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｄ／ｄの電流
を流し、化成電圧２００ｖまで上昇させ、同電圧を１０
分間印加して第１の本化成を行なった。
（Ｄ）引き続き、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２
０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｉａ
Ａ／ｃｉの電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｉａ
Ａ／ｃｉの電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
（Ｅ）さらに、硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモ
ニウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＩ
Ａ／（！＃の電流を流し、化成電圧６００■まで上昇さ
せ、同電圧を４０分間印加して第３の本化成を行なった
。
ニウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＩ
Ａ／（！＃の電流を流し、化成電圧６００■まで上昇さ
せ、同電圧を４０分間印加して第３の本化成を行なった
。
（Ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９にｇｌｌＬだアンモニア水に３分間浸漬し
、減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９にｇｌｌＬだアンモニア水に３分間浸漬し
、減極処理を行なった。
（Ｇ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｗＬＡ／（ｊの電流を流し、化成電圧６０
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再
化成を行なった６ （Ｉ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｗＬＡ／（ｊの電流を流し、化成電圧６０
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再
化成を行なった６ （Ｉ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｊ）引き続き、上記（Ｈ）と同じ条件で再化成を繰り
返した（第２の再化成）。
返した（第２の再化成）。
（Ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４６３μＦ／ｄであった。
ところ、０．４６３μＦ／ｄであった。
（Ｊ）この化成箔（１５ｍ＋ Ｘ ２７０ｍ＋ ）を陽
極として。
極として。
実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．４μＦ
であった。
デンサを作成したところ、その静電容量は１８．４μＦ
であった。
〔実施例３〕
（Ａ）のアルミニウムエツチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。
ル工程は上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼９２０ｇ／純水ＬＭに硼酸アンモニウムを０．
５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウム
エツチング箔を浸漬し、電流密度１０＋ａＡ／ｄｆの電
流を流し、化成電圧２００■まで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。
５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウム
エツチング箔を浸漬し、電流密度１０＋ａＡ／ｄｆの電
流を流し、化成電圧２００■まで上昇させ、同電圧を１
０分間印加して第１の本化成を行なった。
（Ｄ）続いて、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２０
ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加し
だ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０１
１Ａ ／ ｄの電流を流し、化成電圧４００ｖまで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。
ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加し
だ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０１
１Ａ ／ ｄの電流を流し、化成電圧４００ｖまで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なっ
た。
（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼＃２０ｇ／純水ｌＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍ１Ａ／ ｃｄの電流を流し、化成
電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加した
。
ツチング箔を硼＃２０ｇ／純水ｌＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍ１Ａ／ ｃｄの電流を流し、化成
電圧４００Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加した
。
（Ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｇ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｄ／ｄの電流を流し、化成電圧６００ｖま
で上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を
行なった。
０．１ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０ｄ／ｄの電流を流し、化成電圧６００ｖま
で上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化成を
行なった。
（Ｉ）５ｏｏ℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｊ）引き続き、上記（Ｈ）と同じ条件で再化成を繰り
返した（第２の再化成）。
返した（第２の再化成）。
（Ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４６１μＦ／ｄであった。
ところ、０．４６１μＦ／ｄであった。
（Ｊ）この化成箔（１５’ｍ Ｘ ２７０ｗｎ ）を陽
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
８．３μＦであった。
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサを作成したところ、その静電容量は１
８．３μＦであった。
〔実施例４〕
（Ａ）のアルミニウムエツチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。
ル工程は上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＬＡ／ｄの
電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を
１０分間印加して第１の本化成を行なった。
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ＩＬＡ／ｄの
電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧を
１０分間印加して第１の本化成を行なった。
（Ｄ）次に、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２０ｇ
／純水ｌρにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ ｄの電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
／純水ｌρにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ ｄの電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ＃ｉ加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０＠Ａ／Ｃ２１Ｔの電流を流し、化
成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を４０分間印加し
た。
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ＃ｉ加した液温８５℃の硼酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０＠Ａ／Ｃ２１Ｔの電流を流し、化
成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を４０分間印加し
た。
（Ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ＰＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）硼酸２０ｇ／ｍ水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０１ａＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６００
ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化
成を行なった。
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、
電流密度１０１ａＡ／ｄの電流を流し、化成電圧６００
ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第１の再化
成を行なった。
（Ｉ ）５００’Ｃの加熱雰囲気中で２分間熱処理した
。
。
（Ｊ）しかる後、硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニ
ウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｄ ／ （！＃の電流を流し、化成
電圧６００ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して
第２の再化成を行なった。
ウムを０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｄ ／ （！＃の電流を流し、化成
電圧６００ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して
第２の再化成を行なった。
（Ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４６５μＦ／ｃｊであった。
ところ、０．４６５μＦ／ｃｊであった。
（Ｊ）この化成箔（１５ｍ Ｘ ２７０ｍ）を陽極とし
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解
コンデンサを作成したところ、その静電容量は１８．５
μＦであった。
て、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦの電解
コンデンサを作成したところ、その静電容量は１８．５
μＦであった。
〔実施例５〕
（Ａ）のアルミニウムエツチング箔および（Ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同し。
ル工程は上記実施例１と同し。
（Ｃ）硼９２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ７Ｔ
の電流を流し、化成電圧２００ Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミニ
ウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ７Ｔ
の電流を流し、化成電圧２００ Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
（Ｄ）次に、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２０ｇ
／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０１１
Ａ／ａ！の電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
／純水ＩＱにコハク酸アンモニウムを０．１ｇ添加しだ
液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０１１
Ａ／ａ！の電流を流し、化成電圧４００■まで上昇させ
、同電圧を１０分間印加して第２の本化成を行なった。
（Ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｄの電流を流し、化成電圧
６００ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して第２
の本化成を行なった。
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アンモニ
ウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｄの電流を流し、化成電圧
６００ｖまで上昇させ、同電圧を４０分間印加して第２
の本化成を行なった。
（Ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（Ｇ ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．
５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流
密度ｌｏｍＡ／ｃｘｔの電流を流し、化成電圧６００■
まで上昇させ、同電圧な１３分間印加して第１の再化成
を行なった。
５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し、電流
密度ｌｏｍＡ／ｃｘｔの電流を流し、化成電圧６００■
まで上昇させ、同電圧な１３分間印加して第１の再化成
を行なった。
（１）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｊ）しかる後、硼酸２０ｇ／純水ＩＱにコハク酸アン
モニウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中
に浸漬し、電流密度１ｏｍＡ／ ｄの電流を流し、化成
電圧６００ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して
第２の再化成を行なった。
モニウムを０．１ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中
に浸漬し、電流密度１ｏｍＡ／ ｄの電流を流し、化成
電圧６００ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して
第２の再化成を行なった。
（Ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、 ０．４６３μＦ／ｃｄであった。
ところ、 ０．４６３μＦ／ｃｄであった。
（Ｊ）この化成箔（１５ｍｎ Ｘ ２７０ｍ＋ ）を陽
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサに作成したところ、その静電容量は１
８．４μＦであった・ く比較例１〉 （ａ）使用したアルミニウムエツチング箔、上記実施例
１の（Ａ）と同じ。
極として、実施例１と同様、定格４００Ｖ、 １６μＦ
の電解コンデンサに作成したところ、その静電容量は１
８．４μＦであった・ く比較例１〉 （ａ）使用したアルミニウムエツチング箔、上記実施例
１の（Ａ）と同じ。
（ｂ）ボイル工程も上記実施例１の（Ｂ）と同じ。
（ｃ）ｉｉｌ酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５℃
中にアルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０
ｉｔＡ／ｃｄの電流を流し、化成電圧２００■まで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なっ
た。
中にアルミニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０
ｉｔＡ／ｃｄの電流を流し、化成電圧２００■まで上昇
させ、同電圧を１０分間印加して第１の本化成を行なっ
た。
（ｄ）次に、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２０ｇ
／純水ＩＱの水溶液、液温８５℃中に浸漬し。
／純水ＩＱの水溶液、液温８５℃中に浸漬し。
電流密度１０ＩＩＡ／ａ＋ｔの電流を流し、化成電圧４
００．Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２
の本化成を行なった。
００．Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２
の本化成を行なった。
（ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液。
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液。
液温８５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／（ｆｆｌの
電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を
４０分間印加して第２の本化成を行なった。
電流を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を
４０分間印加して第２の本化成を行なった。
（ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）第１の再化成として、上記（ｃ）と同じ条件の水
溶液すなわち硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５
℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃＪの電流を流し、
化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加
した。
溶液すなわち硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５
℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃＪの電流を流し、
化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を１３分間印加
した。
（ｉ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｊ）再び、硼酸２０ｇ／純水ＩＱの水溶液、液温８５
℃中に再度浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｄの電流
を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を１３
分間印加して第２の再化成を行なった。
℃中に再度浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／ ｃｄの電流
を流し、化成電圧６００■まで上昇させ、同電圧を１３
分間印加して第２の再化成を行なった。
（ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、 ０．２９６μＦ／ｃｄであった。
ところ、 ０．２９６μＦ／ｃｄであった。
（ｊ）この化成箔（１５■Ｘ２７０ｍ）を陽極として、
実施例１と同様の定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その容量は１１．７μＦであ
った。
実施例１と同様の定格４００Ｖ、 １６μＦの電解コン
デンサを作成したところ、その容量は１１．７μＦであ
った。
〈比較例２〉
（、）のアルミニウムエツチング箔および（ｂ）のボイ
ル工程は上記実施例１と同じ。
ル工程は上記実施例１と同じ。
（Ｃ）硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウムを０．
５ ｇ ｔｉ加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミ
ニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１Ｏ１ｌＡ／ｄ
の電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧
を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
５ ｇ ｔｉ加しだ液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミ
ニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１Ｏ１ｌＡ／ｄ
の電流を流し、化成電圧２００Ｖまで上昇させ、同電圧
を１０分間印加して第１の本化成を行なった。
（ｄ）次に、同アルミニウムエツチング箔を硼酸２０ｇ
／純水１ρに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液＠
８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエツチング箔を浸
漬し、電流密度１０ｄ／ａＪの電流を流し、化成電圧４
００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の
本化成を行なった。
／純水１ρに硼酸アンモニウムを０．５ｇ添加した液＠
８５℃の硼酸水溶液中にアルミニウムエツチング箔を浸
漬し、電流密度１０ｄ／ａＪの電流を流し、化成電圧４
００Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して第２の
本化成を行なった。
（ｅ）さらに、第３の本化成として、同アルミニウムエ
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミ
ニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
ｃｄの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇させ、
同電圧を４０分間印加した。
ツチング箔を硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中にアルミ
ニウムエツチング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ ／
ｃｄの電流を流し、化成電圧６００ Ｖまで上昇させ、
同電圧を４０分間印加した。
（ｆ）化成後のアルミニウムエツチング箔を液温７０℃
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、
減極処理を行なった。
（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）第１の再化成として、硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼
酸アンモニウムを０．５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水
溶液中に浸漬し、電流密度１０ｄ／ｄの電流を流し、化
成電圧６００ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加
した。
酸アンモニウムを０．５ｇ添加しだ液温８５℃の硼酸水
溶液中に浸漬し、電流密度１０ｄ／ｄの電流を流し、化
成電圧６００ Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加
した。
（ｉ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｊ）再び、硼酸２０ｇ／純水ＩＱに硼酸アンモニウム
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ａｌｆの電流を流し、化成電圧
６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第２
の再化成を行なった。
を０．５ｇ添加した液温８５℃の硼酸水溶液中に浸漬し
、電流密度１０ＩＩＡ／ａｌｆの電流を流し、化成電圧
６００Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加して第２
の再化成を行なった。
（ｋ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、０．４２３μＦ／ｃｄであった。
ところ、０．４２３μＦ／ｃｄであった。
（ｊ）この化成箔（１５ｍ Ｘ ２７０■）を陽極とし
て、実施例１と同様の定格４００Ｖ、 １６μＦの電解
コンデンサを作成したところ、その容量は１６．８μＦ
であった。
て、実施例１と同様の定格４００Ｖ、 １６μＦの電解
コンデンサを作成したところ、その容量は１６．８μＦ
であった。
参考までに、次表に上記各実施例および各比較例で得ら
れた化成箔の箔容量とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す。
れた化成箔の箔容量とその化成箔を用いて試作した電解
コンデンサの静電容量を示す。
この表から明らかなように、本発明によると箔容量およ
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約８〜
１０％増大している。
び製品容量ともに、従来法による比較例に比べて約８〜
１０％増大している。
以上説明したように、本発明によれば、エツチングされ
たアルミニウム箔を純水ボイルした後の本化成工程およ
び再化成工程のいずれにおいても、少なくとも一度は脂
肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水
溶液中で化成するようにしたことにより、静電容量の高
い電極箔が製造される。
たアルミニウム箔を純水ボイルした後の本化成工程およ
び再化成工程のいずれにおいても、少なくとも一度は脂
肪族飽和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水
溶液中で化成するようにしたことにより、静電容量の高
い電極箔が製造される。
特許出願人 エルナー株式会社
Claims (5)
- （１）エッチングされたアルミニウム箔を高温の純水中
に所定時間浸漬したのち、本化成工程を行ない、さらに
再化成工程を行なうアルミニウム電解コンデンサ用電極
箔の製造方法において、上記本化成工程および上記再化
成工程のいずれにおいても、少なくとも一度は脂肪族飽
和ジカルボン酸もしくはその塩を含有する硼酸水溶液中
で化成することを特徴とするアルミニウム電解コンデン
サ用電極箔の製造方法。 - （２）上記脂肪族飽和ジカルボン酸は、 ＸＯＯＣ−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯＯＸ の化学式（但し、ＸはＨ＾＋またはＮＨ＿４＾＋，ｎ＝
１〜１２）で表わされるものからなる請求項１記載のア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （３）上記硼酸水溶液のｐＨは４〜９である請求項１記
載のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （４）上記硼酸水溶液は、その硼酸濃度が０．５〜１０
ｗｔ％である請求項１記載のアルミニウム電解コンデン
サ用電極箔の製造方法。 - （５）上記硼酸水溶液中における上記脂肪族飽和ジカル
ボン酸の濃度は０．００２〜１．０％、液温は７０〜１
００℃である請求項１記載のアルミニウム電解コンデン
サ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326360A JPH07109814B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2326360A JPH07109814B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196304A true JPH04196304A (ja) | 1992-07-16 |
| JPH07109814B2 JPH07109814B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=18186928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2326360A Expired - Fee Related JPH07109814B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109814B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616343A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing anode foil for aluminium electrolytic capacitors |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104109890B (zh) * | 2014-07-11 | 2017-04-12 | 四川石棉华瑞电子有限公司 | 化成线槽液预加热降耗系统及方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2326360A patent/JPH07109814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616343A2 (en) * | 1993-03-19 | 1994-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing anode foil for aluminium electrolytic capacitors |
| EP0616343A3 (en) * | 1993-03-19 | 1994-11-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing process of an anode foil for aluminum electrolytic capacitors. |
| US5449448A (en) * | 1993-03-19 | 1995-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing anode foil for aluminium electrolytic capacitors |
| CN1094997C (zh) * | 1993-03-19 | 2002-11-27 | 松下电器产业株式会社 | 铝电解电容用阳极箔制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07109814B2 (ja) | 1995-11-22 |
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