JPS6239420B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6239420B2
JPS6239420B2 JP53049196A JP4919678A JPS6239420B2 JP S6239420 B2 JPS6239420 B2 JP S6239420B2 JP 53049196 A JP53049196 A JP 53049196A JP 4919678 A JP4919678 A JP 4919678A JP S6239420 B2 JPS6239420 B2 JP S6239420B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
compound
composition according
polymeric compound
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53049196A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS53133429A (en
Inventor
Zandaa Yurugen
Buuru Geruharuto
Rutsukeruto Hansu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Publication of JPS53133429A publication Critical patent/JPS53133429A/ja
Publication of JPS6239420B2 publication Critical patent/JPS6239420B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/016—Diazonium salts or compounds
    • G03F7/021—Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0212—Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the diazo resins or the polymeric diazonium compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/115—Cationic or anionic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/12—Nitrogen compound containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/126—Halogen compound containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は主成分としてａ化学線の作用下で酸を
形成する化合物及ｂ現像液中でのその溶解度が酸
の作用によつて上昇する有機重合化合物とを含有
する新規輻射線感受性組成物に関する。 ポジチブ作業の感光コピー物質、すなわちその
コピー層が露光域中で可溶性になる物質は公知で
ある。なかんずくｏ―キノソジアジドをベースと
するポジチブ作業のコピー組成物は実際に使用さ
れて来た。 これらのコピー物質の感光度はしばしば不充分
である。感光度は接触作用の感光系を使用するこ
とにより増加させることが出来る。それというの
もこの場合には量子収量が１よりも大きくなるか
らである。この様にして光分解により生成した酸
の作用による二次反応の開始及びそれによる露光
域の可溶化の公知の原理が最近ポジチブ作業系の
ために利用されている。これらの物質の中で光化
学的に生成した強酸は低分子量又は高分子量アセ
タール及び、ヒドロキシル―又はアミン成分とし
て芳香族化合物を含有するＯ，Ｎ―アセタールを
分解するために（米国特許明細書第3779778号）
又はオルトエステル及びアミドアセタールを分解
するために（西ドイツ国特許公開公報第2610842
号）用いられる。 更に光化学的酸生成剤とある一定のポリアルデ
ヒド及びポリケトンとの組合せも露光後に可視像
を生じさせるポジチブ作業のコピー組成物として
提案された（米国特許明細書第3915704号、同第
3915706号、同第3917483号及び同第3932514号）。 しかしこれらの組成物には次の様な欠点があ
る。すなわちレコーデイング物質の質を決定する
重要な成分としてのポリアルデヒド及びポリケト
ンは実際の要求に適合させる様にその性質を変化
させることが容易に出来ない。 又上記のアセタール及びＯ，Ｎ―アセタールを
含有するコピー組成物の実際の感光度はその接触
作用にもかかわらず十分でない。その上上記のア
セタール、Ｏ，Ｎ―アセタール及びｏ―エステル
の多くのものは取得が容易でない。 本発明の課題は化学線、特に短波光及び電子ビ
ームに対して高感度を有し又容易に取得出来る新
規のポジチブ作業感光性コピー組成物を提供する
ことである。 本発明は主成分としてａ）化学線の作用下で酸
を形成する化合物及びｂ）その主鎖中に繰返しア
セタール部分又はケタール部分を有し、現像液中
でその溶解度が酸の作用によつて上昇する有機重
合化合物とを含有する輻射線感受性コピー組成物
に関する。本発明によるコピー組成物は有機重合
化合物のアセタール部分又はケタール部分のアル
コール成分の各α―炭素原子が脂肪族であるとい
う特徴を有する。 本明細書中で“化学線”という語はそのエネル
ギーが少なくとも短波可視光線のそれと同様であ
る輻射線を意味する。長波紫外線が特に適当であ
り、又電子ビーム及びレーザービームも適する。 適当な液体現像剤は特に水溶液、有利には弱ア
ルカリ性水溶液であるが、所望の場合には水又は
水溶液と混合し得る有機溶剤を使用することも出
来る。 “アルコール成分”という語は特に、アルコー
ル、有利には多価アルコールから誘導される重合
体の繰返し単位の部分を言う。しかしこの語は
又、下記に詳述される様に、ヒドロキシアルキル
カルボニル化合物の部分又はそれから誘導される
１個以上のアルコールOH基を有する単位をも指
す。 本明細書中で使用される意味での“アルコール
OH基”はそれらの中１個だけが飽和脂肪族炭素
原子に結合している基のみを指す。そのそれぞれ
がアセタール基又はケタール基のみの１個の酸素
原子に結合しているα位における炭素原子にとつ
て重要なことは飽和脂肪族又はシクロ脂肪族炭素
原子であることである。 繰返しアセタール及び／又はケタール部分を有
する重合化合物の中で、アルデヒド及び／又はケ
トン（又はその合成等価物）と二価アルコールと
を重付加及び／又は重縮合条件下で反応させるこ
とにより得られるものが有利であり、下記の一般
式の単位を有する重合化合物が特に有利であ
る： 〔式中：ｎは１〜40、有利には１〜20の整数を
表わし、R1及びR4はＨ原子、アルキル基、有利
には炭素原子数が１〜12のもの、又はアリール基
を表わし、R3及びR6は炭素原子数が少なくとも
２、有利には２〜18、最も有利には４〜18のアル
キレンオキシ基を表わし、R2及びR5はアルキル
基、有利には炭素原子数が１〜12のもの、又はア
リール基を表わし、基R1，R2及びR3の中の２個
及び基R4，R5及びR6の中の２個が相互に結合し
て置換又は不置換環を形成することが出来る；又
はR3及びR6は炭素原子数が少なくとも２、有利
には２〜18、最も有利には４〜18のアルキレン基
を表わし、R2及びR5はアルコキシ基を表わし、
これはR3及びR6と結合して置換又は不置換の有
利には５〜７員環を形成し、又R3はR4と又R1は
隣接単位のR6とそれぞれ結合して置換又は不置
換環を形成することが出来る〕。 アリール基は炭素原子数が通常６〜20の単核又
は多核芳香族又は複素芳香族基であり、これはア
ルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホニル
基、アシル基又はカルブアルコキシ基で置換され
ていることが出来る。単核芳香族基、特にフエニ
ル基が有利である。 アルキル基は場合により置換されているアリー
ル基、ハロゲン原子、シアノ基、エステル基、ア
リールオキシ基又はアルコキシ基により置換され
ていることが出来、又エーテル基又はケト基を含
有することが出来る有枝又は不有枝、飽和又は不
飽和、環状又は開鎖状のものである。 有利なアルキレン基はエステル基、アルコキシ
基又はアリールオキシ基で置換されていることが
出来るか又はケト基を含有することが出来る飽和
又は不飽和、有枝又は不有枝の脂肪族及びシクロ
脂肪族基である。更に炭素鎖の個々の員をヘテロ
原子、有利には酸素で置換することが出来る。い
ずれの場合にもすべてのアルキレン基の末端員は
飽和脂肪族又はシクロ脂肪族炭素原子であるべき
である。 式に相当する単位を含有する重合化合物の中
での特定グループはアルデヒド：R1CHO又はア
セタール：R1CH（OR7）2とジオール：HOR3OH
とを反応させることにより得られる一般式： 〔上記式中：ｍは２〜80、有利には３〜40の整
数を表わし、R1はアルキル基、有利には炭素原
子数１〜12のもの、又はアリール基を表わし、
R3はアルキレン基、有利には炭素原子数４〜18
のものを表わし、R7はアルキル基、有利には炭
素原子数１〜６のもの、特にメチル基又はエチル
基を表わし、その他の点ではアリール基、アルキ
ル基及びアルキレン基は上に定義した意味を有す
る〕の繰返し単位を含有する重縮合生成物であ
る。 異なるアルデヒド又はアセタール及び／又はジ
オールを使用する場合には式に相当する異なる
単位が統計的配置で得られる。この統計的配置は
アセタール形成成分の数及びその原子量に依存す
る。アセタールに比べてアルデヒドの方が取得し
易いためにポリアセタール形成成分としてはアル
デヒドが有利である。アセタール製法の一般的説
明は例えばホーベン―ワイル（Houben―Weyl）
著“メトーデン デル オーガニツシエン ケミ
ー（Methoden der organischen Chemie）”第
／３巻に記述されている。 適当なアルデヒド又は出発物質として使用され
るアセタールを誘導するアルデヒドの例としては
以下の化合物が挙げられる：アセトアルデヒド、
クロラル、エトキシアセトアルデヒド、ベンジル
オキシアセトアルデヒド、フエニルアセトアルデ
ヒド及びジフエニルアセトアルデヒド、フエノキ
シアセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、２
―フエニル―及び３―フエニル―プロピオンアル
デヒド、イソブトキシ―及びベンジルオキシピバ
リンアルデヒド、３―エトキシプロパナール、３
―シアノ―プロパナール、ｎ―ブタナール、イソ
―ブタナール、３―クロル―ブタナール、３―メ
トキシ―ブタナール、２，２―ジメチル―４―シ
アノ―ブタナール、ｎ―ペンタナール、２―及び
３―メチル―ペンタナール、２―ブロム―３―メ
チル―ブタナール、ｎ―ヘキサナール、２―及び
３―エチル―ブタナール、４―メチル―ペンタナ
ール、シクロペンタンカルブアルデヒド、ｎ―ヘ
プタナール、シクロヘキサンカルブアルデヒド、
１，２，３，６―テトラヒドロ―ベンズアルデヒ
ド、３―エチル―ペンタナール、３―及び４―メ
チル―ヘキサナール、ｎ―オクタナール、２―及
び４―エチル―ヘキサナール、３，５，５―トリ
メチル―ヘキサナール、４―メチル―ヘプタナー
ル、３―エチル―ｎ―ヘプタナール、デカナー
ル、ジシクロペンタジエンのモノオキソ合成生成
物、ドデカナール、クロトンアルデヒド、ベンズ
アルデヒド、２―，３―及び４―ブロム−ベンズ
アルデヒド、２―，３―及び４―クロル―ベンズ
アルデヒド、２，４―ジクロル―及び３，４―ジ
クロル―ベンズアルデヒド、４―メトキシ―ベン
ズアルデヒド、２，３―ジメトキシ―及び２，４
―ジメトキシ―ベンズアルデヒド、２―，３―及
び４―フルオル―ベンズアルデヒド、２―，３―
及び４―メチル―ベンズアルデヒド、４―イソプ
ロピル―ベンズアルデヒド、３―及び４―テトラ
フルオルエトキシ―ベンズアルデヒド、１―及び
２―ナフトアルデヒド、フルフラール及びチオフ
エン―２―アルデヒド。 適当な二価脂肪族アルコールは例えば以下のも
のである：ペンタン―１，５―ジオール、ｎ―ヘ
キサン―１，６―ジオール、２―エチル―ヘキサ
ン―１，６―ジオール、２，３―ジメチル―ヘキ
サン―１，６―ジオール、ヘプタン―１，７―ジ
オール、シクロヘキサン―１，４―ジオール、ノ
ナン―１，７―ジオール、ノナン、―１，９―ジ
オール、３，６―ジメチル―ノナン―１，９―ジ
オール、デカン―１，10―ジオール、ドデカン―
１，12―ジオール、１，４―ビス―（ヒドロキシ
メチル）―シクロヘキサン、２―エチル―１，４
―ビス―（ヒドロキシメチル）―シクロヘキサ
ン、２―メチル―シクロヘキサン―１，４―ジエ
タノール、２―メチル―シクロヘキサン―１，４
―ジプロパノール、チオ―ジプロピレングリコー
ル、３―メチル―ペンタン―１，５―ジオール、
ジブチレン―グリコール、オキシピバリン酸―ネ
オペンチルグリコールエステル、４，８―ビス―
（ヒドロキシメチル）―トリシクロデカン、ｎ―
ブテン―(2)―１，４―ジオール、ｎ―ブト―２―
イン―１，４―ジオール、ｎ―ヘキス―３―イン
―２，５―ジオール、１，４―ビス―（２―ヒド
ロキシエトキシ）―ブチン―(2)、ｐ―キシリレン
グリコール、２，５―ジメチル―ヘキス―３―イ
ン―２，５―ジオール、ビス―（２―ヒドロキシ
エチル）―スルフアイド、２，２，４，４―テト
ラメチルシクロブタン―１，３―ジオール、ジ
―、トリー、テトラー、ペンター及びヘキサエチ
レングリコール、ジ―及びトリプロピレングリコ
ール及び平均分子量が200，300，400及び600のポ
リエチレングリコール。 一般式に相当する単位を含有する重合化合物
の更に別の特定グループはケタール： R1（R2）Ｃ（OR7）2〔式中：R1及びR2はアル
キル基、有利には炭素原子数１〜12のもの、又は
アリール基を表わし、R7はアルキル基、有利に
は炭素原子数１〜６のもの、最も有利にはメチル
基又はエチル基を表わす〕とジオール：
HOR3OH〔式中：R3はアルキレン基、有利には
炭素原子数４〜18のものを表わす〕との反応によ
り得られる一般式ａ： 〔式中：R1，R2及びR3は上記のものを表わ
し、ｍは２〜80、有利には３〜40の整数を表わ
す〕に相当する繰返し単位を有する重縮合生成物
である。 R1及びR2はその他に置換されていてもよい共
通環の一部であることも出来る。アリール基、ア
ルキル基及びアルキレン基は式に関連して定義
されているものである。異なるケタール及び／又
はジオールを使用する場合には、式ａに相当す
る異なる単位が統計的配置で得られる。この統計
的配置はケタール形成成分の数及びその原子量に
依存する。出発化合物として使用されるケタール
は式において定義されているアセタールと同様
にして製造することが出来る。適当なジオールは
例えば式に関連して挙げられているものであ
る。 ケタールは例えば以下のケトンから誘導するこ
とが出来る：フエニルアセトン、１，３―ジフエ
ニル―アセトン、２，２―ジフエニル―アセト
ン、クロル―及びブロムアセトン、ベンジルアセ
トン、ブタン―２―オン、ベンジル―プロピルケ
トン、エチルベンジルケトン、ベンジルメチルケ
トン、５―メチル―ヘキサン―２―オン、２―メ
チル―ペンタン―２―オン、２―メチル―ペンタ
ン―３―オン、ヘキサン―２―オン、ヘキサン―
３―オン、ペンタン―３―オン、２―メチル―ブ
タン―３―オン、２，２―ジメチル―ブタン―３
―オン、５―メチル―ヘプタン―３―オン、オク
タン―３―オン、オクタン―４―オン、オクタン
―２―オン、ノナン―２―オン、ノナン―３―オ
ン、ノナン―５―オン、ヘプタン―２―オン、ヘ
プタン―３―オン、ヘプタン―４―オン、ウンデ
カン―５―オン、ウンデカン―６―オン、ドデカ
ン―２―オン、ドデカン―３―オン、ジノニル―
ケトン、ウンデカン―４―オン、ウンデカン―２
―オン、トリデカン―２―オン、トリデカン―３
―オン、ドデカン―５―オン、ジオクチルケト
ン、２―メチル―オクタン―３―オン、シクロプ
ロピルメチルケトン、デカレ―２―オン、デカン
―３―オン、デカン―４―オン、メチル―α―ナ
フチル―ケトン、ジデシルケトン、ジヘプチルケ
トン、ジヘキシルケトン、３―フルオル―４―メ
トキシ―アセトフエノン、アセトフエノン、４―
クロル―アセトフエノン、２，５―ジクロル―ア
セトフエノン、４―ブロム―アセトフエノン、
２，４―ジメチル―アセトフエノン、２―，３―
及び４―フルオルアセトフエノン、デソキシベン
ゾイン、２―，３―及び４―メトキシ―アセトフ
エノン、２―，３―及び４―メチル―アセトフエ
ノン、プロピオフエノン、２―ブロム―プロピオ
フエノン、４―フルオル―プロピオフエノン、４
―メトキシ―プロピオフエノン、ブチロフエノ
ン、４―クロル―ブチロフエノン、バレロフエノ
ン、ベンゾフエノン、４―クロル―ベンゾフエノ
ン、４，4′―ジクロル―ベンゾフエノン、２，５
―ジメチル―ベンゾフエノン、３，４―ジメチル
―ベンゾフエノン、２―及び４―フルオル―ベン
ゾフエノン、４―メトキシ―ベンゾフエノン、シ
クロヘキサノン、２―フエニル―シクロヘキサノ
ン、２―，３―及び４―メチル―シクロヘキサノ
ン、２，６―ジメチル―シクロヘキサノン、４―
ｔ―ブチル―シクロヘキサノン及び２―クロル―
シクロヘキサノン。 一般式に相当する単位を有する更に別の特定
重合化合物はジオール：HOR3OH〔式中：R3は
アルキレン基、有利には炭素原子数４〜18のもの
を表わす〕と式： 〔式中：R2はＨ原子、アルキル基、有利には
炭素原子数１〜12のもの、又はアリール基を表わ
し、R7はアルキル基、有利には炭素原子数１〜
６のもの、特にメチル基又はエチル基を表わし、
R8及びR9はＨ原子又はアルキル基又はアリール
基を表わし、その場合有利には両基合計の炭素原
子数が11より多くあるべきではない〕のエノール
エーテルとを反応させることにより得られる一般
式： 〔式中：R2，R3，R8及びR9は上記のものを表
わし、ｍは２〜80、有利には３〜40の整数を表わ
す〕の繰返し単位を含有する重付加及び重縮合生
成物である。上記式中でR2とR8、又はR2とR9、
又はR8とR9は置換されていてもよい共通環に属
することも出来る。アリール基、アルキル基及び
アルキレン基は式に関連して定義されているも
のである。異なるフエノールエーテル及び／又は
ジオールを使用する場合には、式で表わされる
異なる単位が統計的配置で得られる。 R2がＨ原子を表わすエノールエーテルはカル
ボニル基に対してα位の飽和炭素原子に結合して
いる少なくとも１個の水素原子を有するアルデヒ
ドであり、又R2がＨ原子以外のものを表わすエ
ノールエーテルはカルボニル基に対してα位の飽
和炭素原子に結合している少なくとも１個の水素
原子を有するケトンである。上記した様にエノー
ルエーテルは相当するカルボニル化合物の代りに
出発物質として使用することが出来るから、その
合成等価物と称することが出来る。更に別の合成
等価物は例えばアルキン、例えばアセトアルデヒ
ドの代りのアセチレンである。 適当なエノールエーテルは上記したアルデヒド
及びケトンに上記の条件付きで相当するエノール
エーテルである。その製法は例えばホーベン―ワ
イル（Houben―Weyl）第／３巻及び“リービ
ツヒス アナレン デル ケミー（Liebigs
Annalen der Chemie）”1956年第81巻601頁に記
述されている。 適当なジオールは例えば式及びａに関連し
て挙げられているものである。 繰返しアセタール基又はケタール基を有する重
合化合物の更に別のグループはジエノールエーテ
ルにジオールを付加することにより得られる付加
生成物である。 有利には式に関連して挙げられているジオー
ルが使用される。 適当なジエノールエーテルは例えばアセチレン
にジオールを付加することにより得られるジビニ
ルエーテルである。その様な化合物は例えば“リ
ービツヒス アナレン デル ケミー（Liebigs
Annalen der Chemie）”1956年第81巻601頁に記
述されている。有利なジビニルエーテルの例とし
ては以下の化合物が挙げられる：エチレングリコ
ール、ブタン―１，４―ジオール―及びヘキサン
―１，６―ジオール―ジビニルエーテル、及びポ
リアルキレングリコールのジビニルエーテル；ジ
エチレングリコール―ジビニルエーテルが特に有
利である。 一般式に相当する単位を有する重合化合物の
更に別のグループはヒドロキシアルキル―エノー
ルエーテルの重付加により製造される一般式に
相当する繰返し単位を有する反応生成物である。
これら出発物質は同じ分子中にカルボニル等価物
とアルコール成分とを含有する。この場合には
R3がR8又はR9と結合して場合により置換されて
いる環を形成することも可能である。 異なるヒドロキシアルキルエノールエーテルを
使用する場合には、重付加反応によつて式に相
当する異なる単位の統計的連続生成物が生成す
る。 適当なヒドロキシアルキルエノールエーテルは
例えば、“リービツヒス アナレン デル ケミ
ー（Liebigs Annalen der Chemie）”1956年第
81巻601頁に記述されている。これはアルキン、
有利にはアセチレンにジオールを付加することに
より製造される。その様な化合物の適当な代表は
例えば、ジエチレングリコールモノビニルエーテ
ル及びトリエチレングリコールモノビニルエーテ
ルである。 上記のヒドロキシアルキルビニルエーテルは
又、アルキレンジエノールエーテルに１，２―又
は１，３―ジオール１モルを付加し、引続いて分
子内再アセタール化を行い、その間にジオールに
相当する１，３―ジオキソラン又は１，３―ジオ
キサンを分離する方法で、単離され得ない中間生
成物の形で製造することも出来る。次いで酸性条
件下でヒドロキシアルキル―エノールエーテルを
重付加してポリアセタールを形成する。同時に、
生成した１，３―ジオキソラン又は１，３―ジオ
キサン及び少量のジオールを単離する。 一般式に相当する繰返し単位を有する重合化
合物の更に別のグループはジアルデヒド又はジケ
トン又はその合成等価物と４価のアルコールとの
重縮合により製造される、一般式： 〔式中：１は１〜40、有利には２〜20の整数を
表わし、R1及びR1′はＨ原子、アリール基又はア
ルキル基、有利には炭素原子数１〜12のものを表
わし、これは相互に結合して置換又は不置換環を
形成することも出来る、R2はアルキレン基、有
利には炭素原子数１〜16のもの、又はアリーレン
基を表わし、R3は４価の脂肪族基を表わし、そ
の遊離原子価はアセタール基と一緒に５―又は６
員環が形成される様な距離で異なる炭素原子に結
合している〕の単位を含有する反応生成物であ
る。ここでアリール基、アルキル基及びアルキレ
ン基は式に関連して挙げられているものが該当
する。 適当なジアルデヒド又はジケトン、又は合成等
価物がそれから誘導されるジアルデヒド又はジケ
トンは例えば、マロンジアルデヒド、シクロヘキ
サー１，４―ジオン又はアジピンジアルデヒドで
ある。 適当な４価アルコールは例えば、２，２，５，
５―テトラメチロール―シクロペンタノン及び
２，２，６，６―テトラメチロール―シクロヘキ
サノンである。 上記の有利な重合体は容易に取得し得るアルデ
ヒドとジオールとの重縮合により容易に、速やか
に又非常に安価に得ることが出来る。アルデヒド
の代りに相当するアセタール又はエノールエーテ
ル、又はケトン又はそのケタール又は相当するエ
ノールエーテルを使用することも出来る。 それはつまり実際上いずれのタイプのポリアセ
タール又はポリケタールもアルデヒド及びケトン
又はその合成等価物とジオールとの重付加又は重
縮合により製造出来ることを意味する。その上例
えば西ドイツ国特許公開公報第2519575号に記載
の方法と同様にして、例えば高められた温度にお
いて更に再アセタール化を行うことにより、重合
度を広範囲内で変化させことが可能である。 更に末端OH基を、OH基と反応可能の多官能
性化合物例えばジイソシアネート又はジエポキシ
ドと反応させることにより公知の仕方でポリアセ
タール又はポリケタールの分子量を増すことが出
来る。 又使用される小量のジオールの代りにトリオー
ル又はテトラオールを用いることによりポリアセ
タール及びポリケタールの分子構造を更に変化さ
せることが出来る。その様にして重合体分子にあ
る一定の度合枝分れを生じさせることにより露光
域における溶解度と未露光域における溶解度との
間の差異を所望の様に増すことが出来る。もちろ
ん有枝重合体の溶解度は適当な溶剤中でのコーテ
イング溶液を調製し得る程十分でなければならな
い。適当なトリオールは例えばグリセロール、
１，２，６―ヘキサントリオール、トリメチロー
ルプロパン、１，４，７―トリヒドロキシ―ヘプ
タン及びそれらと酸化エチレンとの反応生成物で
ある。 上記のアルデヒド及びケトン及び、それからそ
の合成等価物が誘導されるアルデヒド及びケト
ン、及び多価アルコールは重付加又は重縮合の間
困難を惹起させる様な置換分を含有するべきでは
ない。 上記のアルデヒド又はケトン又はその合成等価
物とジオールとの共重付加及び／又は重縮合によ
り統計的構造を生じさせる他に、一般式に相当
する繰返し単位を有する重合化合物に計画した構
造を付与することも可能である。 これも種々の方法で達成することが出来る。例
えばジアルデヒド又はジケトン、又はその合成等
価物と４価アルコールとの上記の重縮合により得
られる種々の“対称”物質の他に、種々の“非対
称”物質も可能である。その様にして例えばアセ
チレン２モルにジオール１モルを付加することに
より得られるジビニルエーテルをジオールと例え
ば重付加することにより一般式に相当する繰返
し単位を有する重合化合物を製造することが出来
る。 一般式の繰返し単位を有する重合化合物は常
にアルデヒド又はケトン、又はその複合物又は等
価物とジオール又はジオールの相当する複合物と
から誘導され得ることがその構造により明らかで
ある。 一般式に相当する繰返し単位を有する重合化
合物がアルデヒド及び／又はケトン、又はその合
成等価物とジオールとの重付加及び／又は重縮合
条件下での反応により得られるという記述はこの
より広い意味で理解されるべきである。 本明細書中に詳述されている製法は式に相当
する繰返し単位を有する重合化合物を製造するた
めの実際に容易に実施出来る方法である。その他
の方法については全般的に例えばホーベン―ワイ
ル（Houben―Weyl）第14／２巻に包含されてい
る。 本発明によるポジチブ作業のコピー組成物を製
造するためには、上記のポリアセタール及び／又
はポリケタールを光化学作用下で及び／又は高エ
ネルギー輻射、特に電子ビームの作用により酸を
形成し得る物質と混合する。 有利にコピー組成物はその他に、有機溶剤中に
溶解し有利には水に溶けない重合体結合剤を含有
する。本発明によるコピー組成物用の現像液とし
てアルカリ性水溶液を有利に使用することが出来
又はこのタイプの現像液は一般に有機溶剤に基づ
く現像液よりも有利であるから、アルカリ性水溶
液中に溶解し得るか又は少なくとも膨潤し得る結
合剤が有利である。 多くのポジチブコピー組成物用に適当であるこ
とが見出されているフエノール樹脂、特にノボラ
ツクが本発明によるコピー組成物用にも非常に適
当で有利であることが立証された。これらの結合
剤、特にホルムアルデヒド縮合成分として置換フ
エノール、例えばクレゾールを含有するより高度
に縮合した樹脂は現像の間層の露光域と未露光域
との間の差を大きくするために寄与する。ノボラ
ツクは公知法で、そのヒドロキシル基の部分を例
えばクロル酢酸、イソシアネート、エポキシド又
は無水カルボン酸と反応させることにより改質す
ることが出来る。別のアルカリ可溶樹脂、例えば
無水マレイン酸とスチレンとの共重合体又は酢酸
ビニルとクロトン酸との共重合体又はメタクリル
酸メチルとメタクリル酸との共重合体等も結合剤
として使用することが出来る。アルカリ可溶樹脂
のタイプ及び量は組成物の使用目的によつて変え
ることが出来る。固体分含量30〜90重量％、有利
には55〜85重量％の割合が有利である。その他に
種々の他の樹脂を付加的に合体させることが出
来、それらとしてはビニル重合体、例えばポリ酢
酸ビニル、ポリアクリレート、ポリビニルエーテ
ル及びポリビニルピロリドン―これらは又コモノ
マーにより改質することが出来る−が有利であ
る。その様な樹脂の最も有利な含有割合は各場合
の実際の要求性及び現像条件に及ぼす影響に依存
して定められる。通常アルカリ可溶樹脂に対して
20重量％を越えない。柔軟性、接着性、光沢等に
関して特別の要求がある場合には、別の物質例え
ばポリグリコール、セルロース誘導体例えばエチ
ルセルロース、湿潤剤、染料及び微粉状顔料を小
量感光組成物に添加することが出来る。 非常に様々な公知化合物及び混合物例えばジア
ゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩及
びヨードニウム塩又はハロゲン化合物、キノンジ
アジドスルホクロリド及び有機金属／有機ハロゲ
ン化合物も輻射の間酸を形成又は分離する輻射線
感受性成分として使用することが出来る。 適当なジアゾニウム塩は、ジアゾタイプ目的用
に適当であることが知られている、有用な吸収範
囲300〜600nmを有する化合物である。十分な貯
蔵寿命を有することが知られている多くの適当な
ジアゾニウム化合物が実施例中に挙げられてい
る。塩基性置換分を有さない化合物が有利であ
る。 通例上記のジアゾニウム―、ホスホニウム―、
スルホニウム―及びヨードニウム化合物は有機溶
剤に可溶の塩の形で、通常錯酸例えば硼弗化水素
酸、ヘキサフルオ燐酸、ヘキサフルオアンチモン
酸又はヘキサフルオ砒酸との分離生成物として使
用される。 又はポジチブ作業のｏ―キノンジアジドの誘導
体を使用することも出来る。大抵の場合ｏ―ナフ
トキノンジアジドを露光することにより生成する
インデンカルボン酸の作用は像に応じた申分のな
い差異をつくるために辛うじて十分である。この
グループの化合物の中ナフトキノン―１，２―ジ
アジド―４―スルホクロリドが有利である。それ
というものもその露光の間３個の酸官能基が形成
されて、これがポリアセタール及びポリケタール
の分離の間比較的高度の増感を惹起させるからで
ある。 原理的には遊離基形成性感光開始剤として知ら
れるすべての有機ハロゲン化合物、例えば炭素原
子又は芳香族環に結合している１個以上のハロゲ
ン原子を含有するものを、ハロゲン化水素酸を形
成し得る含ハロゲン輻射線感受性化合物として使
用することが出来る。その様な化合物の例は米国
特許明細書第3515552号、同第3536489号及び同第
3779778号及び西ドイツ国特許公開公報第2243621
号に記述されている。本発明のポジチブ作業の層
中でのこれらハロゲン含有化合物の効果はスペク
トルにより影響を受けることが出来、又公知の増
感剤を付加することにより増すことが出来る。 更にある一定の置換トリクロルメチルピロン、
例えば西ドイツ国特許公開公報第2610842号に記
述されているものを使用することも出来る。同一
出願人の同日付け特許願(1)に記載の新規２―アリ
ール―４，６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―ト
リアジンが実際的に有利であることが見出され
た。 適当な開始剤の例は次の様である： ４―（ジ―ｎ―プロピル―アミノ）―ベンゼン―
ジアゾニウム―テトラフルオ硼酸塩、 ４―ｐ―トリルメルカプト―２，５―ジエトキシ
―ベンゼン―ジアゾニウム―ヘキサフルオ燐酸
塩、 ４―ｐ―トリルメルカプト―２，５―ジエトキシ
―ベンゼン―ジアゾニウム―テトラフルオ硼酸
塩、 ジフエニルアミン―４―ジアゾニウム硫酸塩、 ４―メチル―６―トリクロルメチル―２―ピロ
ン、 ４―（３，４，５―トリメトキシ―スチリル）―
６―トリクロルメチル―２―ピロン、 ４―（４―メトキシ―スチリル）―６―（３，
３，３―トリクロル―プロペニル）―２―ピロ
ン、 ２―トリクロルメチル―ベンズイミダゾール、 ２―トリブロムメチル―キノリン、 ２，４―ジメチル―１―トリブロムアセチル―ベ
ンゼン、 ３―ニトロ―１―トリブロムアセチル―ベンゼ
ン、 ４―ジブロムアセチル―安息香酸、 １，４―ビス―ジブロムメチル―ベンゼン、 トリス―ジブロムメチル―ｓ―トリアジン、 ２―（６―メトキシ―ナフト―２―イル）―、 ２―（ナフト―１―イル）―、 ２―（ナフト―２―イル）―、 ２―（４―エトキシエチル―ナフト―１―イル）
―、 ２―（ベンゾピラン―３―イル）―、 ２―（４―メトキシ―アントラス―１―イル）
―、 及び ２―（フエナントル―９―イル）―４，６―ビス
―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン 及び実施例中に挙げられている化合物。 開始剤の量はその化学的性質及び層の組成に依
つて広範囲に変えることが出来る。固体分の全重
量に対して約0.1〜約10重量％の範囲の量で良い
結果が得られ、0.2〜５重量％の量が有利であ
る。特に10μｍより厚い層の場合には酸供与体を
比較的小量だけ層に添加することが推められる。 更に可溶性又は微粉状分散染料を感光組成物に
添加することも出来、又使用目的にとつて必要で
あるならば紫外線吸収剤を添加することも出来
る。層中に含有される種々の成分の最も有利な量
は予備テストにより容易に決定することが出来
る。 本発明による組成物用の適当な溶剤はケトン例
えばメチルエチルケトン、塩素化炭化水素例えば
トリクロル―エチレン及び１，１，１―トリクロ
ル―エタン、アルコール例えばｎ―プロパノー
ル、エーテル例えばテトラヒドロフラン、アルコ
ールエーテル例えばエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、及びエステル例えば酢酸ブチルであ
る。これらの溶剤の混合物も使用することが出
来、又他の溶剤例えばアセトニトリル、ジオキサ
ン又はジメチルホルムアミドも特別な目的のため
には添加することが出来る。原理的には層の成分
と不可逆反応を行わないあらゆる溶剤が適当であ
る。 しかし溶剤を選別する場合には、実施するコー
テイング法、層の厚さ及び使用する乾燥装置を考
慮に入れるべきである。テスト目的用に小量で調
製される５μｍまでの薄層は有利にウアーラーコ
ーテイング法により適用される。この様にして60
μｍよりも厚い層は40％までの濃度を有する溶液
のシングル塗布により又はドクターナイフによる
塗付により形成することが出来る。両面にコート
すべき場合には、塗膜が速やかに乾燥する様に有
利には低沸点溶剤を用いて、浸し塗り法を行うの
が有利である。ウエブはローラー塗り法、スロツ
トダイを用いる方法又は噴霧法によりコートされ
る。シート状物質例えば悪鉛プレート又は多層金
属プレートはカーテンコーターを用いてコートす
ることが出来る。 他の公知のポジチブ作業の層、特にｏ―ナフト
キノンジアジドを含有するものに比べて、本発明
による感光組成物を用いる場合には比較的厚い層
を製造する上により大きな利点が得られる。それ
というのも本発明による感光組成物の感光度は層
厚への依存性が少ないからである。100μｍ以上
の厚さの層を露光及び処理することが可能であ
る。 10μｍ以上の比較的厚い層の場合の有利な支持
体は転写層用の一時的支持体として用いられるプ
ラスチツクフイルムである。この目的用及び色試
験フイルム用にはポリエステルフイルム例えばポ
リエチレンテレフタレートフイルムが有利であ
る。しかしポリオレフインフイルム例えばポリプ
ロピレンフイルムも使用することが出来る。約10
μｍ以下の厚さの層の場合には支持体として通常
全層が使用される。オフセツト印刷版を製造する
ためには、機械的又は電気化学的方法で粗面にさ
れ、場合により陽極処理されたアルミニウムプレ
ートを使用することが出来る。これは化学的方法
により、例えばポリビニルホスホン酸、珪酸塩又
は燐酸塩を用いて付加的に前処理することが出来
る。銅及びクロム又は真鍮を含有し、最上層にク
ロムを配置した多層金属プレートも適当である。
凸版印刷版として使用するためには、本発明によ
る層を亜鉛プレート又はマグネシウムプレート、
又はダウ式腐蝕のために適当なその市販微晶質合
金又は蝕刻可能なプラスチツク材例えばポリオキ
シメチレンに適用することが出来る。銅面又はニ
ツケル面上へのその良好な接着性及び耐腐蝕性の
ために本発明による層は凹版印刷版及びスクリン
印刷版として使用するために適する。又本発明に
よるコピー組成物は化学ミリング用のフオトレジ
スタとして使用することも出来る。 更に銅層を有する絶縁板からなる配線板材の片
面又は両面に、又は接着促進剤で前処理されてい
ることが出来るガラス又はケラミツク材に、又は
ミクロエレクトロニクスにおいて電子ビームによ
る潜像形成をするために適することが見出された
シリコンのスライスに同コーテイングを直接に又
は転写支持体からの転写法により適用することが
出来る。その他木材製品、繊維製品、及び投影に
より有利に潜像形成が行われアルカリ性現像剤に
対して耐浸蝕性を有する多くの物質の表面にコー
トすることが可能である。 コート層を乾燥するためには常用の装置及び条
件を使用することが出来、約100℃の温度及び120
℃への短時間の加熱にすら同塗膜はその輻射線感
受性を減ずることなく耐えられる。 本発明による物質を露光するためには、コピー
用に常用される光源、すなわち管形電球、パルス
式キセノン光源、ハロゲン化金属配合高圧水銀蒸
気灯及び炭素弧光灯も使用することが出来る。そ
の他感光性ポリアセタール及び／又はポリケター
ル層を常用の投影及び引伸し装置中で金属フイラ
メント灯の光に露光することも出来るし、又は常
用の白熱電球の下で接触露光することも出来る。
更に干渉レーザービームを露光用に使用すること
も出来る。本発明の目的のためには十分なエネル
ギーの短波レーザー、例えば300〜600nmを放射
するアルゴンレーザー、クリプトン―イオンレー
ザー、染料レーザー及びヘリウム―カドミウムレ
ーザーが適当であることが見出された。レーザー
ビームは所与のプログラムによる線及び／又はス
クリン運動により当てられる。 更に別の可能性として、本発明による物質を電
子ビームで照射することも出来る。本発明による
コピー組成物は多くの他の有機物質と同様に電子
ビームにより完全に分解して架橋し得るから、溶
剤により未露光域が除去された後で又は露光によ
つてオリジナル及び現像なしいネガチブ像が形成
される。しかしより低い強度及び／又はより高い
作業速度の電子ビームの場合には溶解度のより高
い域が生じるという差異が形成される。すなわち
層の照射域を現像液によつて除去することが出来
る。本発明による層は通常のナフトキノンジアジ
ド層よりも電子ビームに対してずつと敏感である
こと及び実施例に記述されている様に比較的低エ
ネルギー効率の広範囲の電子ビームを使用し得る
ことが見出された。最も有利な条件は予備テスト
により容易に確めることが出来る。 像に合せた露光又は照射の後で本発明による層
は市販のナフトキノンジアジド層及び耐蝕層用に
使用されているのと同じ現像剤によつて大体にお
いて除去することが出来る。つまり新規の層のコ
ピー条件は公知の補助物質例えば現像液及びプロ
グラム化スプレー現像装置に有利に適合させるこ
とが出来る。使用される現像水溶液は例えばアル
カリ燐酸塩、アルカリ珪酸塩又はアルカリ水酸化
物及び湿潤剤、及び小量の有機溶剤を含有するこ
とが出来る。ある場合には溶剤と水との混合物を
現像用に使用することが出来る。最適の現像剤は
使用する層と一緒に予備テストをすることにより
決定することが出来る。必要の場合には現像工程
を物理的手段によつて補助することが出来る。 焼付け作業の間の物理的強度及び洗い出し溶
液、修正剤及び紫外線硬化性印刷インキに対する
耐性を増すために、ジアゾ層に対して公知であり
又例えば英国特許明細書第1154749号に記述され
ている様に、現像されたプレートを比較的高温で
短時間加熱することが出来る。 本発明は又レリーフ像を形成するための方法に
も関し、該方法は主成分として ａ 化学線の作用下で酸を生成する化合物及び ｂ その主鎖中に繰返しアセタール―又はケター
ル部分を有し、現像液中でのその溶解度が酸の
作用によつて上昇する有機重合化合物 を含有する輻射線感受性レコーデイング物質を現
像液中への層の溶解度が増加する程度に化学線に
像に合せて露光し、次いで層の照射部分を現像液
を用いて除去することからなる。本方法はアセタ
ール―又はケタール部分のアルコール成分の各α
―炭素原子が脂肪族である化合物ｂ）を使用する
ことを特徴とする。 本方法を実施するために電子ビームを使用する
場合には、可視光線又は近紫外線のスペクトル範
囲内で光感度を有する公知の光分解酸供与体の他
に、その吸収範囲が電磁スペクトルの比較的短い
波長範囲内にあり、従つて日光に対する敏感度が
少ない酸供与体を使用することも可能である。こ
れは本発明によるレコーデイング物質を断光条件
下で取扱う必要のないこと及びよりよい貯蔵性を
達成し得るという利点を有する。 その様な開始剤の例は例えば、トリブロムメチ
ル―フエニルスルホン、２，2′，４，4′，６，
6′―ヘキサブロム―ジフエニルアミン、ペンタブ
ロムエタン、２，３，４，５―テトラークロルア
ニリン、ペンタエリトリトール―テトラブロマイ
ド、クロフエン―樹脂Ｗ、すなわち塩素化テルフ
エニル樹脂、又は塩素化パラフインである。 以下に本発明によるコピー組成物の例を記述す
る。先ず、酸により分離され得る物質として本発
明によるコピー組成物中に使用するために適当で
あることが見出された一連の新規ポリアセタール
及びポリケタールの製造について記述する。それ
らは化合物１〜106の番号を付され、その番号で
例中に記述される。 例中で重量部と容量部との比率はｇとmlとの比
率である。「％」及び「部」は他に記載のない限
り重量による。第１表に記載の化合物No.１〜46を
製造するための一般指示Ａ 反応条件下で不活性で、水と共沸混合物を生成
する溶剤例えばベンゼン、トルエン、キシレシ、
クロロホルム又は塩化メチレン中で、アルデヒド
とジオールとを約１：１のモル比で、酸触媒例え
ば酸イオン交換体１〜２重量％の存在下で反応水
がもはや分離されなくなるまで還流下で沸点に加
熱する。例えば炭酸ナトリウムを使用して中和し
た後で反応混合物を濾過して溶剤を分離する。
100〜150℃において高真空下で揮発性成分を除去
した後で残留する高粘度の油状物は赤外線スペク
トル中で大体においてヒドロキシル帯又はカルボ
ニル帯を示さない。核磁気共鳴スペクトル中では
第１表に記載されているアセタールプロトンの特
性シグナルが見出される。 反応水を直接蒸留除去した場合にも上記の化合
物が得られる。この場合には溶剤なしに作業する
こと（一般指示Ｂ）又は高沸点不活性溶剤例えば
ｏ―ジクロルベンゼンを使用することが可能であ
る。又は溶剤が使用されず、反応温度が低い場合
には、減圧下で反応水を除去することも可能であ
る（一般指示Ｃ）。
【表】
【表】 第２表に記載の化合物No.47〜63を製造するため
の一般指示Ｂ アセタール又はケタール及びジオールを約１：
１のモル比で、酸触媒例えばメシチレンスルホン
酸１〜２重量％の存在下で、反応の間に形成され
た低沸点アルコールが完全に蒸留除去されるまで
加熱する。不活性溶剤及び固体状の炭酸ナトリウ
ムを添加した後で反応混合物を濾過して溶剤を分
離する。100〜150℃において高真空下で揮発性成
分を除去した後で残留した高粘性の油状物は赤外
線スペクトル中でヒドロキシル帯を示さない。 同化合物は又低温度において減圧下でか（一般
指示Ｃ）又は比較的高温において高沸点不活性溶
剤例えばｏ―ジクロルベンゼンの存在下で低沸点
アルコールを除去することによつても得ることが
出来る。
【表】
【表】 第３表に記載の化合物No.64〜83を製造するため
の一般指示Ｃ ビニルエーテルとジオールとを約１：１のモル
比で、酸触媒例えば硫酸水素カリウム１〜２重量
％の存在下で、室温又は僅かに高められた温度に
おいて２〜３時間撹拌する。反応の間に遊離され
た低沸点アルコールを水流真空を用いて完全に除
去する。不活性溶剤及び固体炭酸ナトリウムを添
加した後で反応混合物を濾過して溶剤を分離す
る。高真空中で100〜150℃において低沸点成分を
除去した後に残留した高粘性の油状物は赤外線ス
ペクトル中で事実上ヒドロキシル帯も二重結合域
内での帯も示さない。核磁気共鳴スペクトル中で
はビニルプロトンは消滅した。 上記化合物は又溶剤の使用なしに（一般指示
Ｂ）又は高沸点不活性溶剤例えばｏ―ジクロルベ
ンゼンの存在下で低沸点アルコールを直接蒸留除
去することによつても得られる。
【表】
【表】 化合物No.84〜93 第４表に記載の化合物No.84〜93を製造するため
には一般指示Ａ〜Ｃのいずれかを適用する。この
化合物は縮合物である。式により表わされ、カ
ルボニル成分又はその等価物とジオール成分とか
ら製造される基が統計的配置で存在する。反応体
として使用した化合物は以下の様である： 化合物No.84：ベンズアルデヒド及び２―エチル―
ブチルアルデヒドとペンタン―１，５―ジオー
ル 化合物No.85：イソブチルアルデヒドとペンタン―
１，５―ジオール及びジエチレングリコール 化合物No.86：２―エチル―ブチルアルデヒド及び
ベンズアルデヒドとトリエチレングリコール及
びペンタン―１，５―ジオール 化合物No.87：ベンズアルデヒド及び２−エチル―
ブチルアルデヒドとトリエチレングリコール 化合物No.88：ベンズアルデヒド―ジエチルアセタ
ール及び２―エチル―ヘキサナール―ジエチル
アセタールとペンタン―１，５―ジオール 化合物No.89：シクロヘキサノン―ジエチルケター
ル及びアニスアルデヒド―ジエチルアセタール
とトリエチレングリコール 化合物No.90：２―メトキシ―シクロヘキセンとト
リエチレングリコール及びペンタン―１，５―
ジオール 化合物No.91：２―メトキシ―シクロヘキセン及び
４―メトキシ―ヘプト―３―エンとｐ―キシリ
レングリコール 化合物No.92：ベンズアルデヒド―ジエチルアセタ
ール及び２―メトキシ―シクロヘキセンとトリ
エチレングリコール 化合物No.93：エナントアルデヒド及びベンズアル
デヒド―ジエチルアセタールとトリエチレング
リコール
【表】
【表】 第５表に記載の化合物No.94〜102を製造するた
めの一般指示Ｄ 不活性溶剤例えば塩化メチレン中のジオールの
溶液に、酸触媒例えば硫酸又はｐ―トルエンスル
ホン酸１〜２重量％の存在下で冷却しながら、等
モル量のジビニルエーテルを注意深く滴加する。
室温において３時間撹拌した後で、固体炭酸ナト
リウムを添加して反応混合物を中和し、次いで濾
過して溶剤を分離する。高真空中で100〜150℃に
おいて揮発性成分を除去した後で残留した高粘性
の油状物は赤外線スペクトル中で実際上ヒドロキ
シル帯も二重結合域中での帯も示さない。核磁気
共鳴スペクトルはビニルプロトンを示さない。ポ
リアセタールの特性を示すアセタールプロトンシ
グナルは第５表に記載されている。
【表】 化合物No.103 濃硫酸２滴が添加されている塩化メチレン10ml
中のプロパン―１，３―ジオール7.6ｇの溶液
に、氷で冷却しながら、ジエチレングリコールジ
ビニルエーテル15.8ｇを注意深く滴加する。同混
合物を室温において２時間撹拌した後で塩化メチ
レンを更に40mlと固体炭酸ナトリウム１ｇを添加
する。濾過し、有機相を濃縮することにより粗生
成物が得られ、これはその揮発性成分の他にアセ
トアルデヒド―トリメチレンアセタールを含有す
る。高真空中で150℃において低沸点成分を除去
した後で粘性油状物80ｇが残る。核磁気共鳴スペ
クトル中で得られたシグナル〔1HNMR
（CDCl3，TMS）：δ＝4.82ppm（４重項、１ア
セタールプロトン）、δ＝3.68ppm（単項、12メ
チレンプロトン）及びδ＝1.34ppm（二重項、３
メチルプロトン）〕はジエチレングリコールモノ
ビニルエーテル重合体の繰返し単位に相当する。 例えばジエチレングリコールジビニルエーテル
をエチレングリコール、２，２―ジエチル―プロ
パン―１，３―ジオール及び２―エチル―２―ブ
チル―プロパン―１，３―ジオールと反応させる
ことによつても同じ反応生成物が得られる。 化合物No.104〜106 化合物No.104〜106を製造するためには一般指示
Ｂ又はＣを以下のビス―アセタール又はビス―ケ
タール及びテトラー（ヒドロキシアルキル）化合
物に適用する： 化合物No.104：２，２，５，５―テトラメチロー
ル―シクロペンタノン及びシクロヘキサン―
１，４―ジオン―テトラメチルケタール 化合物No.105：マロンジアルデヒド―テトラメチ
ルアセタール及び２，２，５，５―テトラメチ
ロール―シクロペンタノン 化合物No.106：アジピンジアルデヒド―テトラエ
チルアセタール及び２，２，５，５―テトラメ
チロール―シクロペンタノン このすべての場合に、シクロペンタノン成分
から起因するカルボニル帯を示す重合体が得ら
れる。更に別のカルボニル帯又はヒドロキシル
帯はない。 例 １ 本実施例は非常に様々なポリアセタール酸供与
体化合物の、ポジチブ作業コピー組成物の成分と
しての適当性を示す。 以下の成分： クレゾール―ホルムアルデヒドノボラツク
（DIN（ドイツ工業規格）53181による毛管法に
よつて測定した融点＝105〜120℃） 4.7重量部 重合アセタール 1.4重量部 酸供与体 0.23重量部 クリスタルヴアイオレツト 0.02重量部 メチルエチルケトン 93.65重量部 からなる溶液をブラツシングされたアルミニウム
プレート上に1.2μｍ厚さの層が得られる様にウ
アーラー法によりコーテイングする。同プレート
を5kWハロゲン化金属ランプの下で110cmの距離
から7.5秒間像に合せて露光し、次いで下記の現
像溶液Ａ又はＢのいずれかで現像する： 現像溶液 Ａ メタ珪酸ナトリウム・9H2O 5.5％ 三燐酸ナトリウム・12H2O 3.4％ 無水燐酸二水素ナトリウム 0.4％ 完全に脱塩された水 90.7％ 現像溶液 Ｂ NaOH 0.6％ Na2SiO3・5H2O 0.5％ ｎ―ブタノール 1.0％ 完全に脱塩された水 97.9％ 下記の第６表に酸供与体化合物、使用した現像
液及び現像時間を示す。すべての場合に原画のポ
ジチブ像が得られ、実際の最高感光度はテストNo.
４及びNo.10において見られる。
【表】
【表】 例 ２ 絶縁材（フエノール樹脂積層物）と35μｍ厚さ
の銅箔とからなる混成物体に以下の組成の耐蝕層
を設ける： 例１で使用されたノボラツク 39重量部 をエチレングリコールモノエチルエーテル82重
量部、酢酸ブチル９重量部及びキシレン９重量
部から溶剤混合物 71重量部 中に溶かし、 同溶液 84.2重量部 を化合物No.43 12.1重量部 ２―（４―メトキシスチリル）―４，６―ビス
―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
0.5重量部 染料“C.I.ソルヴエント ブルー（Solvent
Blue）16” 0.8重量部 及び改質シリコングリコール（市販のコーテイ
ング補助物質） 2.4重量部 を溶かすために使用し、 同溶液 58.5重量部 を再び上記の溶剤混合物 41.5重量部 に溶かす。 上記混成プレートをこの溶液中に浸し、40cm／
分の速度で引上げる。同コーテイングを100℃に
おいて10分間乾燥することにより５μｍ厚さの層
が形成される。この被覆プレートを、光源として
例１に使用されたハロゲン化金属ランプを使用
し、線画像を通し像に合せて70秒間露光し、次い
で例１に使用された現像液Ｂを噴霧することによ
り現像する。三塩化鉄溶液で腐蝕を行うことによ
り、耐蝕層で被覆されている層の未露光域を侵す
ことなく、裸出銅層を除去する。 適当な浴中で裸出銅層上に鉛／錫層を電着させ
た点以外は上記の方法を繰返す。この耐蝕層もこ
の作業に対して抵抗性を有する。 例 ３ 層厚の大きいポジチブ作業のホトレジストを製
造するために、 例１で使用されたノボラツク 29.64重量部 化合物 No.94 8.89重量部 ２―（４―メトキシナフト―１―イル）―４，
６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
0.12重量部 例２で使用されたコーテイング補助物質
2.08重量部 をブタン―２―オン 59.27重量部 中に溶かす。 常用の電導性剥離層を備えたニツケルプレート
にこの溶液をワイヤーバーNo.40を用いてコートす
る。同コーテイングを100℃において20分間乾燥
する。乾燥層を5KWのハロゲン化金属ランプの
光に110cmの距離から120秒間像に合せて露光す
る。同プレートを例１で使用された現像液Ａ中で
振盪することにより、層の露光部分を2.5分間以
内に溶かす。その様にして約60μｍ厚さの電鋳ス
テンシルが製造され、これを市販のスルフアミン
酸ニツケル浴中でニツケルスクリーンのウエブを
形成するために使用する。電着工程終了後にメツ
シユを開く。すなわちアセトンで耐蝕層を除去す
ることによつてステンシルを除去する。円筒形を
この方法で処理する場合にはロータリースクリー
ン印刷用の印刷版が形成される。 例 ４ ブラツシングされたアルミニウムプレートを例
１で使用されたノボラツク 10.64重量部 ポリアセタール又はポリケタール 3.20重量部 ２―（４―（２―エトキシ―エトキシ）―ナフ
ト―１―イル）―４，６―ビス―トリクロルメ
チル―ｓ―トリアジン 0.16重量部 をメチルエチルケトン 86.00重量部 に溶かした溶液に浸漬することによりコートす
る。 浴から引上げ、溶剤を蒸発させた後で同プレー
トを熱風流中で20秒間乾燥し、次いで１mm厚さの
ガラス板で覆われた線原画の下で露光する。露光
装置は相互に４cmの間隔を置いて配置されている
４個のTLAK 40W／05型の螢光灯（フイリツプ
ス（Philips）社により製造）から構成される。
管形ランプの周辺とプレート面との間の距離は約
５cmであつた。種々のポリアセタール及びポリケ
タールのために使用された露光時間を下記の表に
示す。
【表】
【表】
【表】 このすべての場合に例１で使用された現像液Ａ
で現像した後で原画のポジチブ像が形成される。 例 ５ 例１で使用されたノボラツクの代りに、DIN
（ドイツ工業規格）53181により測定した融点範囲
110〜120℃を有するフエノールホルムアルデヒド
ノボラツクを同重量使用する点以外は例４の方法
を繰返す：
【表】 この場合にもコピー組成物はポジチブ作業であ
る。 例 ６ オフセツト印刷版を以下の様にして製造する：
電解法で粗面にされ、陽極処理されたアルミニウ
ム箔に下記のコーテイング溶液をウアーラー法
（150回転／分）によりコートする： メチルエチルケトン 94.6重量部 例１で使用されたノボラツク 4.0重量部 化合物No.８ 1.2重量部 例１で使用された酸供与体No.４ 0.2重量部 クリスタル ヴアイオレツト 0.01重量部 形成された層は約1.5〜2.0ｇ／m2の乾燥重量を
有する。この乾燥感光材を110cmの距離をおいた
5KWのハロゲン化金属ランプを用いてポジチブ
線及びスクリーン組合せ原画の下で20秒間露光す
る。露光後に強い青緑色コントラストを示す像が
見える様になる。例１の現像液Ａを現像用に使用
する。層の露光域は30秒以内に溶解し去り、青色
の未露光域が印刷ステンシルとして残る。 この方法で製造されたオフセツト印刷版に常法
で油性インキを付着させ、印刷機に締めつける。
版を保存すべき場合には常用の保存剤で拭うこと
が出来る。110000プリント後に、150ドツトスク
リーンに損傷は認められなかつたが、印刷を中止
した。現像された印刷版を約230〜240℃で後加熱
することにより印刷運転時間を著しく増すことが
出来る。 例 ７ この例では本発明によるコピー組成物の高度な
熱安定性を、米国特許明細書第3779778号に記載
のモノマービスアセタール化合物をベースとした
相当するコピー層と比較して示す。熱安定性の不
足はしばしば現像剤に対する抵抗性の減少とし
て、すなわち現像の間の層の露光域と未露光域と
の間の差異が不十分であることに現われる。しか
し熱安定性の不足によつて現像所要時間が著しく
増加する場合の方がより多い。極端な場合には常
用の現像液中で層の露光域を溶解することがもは
や不可能になる。シビアな熱応力が室温又はやや
高められた温度における物質の保存性の迅速テス
トとして考慮される。 電解法で粗面にされ陽極処理された表面を有す
るアルミニウムプレートに以下の組成： 例１で使用されたノボラツク 73.8％ モノマー又はポリマーアセタール 22.3％ 例２で使用された酸供与体 3.7％ クリスタル ヴアイオレツト 0.2％ をメチルエチルケトンに溶かした６％溶液をウア
ーラーコーテイング法により塗布し、約２μｍ厚
さの被覆層を形成する。全プレートを乾燥機中で
等しい時間100℃に加熱し、原画下で露光し、次
いで現像する。 下記の第７表は熱応力の継続時間の函数として
のプレートの現像所要時間の変化を示す。
【表】 テストNo.１及び２において例１の現像液Ｂの代
りに侵蝕性のより少ない現像液Ａを使用する場合
には、現像所要時間は更に著しく増す。 例 ８ 電解法で粗面にされ、陽極処理された表面を有
するアルミニウムプレートをウアーラーコーテイ
ング法により以下の組成： 例１で使用されたノボラツク 4.7重量部 ポリマーアセタール 1.4重量部 酸供与体 0.23重量部 クリスタル ヴアイオレツト 0.02重量部 ブタン―２―オン 93.05重量部 からなる溶液で約1.7μｍ厚さの乾燥層が形成さ
れる様にコートする。５μｍ直径のスポツト上に
光学的に焦点を合せたビームを有する25Wのアル
ゴン―イオンレーザーを用いて上記の層を像に合
せて全スペクトル線にわたり照射する。レーザー
のレコーデイング速度を変えてポリアセタール／
酸供与体配合物の感度を測定する。例１の現像液
Ａを使用する場合には、層の露光域は15〜90秒以
内で溶解し去る。未照射域に油性インキを塗布す
ることによりレーザーのトレースを更に明白にす
ることが出来る。下記の最高レコーデイング速度
が観察された：
【表】 トベンゼン〓ジアゾニウム ヘキサ
フルオ燐酸塩
【表】 例 ９ この例は酸によつて分離され得る新規化合物を
含有する層の電子ビームによる像形成を示す。 以下の組成物： 例１で使用されたノボラツク 74.0％ ポリマーアセタール 22.0％ 開始剤 3.8％ 染料 0.2％ からなる約２μｍ厚さの層を11KV電子で照射
し、照射域を第８表に記載の条件下で溶解化す
る。
【表】
【表】 スペクトルの比較的短い波長領域内で、すなわ
ち可視光線領域を越えた領域内及び常用の光源の
主輻射領域の外側域で吸収されるが、電子輻射の
下で非常に活性のある酸供与体、例えばペンタブ
ロムエタン及びトリス―トリブロムメチル―ｓ―
トリアジンを使用する場合にも類似の結果が得ら
れる。 本方法は層を通常の日光の下で取扱い得るとい
う利点を有する。 例 10 二軸方向に延伸され、熱固定された25μｍ厚さ
のポリエチレンテレフタレートフイルムを、トリ
クロル酢酸10％、ポリビニルアルコール１％及び
湿潤剤0.1％を含有する水溶液中に浸し、次いで
同フイルムを140℃において２分間乾燥する。 ポジチブ作業の乾燥耐蝕層を製造するために
は、その様に前処理されたポリエステルフイルム
をメチルエチルケトン46重量部とジオキサン14重
量部との混合物中に溶かした以下の成分： 例１で使用されたノボラツク 28.6重量部 化合物 No.２ 8.6重量部 例３で使用された酸供与体 0.5重量部 例２で使用されたコーテイング補助物質
2.1重量部 染料としての“C.I.ソルヴエント ブルーNo.
16” 0.2重量部 の溶液でコートする。同被覆層は乾燥後に約40〜
50μｍの厚さを有する。埃及び引掻きに対して保
護するために、同層をポリエチレンのトツプコー
テイングで被覆することが出来る。 トツプコーテイングを除去した後でこのポジチ
ブ作業の乾燥耐蝕層を、35μｍ厚さの銅層を片面
又は両面に備えた絶縁材からなる予熱された清潔
な支持体に市販の積層機を用いて積層することに
より配線板を製造することが出来る。支持フイル
ムを剥離し、場合により乾燥してから、原画の下
で5KWのハロゲン化金属ランプ（110cm距離、約
100秒間）に露光し、例１で使用された現像液Ａ
―これに小量のブタノールを添加してもよい―を
約２〜４分間噴霧して現像することにより高品質
の像形成された耐蝕層が得られる。これは例えば
FeCl3を使用する蝕刻作業の間の条件に耐性を有
するばかりでなく、通し孔印刷配線を製造するた
めに使用される電気メツキ作業に対しても、特に
銅層及びニツケル層が相前後して電気メツキされ
る場合に、耐性を有する。 例 11 再引伸し版を製造するためには、 例１で使用されたノボラツク 4.0重量部 化合物No.10 1.2重量部 ２―（４―エトキシナフト―１―イル）―４，
６―ビス―トリクロルメチル―ｓ―トリアジン
0.2重量部 クリスタル ヴアイオレツト 0.01重量部 をメチルエチルケトン94.6重量部に溶かし、同溶
液をブラツシングされたアルミニウムプレート上
にウアーラ―コーテイング法によりコートする。 その様に形成されたプレートを、150ワツトの
ランプを備えているライツ（Leitz）社供給の投
影機（Prado型、ｆ＝85mm、１：25）を用い65cm
の距離から透明ポジチブの下で３分間露光する。
例１に記載の現像液Ａ中に浸すことにより透明ポ
ジチブ上に黒白線画像の引伸ばされたコピーが60
秒以内で得られ、その様に製造されたコピーは小
型オフセツト印刷機内で印刷することにより製版
することが出来る。 化合物No.10の代りに等量の化合物No.14，19，
８，38，20，94又は99を使用することによつても
類似の結果が得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 主成分として、 ａ 化学線の作用下で酸を形成する化合物と ｂ その主鎖中に繰返しアセタール―又はケター
    ル部分を有し、現像液中でのその溶解度が酸の
    作用によつて上昇する有機重合化合物 とを含有するコピー組成物において、上記有機重
    合化合物のアセタール部分又はケタール部分のア
    ルコール成分の各α―炭素原子が脂肪族である輻
    射線感受性コピー組成物。 ２ 重合化合物の主鎖が繰返しアセタール部分又
    はケタール部分を平均して少なくとも３個含有す
    る特許請求の範囲第１項記載のコピー組成物。 ３ 重合化合物のアルコール成分が少なくとも２
    価のアルコールである特許請求の範囲第１項記載
    のコピー組成物。 ４ 重合化合物のアルコール成分が２〜18個の炭
    素原子を含有する特許請求の範囲第１項記載のコ
    ピー組成物。 ５ 重合化合物のアルコール成分がヒドロキシア
    ルキルエノールエーテルのヒドロキシアルキル基
    から誘導される特許請求の範囲第１項記載のコピ
    ー組成物。 ６ 付加的に重合体結合剤を含有する特許請求の
    範囲第１項記載のコピー組成物。 ７ 重合化合物が一般式： 〔式中：ｎは１〜40の整数を表わし、R1及び
    R4はＨ原子、アルキル基又はアリール基を表わ
    し、R3及びR6はアルキレンオキシ基を表わし、
    R2及びR5はアルキル基又はアリール基を表わ
    し、基R1，R2及びR3の中の２個と基R4，R5及び
    R6の中の２個が場合により結合して置換又は不
    置換環を形成するか、又はR3及びR6がアルキレ
    ン基を表わし、R2及びR5がアルコキシ基を表わ
    してR3又はR6と一緒に置換されていてもよい環
    を形成し、R3はR4と又R1は隣接単位のR6とそれ
    ぞれ結合して置換又は不置換環を形成する〕に相
    当する単位を含有する特許請求の範囲第１項記載
    のコピー組成物。 ８ 重合化合物が一般式： 〔式中：ｍは２〜80の整数を表わし、R1はＨ
    原子又はアルキル基又はアリール基を表わし、
    R2はアルキル基又はアリール基を表わすか、又
    はR1とR2が一緒に置換されていてもよい環を形
    成し、R3はアルキレン基を表わし、これは基R1
    及びR2のいずれかと結合して置換又は不置換環
    を形成することが出来る〕に相当する繰返し単位
    を含有する特許請求の範囲第１項記載のコピー組
    成物。 ９ 重合化合物が一般式： 〔式中：ｍは２〜80の整数を表わし、R2はＨ
    原子、アルキル基又はアリール基を表わし、R3
    はアルキレン基を表わし、R8及びR9はＨ原子、
    アルキル基又はアリール基を表わし、これは相互
    に結合するか又はそのそれぞれが基R2及びR3の
    いずれかと結合して置換又は不置換環を形成する
    ことが出来る〕に相当する繰返し単位を含有する
    特許請求の範囲第１項記載のコピー組成物。 １０ 重合化合物が一般式： 〔式中：１は１〜40の整数を表わし、R1及び
    R1′はＨ原子、アルキル基又はアリール基を表わ
    し、これは相互に結合して置換されていてもよい
    環を形成することが出来、R2はアルキレン基又
    はアリーレン基を表わし、R3は４価の脂肪族基
    を表わし、その遊離原子価は５員環又は６員環が
    形成される様な距離で異なる炭素原子に結合して
    いる〕に相当する単位を含有する特許請求の範囲
    第１項記載のコピー組成物。 １１ 重合化合物が同じ分子内に式，，又
    はに相当する異なる単位を含有する特許請求の
    範囲第７項〜第１０項のいずれかに記載のコピー
    組成物。 １２ 支持体及び、主成分として ａ 化学線の作用下で酸を形成する化合物及び ｂ その主鎖中に繰返しアセタール―又はケター
    ル部分を有し、現像液中でのその溶解度が酸の
    作用によつて上昇する有機重合化合物 を含有するレコーデイング層とからなる輻射線感
    受性レコーデイング物質を、現像液中での層の溶
    解度が上昇する程度に、化学線に像に合せて露光
    し、次いで層の照射部分を現像液を用いて除去す
    ることによりレリーフ像を形成するに当り、上記
    成分ｂにおけるアセタール部分又はケタール部分
    のアルコール成分の各α―炭素原子が脂肪族であ
    る化合物ｂを使用することを特徴とするレリーフ
    像の形成法。
JP4919678A 1977-04-25 1978-04-24 Radiation sensitive copying conposite and method of forming relief Granted JPS53133429A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2718254A DE2718254C3 (de) 1977-04-25 1977-04-25 Strahlungsempfindliche Kopiermasse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53133429A JPS53133429A (en) 1978-11-21
JPS6239420B2 true JPS6239420B2 (ja) 1987-08-22

Family

ID=6007159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4919678A Granted JPS53133429A (en) 1977-04-25 1978-04-24 Radiation sensitive copying conposite and method of forming relief

Country Status (16)

Country Link
US (1) US4247611A (ja)
JP (1) JPS53133429A (ja)
AU (1) AU525946B2 (ja)
BE (1) BE866305A (ja)
BR (1) BR7802527A (ja)
CA (1) CA1128804A (ja)
CH (1) CH635448A5 (ja)
DE (1) DE2718254C3 (ja)
DK (1) DK176778A (ja)
FR (1) FR2389155A1 (ja)
GB (1) GB1602902A (ja)
IE (1) IE46621B1 (ja)
IT (1) IT1102623B (ja)
NL (1) NL7804303A (ja)
SE (1) SE444232B (ja)
ZA (1) ZA782331B (ja)

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4356252A (en) * 1979-12-26 1982-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive negative-working tonable element
US4294909A (en) 1979-12-26 1981-10-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive negative-working toning process
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3038605A1 (de) * 1980-10-13 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefkopien
DE3039926A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
DE3107109A1 (de) * 1981-02-26 1982-09-09 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial
US4365019A (en) * 1981-08-06 1982-12-21 Eastman Kodak Company Positive-working resist quinone diazide containing composition and imaging method having improved development rates
US4366224A (en) * 1981-08-06 1982-12-28 American Hoechst Corporation Inorganic lithium developer composition
DE3144480A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3144499A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS58219736A (ja) * 1982-06-16 1983-12-21 Hitachi Ltd パターン形成方法
JPS58219547A (ja) * 1982-06-16 1983-12-21 Hitachi Ltd ポジ形放射線感応性有機高分子材料
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3236560A1 (de) 1982-10-02 1984-04-05 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches schichtuebertragungsmaterial und verfahren zur herstellung einer photoresistschablone
DE3323343A1 (de) * 1983-06-29 1985-01-10 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial
JPS6010250A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd パタ−ン形成方法
GB8333901D0 (en) * 1983-12-20 1984-02-01 Minnesota Mining & Mfg Radiationsensitive compositions
US4564575A (en) * 1984-01-30 1986-01-14 International Business Machines Corporation Tailoring of novolak and diazoquinone positive resists by acylation of novolak
DE3406927A1 (de) * 1984-02-25 1985-08-29 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen
GB8413395D0 (en) * 1984-05-25 1984-07-04 Ciba Geigy Ag Production of images
DE3582697D1 (de) * 1984-06-07 1991-06-06 Hoechst Ag Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
US4708925A (en) * 1984-12-11 1987-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photosolubilizable compositions containing novolac phenolic resin
DE3445276A1 (de) * 1984-12-12 1986-06-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform
US4634659A (en) * 1984-12-19 1987-01-06 Lehigh University Processing-free planographic printing plate
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
US4663269A (en) * 1985-08-07 1987-05-05 Polytechnic Institute Of New York Method of forming highly sensitive photoresist film in the absence of water
JPS62124557A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性組成物及び感光性平版印刷版材料
CA1308596C (en) * 1986-01-13 1992-10-13 Rohm And Haas Company Microplastic structures and method of manufacture
CA1307695C (en) * 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
US4897336A (en) * 1986-04-11 1990-01-30 Chien James C W Self-developing radiation sensitive resist with amorphous polymer having haloalkyl substitution derived from cycic ether
DE3621376A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-07 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3628720A1 (de) * 1986-08-23 1988-02-25 Hoechst Ag Vorsensibilisierte druckplatte und verfahren zur herstellung einer druckform fuer den wasserlosen flachdruck
DE3635303A1 (de) 1986-10-17 1988-04-28 Hoechst Ag Verfahren zur abtragenden modifizierung von mehrstufig aufgerauhten traegermaterialien aus aluminium oder dessen legierungen und deren verwendung bei der herstellung von offsetdruckplatten
JPH0654382B2 (ja) * 1986-11-18 1994-07-20 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPS63265242A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 多色画像形成方法
DE3725741A1 (de) * 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3730783A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730785A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730787A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3737734A1 (de) * 1987-11-06 1989-05-18 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch
JP2623309B2 (ja) * 1988-02-22 1997-06-25 ユーシービー ソシエテ アノニム レジストパターンを得る方法
DE3810631A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-12 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand
EP0347381B1 (de) * 1988-06-13 1992-02-12 Ciba-Geigy Ag Ungesättigte beta-Ketoesteracetale und ihre Anwendungen
DE3820699A1 (de) * 1988-06-18 1989-12-21 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3821584A1 (de) * 1988-06-25 1989-12-28 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3827901A1 (de) * 1988-08-17 1990-02-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3907954A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
EP0410606B1 (en) 1989-07-12 1996-11-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3940965A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
DE4002397A1 (de) * 1990-01-27 1991-08-01 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4003025A1 (de) * 1990-02-02 1991-08-08 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
EP0502819A1 (de) * 1991-03-01 1992-09-09 Ciba-Geigy Ag Säurekatalytisch vernetzbare Copolymere
EP0501919A1 (de) * 1991-03-01 1992-09-02 Ciba-Geigy Ag Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen
DE4112968A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112969A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempflindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112970A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE69226920T2 (de) * 1991-10-07 1999-01-28 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche Zusammensetzung
JP2944296B2 (ja) 1992-04-06 1999-08-30 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
US5353705A (en) * 1992-07-20 1994-10-11 Presstek, Inc. Lithographic printing members having secondary ablation layers for use with laser-discharge imaging apparatus
USRE35512F1 (en) * 1992-07-20 1998-08-04 Presstek Inc Lithographic printing members for use with laser-discharge imaging
US5339737B1 (en) * 1992-07-20 1997-06-10 Presstek Inc Lithographic printing plates for use with laser-discharge imaging apparatus
US5351617A (en) * 1992-07-20 1994-10-04 Presstek, Inc. Method for laser-discharge imaging a printing plate
US5379698A (en) * 1992-07-20 1995-01-10 Presstek, Inc. Lithographic printing members for use with laser-discharge imaging
AU674518B2 (en) * 1992-07-20 1997-01-02 Presstek, Inc. Lithographic printing plates for use with laser-discharge imaging apparatus
DE4242051A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
DE4242050A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
US5340699A (en) * 1993-05-19 1994-08-23 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a resole resin and a novolac resin and use thereof in lithographic printing plates
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
GB9326150D0 (en) * 1993-12-22 1994-02-23 Alcan Int Ltd Electrochemical roughening method
DE4414897A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Aromatische Diazoniumsalze und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
DE4414896A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
US5466557A (en) * 1994-08-29 1995-11-14 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a resole resin, a novolac resin, a latent bronsted acid, an infrared absorber and terephthalaldehyde and use thereof in lithographic printing plates
JPH0876380A (ja) 1994-09-06 1996-03-22 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型印刷版組成物
DE4444669A1 (de) * 1994-12-15 1996-06-20 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches Gemisch
JPH0954437A (ja) 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
JP3506817B2 (ja) * 1995-07-26 2004-03-15 クラリアント インターナショナル リミテッド 放射線感応性組成物
TW466256B (en) 1995-11-24 2001-12-01 Ciba Sc Holding Ag Borate photoinitiator compounds and compositions comprising the same
JP3591672B2 (ja) 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6060222A (en) * 1996-11-19 2000-05-09 Kodak Polcyhrome Graphics Llc 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
JP3858374B2 (ja) * 1997-09-18 2006-12-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 感光性組成物及び画像形成材料
US6174646B1 (en) * 1997-10-21 2001-01-16 Konica Corporation Image forming method
GB2335283B (en) 1998-03-13 2002-05-08 Horsell Graphic Ind Ltd Improvements in relation to pattern-forming methods
EP1031878A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-30 Shipley Company LLC Novel polymers and photoresist compositions comprising same
JP3969909B2 (ja) 1999-09-27 2007-09-05 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3963624B2 (ja) 1999-12-22 2007-08-22 富士フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
AUPQ700100A0 (en) * 2000-04-18 2000-05-11 Orbital Engine Company (Australia) Proprietary Limited Engine speed control for internal combustion engines
WO2002019034A1 (fr) * 2000-08-29 2002-03-07 Jsr Corporation Composition possedant un indice de refraction sensiblement modifiable par rayonnement et procede pour former un motif d'indice de refraction
CA2431358A1 (en) * 2000-12-11 2002-06-20 Jsr Corporation Radiation sensitive refractive index changing composition and refractive index changing method
CN1225509C (zh) 2001-02-19 2005-11-02 捷时雅株式会社 感放射线性折射率变化性组合物
CA2408217A1 (en) 2001-03-13 2002-11-12 Jsr Corporation Radiation sensitive refractive index changing composition and use thereof
JP2003043682A (ja) * 2001-08-01 2003-02-13 Jsr Corp 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法
ATE410459T1 (de) 2002-01-14 2008-10-15 Gen Hospital Corp Bioabbaubare polyketale, verfahren zu ihrer herstellung sowie ihre verwendung
US7255972B2 (en) * 2002-10-23 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Chemically amplified positive photosensitive resin composition
JP4163964B2 (ja) * 2003-01-07 2008-10-08 岡本化学工業株式会社 画像形成組成物およびそれを用いた感光性平版印刷版
JP4440600B2 (ja) * 2003-10-31 2010-03-24 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物
JP4396443B2 (ja) 2004-08-18 2010-01-13 コニカミノルタエムジー株式会社 感光性平版印刷版の製造方法及び使用方法
US20070172758A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Planographic printing plate material and its manufacturing process
JP2010113142A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Sekisui Chem Co Ltd ポジ型感光性組成物及び導電パターンの形成方法
JP5419208B2 (ja) * 2009-05-11 2014-02-19 株式会社ダイセル 交互共重合体とその製造方法
US8632943B2 (en) 2012-01-30 2014-01-21 Southern Lithoplate, Inc. Near-infrared sensitive, positive-working, image forming composition and photographic element containing a 1,1-di[(alkylphenoxy)ethoxy]cyclohexane
US8846981B2 (en) 2012-01-30 2014-09-30 Southern Lithoplate, Inc. 1,1-di[(alkylphenoxy)ethoxy]cyclohexanes
US9063420B2 (en) * 2013-07-16 2015-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2892712A (en) * 1954-04-23 1959-06-30 Du Pont Process for preparing relief images
GB1180845A (en) * 1967-08-08 1970-02-11 Agfa Gevaert Nv Light-Sensitive Polymers and their use in the preparation of Photographic Printing Plates
US3753718A (en) * 1972-02-04 1973-08-21 Scott Paper Co Photosensitive medium comprising a cyclic acetal of furfural, a lower haloalkane, and silica
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
DE2232365C2 (de) * 1972-07-01 1982-06-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Durch UV-Bestrahlung polymerisierbare Gemische
US4007209A (en) * 1972-07-01 1977-02-08 Badische Anilin- & Soda-Fabrik Aktiengesellschaft Acetals which act as photoinitiators
US3915704A (en) * 1973-11-01 1975-10-28 Xerox Corp Photoinduced, acid catalyzed degradation of degradable polymers
US3964907A (en) * 1973-11-12 1976-06-22 Xerox Corporation Method for the preparation of relief printing masters
US3984253A (en) * 1974-04-22 1976-10-05 Eastman Kodak Company Imaging processes and elements therefor
US3923514A (en) * 1974-06-27 1975-12-02 Xerox Corp Method for the preparation of relief printing masters
US3963491A (en) * 1974-06-27 1976-06-15 Xerox Corporation Imaging method
US3991033A (en) * 1975-01-30 1976-11-09 E. I. Du Pont De Nemours & Company Photosensitive and degradable polyoxymethylene polymers and their application in imaging
CH621416A5 (ja) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
US4086210A (en) * 1976-05-10 1978-04-25 Eastman Kodak Company Radiation sensitive polymeric o-nitrophenyl acetals
US4108839A (en) * 1977-01-21 1978-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive polyaldehydes and use in photoimaging

Also Published As

Publication number Publication date
DE2718254B2 (de) 1979-08-02
ZA782331B (en) 1979-04-25
CH635448A5 (de) 1983-03-31
US4247611A (en) 1981-01-27
IT1102623B (it) 1985-10-07
BE866305A (fr) 1978-10-24
FR2389155B1 (ja) 1982-02-26
SE7804587L (sv) 1978-10-26
NL7804303A (nl) 1978-10-27
GB1602902A (en) 1981-11-18
FR2389155A1 (fr) 1978-11-24
DE2718254C3 (de) 1980-04-10
DK176778A (da) 1978-10-26
JPS53133429A (en) 1978-11-21
BR7802527A (pt) 1978-12-12
IE46621B1 (en) 1983-08-10
AU3535678A (en) 1979-10-25
AU525946B2 (en) 1982-12-09
CA1128804A (en) 1982-08-03
IT7849011A0 (it) 1978-04-21
IE780787L (en) 1978-10-25
SE444232B (sv) 1986-03-24
DE2718254A1 (de) 1978-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6239420B2 (ja)
US4248957A (en) Acid degradable radiation-sensitive mixture
US4250247A (en) Acid degradable radiation-sensitive mixture
US4101323A (en) Radiation-sensitive copying composition
JP2839678B2 (ja) 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料
US4311782A (en) Radiation-sensitive mixture and process for the production of relief images
JP2854112B2 (ja) 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料
CA1103508A (en) Radiation-sensitive copying composition
JPH0811753B2 (ja) β―ケトエステルまたはβ―アミドの環状アセタールまたは環状ケタール
JPH04365048A (ja) 感光性組成物
JP3001329B2 (ja) ネガ型放射感応性混合物、およびこの混合物を使用して製造した放射感応性記録材料
JPH05262874A (ja) 酸に対して不安定な保護基を有するオリゴマー化合物、およびこの化合物を用いて製造したポジ型放射線感応性混合物
JPH0160811B2 (ja)
JP2683055B2 (ja) ポジ型感放射線性混合物、ポジ型感放射線性記録材料および該記録材料の製造法
US4946759A (en) Positive radiation-sensitive mixture and radiation-sensitive recording material produced therefrom
JPS63287950A (ja) 感放射線記録材料
KR100249066B1 (ko) 산 개열성 화합물 이를 함유하는 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조한 방사선 민감성 기록물질
JPH01263647A (ja) 感光性組成物、感光性複写材料及びネガチブレリーフ複写の製法
JP3040593B2 (ja) ネガ型放射感応性混合物、およびこの混合物を使用して製造した放射感応性記録材料
US4983501A (en) Positive-working radiation-sensitive composition and radiation-sensitive recording material prepared therewith
JP3373056B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JPH05221954A (ja) 酸により開裂し得る放射感応性化合物、これらの化合物を含む放射感応性混合物、およびこの混合物で製造した放射感応性記録材料
JPS63241541A (ja) 感光性組成物および感光性平版印刷版