JP2854112B2 - 陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料 - Google Patents

陽画処理照射感応性混合物およびそれから製造した照射感応性複写材料

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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、必須成分として、 ａ） 照射により強酸を形成する化合物、 ｂ） 少なくとも一つの、酸による開裂し得るＣ−Ｏ−
Ｃ−またはＣ−Ｏ−Si−結合を有する化合物、 ｃ） 水に不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶、も
しくは少なくとも膨潤し得る結合剤 を含む、陽画処理照射感応性混合物に関する。
さらに、本発明は、それから調製した、感光性樹脂、
電子部品、印刷版の製作、または化学的腐食加工に適し
た照射感応性複写材料に関する。
〔発明の背景〕
UV平版印刷では、分解性の限界は、使用する照射の波
長により左右される。したがって、構造寸法の連続縮
小、例えばチップ製造においては、ミクロン単位以下の
区域における改良された平版印刷技術が必要である。例
えば、高エネルギーUV光線または電子線およびＸ−線な
どが、その短波長の故に使用される。しかし、平版印刷
技術の改良は、特に、照射感応性混合物に課せられる必
要条件の改良を意味する。これらの必要条件の概要は、
例えば、「有機レジスト材料−理論と化学」と題するC.
G.ウィルソンの論文（マイクロ平版印刷概論、理論、材
料および処理、L.F.トムプソン、C.G.ウィルソン、M.J.
ボウデン、ACS Symp.Ser.,219,87（1983）、米国化学
協会、ワシントン）に記載されている。したがって、好
ましくは広いスペクトル領域で感応性があり、そのため
に従来のUV平版印刷または、感度を失うことなく、中UV
または深UV、電子線またはＸ−線平版印刷にも使用でき
る照射感応性混合物が強く要求されている。
上記の組成の混合物は、本質的に公知であり、例えば
DE−A2,306,248（＝US−A3,779,778）、2,610,842（＝U
S−A4,101,323）、2,718,254（＝US−A4,247,611）、2,
718,259（＝US−A4,189,323）、2,928,636（＝US−A4,3
11,782）、3,151,078（＝US−A4,506,006）、3,544,165
（＝US−A4,786,577）、3,601,264、3,730,783、3,730,
785および3,730,787、EP−A0,006,626（＝US−A4,250,2
47）、0,006,627（＝US−A4,248,957）、0,042,562（＝
US−A4,506,003）、0,202,196および0,302,359およびUS
−A4,491,628および4,603,101に記載されている。
上記の物質を照射すると、化合物（ａ）の光分解によ
り酸が形成され、この酸が化合物（ｂ）のＣ−Ｏ−Ｃ−
またはＣ−Ｏ−Si−結合を開裂させ、感応性層の照射さ
れた区域が水性アルカリ現像剤に可溶になる。
光分解性酸供与体として特徴付けられる化合物（ａ）
としては、特に、非求核性酸、例えばHSbF6、HAsF6、ま
たはHPF6〔J.V.Crivello,Polym.Eng.Sci.,23,953（198
3）〕のジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウ
ム塩およびイオドニウム塩などのオニウム塩、ハロゲン
化合物〔EP−A0,232,972、DE−A1,572,089（＝GB−A1,1
63,324）、DE−A1,817,540（＝US−A3,615,455）、DE−
A1,949,010（＝US−A3,686,084）、DE−A2,317,846（＝
GB−A1,381,471および1,381,472）、US−A3,912,60
6〕、特にトリクロロメチルトリアジン誘導体〔DE−A1,
298,414（＝GB−A1,234,648）、2,243,621（GB−A13884
92）,2,306,248、2,718,259、3,333,450（＝ZA84/716
5）および3,337,024（＝US−A4,619,998および4,696,88
8）およびUS−A3,515,552、3,536,489および3,615,63
0〕またはトリクロロメチルオキサジアゾール誘導体〔D
E−A2,851,472（＝US−A4,212,970および4,232,106）、
DE−A2,949,396（＝US−4,279,982）、3,021,590（＝US
−A4,371,607）、3,021,599（＝US−A4,371,606）およ
びDE−A3,333,450〕、ｏ−キノンジアジドスルホクロリ
ドまたは有機金属／有機ハロゲンの組み合わせがこれま
で推奨されている。
しかし、その様な光分解性酸供与体の使用には特定の
欠点が関与し、各種の応用分野における使用の可能性が
著しく制限される。例えば、オニウム塩の多くは毒性で
ある。それらの溶解性は多くの溶剤において不十分であ
り、レジスト塗装溶剤の選択が制限される。さらに、オ
ニウム塩を使用すると、好ましくない異原子が導入さ
れ、特にマイクロ平版印刷において処理上の問題が起こ
る。その上、オニウム塩は、光分解の際に非常に強い腐
食作用を持つブレンステッド酸を形成するので、これら
のオニウム塩を含む照射感応性混合物を感受性の高い基
材に使用するのは好ましくない。ハロゲン化合物および
キノンジアジドスルホニルクロリドも、強い腐食作用を
有するハロゲン化水素酸を形成する。その上、特定の基
材上では、その様な化合物の貯蔵寿命は非常に短い。こ
の寿命は、DE−A3,621,376（＝US−A4,840,867）の開示
により、過去において、基材と（ａ）の種類の化合物を
含む照射感応性層との間に中間層を導入することによっ
て改良されてはいるが、このために好ましくない欠点が
増え、処理の再現性が低下している。それに加えて、
（ｂ）の種類の化合物は、感光性層中で良好な移動度を
有する上記の種類の酸によってのみ開裂し得るという見
方もあった。
しかし、F.M.Houlihanら、SPIE920,67（1988）の研究
により、上記の酸供与体に加えて、露光することにより
移動度の低いスルホン酸を形成するニトロベンジルトシ
レートを、特定の酸−レイビルレジスト配合に使用でき
ることが分かっている。しかし、その様な場合に達成さ
れる感度、および感光性樹脂の熱安定性は不十分であ
る。
上記の欠点のために、光分解的に作用し、照射感応性
混合物の成分として上記の欠点を持たず、そのため、短
い露光時間でも、（ｂ）の種類の化合物をその開裂生成
物に転換するだけの十分な反応性および酸強度を持つ、
他の酸供与体が必要とされている。
〔発明の開示〕
したがって、本発明の目的は、酸を形成する化合物
と、酸により開裂し得る化合物との組み合わせからなる
混合物において、光分解的に酸を形成する化合物（ａ）
が公知のすべての基材上でできるだけ安定であり、光反
応生成物として腐食作用の無い酸を発生する、照射感応
性混合物を提案することである。
本発明により、必須成分として、 ａ） 活性線照射により強酸を形成する化合物、 ｂ） 少なくとも一つの、酸による開裂し得るＣ−Ｏ−
Ｃ−またはＣ−Ｏ−Si−結合を有する化合物、 ｃ） 水に不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶、も
しくは少なくとも膨潤し得る結合剤 を含む照射感応性混合物を提案する。
本発明に係わる混合物では、照射により強酸を形成す
る化合物（ａ）は、一般式（Ｉ）のα，α−ビス（スル
ホニル）−ジアゾメタンであり、 ここで、 Ｒは、所望により置換したアルキル、シクロアルキ
ル、アリールまたはヘテロアリール基である。
本発明により、さらに、支持体上の照射感応性層とし
て上記の混合物を含む、照射感応性複写材料をも提案す
る。
本発明に係わる照射感応性混合物は、広いスペクトル
領域にたわって感度が高いのが特徴である。この混合物
は、熱安定性が高く、構造的な精密さを持つ原画の最も
細かい構造も再現できる。露光により、腐食性の光分解
生成物は全く形成されないので、感受性の高い基材にも
使用できる。
照射感応性混合物の調製には、Ｒが、所望により置換
したアルキルまたはシクロアルキル基、所望により置換
したアリール基または所望により置換したヘテロアリー
ル基である、一般式（Ｉ）の化合物を使用することがで
きる。
一般式（Ｉ）のα，α−ビス（スルホニル）−ジアゾ
メタンにおける好適な置換基Ｒの例としては、メチル、
エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シク
ロヘキシル、ノニル、デシルまたはウンデシル基、およ
びそれらの位置異性体、ベンゼンおよびナフタレンなど
のアリール、異原子としてO,NまたはＳを含むヘテロ芳
香族化合物、およびそれらの一つ以上の水素が、例えば
アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アリー
ル、アリールオキシ、アリールアルコキシ、ハロ、シア
ノ、ニトロ、カルボニル、カルボキシル、アミドまたは
類似の基で置換した誘導体がある。特に好ましい置換基
は、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、カル
ボニル、アミド、ニトロ基、またはハロゲンであり、ア
ルキルまたはアルコキシ基は、特に１〜４個の炭素原子
を含む。芳香族基の多置換がある場合、好適な置換基は
主としてアルキルまたはハロゲンである。特に、これら
は二置換した基Ｒである。しかし、フッ素が基Ｒの置換
基である場合、３個以上のフッ素原子が基Ｒの置換基に
なることもあるが、これは好ましくない。Ｒがヘテロア
リールである場合、Ｒが二核基であっても、ほとんど常
に一つの異原子を含む。異原子としてＮを選ぶ場合、ほ
とんど常に、核一個当たり２個含まれる。
基としてＲ＝アルキルを含む一般式（Ｉ）の化合物の
中で、１〜６個の炭素原子を持つ化合物が好ましく、基
としてＲ＝アリールを含むものの中では、Ｒが単核また
は二核芳香族基である化合物が好ましい。
最も好ましい一般式（Ｉ）のα，α−ビス（スルホニ
ル）−ジアゾメタンの例を以下に示す。
ビス（メチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（エチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（プロピルスルホニル）ジアソメタン ビス（１−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ブチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（１−メチルブチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−メチルブチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−メチルブチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（アリルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ヘプチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（オクチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ノニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（デシルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ドデシルスルホニル）ジアゾメタン ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ヘキサデシルスルホニル）ジアゾメタン ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−オキサペンチルスルホニル）ジアゾメタン ビス（ベンジルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−クロロベンジルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−クロロベンジルスルホニル）ジアゾメタン ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（2,4−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（2,5−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（3,4−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（２−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（３−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（２−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（2,5−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（2,6−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（3,4−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（２−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（2,4−ジフルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン ビス（ペンタフルオロフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（４−ニトロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−アセトアミドフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン ビス（４−アセトオキシフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン ビス（２−ナフタリンスルホニル）ジアゾメタン ビス（フルフリルスルホニル）ジアゾメタン ビス（イミダゾリルスルホニル）ジアゾメタン ビス（２−メチルイミダゾリルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（ベンズイミダゾール−２−スルホニル）ジアゾ
メタン ビス（ベンゾオキサゾール−２−スルホニル）ジアゾ
メタン ビス（ベンゾチアゾール−２−スルホニル）ジアゾメ
タン 上記の化合物は、220〜270nmの領域に吸収極大がある
ので、高エネルギーUV照射に特に適している。
上記の、Ｒが置換したアリール基である一般式（Ｉ）
の化合物の中で、下記の化合物が特に適している。
ビス（２−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（2,4−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（3,4−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（２−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（３−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（2,5−ジクロロフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（2,6−ジクロロフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（3,4−ジクロロフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン ビス（３−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタ
ン ビス（2,4−ジフルオロフェニルスルホニル）ジアゾ
メタン ビス（４−ニトロフェニルスルホニル）ジアゾメタン ビス（４−アセトキシフェニルスルホニル）ジアゾメ
タン これらの化合物は、一方で高い光分解反応性を有し、
他方、十分な熱安定性を備えているので、特に好まし
い。
本発明により使用するα，α−ビス（アリールスルホ
ニル）−ジアゾメタン誘導体の調製はそれ自体公知であ
る。これらの誘導体の調製方法は、例えばF.クラーゲス
ら、Chem.Ber.,97,735（1964）により記載されている。
さらに、これらの誘導体の陽画処理材料、特に印刷版
用の溶解防止剤としての使用は、過去に、A.プートら、
J.Phtcgr.Sci.,19,88（1971）により調査されている
が、感光性樹脂配合におけるそれらの実用性は、感光性
が不十分なために認められていない。
したがって、本発明により使用する一般式（Ｉ）の化
合物が、それらの光分解の際に、適切な量の十分に強い
酸を形成し、本発明に係わる高感光性の、陽画処理照射
感応性混合物を調製できることは特に驚くべきことであ
った。形成される酸の程度および性質に関する正確な見
解はないが、光分解の結果、スルホン酸およびスルフィ
ン酸が生じ、これらは（ｂ）の型の化合物の不安定な結
合を開裂する能力があると考えられる。
これまで使用されてきた光分解により形成される酸、
例えば塩酸と比較して、これらの酸は、その分子量が高
いために、本発明に係わる照射感応性混合物における拡
散傾向または移動度がはるかに低く、その結果、一方で
驚くべきことに最も高度の要件を満たす画像識別性が達
成され、他方、尚驚くべきことは、同等の感度におい
て、照射感応性混合物のコントラスト、およびその結果
分解能力がさらに増加したことである。その上、一般式
（Ｉ）のα，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタンは、
高エネルギー短波照射によっても活性化され、その結
果、例えば、高エネルギーUV2照射（248nm）用の高感度
感光性樹脂を製造できることは驚くべきことであった。
しかし、特に、従来の光学的平版印刷領域（436nm）で
も十分なスペクトル感度が尚存在することは予期せぬこ
とであった。
これに関して、活性線照射とは、少なくとも短波長可
視光線のエネルギーと同等のエネルギーを有するすべて
の照射を意味するものとする。これに関して、特に、19
0〜450nm、好ましくは200〜400nm、特に好ましくは200
〜300nmの領域のUV照射を使用するが、電子線およびＸ
−線照射も好適である。
本発明により使用する、その内の幾つかは新奇数であ
る、α，α−ビス（アリールスルホニル）ジアゾメタン
の調製を、好ましいビス（４−ｔ−ブチルフェニルスル
ホニル）ジアゾメタンを例にとって説明する。
37.3重量部の４−ｔ−ブチルチオフェノールを100重
量部の水酸化ナトリウムに加え、室温で、透明な溶液に
なるまで撹拌する。このチオフェノールの溶液に18.2重
量部のジクロロメタンを加える。この混合物を還流下で
８時間加熱する。生じたホルムアルデヒドビス（４−ｔ
−ブチルフェニルメルカプタール）をエーテル中に採
り、２×200mlの水で洗浄する。次いで、硫酸マグネシ
ウムで除湿し、エーテルを蒸留分離する。36重量部の無
色の油状物質が残る。
この油状物質20重量部を40mlの氷酢酸に溶解し、これ
を、200重量部の氷酢酸および60重量部の過酸化水素
の、90℃に予め加熱した混合物の中に、温度が100℃未
満に保たれる様な滴下率で、滴下して加える。当初の強
い発熱反応が完了した後、さらに100℃に２時間加熱
し、この混合物を冷却し、水の中に注ぎ込む。これによ
って、16重量部のビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホ
ニル）メタンが得られる。エタノールから再結晶させ、
融点150〜152℃の生成物が得られる。
10重量部の上で得られた生成物を、4.8重量部のトシ
ルアジドと共に、90重量部のアセトニトリルに溶解し、
０℃に冷却する。この混合物に、温度が10℃未満に維持
される様にして、2.5重量部のトリエチルアミンを滴下
して加える。室温でこの混合物を４時間撹拌し続け、次
いで混合物から溶剤を除去する。残留物を塩化メチレン
に採り、100重量部の５％濃度の水酸化ナトリウム水溶
液で２回抽出し、中性になるまで洗浄し、乾燥する。溶
剤を蒸発させた後、油状物質が残るが、これを、塩化メ
チレンを溶剤としてケイ酸を通して濾過する。溶剤の再
蒸発により、分解温度153〜155℃の固体が得られるが、
これは分析により、純粋なビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ルスルホニル）ジアゾメタンであることが確認される。
この化合物の分析値を以下に示す。
計算値:C58.04％、H6.03％、N6.45％、S14.75％ 実測値:C57.9％、H6.1％、N6.5％、S14.4％ 1H−NMR（CDCl3）:1.4ppm（s,18H）、7.4〜8.2ppm
（q,8H） λmax（CHCl3）＝238,248nm 上記の一般式（Ｉ）の、他の化合物も類似の方法で調
製できる。
本発明に係わる照射感応性混合物に含まれる光分解性
酸供与体は、単独でも、上記の種類の他の酸供与体と組
み合わせても使用できる。しかし、他の酸供与体との組
み合わせも可能であり、その目的には、特に、これと同
時に提出した出願P3930087.0に記載するα−スルホニル
−α−カルボニルジアゾメタンが好適である。
さらに、本発明に係わる一般式（Ｉ）の酸供与体は、
非求核性酸、例えばHSbF6、HAsF6、またはHPF6（J.V.Cr
ivello,Polym.Eng.Sci.,23,953（1983）のジアゾニウム
塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩およびイオドニウ
ム塩などのオニウム塩、ハロゲン化合物（DE−A1,572,0
89、1,817,540、1,949,010および2,317,846、EP−A0,23
2,972、US−A3,912,606）、特にトリクロロメチルトリ
アジン誘導体（DE−A1,298,414、2,243,621、2,306,24
8、2,718,259、3,333,450および3,337,024、US−A3,51
5,552、3,536,489および3,615,630）またはトリクロロ
メチルオキサジアゾール誘導体（DE−A2,851,472、2,94
9,396、3,021,590、3,021,599および3,333,450およびEP
−A135,348）ｏ−キノンジアイゾスルホクロリドまたは
有機金属／有機ハロゲン組み合わせと併用することがで
きる。しかし、その様な併用は、前文で述べた欠点がそ
の様な照射感応性混合物に再び生じるので、全体として
は好ましくない。
本発明に係わる混合物中の、一般式（Ｉ）の酸供与体
の含有量は、それぞれの場合に層の総重量に対して、一
般的に0.5〜25重量％、好ましくは１〜10重量％であ
る。
本発明に係わる照射感応性混合物において、酸により
開裂し得る物質として、特に下記の種類の化合物が効果
的であることが分かっている。
ａ） 少なくとも１つのオルトカルボン酸エステルおよ
び／またはカルボン酸アミドアセタール群を含み、その
化合物が重合性を有することができ、上記の群が主鎖中
の架橋要素として、または側方置換基として生じ得る様
な化合物、 ｂ） 主鎖中に反復アセタールおよび／またはケタール
群を含むオリゴマー性または重合体化合物、 ｃ） 少なくとも一つのエノールエーテルまたはＮ−ア
シルアミノカーボネート群を含む化合物、 ｄ） β−ケトエステルまたはβ−ケトアミドの環状ア
セタールまたはケタール、 ｅ） シリルエーテル群を含む化合物、 ｆ） シリルエノールエーテル群を含む化合物、 ｇ） アルデヒドまたはケトン成分が、現像剤に対し
て、0.1〜100g/lの溶解性を有するモノアセタールまた
はモノケタール、 ｈ） 第三級アルコール系のエーテル、および ｉ） 第三級アリル位またはベンジル位アルコールのカ
ルボン酸エステルおよび炭酸エステル。
照射感応性混合物の成分として酸により開裂し得る種
類（ａ）の化合物は、DE−A2,610,842および2,928,636
に記載されている。種類（ｂ）の化合物を含む混合物
は、DE−C2,306,248および2,718,254に記載されてい
る。種類（ｃ）の化合物は、EP−A0,006,626および0,00
6,627に記載されている。種類（ｄ）の化合物は、EP−A
0,202,196に記載されており、種類（ｅ）として使用す
る化合物は、DE−A,3,544,165および3,601,264に記載さ
れている。種類（ｆ）の化合物は、DE−A3,730,785およ
び3,730,783に記載されており、種類（ｇ）の化合物
は、DE−A3,730,783に記載されている。種類（ｈ）の化
合物は、例えばUS−A4,603,101に記載されており、種類
（ｉ）の化合物は、例えばUS−A4,491,682およびJ.M.Fr
echetら、J.Imaging Sci.30,59−64（1986）にも記載
されている。
上記の、酸で開裂し得る物質の混合物を使用すること
もできる。しかし、特に、酸により開裂し得るＣ−Ｏ−
Ｃ−結合を有するものを含めて、上記の種類に割り当て
られる、酸により開裂し得る物質が好ましい。特に好ま
しいのは種類（ａ）、（ｂ）、（ｇ）および（ｉ）に属
する物質である。種類（ｂ）の中では、重合性アセター
ルに特に注目しなければならず、酸により開裂し得る種
類（ｇ）の物質の中では、特に、アルデヒドまたはケト
ン成分が、150℃を超える、好ましくは200℃を超える沸
点を有する様な化合物に注目しなければならない。
本発明に係わる照射感応性混合物中の、酸により開裂
し得る物質の含有量は、それぞれの場合層の総重量に対
して１〜50重量％、好ましくは５〜25重量％である。
本発明に係わる照射感応性混合物はさらに少なくとも
一つの、水には不溶であるが、アルカリ水溶液には可
溶、もしくは少なくとも膨潤し得る、重合体結合剤を含
む。この結合剤は、特に、本発明に係わる照射感応性混
合物の成分を容易に溶解し、できるだけ低い固有吸収
性、即ち高い透明度を、特に190〜300nmの波長領域で有
する。こお結合剤は、原則的に光活性成分としてナフト
キノンジアジドとの組み合わせで使用されているノボラ
ック縮合樹脂系の結合剤を含まない。ノボラック縮合樹
脂は、水性アルカリ現像剤に比較して、画像を露光した
後、未露光区域の溶解性が低下するが、それらの固有吸
収は、露光に必要な波長領域で高過ぎる。
しかし、上記のノボラック樹脂は、透明度の高い他の
樹脂との混合物として使用でき、結合剤として適してい
る。これに関して、混合比は、主としてノボラック樹脂
と混合する結合剤の性質により左右される。特に、上記
の波長領域における固有吸収の程度が重要な役割を果す
が、照射感応性混合物の他の成分との混合性も重要であ
る。しかし、一般に、本発明に係わる照射感応性混合物
は、30重量％までの、特に20重量％までのノボラック縮
合樹脂を含むことかできる。
好適な結合剤は、ｐ−ヒドロキシスチレンおよびその
アルキル誘導体、例えば３−メチルヒドロキシスチレン
の単独重合体または共重合体、および他のポリビニルフ
ェノール、例えば３−ヒドロキシスチレンの単独重合体
または共重合体、またはアクリル酸と、フェノール基を
含む芳香族化合物とのエステルまたはアミドである。ス
チレン、メタクリル酸メタクリレート、アクリル酸メタ
クリレート等を共重合体中のコモノマーとして使用でき
る。
ケイ素を含むビニルモノマー、例えばビニルトリメチ
ルシランを使用して上記の種類の共重合体を調製する
と、プラズマエッチングに対する耐性を高めた混合物が
得られる。これらの結合剤の透明度は問題となる領域に
おいて一般に高いので、パターン形成を改善することが
できる。
マレインイミドの単独重合体または共重合体を使用し
ても同じ効果が得られる。これらの結合剤も上記の波長
領域で高い透明度を発揮する。スチレン、置換したスチ
レン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルシリル
化合物または（メタ）アクリル酸エステルもコモノマー
として使用できる。
最後に、スチレンの共重合体を、水性アルカリ溶液に
おける溶解性を増加させるコモノマーと共に使用するこ
とも可能である。これらには、例えば無水マレイン酸、
マレイン酸半エステル、等が含まれる。
これらの結合剤は、混合可能で、照射感応性混合物の
光学的特性を損なわなければ、混合物中にあってもよ
い。しかし、好ましいのは、上記の種類の一つを含む結
合剤である。
結合剤の量は、一般的に、照射感応性混合物の総重量
に対して、１〜90重量％、特に５〜90重量％、好ましく
は50〜90重量％である。
さらに、所望により、染料、顔料、湿潤剤およびレベ
リング剤の他に、ポリグリコール、セルロースエーテ
ル、例えばエチルセルロースを本発明に係わる照射感応
性混合物に加えて、可撓性、密着性および光沢などの特
殊な用件を改良することができる。
好ましくは、本発明に係わる照射感応性混合物は、例
えばエチレングリコール、グリコールエーテル、グリコ
ールモノメチルエーテル、グリコールジメチルエーテ
ル、グリコールモノエチルエーテル、またはプロピレン
グリコールモノアルキルエーテル、特にプロピレングリ
コールメチルエーテル、脂肪族エステル（例えば酢酸エ
チル、酢酸ヒドロキシエチル、酢酸アルコキシエチル、
酢酸ｎ−ブチル、プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルアセテート、特にプロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテートまたは酢酸アミル）、エーテル（例え
ばジオキサン）、ケトン（例えばメチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロペンタノンおよびシク
ロヘキサノン）、ジメチルホルムアミド、ジメチメアセ
トアミド、ヘキサメチルリン酸アミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、ブチロラクトン、テトラヒドロフランおよびこ
れらの混合物などの溶剤に溶解する。グリコールエーテ
ル、脂肪族エステルおよびケトンが特に好ましい。
最終的には、溶剤の選択は、使用する塗装方法、望ま
しい層の厚さおよび乾燥条件によって決まる。また、溶
剤は化学的に中性でなければならない、即ち溶剤は他の
層成分と不可逆的に反応してはならない。
この照射感応性混合物の成分で調製した溶液は原則的
に、５〜60重量％、好ましくは50重量％までの固形分を
含有する。
本発明により、さらに、本質的に基材およびそれに塗
布した照射感応性混合物からなる照射感応性複写材料も
特許請求する。
好適な基材としては、キャパシター、半導体、多層プ
リント回路または集積回路を構成または製造するあらゆ
る材料を使用できる。特に、熱的に酸化したケイ素材料
および／または所望によりドーピングしてあってもよい
アルミニウム被覆したケイ素材料、その他、例えば窒化
ケイ素、ガリウムヒ素、およびリン化インジウムなどの
半導体技術で一般的な基材を挙げることができる。さら
に、液晶表示装置製造で公知の基材、例えばガラスおよ
び酸化インジウムスズ、さらに金属板および金属ホイル
（例えばアルミニウム、銅または亜鉛）、二重および三
重金属ホイル、あるいは金属蒸着した非導電性シート、
所望によりアルミニウム被覆したSiO2材料、および紙な
どが好適である。これらの基材は、熱的前処理、表面粗
粒化、初期エッチング、または試薬で処理して、望まし
い特性の改良、例えば親水性の強化などを行なってもよ
い。
特別な実施形態では、照射感応性混合物は、レジスト
内の、またはレジストと基材との間の密着性を改良する
ために、密着性促進剤を含むことができる。ケイ素また
は二酸化ケイ素の場合、３−アミノプロピルトリエトキ
シシランまたはヘキサメチルジシラザンなどのアミノシ
ラン型の密着性促進剤がこの目的に適している。
凸版印刷、平版印刷およびスクリーン印刷用の印刷版
などの光学機械的複写層およびエンボスコピー製作する
のに使用できる支持体の例としては、所望により陽極酸
化、粗粒化、および／またはケイ酸塩処理したアルミニ
ウム板、亜鉛板、および所望によりクロムめっきした鋼
板、およびプラスチックシートまたは紙がある。
本発明に係わる複写材料は、画像を移す様に露光す
る。活性線照射源は、ハロゲン化金属ランプ、カーボン
アークランプ、キセノンランプおよび水銀蒸気ランプで
ある。レーザー照射、電子線照射またはＸ−線などの高
エネルギー照射で露光してもよい。しかし、特に好まし
いのは、波長が190〜260nmの光を照射できるランプ、即
ち特にキセノンおよび／または水銀蒸気ランプである。
さらに、レーザー光源、例えばエキシマレーザー、特に
それぞれ249または193nmで放射するKrFまたはArFレーザ
ーも使用できる。照射源は、上記の波長領域で適切な放
射を行なうものでなければならない。
層の厚さはその応用分野により異なり、0.1〜100μ
ｍ、特に１〜10μｍの範囲にある。
本発明はさらに、照射感応性複写材料を製造する方法
にも関する。照射感応性混合物は、吹き付け、流し塗
り、ロール塗り、スピンコーティングおよび浸し塗りに
より基材に塗布することができる。次にで、溶剤を蒸発
により除去し、照射感応性層を基材上に残す。溶剤除去
は、所望により、その層を150℃までの温度に加熱して
促進することができる。しかし、混合物を上記の方法に
より、先ず中間支持体に塗布し、そこから圧力および高
温をかけて最終的な支持体材料に転写してもよい。中間
支持体としては、基材としても使用するすべての材料を
使用することができる。次いで、その層に画像を映す様
に照射する。続いて、その層を現像剤溶液で処理し、材
料の照射された区域を溶解つまり除去し、照射感応性層
中に画像パターンを出現させる。
現像剤としては、例えばアルカリ金属および／または
アルカリ土類金属、特にアンモニウムイオンのケイ酸
塩、メタケイ酸塩、水酸化物、リン酸水素塩またはリン
酸二水素塩、炭酸塩または炭酸水素塩、あるいはアンモ
ニア等を使用する。金属イオンを含まない現像剤は、US
−A4,729,941、EP−A0,062,733、US−A4,628,023、US−
A4,141,733、EP−A0,097,282およびEP−A0,023,758に記
載されている。現像剤溶液中のこれらの物質の含有量
は、現像剤溶液の重量に対して、一般的に0.1〜15重量
％、好ましくは0.5〜５重量％である。金属イオンを含
まない現像剤を特に使用する。所望により、露光区域を
現像剤に溶解し易くするために、現像剤に少量の湿潤剤
を加えることもできる。
現像したレジスト構造は、所望により後硬化させる。
これは一般的に、ホットプレート上でレジスト構造を流
動温度より下の温度まて加熱し、次いでその全面を、キ
セノン−水銀蒸気ランプ（200〜250nmの範囲）のUV光線
で露光することによって行なう。この後硬化により、レ
ジスト構造が架橋し、一般的に200℃を超える温度まで
流動抵抗を持つ様になる。この後処理は、高エネルギー
UV光線照射により、温度を上げずに行なうこともでき
る。
この照射感応性混合物は、好ましくは集積回路または
個別の電子部品を製造するために、平版印刷工程に使用
する。この混合物から調製した複写材料は、その後に続
く処理工程のためのマスクとして役立つ。
これらの工程には、支持体のエッチング、支持体内へ
のイオン移植、あるいは支持体上への金属または他の物
質の堆積が含まれる。
下記の実施例は、本発明の一部に過ぎない。したがっ
て、これらの実施例に限定するものではない。
実施例１〜８により、本発明に係わる混合物の、非常
に広範囲のエネルギー照射を使用するマイクロ平版印刷
における複写材料に対する適性を確認する。比較例９お
よび10により、先行技術に対する本発明に係わる混合物
の優越性を確認する。実施例11および12は、この混合物
の、プリント回路および平版印刷印刷版への有用性を示
す。
実施例１ 下記の組成を持つ塗装溶液を調製した。
7.5重量部の、軟化点105〜120℃のクレゾールホルム
アルデヒドノボラック、 2.0重量部、DE−A3730787の調製実施例１に準じて調
製したｐ−メトキシベンズアルデヒドビス（フェノキシ
エチル）−アセタール、および 0.7重量部の、ビス（４−クロロフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンを 42重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この溶液を、細孔径0.2μｍのフィルターを通して濾
過し、密着性促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理
したウエーハーに毎分3,000回転でスピン塗布した。ホ
ットプレート上で、100℃で１分間乾燥した後、1.04μ
ｍの層厚が得られた。
この複写材料を、原画の下で、キセノン−水銀蒸気ラ
ンプのUV照射により、124mJ/cm2のエネルギーを持つ365
nmで露光した。
この複写材料を、下記の組成の0.3N−アルカリ性現像
剤で現像した。
5.3重量部の、メタケイ酸ナトリウム九水塩 3.4重量部の、リン酸三ナトリウム十二水塩 0.3重量部の、リン酸二水素ナトリウムおよび 91重量部の、完全軟水 60秒間の現像時間の後、急なレジスト縁部を持つ、＜
１μｍの構造も正確に分解している。マスクの欠陥のな
い画像が得られた。走査電子顕微鏡を使ったレジストプ
ロファイル縁部の検査により、これらの縁部は基材表面
に対して、事実上直角であることが分かった。
実施例２ 下記の組成を持つ塗装溶液を調製した。
7.5重量部の、平均分子量が32,000のスチレン/p−ヒ
ドロキシスチレン（20/80）の共重合体、 2.0重量部の、DE−A3,730,787の調製実施例１に準じ
て調製した3,4−ジメトキシベンズアルデヒドビス（フ
ェノキシエチル）−アセタールおよび 0.7重量部の、ビス（４−ブロモフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンを 42重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この溶液を、細孔径0.2μｍのフィルターを通して濾
過し、密着性促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理
したウエーハーに3,000回転でスピン塗布した。ホット
プレート上で、100℃で１分間乾燥した後、1.18μｍの
層厚が得られた。
この複写材料を、原画の下で、キセノン−水銀蒸気ラ
ンプのUV照射により、103mJ/cm2のエネルギーを持つ260
nmで露光し、実施例１に記載する現像剤で処理した。
60秒間の現像時間の後、縁部の安定性が高い、＜１μ
ｍの構造も正確に分解している。マスクの欠陥のない画
像が得られた。
実施例３ 実施例２により調製したウエーハーを原画の下で、92
mJ/cm2のエネルギー、248nmの波長を持つKrFエキシマレ
ーザーのUV光線により照射した。現像後、ミクロン単位
以下の構造まで再現された、原画の画像が得られた。
実施例４ 436nmの波長を持つUV光線を使用して、実施例１の実
験を繰り返した。急な縁部を持つ原画の画像を得るに
は、280mL/cm2の露光エネルギーを使用する必要があっ
た。
実施例５ 下記の組成を持つ塗装溶液を調製した。
7.5重量部の、軟化点が165〜180℃の、スチレンおよ
びマレイミドの1:1共重合体、 2.0重量部の、DE−A3,730,787の調製実施例１に準じ
て調製したベンズアルデヒドビス（フェノキシエチル）
−アセタール、および 0.7重量部の、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメ
タンを 42重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この溶液を、細孔径0.2μｍのフィルターを通して濾
過し、密着性促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理
したウエーハーに3,500回転でスピン塗布した。ホット
プレート上で、100℃で１分間乾燥した後、1.08μｍの
層厚が得られた。
この複写材料を、原画の下で、キセノン−水銀蒸気ラ
ンプのUV照射により、88mJ/cm2のエネルギーを持つ260n
mで露光した。
この複写材料を、水酸化テトラメチルアンモニウムの
0.02N−水溶液で現像したが、露光した区域は60秒間以
内に、残留物を全く残さずに除去された。
やはり、急なレジスト縁部を持つ、マスクの欠陥のな
い画像が得られた。未露光区域の除去は＜20nmで、＜１
μｍの構造も正確に分解している。
実施例６ 下記の組成を持つ塗装溶液を調製した。
7.5重量部の、軟化点が165〜180℃の、スチレンおよ
びマレイミドの1:1共重合体、 2.0重量部の、3,4−メチレンジオキシベンズアルデヒ
ドビス（フェノキシエチル）−アセタールおよび 0,8重量部の、ビス（ｔ−ブチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンを 42重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この溶液を、細孔径0.2μｍのフィルターを通して濾
過し、密着性促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理
したウエーハーに3,500回転でスピン塗布した。ホット
レート上で、100℃で１分間乾燥した後、1.06μｍの層
厚が得られた。
この複写材料を、原画の下で、キセノン−水銀蒸気ラ
ンプのUV照射により、92mJ/cm2のエネルギーを持つ260n
mで露光した。
この複写材料を、水酸化テトラメチルアンモニウムの
0.02N−水溶液で現像したが、露光した区域は60秒間以
内に、残留物を全く残さずに除去され、正確−詳細な原
画の画像が得られた。画像の縁部の急傾斜度は85゜を超
えていた。
実施例７ 下記の組成を持つ塗装溶液を調製した。
7.5重量部の、実施例２に記載する共重合体、 2.0重量部の、１モルの7,7−ビスヒドロキシメチル−
ノナノールと１モルのオルトギ酸メチルを縮合させて調
製したポリオルトエステル、 0.8重量部の、ビス（ｔ−４ブチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタンを 42重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この溶液を、細孔径0.2μｍのフィルターを通して濾
過し、密着性促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理
したウエーハーに3,500回転でスピン塗布した。ホット
レート上で、100℃で１分間乾燥した後、0.98μｍの層
厚が得られた。
この複写材料を、原画の下で、キセノン−水銀蒸気ラ
ンプのUV照射により、78mJ/cm2のエネルギーを持つ260n
mで露光した。
この複写材料を、水酸化テトラメチルアンモニウムの
0.27N−水溶液で現像したが、露光した区域は60秒間以
内に、残留物を全く残さずに除去され、正確−詳細な原
画の画像が得られた。0.7μｍまでの線および間隙が、
原画に忠実に再現された。
実施例８ 実施例７から得た複写材料を、シンクロトロン照射
（BESSY、ベルリン、754MeV）で、金−ケイ素マスクで1
60mJ/cm2の照射量で照射した。この実験配置はA,ホイベ
ルガー、Microelectr.Eng.,3,535（1985）に記載されて
いる。実施例７に記載する現像剤および現像時間70秒間
で現像後、＜0.6μｍの構造まで欠陥のない、マスクの
画像が得られた。レジストの縁部は、平らな基材表面に
対して事実上垂直であった。
実施例９および10（比較例） 実施例７のレジスト配合を、そこに使用する酸形成化
合物を同量のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ
リン酸塩（実施例９）または２−ニトロベンジルトシレ
ート（実施例10）で置き換える様に修正した。
波長260nm、エネルギー105または140mJ/cm2の照射で
露光し、実施例１に記載する組成の現像剤で現像した
後、得られた構造が示す画像の識別性は、実際の作業に
は適していなかった。
オニウム塩（実施例９）の使用により、いわゆる「レ
ジストフット」を持つ構造が得られた、即ち露光区域で
基材にレジストが付着したのに対し、トシルエステル
（実施例10）を使用すると、表面の架橋（リップ）が見
られ、むき出しになっている基材の区域に広がった。ど
ちらの場合も満足なパターンは形成されなかった。
実施例11 オフセット印刷版を製作するために、機械的に粗く
し、前処理したアルミニウム板に下記の組成の塗装溶液
をスピンコーティングにより塗布した。
7.5重量部の、軟化点105〜120℃のクレゾールホルム
アルデヒドノボラック、 2.3重量部の、１モルの２−エチルブチルアルデヒド
および１モルのトリエチレングリコールから調製したポ
リアセタール、 0.5重量部の、ビス（４−クロロフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、 0.05重量部の、クリスタルバイオレットベースを 90重量部のプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートに溶解。
この層を乾燥した後（層重量約2.5g/m2）、陽画試験
原画の下で30秒間露光を行ない、次いで下記の組成の現
像剤で現像した。
0.5重量部の、水酸化ナトリウム、 0.8重量部の、メタケイ酸ナトリウム九水塩 1.0重量部の、２−ｎ−ブトキシエタノールを、 97.7重量部の、完全軟水 水洗後、１％濃度のリン酸で全体を拭い、この板を印
刷に使用できる様にした。印刷機に取り付けた後、72,0
00部の、原画の完璧な印刷物が得られた。
実施例12 下記の組成物を調製して、腐食液および電気めっき陽
画ドライレジストの溶液を作製した。
12.5重量部の、実施例11に記載するノボラック、 10.0重量部の、ブチルアルデヒドとジエチレングリコ
ールとの縮合により調製した。平均分子量が約1,400の
オリゴマー性脂肪族ポリアセタール、 0.5重量部の、ビス（４−メチルフェニルスルホニ
ル）ジアゾメタン、 0.1重量部のクリスタルバイオレットを 25重量部のブタノンに溶解。
この目的には標準品である、25μｍ厚のポリエチレン
テレフタレートフィルムにこの溶液を塗布し、乾燥層の
厚さを18μｍにした。このドライレジストフィルムの表
面に、さらにポリエチレンテレフタレートフィルムを重
ねた。カバーフィルムを剥離した後、圧力と熱をかけ
て、このドライフィルムを黄銅シート上に張り合せた。
冷却し、一時的な支持体フィルムを剥離した後、このシ
ートを原画を通して露光したが、この間に良好な画像コ
ントラストが見える様になった。露光区域を実施例11に
記載する組成物の現像剤でスプレー現像した。次いで、
このシートを市販の塩化鉄溶液で、滑らかな縁部が食刻
されるまでエッチング処理した。得られた形状部品は、
単一部品に分ける前に、さらに処理することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラルフ、ダメル ドイツ連邦共和国 クライン‐ウィンテ ルンハイム、イム、クベルボルン、16 (72)発明者 ホルスト、レーシェルト ドイツ連邦共和国ビーベルリート、ハウ プトシュトラーセ、14 (56)参考文献 特開 平２−84648（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−118655（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−187764（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−239250（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/18

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】必須成分として、 （ａ） 照射により酸を形成する化合物、 （ｂ） 少なくとも一つの、酸による開裂し得るＣ−Ｏ
    −Ｃ−またはＣ−Ｏ−Si−結合を有する化合物、 （ｃ） 水に不溶であるが、アルカリ水溶液には可溶、
    もしくは少なくとも膨潤し得る結合剤 を含む混合物であって、前記化合物（ａ）が、下記一般
    式（Ｉ）のα，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタンで
    あり、 ここで、 Ｒは、シクロアルキル基、ヘテロアリール基、エチル
    基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
    ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ナフチル基、アリ
    ル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、トリフル
    オロメチル基、ヘキサデシル基、２−オキサペンチル
    基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基、４
    −エチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、2,5
    −ジクロロフェニル基、2,6−ジクロロフェニル基、3,4
    −ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブ
    ロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−フルオロ
    フェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、ペンタフル
    オロフェニル基、４−アセトアミドフェニル基、また
    は、４−アセトオキシフェニル基であることを特徴とす
    る、陽画処理照射感応性混合物。
  2. 【請求項２】照射として190〜450nmの波長を有するUV光
    線を使用することを特徴とする、請求項１に記載する陽
    画処理照射感応性混合物。
  3. 【請求項３】照射として200〜400nmの波長を有するUV光
    線を使用することを特徴とする、請求項１または２に記
    載する陽画処理照射感応性混合物。
  4. 【請求項４】式（Ｉ）の酸を形成する化合物の濃度が0.
    5〜25重量％であることを特徴とする、請求項１〜３の
    いずれか１項に記載する陽画処理照射感応性混合物。
  5. 【請求項５】結合剤が、照射の波長領域において、 ＜0.5μm-1の吸光度を有することを特徴とする、請求項
    １〜４のいずれか１項に記載する陽画処理照射感応性混
    合物。
  6. 【請求項６】結合剤として30重量％までの、特に20重量
    ％までのノボラック縮合樹脂を含むことを特徴とする、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載する陽画処理照射感
    応性混合物。
  7. 【請求項７】結合剤がフェノール性水酸基を含むことを
    特徴とする、請求項５または６に記載する陽画処理照射
    感応性混合物。
  8. 【請求項８】結合剤が、照射感応性混合物中に、60〜96
    重量％、特に70〜94重量％の濃度で含まれることを特徴
    とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載する陽画処
    理照射感応性混合物。
  9. 【請求項９】結合剤が、240nm上で、＜0.3μm-1の吸光
    度を有することを特徴とする、請求項５〜８のいずれか
    １項に記載する陽画処理照射感応性混合物。
  10. 【請求項１０】式（Ｉ）の化合物が、248nmで、そのす
    べてのレジスト成分の中で最も高い分子吸光度を有する
    ことを特徴とする、請求項１に記載する陽画処理照射感
    応性混合物。
  11. 【請求項１１】本質的に、支持体および照射感応性層か
    らなり、その層が請求項１〜10のいずれか１項に記載す
    る照射硬化性混合物からなることを特徴とする、陽画処
    理照射感応性複写材料。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216135A (en) 1990-01-30 1993-06-01 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Diazodisulfones
JP2500533B2 (ja) * 1990-01-30 1996-05-29 和光純薬工業株式会社 新規なジアゾジスルホン化合物
DE4006190A1 (de) * 1990-02-28 1991-08-29 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP2586692B2 (ja) * 1990-05-24 1997-03-05 松下電器産業株式会社 パターン形成材料およびパターン形成方法
JP2849666B2 (ja) * 1990-08-01 1999-01-20 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料
DE4112966A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112971A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
DE4120173A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0552548B1 (en) * 1991-12-16 1997-03-19 Wako Pure Chemical Industries Ltd Resist material
JP2726348B2 (ja) * 1992-02-03 1998-03-11 沖電気工業株式会社 放射線感応性樹脂組成物
DE4222968A1 (de) * 1992-07-13 1994-01-20 Hoechst Ag Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
DE4306152A1 (de) * 1993-02-27 1994-09-01 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
KR960015081A (ko) * 1993-07-15 1996-05-22 마쯔모또 에이이찌 화학증폭형 레지스트 조성물
JP3353258B2 (ja) * 1993-10-26 2002-12-03 富士通株式会社 遠紫外線用レジスト
DE4402363C2 (de) * 1994-01-27 1995-08-17 Kunststoff Maschinen Handelsge Verfahren zur chromatotropischen LASER-Beschriftung von Kunststoffen
US5663035A (en) * 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
US5558971A (en) * 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
DE69526119T2 (de) * 1994-12-28 2002-08-29 Clariant Finance Bvi Ltd Strahlungsempfindliche zusammensetzung und daraus hergestelltes aufzeichnungsmedium
JP2956824B2 (ja) * 1995-06-15 1999-10-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
DE19533608A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
JP3589365B2 (ja) * 1996-02-02 2004-11-17 富士写真フイルム株式会社 ポジ画像形成組成物
US5945248A (en) * 1996-07-24 1999-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization positive-working photoresist composition
US5945517A (en) * 1996-07-24 1999-08-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization photoresist composition
US5908730A (en) * 1996-07-24 1999-06-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization photoresist composition
TW439016B (en) * 1996-09-20 2001-06-07 Sumitomo Chemical Co Positive resist composition
US6153733A (en) 1998-05-18 2000-11-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Disulfonyl diazomethane compounds)
KR100710863B1 (ko) * 1998-09-28 2007-04-25 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 방사선 감응성 조성물
US6210856B1 (en) 1999-01-27 2001-04-03 International Business Machines Corporation Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate
JP4991074B2 (ja) * 2000-02-27 2012-08-01 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 光反応性酸発生剤およびそれを含有してなるフォトレジスト
KR100587452B1 (ko) 2001-09-28 2006-06-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규 술포닐디아조메탄 화합물, 광산발생제 및 그것을이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP3991213B2 (ja) 2002-08-09 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991223B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991222B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4359467B2 (ja) 2003-08-28 2009-11-04 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20060204732A1 (en) 2005-03-08 2006-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
DE602006003029D1 (de) 2005-08-23 2008-11-20 Fujifilm Corp Härtbare Tinte enthaltend modifiziertes Oxetan
JP4757574B2 (ja) 2005-09-07 2011-08-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
EP1783184B9 (en) 2005-11-04 2011-05-11 Fujifilm Corporation Curable ink composition and oxetane compound
DE602007012161D1 (de) 2006-03-03 2011-03-10 Fujifilm Corp Härtbare Zusammensetzung, Tintenzusammensetzung, Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und Flachdruckplatte
JP2008189776A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Fujifilm Corp 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
JP5111039B2 (ja) 2007-09-27 2012-12-26 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
US8240838B2 (en) 2007-11-29 2012-08-14 Fujifilm Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
EP2169018B1 (en) 2008-09-26 2012-01-18 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
JP5461809B2 (ja) 2008-09-29 2014-04-02 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20110086312A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Dammel Ralph R Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating
KR102093677B1 (ko) * 2015-11-05 2020-03-26 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
EP4343326A1 (en) * 2022-09-20 2024-03-27 Miltenyi Biotec B.V. & Co. KG Biological conjugates having an photogenerated acidic or basic releasable detection moiety on top of biological tissues

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3502476A (en) * 1965-10-20 1970-03-24 Konishiroku Photo Ind Light-sensitive photographic materials
US3515552A (en) * 1966-09-16 1970-06-02 Minnesota Mining & Mfg Light-sensitive imaging sheet and method of using
US3536489A (en) * 1966-09-16 1970-10-27 Minnesota Mining & Mfg Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions
GB1231789A (ja) * 1967-09-05 1971-05-12
DE1296975B (de) * 1967-11-09 1969-06-04 Kalle Ag Lichtempfindliches Gemisch
FR1590914A (ja) * 1967-11-09 1970-04-20
DE1298414B (de) * 1967-11-09 1969-06-26 Kalle Ag Lichtempfindliches Gemisch
GB1248036A (en) * 1968-01-12 1971-09-29 Agfa Gevaert Photopolymerisation of ethylenically unsaturated organic compounds
DE1949010C3 (de) * 1969-09-27 1979-11-29 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verwendung von halogenmethylierten Benzophenonen als Photopolymerisationsinitiatoren
BE754916A (nl) * 1969-11-11 1971-02-17 Agfa Gevaert Nv Fotopolymerisatie van ethylenisch onverzadigde organische verbindingen
US3987037A (en) * 1971-09-03 1976-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines
US3779778A (en) * 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
NL7205384A (ja) * 1972-04-21 1973-10-23
US3912606A (en) * 1974-11-21 1975-10-14 Eastman Kodak Co Photosensitive compositions containing benzoxazole sensitizers
CH621416A5 (ja) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
US4212970A (en) * 1977-11-28 1980-07-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds
JPS5474728A (en) * 1977-11-28 1979-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
US4343885A (en) * 1978-05-09 1982-08-10 Dynachem Corporation Phototropic photosensitive compositions containing fluoran colorformer
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS5577742A (en) * 1978-12-08 1980-06-11 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive composition
DE2928636A1 (de) * 1979-07-16 1981-02-12 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3021590A1 (de) * 1980-06-09 1981-12-17 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt 4-halogen-5-(halogenmethyl-phenyl)-oxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltenden strahlungsempfindliche massen
DE3021599A1 (de) * 1980-06-09 1981-12-24 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt 2-(halogenmethyl-phenyl)-4-halogenoxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltende strahlungsempfindliche massen
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
GB8321813D0 (en) * 1983-08-12 1983-09-14 Vickers Plc Radiation sensitive compounds
DE3337024A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch
JPS61141442A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
DE3601264A1 (de) * 1985-01-18 1986-07-24 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa Photosolubilisierbare zusammensetzung
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
CA1307695C (en) * 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
DE3621376A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-07 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3725741A1 (de) * 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3730783A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730787A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730785A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5250669A (en) * 1987-12-04 1993-10-05 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Photosensitive compound
JP2719640B2 (ja) * 1988-06-30 1998-02-25 日本合成ゴム株式会社 ポジ型感放射線樹脂組成物
US5272036A (en) * 1988-10-28 1993-12-21 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method
JPH02118655A (ja) * 1988-10-28 1990-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成用コンストラストエンハンスト材料
DE3900736A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-26 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch enthaltend einen mehrfunktionellen (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial enthaltend dieses gemisch
JPH02187764A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感遠紫外線樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE59010600D1 (de) 1997-01-23
EP0417557A2 (de) 1991-03-20
US5338641A (en) 1994-08-16
DE3930086A1 (de) 1991-03-21
KR0163953B1 (ko) 1998-12-15
KR910006776A (ko) 1991-04-30
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