JPS6236883A - オプテイカルアイソレ−タの製造方法 - Google Patents
オプテイカルアイソレ−タの製造方法Info
- Publication number
- JPS6236883A JPS6236883A JP61149299A JP14929986A JPS6236883A JP S6236883 A JPS6236883 A JP S6236883A JP 61149299 A JP61149299 A JP 61149299A JP 14929986 A JP14929986 A JP 14929986A JP S6236883 A JPS6236883 A JP S6236883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical isolator
- manufacturing
- receiving element
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オプティカルアイソレータ（フォトカブラ）
の製造方法に係り、特に標準的なリードフレームを用い
て、オプティカルアイソレータを容易に製造することが
でき、量産に適したオプティカルアイソレータの製造方
法に関する。
の製造方法に係り、特に標準的なリードフレームを用い
て、オプティカルアイソレータを容易に製造することが
でき、量産に適したオプティカルアイソレータの製造方
法に関する。
オプティカルアイソレータは、電子回路中において、入
出力間の電圧・電流分離を維持しながら、順方向の信号
の伝達を可能にするために使用される。このようなオプ
ティカルアイソレータは、入力側の発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）、出力側のフォトダイオード、及び該Ｌ Ｅ Ｄ
とフォトダイオードとを分離する光透過性の高耐圧絶縁
ギャップからなる。最適のアイソレータ性能を得るため
には、アイソレーションギャップ（絶縁ギャップ）の寸
法及びＬ Ｅ Ｄとフォトダイオードとの配列を製造の
間正確に維持する必要がある。
出力間の電圧・電流分離を維持しながら、順方向の信号
の伝達を可能にするために使用される。このようなオプ
ティカルアイソレータは、入力側の発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）、出力側のフォトダイオード、及び該Ｌ Ｅ Ｄ
とフォトダイオードとを分離する光透過性の高耐圧絶縁
ギャップからなる。最適のアイソレータ性能を得るため
には、アイソレーションギャップ（絶縁ギャップ）の寸
法及びＬ Ｅ Ｄとフォトダイオードとの配列を製造の
間正確に維持する必要がある。
オプティカルアイソレータの製造を自動化しよう従来技
術の１つは、特開昭５８−９５８７９に記載され、また
第１Ａ図乃至Ｃ図に図示したようにＬＥＤリード及びそ
れと別個のＬＥＤボンドリードを２箇所の９０°折り曲
げ工程でフォトダイオード上の領域に折りたたむことに
よって、ＬＢＤとフォトダイオードとを対向させるもの
である。
術の１つは、特開昭５８−９５８７９に記載され、また
第１Ａ図乃至Ｃ図に図示したようにＬＥＤリード及びそ
れと別個のＬＥＤボンドリードを２箇所の９０°折り曲
げ工程でフォトダイオード上の領域に折りたたむことに
よって、ＬＢＤとフォトダイオードとを対向させるもの
である。
このようなリードフレームの折り曲げ技術を使用するこ
とによって、アイソレータの組み立て時間は減少するが
、別々の軸にそった折り曲げを行う装置が要求され、ま
た折り曲げの配置の誤差力月。
とによって、アイソレータの組み立て時間は減少するが
、別々の軸にそった折り曲げを行う装置が要求され、ま
た折り曲げの配置の誤差力月。
ＥＤとフォトダイオードとの整列の精度に影ビすること
があった。Ｌ Ｅ ＤリードとＬ Ｅ Ｄポンドリード
とが確実に固着されないため、またＬ Ｅ Ｄダイスと
フォトダイオードダイスとの間の絶縁シートが決まった
位置に固定されず、ＬＥＤボンドワイヤ、及びフォトダ
イオードボンドワイヤにもたれかかりそれらを損傷させ
るため、折りたたみ中ボンドワイヤの損傷がおこること
があった。また、米国特許第３９２５８０１号に記載さ
れ、第２図に示されているように、多くの従来例におけ
る絶縁ギヤ・ツブの寸法は、ＬＥＤとフォトダイオード
との間に配置された絶縁シートの厚さによって決定され
る。製造中このようなシートの挿入を行うと、しばしば
ボンドワイヤの損傷が生じた。
があった。Ｌ Ｅ ＤリードとＬ Ｅ Ｄポンドリード
とが確実に固着されないため、またＬ Ｅ Ｄダイスと
フォトダイオードダイスとの間の絶縁シートが決まった
位置に固定されず、ＬＥＤボンドワイヤ、及びフォトダ
イオードボンドワイヤにもたれかかりそれらを損傷させ
るため、折りたたみ中ボンドワイヤの損傷がおこること
があった。また、米国特許第３９２５８０１号に記載さ
れ、第２図に示されているように、多くの従来例におけ
る絶縁ギヤ・ツブの寸法は、ＬＥＤとフォトダイオード
との間に配置された絶縁シートの厚さによって決定され
る。製造中このようなシートの挿入を行うと、しばしば
ボンドワイヤの損傷が生じた。
本発明は、上記した従来技術の欠点を除くためになされ
るものであって、その目的とするところは、標準的な形
状のリードフレームを用いて、オプティカルアイソレー
タ （フォトカプラ）を容易に製造、量産することがで
きるようにすることである。
るものであって、その目的とするところは、標準的な形
状のリードフレームを用いて、オプティカルアイソレー
タ （フォトカプラ）を容易に製造、量産することがで
きるようにすることである。
本発明の好ましい実施例では、まず、次のようなリード
フレームを形成する。即ち、発光素子の一例たる発光ダ
イオードを取り付けるＬＥＤ取付部、及び受光素子の一
例たるフォトダイオードを取り付けるフォトダイオード
取付部を設け、再取付部のいずれか一方を捻転可能なヒ
ンジピンによって回転可能に支持するような形状とする
。ＬＥＤグイ及びフォトダイオードダイの取り付は及び
ワイヤボンディングを行う前に、リードフレームのＬＥ
Ｄ取付部及びフォトダイオード取付部の一部に′リード
フレームの他の部分の面に対して下段に位置する段違い
面を形成する。ＬＥＤダイ及びフォトダイオードダイの
の取り付は及びワイヤボンディングの終了後、リードフ
レームの発光素子取付部全体を、受光素子取付部と同一
平面となるまで、一対のヒンジピンを軸として１８０°
回転させ、反転させる。反転が終わった後、ヒンジピン
をスタンピング加工し、回転の済んだＬＥＤ取付部が弾
性により逆回転するのを防ぐ。ＬＥＤリード及びフォト
ダイオードリードの外側の表面に取り付けられた２枚の
絶縁シートの間に透明な樹脂を注入し、Ｌ Ｅ Ｄとフ
ォトダイオードとの間の光路を形成する。オプティカル
アイソレータをカプセル封じし、出っ張ったリードを切
断して所望の最終パッケージ形状とする。本発明の別の
好適実施例では、絶縁シートをＬＥＤリード、フォトダ
イオードリードのいずれかの外側の表面に取り付け、も
う一枚の絶縁シートをＬＥＤダイとフォトダイオードダ
イとの間に配置する。該ＬＥＤダイとフォトダイオード
ダイとの間に配置されたシートは、外側の表面に取り付
けられたシートに載り、またダイ及びボンドワイヤに対
する損傷が避けられるような角度で２つのダイ間に延設
される。
フレームを形成する。即ち、発光素子の一例たる発光ダ
イオードを取り付けるＬＥＤ取付部、及び受光素子の一
例たるフォトダイオードを取り付けるフォトダイオード
取付部を設け、再取付部のいずれか一方を捻転可能なヒ
ンジピンによって回転可能に支持するような形状とする
。ＬＥＤグイ及びフォトダイオードダイの取り付は及び
ワイヤボンディングを行う前に、リードフレームのＬＥ
Ｄ取付部及びフォトダイオード取付部の一部に′リード
フレームの他の部分の面に対して下段に位置する段違い
面を形成する。ＬＥＤダイ及びフォトダイオードダイの
の取り付は及びワイヤボンディングの終了後、リードフ
レームの発光素子取付部全体を、受光素子取付部と同一
平面となるまで、一対のヒンジピンを軸として１８０°
回転させ、反転させる。反転が終わった後、ヒンジピン
をスタンピング加工し、回転の済んだＬＥＤ取付部が弾
性により逆回転するのを防ぐ。ＬＥＤリード及びフォト
ダイオードリードの外側の表面に取り付けられた２枚の
絶縁シートの間に透明な樹脂を注入し、Ｌ Ｅ Ｄとフ
ォトダイオードとの間の光路を形成する。オプティカル
アイソレータをカプセル封じし、出っ張ったリードを切
断して所望の最終パッケージ形状とする。本発明の別の
好適実施例では、絶縁シートをＬＥＤリード、フォトダ
イオードリードのいずれかの外側の表面に取り付け、も
う一枚の絶縁シートをＬＥＤダイとフォトダイオードダ
イとの間に配置する。該ＬＥＤダイとフォトダイオード
ダイとの間に配置されたシートは、外側の表面に取り付
けられたシートに載り、またダイ及びボンドワイヤに対
する損傷が避けられるような角度で２つのダイ間に延設
される。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図及び第２図は、従来技術により製造されるオプテ
ィカルアイソレータを示している。
ィカルアイソレータを示している。
第１Ａ図〜第１Ｃ図は、２つの９０°折り曲げ工程を示
す。これは米国特許第４４４６３７５号に記載され、Ｌ
ＥＤとフォトダイオードとを配列させるために従来のオ
プティカルアイソレータの製造において用いられている
。第２図は米国特許第３９２５８０１号に記載されたオ
プティカルアイソレータを示し、Ｌ Ｅ Ｄとフォトダ
イオードとの間にはさまれた単一の絶縁シートの厚さに
よってアイソレーションギャップの寸法が決定される。
す。これは米国特許第４４４６３７５号に記載され、Ｌ
ＥＤとフォトダイオードとを配列させるために従来のオ
プティカルアイソレータの製造において用いられている
。第２図は米国特許第３９２５８０１号に記載されたオ
プティカルアイソレータを示し、Ｌ Ｅ Ｄとフォトダ
イオードとの間にはさまれた単一の絶縁シートの厚さに
よってアイソレーションギャップの寸法が決定される。
第３図は、本発明の好適実施例によるオプティカルアイ
ソレータの組み立てに用いるため形成するリードフレー
ム１を示している。リードフレーム１は、０．０１０イ
ンチ（０，０２５４ｃｍ）厚で、周知の方法によって合
金４２（４２χニツケル、５８χ鉄）から作られる。斜
線で示した部分は金めつきを施し、後のダイ取付、ワイ
ヤボンド作業を容易にする。図面を見易くするために、
これらのめっきされた領域は他の図面には図示しない。
ソレータの組み立てに用いるため形成するリードフレー
ム１を示している。リードフレーム１は、０．０１０イ
ンチ（０，０２５４ｃｍ）厚で、周知の方法によって合
金４２（４２χニツケル、５８χ鉄）から作られる。斜
線で示した部分は金めつきを施し、後のダイ取付、ワイ
ヤボンド作業を容易にする。図面を見易くするために、
これらのめっきされた領域は他の図面には図示しない。
リードフレーム１は、長さが約８．４インチ（２４，３
ｃｍ） 、幅が１インチ（２，５４ｃｍ）で、縦方向に
延設されたサイドレール３及び５により縦方向の構造的
な支持がなされる。所定間隔毎に複数設けられたタイレ
ール２３は、リードフレーム１の横方向の構造的な支持
を行う。
ｃｍ） 、幅が１インチ（２，５４ｃｍ）で、縦方向に
延設されたサイドレール３及び５により縦方向の構造的
な支持がなされる。所定間隔毎に複数設けられたタイレ
ール２３は、リードフレーム１の横方向の構造的な支持
を行う。
発光素子取付部の一例たるＬＥＤ部１１が１０個、受光
素子取付部の一例たるフォトダイオード部１３が１０個
、それぞれ交互にリードフレーム１上に配列されており
、各部はアーム１７、シート１９をはさんで同一の左右
部に分割されている。ＬＥＤ部１１は、捻転可能なレー
ルの一例たるヒンジピン３１．３３によってサイドレー
ル３，５に取り付けられており、該ヒンジピン３１，３
３は、幅が０．１４インチ （０，３５５６ｃｍ） と
なっている。フォトダイオード部１３はダムバ一端３５
．３７によってサイドレール３，５に取り付けられてい
る。
素子取付部の一例たるフォトダイオード部１３が１０個
、それぞれ交互にリードフレーム１上に配列されており
、各部はアーム１７、シート１９をはさんで同一の左右
部に分割されている。ＬＥＤ部１１は、捻転可能なレー
ルの一例たるヒンジピン３１．３３によってサイドレー
ル３，５に取り付けられており、該ヒンジピン３１，３
３は、幅が０．１４インチ （０，３５５６ｃｍ） と
なっている。フォトダイオード部１３はダムバ一端３５
．３７によってサイドレール３，５に取り付けられてい
る。
製造中、Ｌ Ｅ Ｄ部とフォトダイオード部１３との左
側の各部は、組み合わされて１個のオプティカルアイソ
レータを形成する。右側の各部も同様にして組み合わさ
れ、１個のオプティカルアイソレータとなる。１つのリ
ードフレームには、標準的な集積回路の８リードパツケ
ージ形状に形成されたオプティカルアイソレータが、２
０個形成される。
側の各部は、組み合わされて１個のオプティカルアイソ
レータを形成する。右側の各部も同様にして組み合わさ
れ、１個のオプティカルアイソレータとなる。１つのリ
ードフレームには、標準的な集積回路の８リードパツケ
ージ形状に形成されたオプティカルアイソレータが、２
０個形成される。
第４Ａ図及び第４Ｂ図は、本発明によるオプティカルア
イソレータの製造において実施される多数の組立工程の
フローチャートである。次に、１個のオプティカルアイ
ソレータ１０３の組立工程を１工程毎に、第５図〜第１
１図に基づいて説明する。自動組立の間には、リードフ
レーム１上の全てのオプティカルアイソレータが連続的
に製造される。
イソレータの製造において実施される多数の組立工程の
フローチャートである。次に、１個のオプティカルアイ
ソレータ１０３の組立工程を１工程毎に、第５図〜第１
１図に基づいて説明する。自動組立の間には、リードフ
レーム１上の全てのオプティカルアイソレータが連続的
に製造される。
第５図は、取付部８１．８３をサイドレール３゜５の面
から一段下げるダウンセット工程４１の実施後のリード
フレーム１を示す。尚、互いに一体的に延設された段違
い面を形成する段付は加工を本明細書では、ダウンセッ
トと称する。ダウンセット作業は、周知のプレス技術を
用いて容易に行うことができ、またダウンセットの量は
、絶縁ギャップ（アイソレーションギャップ）の寸法を
設定するために前もって決定される。好適実施例におい
て。絶縁ギャップを０．０１０インチ（０、０４８２６
ｃｍ ）の寸法だけ段か付けられている。但し、ダウン
セントの寸法は、Ｌ Ｅ Ｄダイ及びフォトダイオード
ダイの厚さに応じて変わる。着座領域の一例たるシーＩ
・１９は、アーム１７の厚さに等しい量、即ち０．０１
００インチ（０，０２５４ｃｒｎ） だけダウンセッ
トし、Ｌ Ｅ Ｄ部１１を回転（反転）させた後には、
アーム１７がシート１９の下段部分に載り、ＬＥＤ部１
１がフォトダイオード部１３と同一平面」二に揃うよう
になっている。ＬＥＤ部１１の回転が完了した後、２つ
の取付部８１及び８３は、サイドレール３，５の上下に
該号イドレール３，５の上面及び下面からそれぞれ等距
離に配置される。
から一段下げるダウンセット工程４１の実施後のリード
フレーム１を示す。尚、互いに一体的に延設された段違
い面を形成する段付は加工を本明細書では、ダウンセッ
トと称する。ダウンセット作業は、周知のプレス技術を
用いて容易に行うことができ、またダウンセットの量は
、絶縁ギャップ（アイソレーションギャップ）の寸法を
設定するために前もって決定される。好適実施例におい
て。絶縁ギャップを０．０１０インチ（０、０４８２６
ｃｍ ）の寸法だけ段か付けられている。但し、ダウン
セントの寸法は、Ｌ Ｅ Ｄダイ及びフォトダイオード
ダイの厚さに応じて変わる。着座領域の一例たるシーＩ
・１９は、アーム１７の厚さに等しい量、即ち０．０１
００インチ（０，０２５４ｃｒｎ） だけダウンセッ
トし、Ｌ Ｅ Ｄ部１１を回転（反転）させた後には、
アーム１７がシート１９の下段部分に載り、ＬＥＤ部１
１がフォトダイオード部１３と同一平面」二に揃うよう
になっている。ＬＥＤ部１１の回転が完了した後、２つ
の取付部８１及び８３は、サイドレール３，５の上下に
該号イドレール３，５の上面及び下面からそれぞれ等距
離に配置される。
第６図はダイ取付、ワイヤボンド作業がリードフレーム
１上に従来の方法で実施される工程４３及び４５を示す
。ＬＥＤダイ９１及びオプションたるバッファダイ９３
がＬＥＤダイリード９５に取り付けられ。フォトダイオ
ードダイ９７がフォトダイオードリード９９に取り付け
られる。種々のボンドワイヤが必要に応じて図示の他の
リードに取り付けられる。ＬＥＤ９１は、たとえば米国
特許第３８３６７９３号に記載された形式の高速ＧａＡ
ｓＰデバイスである。ＬＥＤ９１は約０．００６インチ
（０，０１５２４ｃｍ） の厚さ、フ１１−ダイオード
９７は０．０１２インチ（０、０３０４８ｃｍ ）の厚
さを有している。
１上に従来の方法で実施される工程４３及び４５を示す
。ＬＥＤダイ９１及びオプションたるバッファダイ９３
がＬＥＤダイリード９５に取り付けられ。フォトダイオ
ードダイ９７がフォトダイオードリード９９に取り付け
られる。種々のボンドワイヤが必要に応じて図示の他の
リードに取り付けられる。ＬＥＤ９１は、たとえば米国
特許第３８３６７９３号に記載された形式の高速ＧａＡ
ｓＰデバイスである。ＬＥＤ９１は約０．００６インチ
（０，０１５２４ｃｍ） の厚さ、フ１１−ダイオード
９７は０．０１２インチ（０、０３０４８ｃｍ ）の厚
さを有している。
第７図は、第４Ｂ図のフローチャートにおいて詳細に示
されている組み合わせ工程４７の一番始めの工程を示し
ている。よりわかり易くするため、第７図乃至第９図に
は、リードフレーム１の左側部だけを示している。組み
合わせ作業工程６１では、ＬＥＤ部１１のタイレール２
１がサイドレール３，５の両方から切断される。これに
よってＬＥＤ部１１は、横方向に位置するヒンジピン３
１゜３３のみに取り付けられた状態となり、そのヒンジ
ピンを軸とする縦方向の回転が可能になる。フォトダイ
オード部１３のダムバ一端３５及び３７は切断されない
ので、フォトダイオード部１３はサイドレール３，５に
固定されたままとなる。
されている組み合わせ工程４７の一番始めの工程を示し
ている。よりわかり易くするため、第７図乃至第９図に
は、リードフレーム１の左側部だけを示している。組み
合わせ作業工程６１では、ＬＥＤ部１１のタイレール２
１がサイドレール３，５の両方から切断される。これに
よってＬＥＤ部１１は、横方向に位置するヒンジピン３
１゜３３のみに取り付けられた状態となり、そのヒンジ
ピンを軸とする縦方向の回転が可能になる。フォトダイ
オード部１３のダムバ一端３５及び３７は切断されない
ので、フォトダイオード部１３はサイドレール３，５に
固定されたままとなる。
工程６３では、第７図に示すように、ＬＥＤ部１１が、
ヒンジピン３Ｌ３３を軸として上方に約１５°回転する
。工程６４乃至６９の回転運動は、使用される特定の組
み合わせ装置の必要に応じ単一の工程によっても、複数
の工程によっても実施することができる。リードフレー
ム１は、標準的な８リードパツケージ用に形成されるの
で、標準的な集積回路製造装置を用いることができる。
ヒンジピン３Ｌ３３を軸として上方に約１５°回転する
。工程６４乃至６９の回転運動は、使用される特定の組
み合わせ装置の必要に応じ単一の工程によっても、複数
の工程によっても実施することができる。リードフレー
ム１は、標準的な８リードパツケージ用に形成されるの
で、標準的な集積回路製造装置を用いることができる。
当業者か、Ｌ Ｅ Ｄ部１１を回転させる代わりにフォ
トダイオード部１３を回転させることができるようにリ
ードフレーム１を再構成することが可能であることは勿
論である。
トダイオード部１３を回転させることができるようにリ
ードフレーム１を再構成することが可能であることは勿
論である。
第８図は、ＬＥＤ部１１をサイドレール３．５の面に対
して約９０°回転させる工程６５を示している。工程６
７ （図示せず）では、ＬＥＤ部１１は約１６５°回転
させられる。好適実施例において用いられている複数の
工程ではなく一回の工程で１８０ °全部を回転させ
ることができることは勿論である。
して約９０°回転させる工程６５を示している。工程６
７ （図示せず）では、ＬＥＤ部１１は約１６５°回転
させられる。好適実施例において用いられている複数の
工程ではなく一回の工程で１８０ °全部を回転させ
ることができることは勿論である。
第９図は、組立装置の圧力パッドが、ＬＥＤ部１１をサ
イドレール３，５及びフォトダイオード部１３と同一面
の１８０°回転した位置に押し付ける工程６９を示して
いる。この時点で、アーム１７はシート１９の下段領域
に着座し、リードフレーム１が偶然なにかに衝突するよ
うなことがあっても、２つのダイに対する損傷は避ける
ことができる。アーム１７とシート１９は、互いにスポ
ット溶接により固着され、これによりトランスファ成形
を行う際に、より構造的に安定となる。従来例のあるも
のとは異なって、アイソレーションギャップの寸法がダ
イ９１と９７との間の絶縁シートの圧縮によって設定さ
れるものではないから、ダイ９１．９７の損傷は起こら
ない。
イドレール３，５及びフォトダイオード部１３と同一面
の１８０°回転した位置に押し付ける工程６９を示して
いる。この時点で、アーム１７はシート１９の下段領域
に着座し、リードフレーム１が偶然なにかに衝突するよ
うなことがあっても、２つのダイに対する損傷は避ける
ことができる。アーム１７とシート１９は、互いにスポ
ット溶接により固着され、これによりトランスファ成形
を行う際に、より構造的に安定となる。従来例のあるも
のとは異なって、アイソレーションギャップの寸法がダ
イ９１と９７との間の絶縁シートの圧縮によって設定さ
れるものではないから、ダイ９１．９７の損傷は起こら
ない。
ＬＥＤ部１１が弾性により逆回転しないように、２つの
ヒンジピン３］、、３３はスタンピングにより平らにさ
れる。各ヒンジピン３１，３３の幅は、スェージ加工を
なしうるようにサイドレール３゜５の厚さより大きくな
ければならない。しかし、ヒンジピン３１．３３の幅は
、スタンピング中に材料の冷間流動が過剰に起こり、リ
ードフレーム１の一部が歪んで変形が生じる程太き（で
はならない。好適実施例では、０．１２インチ（０，３
０４８ａｍ）乃至０．１６インチ（０，４０６４ｃｍ）
の範囲の幅を用い、サイドレールの厚さの１６０％とし
ている。
ヒンジピン３］、、３３はスタンピングにより平らにさ
れる。各ヒンジピン３１，３３の幅は、スェージ加工を
なしうるようにサイドレール３゜５の厚さより大きくな
ければならない。しかし、ヒンジピン３１．３３の幅は
、スタンピング中に材料の冷間流動が過剰に起こり、リ
ードフレーム１の一部が歪んで変形が生じる程太き（で
はならない。好適実施例では、０．１２インチ（０，３
０４８ａｍ）乃至０．１６インチ（０，４０６４ｃｍ）
の範囲の幅を用い、サイドレールの厚さの１６０％とし
ている。
第１０図は、工程４７の終了後のオプティカルアイソレ
ータ１０３の拡大断面図である。ＬＥＤ９１はアイソレ
ーションギャップ１０１をはさんでフォトダイオード９
７の上に正確に配置される。
ータ１０３の拡大断面図である。ＬＥＤ９１はアイソレ
ーションギャップ１０１をはさんでフォトダイオード９
７の上に正確に配置される。
アイソレーションギャップ１０１の寸法は、取付部８１
．８３及びシート１９のダウンセット量並びにダイス９
１．９７の厚さによって工程４１で決定される。リード
９５．９９は同一面上にあるので、工程５３において標
準的なトランスファ成形装置を用いることができ、成形
中におけるボンドリード上のフラッシングが除去される
。
．８３及びシート１９のダウンセット量並びにダイス９
１．９７の厚さによって工程４１で決定される。リード
９５．９９は同一面上にあるので、工程５３において標
準的なトランスファ成形装置を用いることができ、成形
中におけるボンドリード上のフラッシングが除去される
。
次に第１１図を参照しながら、オプティカルアイソレー
タ１０３の最終パッケージが行われる工程４９乃至５５
を説明する。工程４９では、２つの絶縁性シート１１１
，１１３がリード９５及び９９の外表面に取り付けられ
る。シート１１１゜１１３は、０．００２８インチ（０
，００７１１２ｃｍ）厚の市販のデュポン社カプトンテ
ープ（０，１インチ（０，２５４Ｃｍ）四方に切断され
、片面に接着剤が塗布されている。
タ１０３の最終パッケージが行われる工程４９乃至５５
を説明する。工程４９では、２つの絶縁性シート１１１
，１１３がリード９５及び９９の外表面に取り付けられ
る。シート１１１゜１１３は、０．００２８インチ（０
，００７１１２ｃｍ）厚の市販のデュポン社カプトンテ
ープ（０，１インチ（０，２５４Ｃｍ）四方に切断され
、片面に接着剤が塗布されている。
）のような任意の非導電材料からつくることができる。
工程５１では、ダウコーニング社ハイペックＱ１４９３
９半導体保護コーティングのような、光透過性シリコン
樹脂がシーｉ−１１１と１１３との間のアイソレーショ
ンギャップ１０１に注入され、光路（光ガイド）が形成
される。表面張力を用いて、シー１−１１１，１１３は
、樹脂の流れを所定の位置に限定し、樹脂が流れ過ぎて
しまうことによって、オプティカルアイソレータ１０３
が構造的に弱くなるのを防いでいる。樹脂は、ダイス９
１，９３．９７の光路１１５内へのカプセル封じを効果
的にし、それにより、熱ショック又は温度サイクルによ
ってオプティカルアイソレータ１０３が劣化する危険を
減少させる。
９半導体保護コーティングのような、光透過性シリコン
樹脂がシーｉ−１１１と１１３との間のアイソレーショ
ンギャップ１０１に注入され、光路（光ガイド）が形成
される。表面張力を用いて、シー１−１１１，１１３は
、樹脂の流れを所定の位置に限定し、樹脂が流れ過ぎて
しまうことによって、オプティカルアイソレータ１０３
が構造的に弱くなるのを防いでいる。樹脂は、ダイス９
１，９３．９７の光路１１５内へのカプセル封じを効果
的にし、それにより、熱ショック又は温度サイクルによ
ってオプティカルアイソレータ１０３が劣化する危険を
減少させる。
工程５３では、標準的なトランスファ成形技術を用いて
、不透明なパッケージ１１７ （例えば、日東電気工業
社ＭＰ−１０１，３）ランスファ成形混合物）にオプテ
ィカルアイソレータ１０３をカプセル封じする。最後に
、ステップ５５で、シード９５及び９９を含むすべての
リードをサイドレール３，５から切断し、タイレール２
１．２３をよびリードは所望のパッケージ形状に曲げら
れる。
、不透明なパッケージ１１７ （例えば、日東電気工業
社ＭＰ−１０１，３）ランスファ成形混合物）にオプテ
ィカルアイソレータ１０３をカプセル封じする。最後に
、ステップ５５で、シード９５及び９９を含むすべての
リードをサイドレール３，５から切断し、タイレール２
１．２３をよびリードは所望のパッケージ形状に曲げら
れる。
第１２図は本発明の別実施例を示す。これでは、絶縁シ
ート１３１がダイス９’ｌ、９７間のアイソレーション
ギャップ１０１内に配置されている。
ート１３１がダイス９’ｌ、９７間のアイソレーション
ギャップ１０１内に配置されている。
第１３図は、第４Ａ図のフローチャー１・と共通するい
くつかの工程を含む、第１２図に示すオプティカルアイ
ソレータ１２１の組み立てのフローチャートである。工
程１５１では、第１１図に示したシー１−１１３または
他の剛体材料シートをシー１−１１３の上表面上の接着
層を用いてリード９９に取り付ける。工程１５３では第
２の絶縁シート１３１をダイ９７の上に配置し、シート
１１３の端部に接触させ、その上の接着層に接着させて
シート１３１がボンドワイヤからはなれるように折り曲
げてボンドワイヤの損傷をさけるようにする。
くつかの工程を含む、第１２図に示すオプティカルアイ
ソレータ１２１の組み立てのフローチャートである。工
程１５１では、第１１図に示したシー１−１１３または
他の剛体材料シートをシー１−１１３の上表面上の接着
層を用いてリード９９に取り付ける。工程１５３では第
２の絶縁シート１３１をダイ９７の上に配置し、シート
１１３の端部に接触させ、その上の接着層に接着させて
シート１３１がボンドワイヤからはなれるように折り曲
げてボンドワイヤの損傷をさけるようにする。
シート１３１の傾斜をつけた折り曲げによりシート１３
１とダイ９７との間にくさび形の隙間を形成し、その中
に樹脂１３３を光をフォトダイオ−ドダイ９７に伝播さ
せるのに所望の位置に注入する。シート１３１は、０．
１２５インチ四方の寸法で、デュポン社ＦＥＰ Ｎｏ、
２００Ｇ２材料の一片でつくられる。
１とダイ９７との間にくさび形の隙間を形成し、その中
に樹脂１３３を光をフォトダイオ−ドダイ９７に伝播さ
せるのに所望の位置に注入する。シート１３１は、０．
１２５インチ四方の寸法で、デュポン社ＦＥＰ Ｎｏ、
２００Ｇ２材料の一片でつくられる。
工程１５５、で、第１１図を参照しながら説明した樹脂
１３３をシート１３１とダイ９７との間に注入し、工程
１５７で、樹脂を簡単に硬化させ、ゲル濃度とする。工
程４７の組み合わせ作業によってダイス９１．９７が損
傷することはない。これは、アイソレーションギャップ
１０１の寸法を決めるのはダウンセントの量であり、従
来技術によってしばしば行われていたようなダイス９１
゜９７間のシート１３１の圧縮によって決まるものでは
ないからである。シート１３１がシート１１３及びダイ
ス９７の端部に接触し、それによって一定角度傾斜して
ボンドワイヤに接触しないようになっているので、ボン
ドワイヤの損傷が避けられる。工程１６１では、追加の
樹脂１３３がシー１−１．３１及びダイ９１の間に注入
される。その樹脂は工程１６３で所定のゲル濃度まで硬
化させ、工程１６５において最後の工程５３．５５を実
施する前に完全に硬化させる。
１３３をシート１３１とダイ９７との間に注入し、工程
１５７で、樹脂を簡単に硬化させ、ゲル濃度とする。工
程４７の組み合わせ作業によってダイス９１．９７が損
傷することはない。これは、アイソレーションギャップ
１０１の寸法を決めるのはダウンセントの量であり、従
来技術によってしばしば行われていたようなダイス９１
゜９７間のシート１３１の圧縮によって決まるものでは
ないからである。シート１３１がシート１１３及びダイ
ス９７の端部に接触し、それによって一定角度傾斜して
ボンドワイヤに接触しないようになっているので、ボン
ドワイヤの損傷が避けられる。工程１６１では、追加の
樹脂１３３がシー１−１．３１及びダイ９１の間に注入
される。その樹脂は工程１６３で所定のゲル濃度まで硬
化させ、工程１６５において最後の工程５３．５５を実
施する前に完全に硬化させる。
シート１３１は、樹脂１３３より大きな耐圧を有してい
るので、オプティカルアイソレータ１２１の耐圧を増大
させる効果を有する。それはまた、樹脂１３３と成形混
合物１１７との間の界面に存在する空隙の長さを増大さ
せるように作用し、樹脂１３３内の空気泡の効果を最小
にする。シート１３１は曲げられているので、樹脂が充
填され、グイ９１．９７間の光伝播を行う隙間の配置が
正確となる。また、該隙間の形状により、使用する樹脂
１３１の量を少なくすることが可能となり、これにより
リード９５．９７を湿らす樹脂量を減少させることがで
きる。リードの水分量の減少よって、オプティカルアイ
ソレータ１２１の水分の浸透による抵抗特性が良好とな
る。
るので、オプティカルアイソレータ１２１の耐圧を増大
させる効果を有する。それはまた、樹脂１３３と成形混
合物１１７との間の界面に存在する空隙の長さを増大さ
せるように作用し、樹脂１３３内の空気泡の効果を最小
にする。シート１３１は曲げられているので、樹脂が充
填され、グイ９１．９７間の光伝播を行う隙間の配置が
正確となる。また、該隙間の形状により、使用する樹脂
１３１の量を少なくすることが可能となり、これにより
リード９５．９７を湿らす樹脂量を減少させることがで
きる。リードの水分量の減少よって、オプティカルアイ
ソレータ１２１の水分の浸透による抵抗特性が良好とな
る。
本発明は、上記のように構成され、作用するものである
から、捻転可能なヒンジピンにより回転可能に支持され
た発光素子取付部又は受光素子取付部を、該ヒンジピン
を軸として１８０°回転させることにより発光素子と受
光素子とを対向させているので、１個のリードフレーム
上に発光素子及び受光素子を容易に載置することができ
、素子やボンドワイヤの損傷を減少させながら、容易に
発光素子及び受光素子を対向させることができ、これに
より対向型オプティカルアイソレータの生産性を向上さ
せることができるという効果が得られる。また、リード
フレームの概形の寸法は標準的なものを用いているので
、製造装置も標準的なものを用いることができると言う
効果が得られる。
から、捻転可能なヒンジピンにより回転可能に支持され
た発光素子取付部又は受光素子取付部を、該ヒンジピン
を軸として１８０°回転させることにより発光素子と受
光素子とを対向させているので、１個のリードフレーム
上に発光素子及び受光素子を容易に載置することができ
、素子やボンドワイヤの損傷を減少させながら、容易に
発光素子及び受光素子を対向させることができ、これに
より対向型オプティカルアイソレータの生産性を向上さ
せることができるという効果が得られる。また、リード
フレームの概形の寸法は標準的なものを用いているので
、製造装置も標準的なものを用いることができると言う
効果が得られる。
第１Ａ図乃至第２図は従来例に係り、第１Ａ図及び第１
Ｂ図及び第１Ｃ図は折り曲げリードフレーム構造を有す
るオプティカルアイソレータを示す図、第２図はＬ Ｅ
Ｄ及びフォトダイオードの間に絶縁シートを挿んだオ
プティカルアイソレータを示す図、第３図乃至第１２図
は本発明の実施例に係り、第３図はオプティカルアイソ
レータのリードフレームの斜視図、第４Ａ図及び第４Ｂ
図はオプティカルアイソレータの製造工程を示す図、第
５図及び第６図及び第７図及び第８図及び第９図は第４
Ａ図及び第４Ｂ図に示す工程に従って装造される過程に
おけるオプティカルアイソレータの斜視図、第１０図及
び第１１図は第４Ａ図及び第４Ｂ図に示す工程に従って
□製造されるオプティカルアイソレータの側面図、第１
２図は別実施例にかかるオプティカルアイソレータの一
部断面側面図である。 １：リードフレーム、 ３．５：リードフレームを構造的に支持するレールの一
例たるサイドレール、 １１：発光素子取付部の一例たるＬＥＤ部、１３：受光
素子取付部の一例たるフォトダイオード部、 １７：アーム、 １９：着座領域たるシート、 ３１．３３ ：捻転可能なレールの一例たるヒンジピ
ン、 ８１：ダウンセント （段付は加工）により形成された
発光素子取付部の下段、 ８３：ダウンセット （段付は加工）により形成された
受光素子取付部の下段、 ９１：発光素子の一例たる発光ダイオード（Ｉ、ＥＤ）
のグイ、 ９５：発光素子リードの一例たる■、ＥＤダイリード、 ９７：受光素子の一例たるフォトダイオードのグイ、 ９９：受光素子リードの一例たるフォトグイオードダイ
リード、 １０１：絶縁ギャップ（アイソレーションギャップ）、
１１５：光路、 １１１：第１のシート、 １１３：第２のシート、 １３３：絶縁シート。
Ｂ図及び第１Ｃ図は折り曲げリードフレーム構造を有す
るオプティカルアイソレータを示す図、第２図はＬ Ｅ
Ｄ及びフォトダイオードの間に絶縁シートを挿んだオ
プティカルアイソレータを示す図、第３図乃至第１２図
は本発明の実施例に係り、第３図はオプティカルアイソ
レータのリードフレームの斜視図、第４Ａ図及び第４Ｂ
図はオプティカルアイソレータの製造工程を示す図、第
５図及び第６図及び第７図及び第８図及び第９図は第４
Ａ図及び第４Ｂ図に示す工程に従って装造される過程に
おけるオプティカルアイソレータの斜視図、第１０図及
び第１１図は第４Ａ図及び第４Ｂ図に示す工程に従って
□製造されるオプティカルアイソレータの側面図、第１
２図は別実施例にかかるオプティカルアイソレータの一
部断面側面図である。 １：リードフレーム、 ３．５：リードフレームを構造的に支持するレールの一
例たるサイドレール、 １１：発光素子取付部の一例たるＬＥＤ部、１３：受光
素子取付部の一例たるフォトダイオード部、 １７：アーム、 １９：着座領域たるシート、 ３１．３３ ：捻転可能なレールの一例たるヒンジピ
ン、 ８１：ダウンセント （段付は加工）により形成された
発光素子取付部の下段、 ８３：ダウンセット （段付は加工）により形成された
受光素子取付部の下段、 ９１：発光素子の一例たる発光ダイオード（Ｉ、ＥＤ）
のグイ、 ９５：発光素子リードの一例たる■、ＥＤダイリード、 ９７：受光素子の一例たるフォトダイオードのグイ、 ９９：受光素子リードの一例たるフォトグイオードダイ
リード、 １０１：絶縁ギャップ（アイソレーションギャップ）、
１１５：光路、 １１１：第１のシート、 １１３：第２のシート、 １３３：絶縁シート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リードフレーム上に形成されるオプティカルアイソ
レータの製造方法において、 発光素子取付部と受光素子取付部とを設け、該発光素子
取付部及び受光素子取付部のうち少なくとも一方の取付
部の両脇を、捻転可能なレールにより、前記リードフレ
ームを構造的に支持するレールに接続せしめたような形
状にリードフレームを形成し、 前記発光素子取付部と前記受光素子取付部とに前記リー
ドフレームを構造的に支持するレールの面に対して段違
いの面を形成し、 前記発光素子を前記発光素子取付部の下段の発光素子リ
ードに取り付け、 前記受光素子を前記受光素子取付部の下段の受光素子リ
ードに取り付け、 前記発光素子取付部及び前記受光素子取付部のうち一方
を前記捻転可能なレールを軸として回転させ、前記発光
素子と前記受光素子とを絶縁ギャップを挿んで対向させ
、 さらにこれをカプセル封じする工程を含むことを特徴と
するオプティカルアイソレータの製造方法。 ２ 前記回転させる取付部は、前記発光素子取付部であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のオプ
ティカルアイソレータの製造方法。 ３ 前記回転させる取付部は、前記受光素子取付部であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のオプ
ティカルアイソレータの製造方法。 ４ 前記リードフレームを構造的に支持するレールは、
前記リードフレームの縦方向に延設されたサイドレール
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項又は第３項に記載のオプティカルアイソレータの製造
方法。 ５ 前記段違いの面は、前記サイドレールの面とほぼ平
行に且つ該サイドレールの面から予め決められた距離に
位置せしめ、該距離は、絶縁ギャップの厚さと、発光素
子の厚さと、受光素子の厚さとリードフレームの厚さと
の和の２分の１にほぼ等しくすることを特徴とする特許
請求の範囲第４項に記載のオプティカルアイソレータの
製造方法。 ６ 前記取付部の回転は、ほぼ１８０°であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又
は第４項又は第５項に記載のオプティカルアイソレータ
の製造方法。 ７ 前記捻転可能なレールは、前記サイドレールと面を
共通し該サイドレールからほぼ直角方向に延設されたヒ
ンジピンであることを特徴とする特許請求の範囲第４項
又は第５項又は第６項に記載のオプティカルアイソレー
タの製造方法。 ８ 前記取付部を回転させる工程には、前記ヒンジピン
をスエージ加工する工程を含むことを特徴とする特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第
４項又は第５項又は第６項又は第７項に記載のオプティ
カルアイソレータの製造方法。 ９ 前記ヒンジピンの幅は、前記サイドレールの厚さよ
りも広くし、且つ前記サイドレールの厚さの１６０％以
下とすることを特徴とする特許請求の範囲第７項又は第
８項に記載のオプティカルアイソレータの製造方法。 １０ 前記カプセル封じの工程は、前記発光素子と前記
受光素子との間の絶縁ギャップに光路を形成する工程を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
又は第３項又は第４項又は第５項又は第６項又は第７項
又は第８項又は第９項に記載のオプティカルアイソレー
タの製造方法。 １１ 前記光路を形成する工程は、前記発光素子の前記
絶縁ギャップに対向する面に対して反対側の面に第１の
シートを貼着し、前記受光素子の前記絶縁ギャップに対
向する面に対して反対側の面に第２のシートを貼着し、
該第１のシートと第２のシートとの間の隙間に光透過性
物質を注入して絶縁ギャップを該物質で満たす工程を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載のオ
プティカルアイソレータの製造方法。 １２ 前記第１のシート及び前記第２のシートは絶縁物
質からなり、前記光透過性物質は樹脂であることを特徴
とする特徴とする特許請求の範囲第１１項に記載のオプ
ティカルアイソレータの製造方法。 １３ 前記取付部の一方には、前記サイドレールと同一
面にアームを延設形成し、前記取付部の他の一方には着
座領域を延設形成し且つ前記アームの厚さとほぼ等しい
厚さだけ前記着座領域に段付けを行い、前記取付部を回
転させる工程が完了したときに前記アームを前記着座領
域の下段部に着座せしめることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項又は第５項
又は第６項又は第７項又は第８項又は第９項又は第１０
項又は第１１項又は第１２項に記載のオプティカルアイ
ソレータの製造方法。 １４ 前記アームと前記着座領域とは、互いに固着せし
めることを特徴とする特許請求の範囲第１３項に記載の
オプティカルアイソレータの製造方法。 １５ 前記発光素子は、発光ダイオードであり、前記受
光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項又は第４項又
は第５項又は第６項又は第７項又は第８項又は第９項又
は第１０項又は第１１項又は第１２項又は第１３項又は
第１４項に記載のオプティカルアイソレータの製造方法
。 １６ 前記受光素子を取り付ける工程と、前記取付部を
回転させる工程との間には、 第２のシートを、前記受光素子リードの裏側に該発光素
子リードの端部から外側に広がるように貼着し、 絶縁シートを、前記第２のシートの端部と前記受光素子
の縁部とに接触させ、該受光素子に対して一定の角度を
もって被さるように取り付け、 前記絶縁シートの曲がった部分を前記絶縁ギャップ中に
設ける工程を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項又は第３項又は第４項又は第５項又は第
６項又は第７項又は第８項又は第９項に記載のオプティ
カルアイソレータの製造方法。 １７ 前記絶縁シートを取り付ける工程の後には、前記
絶縁シートと前記受光素子との間の絶縁ギャップに光透
過性物質を注入する工程を備えたことを特徴とする特許
請求の範囲第１６項に記載のオプティカルアイソレータ
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/748,520 US4694183A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Optical isolator fabricated upon a lead frame |
| US748520 | 1985-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236883A true JPS6236883A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH084148B2 JPH084148B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=25009800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149299A Expired - Lifetime JPH084148B2 (ja) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | オプテイカルアイソレ−タの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4694183A (ja) |
| EP (1) | EP0206325B1 (ja) |
| JP (1) | JPH084148B2 (ja) |
| DE (1) | DE3684519D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071253A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | アイソレータ |
| US20130175679A1 (en) * | 2007-12-13 | 2013-07-11 | Cheng-Hong Su | Optoisolator leadframe assembly |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3713067A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-03-31 | Siemens Ag | Optoelektronisches koppelelement und verfahren zu dessen herstellung |
| EP0276749A1 (de) * | 1987-01-26 | 1988-08-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Koppelelement |
| US4980568A (en) * | 1989-05-22 | 1990-12-25 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator having high voltage isolation and high light flux light guide |
| SG52794A1 (en) * | 1990-04-26 | 1998-09-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JPH0749815Y2 (ja) * | 1990-07-23 | 1995-11-13 | シャープ株式会社 | 表面実装型光結合装置 |
| US5329131A (en) * | 1991-05-17 | 1994-07-12 | U.S. Philips Corporation | Opto-electronic coupler having improved moisture protective housing |
| JPH0621293A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Rohm Co Ltd | アキシャルリードフレーム |
| JP4801243B2 (ja) | 2000-08-08 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法 |
| JP2004087802A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Fujitsu Ltd | 光通信装置 |
| JP4897530B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-03-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトカプラおよびその組立方法 |
| TWI416684B (zh) * | 2010-02-02 | 2013-11-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 雙邊導線架結構 |
| US20130168553A1 (en) * | 2012-01-03 | 2013-07-04 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Thermally-Sensitive Optocoupler |
| US9029818B2 (en) * | 2012-06-21 | 2015-05-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optoelectronic device and method of manufacture |
| CN103021892B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-05-11 | 日月光半导体（昆山）有限公司 | 无外引脚半导体封装构造及其制造方法与导线架条 |
| US10283699B2 (en) * | 2016-01-29 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Hall-effect sensor isolator |
| TWI630430B (zh) * | 2017-07-26 | 2018-07-21 | 茂達電子股份有限公司 | 光耦合裝置及其支架模組 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143889A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Toshiba Corp | Photo-coupling semiconductor device |
| JPS57197880A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Toshiba Corp | Photo coupling semiconductor device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3660669A (en) * | 1970-04-15 | 1972-05-02 | Motorola Inc | Optical coupler made by juxtaposition of lead frame mounted sensor and light emitter |
| GB1423779A (en) * | 1972-02-14 | 1976-02-04 | Hewlett Packard Co | Photon isolators |
| US3893158A (en) * | 1972-03-15 | 1975-07-01 | Motorola Inc | Lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face to face relation |
| GB1417802A (en) * | 1972-03-15 | 1975-12-17 | Motorola Inc | Lead frame and process facilitating the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face-to-face relation |
| US3839782A (en) * | 1972-03-15 | 1974-10-08 | M Lincoln | Method for using a lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face-to-face relation |
| DE2304148A1 (de) * | 1973-01-29 | 1974-08-01 | Siemens Ag | Optoelektronisches bauelement |
| US4047045A (en) * | 1975-03-03 | 1977-09-06 | Paxton Jr Grady W | Optical coupler |
| GB1557685A (en) * | 1976-02-02 | 1979-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | Optically coupled isolator device |
| US4446375A (en) * | 1981-10-14 | 1984-05-01 | General Electric Company | Optocoupler having folded lead frame construction |
-
1985
- 1985-06-25 US US06/748,520 patent/US4694183A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-06-25 EP EP86108623A patent/EP0206325B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-25 JP JP61149299A patent/JPH084148B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-25 DE DE8686108623T patent/DE3684519D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143889A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Toshiba Corp | Photo-coupling semiconductor device |
| JPS57197880A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Toshiba Corp | Photo coupling semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071253A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | アイソレータ |
| US20130175679A1 (en) * | 2007-12-13 | 2013-07-11 | Cheng-Hong Su | Optoisolator leadframe assembly |
| US8853837B2 (en) * | 2007-12-13 | 2014-10-07 | Lite-On Electronics (Guangzhou) Limited | Optoisolator leadframe assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH084148B2 (ja) | 1996-01-17 |
| EP0206325B1 (en) | 1992-03-25 |
| DE3684519D1 (de) | 1992-04-30 |
| EP0206325A3 (en) | 1989-03-15 |
| US4694183A (en) | 1987-09-15 |
| EP0206325A2 (en) | 1986-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5049527A (en) | Optical isolator | |
| JPS6236883A (ja) | オプテイカルアイソレ−タの製造方法 | |
| US5148243A (en) | Optical isolator with encapsulation | |
| US5834691A (en) | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP5078930B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5218229A (en) | Inset die lead frame configuration lead frame for a semiconductor device having means for improved busing and die-lead frame attachment | |
| JP2528991B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリ―ドフレ―ム | |
| JPH09186286A (ja) | リードフレーム及び半導体チップの実装方法 | |
| JPH0245969A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4863806A (en) | Optical isolator | |
| CN110164832A (zh) | 大电流半导体功率器件 | |
| JPH04158556A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0917910A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板 | |
| JP3670371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW202022956A (zh) | 半導體封裝結構及其製作方法 | |
| JP3218816B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100308899B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| JP2001217261A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2518247Y2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3665609B2 (ja) | 半導体装置及びその半導体装置を複数個実装した半導体装置ユニット | |
| US5969293A (en) | Method and apparatus for doubling back single gauge lead frame | |
| JP2697743B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0366152A (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JP2006157061A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786335A (ja) | 半導体の実装構造とこれに用いる樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |