JPS6230539B2 - - Google Patents

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JPS6230539B2
JPS6230539B2 JP55086639A JP8663980A JPS6230539B2 JP S6230539 B2 JPS6230539 B2 JP S6230539B2 JP 55086639 A JP55086639 A JP 55086639A JP 8663980 A JP8663980 A JP 8663980A JP S6230539 B2 JPS6230539 B2 JP S6230539B2
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JP
Japan
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decoder
conversion
comparator
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logic control
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JP55086639A
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Shigeo Kuboki
Kazuo Kato
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6230539B2 publication Critical patent/JPS6230539B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/34Analogue value compared with reference values
    • H03M1/38Analogue value compared with reference values sequentially only, e.g. successive approximation type

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はA/D変換回路に係り、特にモノリシ
ツク型A/D変換回路に関する。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
最近ではデイジタル技術及び集積回路技術の進
歩に伴い、一つのチツプにA/D変換回路、D/
A変換回路、CPU等が組み込まれたLSIが市販さ
れるに至つている。
本発明はこのようなLSI化に適してモノリシツ
ク型A/D変換回路に関するものであり、その従
来例の構成を第1図に示す。第1図は分解能が8
ビツトのA/D変換回路を示し、同図において、
R1〜R256は各抵抗の各抵抗値が夫々等しいラダー
抵抗であり、その一端は接地され、他端には基準
電圧VREFが印加されている。そしてこのラダー
抵抗の各タツプ(28−1=255個)から電圧が取
り出され、デコーダ10に加えられる。
また20はアナログ入力信号VINと前記デコー
ダ10のデコーダ出力VDAとを大小比較するコン
パレータ、30はコンパレータ20の比較結果に
基づいてバスライン40を介してデコーダ10
に、所定のアナログ信号VDAを出力させる為のア
ドレス信号A0〜A7(A7A6A5A4A3A2A1A0)を出力
する論理制御回路である。
上記構成において、論理制御回路30に外部よ
りA/D変換スタート指令が発せられると、該論
理制御回路30からはアドレス信号(10000000)
2進がデコーダ10に送出され、該デコーダ10
は前記アドレス信号に基づいてコンパレータ20
の一方の入力端にVDA=VREF/2に相当するア
ナログ信号を出力する。そしてコンパレータ20
はアナログ信号VDAとアナログ入力VINとを比較
する。アナログ入力VINがVIN>VDAであれば上
位ビツト(以下、MSBと記す。)を1とし、次に
前記論理制御回路30からデコーダ10に、VDA
=3/4VREFに相当するアドレス信号(11000000)2 進を、またVIN<VDAであればMSBを0とし、
同様に論理制御回路30からデコーダ10に、V
DA=1/4VREFに相当するアドレス信号(01000000) 2進を夫々出力する。
このような操作が8回繰り返され、順次MSB
から下位ビツト(以下、LSBと記す。)に至るま
での各ビツトの論理状態が決定され、最終的には
アナログ入力VINに合致したデイジタル出力が得
られる。
第1図のA/D変換回路におけるデコーダ10
にはマトリクススイツチ又はトウリースイツチ
(TREE SWITCH)が通常使用されるが、ここ
ではトウリースイツチを用いたデコーダの例を第
2図及び第3図に示す。第1図のA/D変換回路
に使用されるデコーダは第3図に示す8ビツト
の、トウリースイツチにより構成されるものであ
るが説明の便宜上、第2図に示す3ビツトのデコ
ーダに基づいて説明する。
第2図において、各抵抗値の等しいラダー抵抗
R1〜R8の一端は基準電圧VREFに接続され、他端
は接地されている。そして前記ラダー抵抗R1
R2,R2とR3,…,R8とアースの各々の接続点を
n1,n2,…,n8とすれば、これらの各接続点には
スイツチS1,S2,…,S8の一端が夫々接続され、
更にスイツチS1とS2,S3とS4,S5とS6及びS7とS8
の夫々の他端は互いに接続され、夫々スイツチ
S9,S10,S11,S12の一端に接続されている。
またスイツチS9及びS10,S11及びS12の他端は
互いに接続され、夫々スイツチS13,S14の一端に
接続されている。そしてスイツチS13,S14の他端
は互いに接続され、コンパレータ20の一端に接
続されている。
一方、図示しない論理制御回路より出力される
3ビツトのアドレス信号A0〜A2(A2A1A0)によ
りスイツチS1,S3,S5,S7,S9,S11,S13が操作
され、反転信号 )によ
りスイツチS2,S4,S6,S8,S10,S12,S14が操作
される。
従つて、図示しない論理制御回路よりアドレス
信号A2A1A0=100(2進)がデコーダ10に入力
された場合にはスイツチS13,S10,S12,S2
S4,S6,S8がONとなり、その他のスイツチは
OFFとなるので、結局接続点n4における電圧、
即ちVREF/2(=VDA)の電圧が選択され、コ
ンパレータ20の一方の入力端に印加され、該コ
ンパレータ20でアナログ入力VINとの大小比較
が行われる。またコンパレータ20での比較結果
がVIN>VDAであれば、A2A1A0=(110)2進、
IN<VDAであればA2A1A0=(010)2進なるア
ドレス信号が夫々論理制御回路からデコーダ10
に入力され、その結果、接続点n2又はn6における
電圧、即ちVDA=3/4VREF、又はVDA=1/4VREF
なる 電圧が選択され、更にコンパレータ20でアナロ
グ入力VINとの大小比較が行われる。
以上の如き操作が繰り返されて、既述の如くア
ナログ入力VINと一致するデイジタル出力が決定
される。
次に第3図には8ビツトの、トウリースイツチ
で構成されたデコーダが示されているが、基本的
には第2図の3ビツトのデコーダと何ら異なると
ころはない。ただラダー抵抗を構成する抵抗の数
に応じてデコーダを構成するスイツチの数が2×
(2n−1)〔但しnは分解能を規定するビツト
数〕個だけ必要であるので、3ビツトのデコーダ
で14個で足りたものが8ビツトのデコーダでは
510個だけ必要になる。
D/A変換動作は第2図のデコーダと全く同様
であるので説明を省略する。
以上に説明したモノリシツク型A/D変換回路
では一つのICチツプでA/D変換回路における
ラダー抵抗の占有する空間は大きく、この為に従
来方式で高精度のA/D変換回路を製作する場合
にはICチツプの寸法を大幅に増大させることを
余儀なくされていた。
またラダー抵抗方式のモノリシツク型A/D変
換回路の精度はラダー抵抗の加工精度により左右
されるので、高精度のA/D変換回路を得るには
高い加工精度が必要とされ、コスト高となつてい
た。
本発明の目的は高精度で且つICチツプの小型
化を図つたモノリシツク型A/D変換回路を提供
することにある。
本発明の特徴はモノリシツク型A/D変換回路
において、上位Nビツトを従来のラダー抵抗方式
によりA/D変換した後、そのA/D変換終了時
点におけるアナログ入力とデコーダ出力との差に
ラダー抵抗における隣接する(2M+1)個のタ
ツプ電圧を選択的に1/2の重み付きコンデンサを介 して重畳してコンパレータに入力し(この操作を
デイザーと称す。)、該コンパレータの比較結果に
基づいて下位MビツトのA/D変換を行い、結果
として(N+M)ビツトのA/D変換を行うこと
にある。
以下、本発明の実施例を第4図及至第6図に基
づいて説明する。第4図には本発明に係るモノリ
シツク型A/D変換器の一実施例の構成が示され
ており、同図において、1は抵抗R1〜R256が直列
接続されたラダー抵抗であり、その一端は基準電
圧VREFに接続され、他端は接地されている。そ
して抵抗R1〜R256の夫々隣接する抵抗との接続点
n1,n2,…,n248〜n255からデコーダ10へタツ
プ電圧が印加される。ここでラダー抵抗R1〜R256
の抵抗値はR1=5/8R,R256=3/8R,R2=R3=…
= R255=Rである。R1及びR256の抵抗値が他の抵抗
R2〜R255の抵抗値と異ならしめてあるのは後述す
る如く、A/D変換特性のうち直線性を上位ビツ
トと下位ビツトにおいて一致させる為である。
また20はチヨツパ型コンパレータであり、該
コンパレータ20はインバータINV1,INV2、
及びINV3を結合コンデンサC3を介して継続接続
され、インバータINV3の出力端は論理制御回路
30の入力端子Xに接続されると共に初段のイン
バータINV1の入出力端間はトランジスタTR1
を介して接続されて構成されている。
更にアナログ信号が入力される入力端子CHは
トランジスタTR2、結合コンデンサC1を介して
前記インバータINV1の入力端に接続されてい
る。またデコーダ10の出力端Pはトランジスタ
TR3、結合コンデンサC1を介してインバータ
INV1の入力端に接続されている。
一方、前記ラダー抵抗1の接続点n249,n250
n251,n252,n253,n254,n255は夫々トランジスタ
TR4〜TR10のソースに接続されており、該ト
ランジスタTR4〜TR10のドレインは共通接続
され且つ結合コンデンサC2を介してインバータ
INV1の入力端に接続されている。
また30は論理制御回路であり、該論理制御回
路30はバスライン40により前記デコーダ10
と接続されている。そして論理制御回路30の端
子Q1はトランジスタTR1,TR2のゲートに接
続され、端子Q2はトランジスタTR3のゲートに
接続されている。
更に論理制御回路30の端子D0〜D6は夫々ト
ランジスタTR4〜TR10の各ゲートに接続され
ている。尚、トランジスタTR1〜TR10はE−
MOS型トランジスタであり、結合コンデンサ
C1,C2の容量値はC1=C,C2=C/4の関係が
ある。一般にMビツトのデイザー操作を行う場合
にはコンデンサC2の容量値はC2=C1/2Mとな
る。
上記構成からなるA/D変換回路の動作を以下
に説明する。ここで第4図に示したA/D変換回
路は上位8ビツトを28(=256)個の抵抗からな
るラダー抵抗1によりA/D変換し、下位2ビツ
トについてはアナログ入力VINとデコーダ10の
デコーダ出力(8ビツト)との差を2ビツトのデ
イザーをかけてA/D変換するものであるが、説
明の便宜上、上位3ビツトをラダー抵抗方式によ
りA/D変換し、下位2ビツトをデイザーをかけ
ることによりA/D変換する場合の動作を第5図
に示してある。第5図において、同図Aは論理制
御回路30内に設けられたクロツクパルス発生器
から出力される制御動作のタイミングを決定する
基準クロツク信号である。
さて外部より論理制御回路30に第5図Bに示
す如く、基準クロツク信号の立上りに同期して
A/D変換指令信号が入力されると、前記論理制
御回路30は動作を開始し、まず最初にバスライ
ン40を介してデコーダ10に3ビツトのアドレ
ス信号(100)2進を送出する。デコーダ10は
前記アドレス信号を受けて出力端PにVDA(1)≒V
REF/2に相当するアナログ信号を出力する(第
5図E)。
次に論理制御回路30の出力端Q1から第5図
Cに示すタイミングでクロツク信号φの最初の
パルスがトランジスタTR1及びTR2のゲートに
印加され、トランジスタTR1,TR2は導通状態
となる。
その結果、インバータINV1の入出力端は短絡
され、該インバータINV1の入力端電圧VXは、
その入出力特性に基づいて一定のバイアス電圧V
Bに固定される。また、この時点でトランジスタ
TR2を介してアナログ入力VIN(1)が取り込ま
れ、コンデンサC1にはQ=C(VB−VIN(1))な
る電荷量が充電される。従つてこの時点ではイン
バータINV1の入力端電圧VXはVX=VB−VIN
(1)である。このように初期設定された後、クロツ
ク信号φの最初のパルスが断たれるのでトラン
ジスタTR1,TR2は非導通状態となり、コンデ
ンサC1には前記充電電荷Q=C(VB−VIN(1))
が保持される。
次いで論理制御回路30の端子Q2から第5図
Dに示すタイミングでクロツク信号φの最初の
パルスがトランジスタTR3のゲートに出力さ
れ、該トランジスタTR3が導通状態となるので
前記デコーダ出力VDA(1)がコンデンサC1の一方
の端子の電位を偏倚させることになり、前記イン
バータINV1の入力端電圧VXはこの時点で VX=(VB−VIN(1))+VDA(1) =(VDA(1)−VIN(1))+VB …(1) となる。
従つてインバータINV1の増幅率をA、インバ
ータINV1の入力端における浮遊容量をCS、出
力端電圧をV0とすれば、 となり、比較動作が行われる。尚、以上の動作で
はトランジスタTR5〜TR10は非導通状態にあ
り、トランジスタTR4のみ導通状態(第5図
F)にあり、コンデンサC2の一端は一定の直流
電圧で固定されるので、交流的には接地されてい
るのと等価である。
さてクロツク信号φのタイミングでインバー
タINV1でアナログ入力VIN(1)とデコーダ出力V
DA(1)との大小比較が行われ、その比較結果は更に
インバータINV2,INV3により論理レベルまで
増幅され、論理制御回路30の入力端子Xに送出
される。そして前記コンパレータ20での比較結
果がVIN(1)>VDA(1)(=VREF/2)であれば、
論理制御回路30内に設けられている逐次比較レ
ジスタの2進データの最初のMSBを“1”と決
定し、論理制御回路30からバスライン40を介
してデコーダ10に3ビツトのアドレス信号
(110)2進を送出する。デコーダ10は前記アド
レス信号を受けて出力端PにVDA(2)≒3/4VREFに相 当するアナログ信号を出力する(第5図E)。
そして論理制御回路30の出力端Q1より出力
されるクロツク信号φの次のパルスで前述と同
様にトランジスタTR1,TR2が導通状態とな
り、アナログ入力VIN(2)が取り込まれて、コンデ
ンサC1にはQ=C(VB−VIN(2))の電荷が充電
され、初期設定される。即ちクロツク信号φ
TR1,TR2のゲートに印加される毎にアナログ
入力VINの変動量に応じて初期設定が行われる。
更にクロツク信号φの次のパルスでコンパレ
ータ20でアナログ入力VIN(2)とデコーダ出力V
DA(2)との大小比較が行われ、その比較結果がVIN
(2)<VDA(2)である場合には論理制御回路30に内
蔵されている逐次比較レジスタの2進データの第
2番目のMSBを“0”と決定し、前記論理制御
回路30からデコーダ10に3ビツトのアドレス
信号(101)2進を送出する。そしてクロツク信
号φの3番目のパルスでコンデンサC1の初期
設定を行い、且つクロツク信号φの3番目のパ
ルスでアナログ入力VIN(3)と前記アドレス信号に
より選択されたデコーダ出力VDA(3)との大小比較
が行われ、VIN(3)>VDA(3)である場合には第3番
目のMSBを“1”とし、このビツトの論理値に
よりデイザーの方向が決定される。即ち、ラダー
方式によりA/D変換される上位ビツトのうちの
最後のビツトの論理値が“1”の場合には正方向
に、“0”の場合には負方向に決定される。
またクロツク信号φは3番目のパルスの立上
り時点以降、デイザー操作によりLSBの論理値が
決定されるまで論理“1”状態となる。その結
果、トランジスタTR3は導通状態を持続し、イ
ンバータINV1の入力端電圧VXはデイザー操作
が行われる直前には (=VX3と置く。) となり、この電圧VX3がインバータINV1の入力
端で保持されている状態で、更に以下に述べるデ
イザー操作によりコンデンサC1に対して1/4の重
みを付したコンデンサC2を介して前記インバー
タINV1の入力端に電圧が供給される。
即ち、前記デイザー方向を決定するアナログ入
力VIN(3)とデコーダ出力VDA(3)との大小比較が行
われた後に前記論理制御回路30の端子G0から
トランジスタTR4のゲートに出力されていたゲ
ート信号が断たれ、この時点ではトランジスタ
TR4〜TR10の各ゲートへは何れもゲート信号
が印加されない状態にある。
次に論理制御回路30の端子G2からクロツク
信号φと同じタイミングでゲート信号がトラン
ジスタTR6のゲートに印加され、ラダー抵抗1
の接続点n251における電圧がコンデンサC2を介し
てインバータINV1の入力端に印加される(第5
図G)。
即ち、コンデンサC2を介してインバータINV1
の入力端に印加される電圧ΔV1は、前記ラダー
抵抗1の接続点n251,n253における電圧を夫々
V251,V253とし、3ビツトの1LSBに相当する電
圧をVLSBとすれば、 ΔV1=V251−V253 =2VLSB(=2×VREF/2) となり、それ故インバータLNV1の入力端電圧
X4は、 となる。従つてインバータINV1の出力端電圧
V04となり、コンパレータ20における比較動作の結
果、VIN<VDA+1/2VLSBと判定された場合には前 記逐次比較レジスタの2進データの4ビツト目を
“0”とする。
次に論理制御回路30の端子G1からトランジ
スタTR5のゲート信号が送出され、インバータ
INV1の入力端には ΔV2=V252−V253=VLSB なる電圧ΔV2がコンデンサC2を介して印加され
る。従つて、インバータINV1の入力端電圧VX5
となり、出力端電圧V05となる。コンパレータ20における比較動作の結
果VIN>VDA+VLSB/4と判定された場合には前記 逐次比較レジスタの2進データのLSBを“1”と
し、A/D変換データを“10101”としてA/D
変換を終了する。
以上の説明では上位3ビツトを従来のラダー抵
抗方式によりA/D変換した後、アナログ入力V
INとデコーダ出力VDA(3)との差を2ビツトのデイ
ザーをかけてA/D変換した場合について述べた
が、上位8ビツトをラダー抵抗方式でA/D変換
した後、同様に下位2ビツトにデイザーをかける
場合もA/D変換動作は全く同様である。
以上に説明した如く本実施例によればチツプサ
イズが従来のラダー方式の8ビツトA/D変換回
路と同一で且つ10ビツトの精度のモノリシツク型
A/D変換回路を実現することが可能となる。
次に第6図に本発明に係るモノリシツク型A/
D変換回路のA/D変換特性を示す。同図は上位
2ビツトを従来のラダー抵抗方式でA/D変換し
た後、下位2ビツトをデイザーをかけることによ
りA/D変換する場合の特性例である。同図にお
いて横軸はアナログ入力VINを、縦軸はデイジタ
ル出力VBD(逐次比較レジスタの2進データ)を
示しており、実線の階段状曲線S1は上位2ビツト
のラダー抵抗方式によるA/D変換特性、実線の
階段状曲線S2はデイザー方式による下位2ビツト
のA/D変換特性であり、更に破線の階段状曲線
S3は前記曲線S2と直線性を一致させる為に曲線S1
を左方向に1/16VREF(抵抗値に換算してR/8) だけ平行移動させたA/D変換特性である。
以上に説明した如く、本発明によれば小型化を
図つた高精度のモノリシツク型A/D変換回路が
実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はモノリシツク型A/D変換回路の従来
例の構成を示すブロツク図、第2図及び第3図は
デコーダの具体的構成を示す図、第4図は本発明
に係るモノリシツク型A/D変換回路の構成を示
す回路図、第5図は第4図に示すA/D変換回路
の動作状態を説明する為のタイミングチヤート、
第6図は第4図に示すA/D変換回路のA/D変
換特性図である。 10……デコーダ、20……コンパレータ、3
0……論理制御回路、R1〜R256……ラダー抵抗、
C1,C2……コンデンサ、φ,φ……クロツ
ク信号、A0〜A7……アドレス信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 基準電圧に並列に接続される、2N個の直列
    接続されたラダー抵抗と、該ラダー抵抗の各接続
    点の出力を取り込み、アドレス信号に基づいて
    D/A変換するデコーダと、アナログ入力と前記
    デコーダ出力とを夫々、スイツチング素子を介し
    て共通接続し且つ結合コンデンサを介して取り込
    み、大小比較するコンパレータと、交互にスイツ
    チングさせる為の制御信号を前記スイツチング素
    子に送出し且つ前記コンパレータの比較結果に基
    づいて前記デコーダにアドレス信号を送出する論
    理制御回路とを具備するモノリシツク型A/D変
    換回路において、前記ラダー抵抗における隣接す
    る(2M+1)個の接続点を各々、スイツチング
    素子群を介して共通接続し且つ1/2の重み付きコン デンサを介して前記コンパレータの入力端に接続
    すると共に、前記論理制御回路が通常は前記スイ
    ツチング素子群のうち特定のスイツチング素子の
    み導通状態にし且つ上位NビツトのA/D変換終
    了時以降は前記スイツチング素子群の各素子を選
    択的に導通状態にする為の制御信号を前記スイツ
    チング素子群に送出することにより(N+M)ビ
    ツトのA/D変換を行うことを特徴とするモノリ
    シツク型A/D変換回路。
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