JPS6230359A - 半導体装置用ボンデイングワイヤ - Google Patents

半導体装置用ボンデイングワイヤ

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JPS6230359A
JPS6230359A JP60169240A JP16924085A JPS6230359A JP S6230359 A JPS6230359 A JP S6230359A JP 60169240 A JP60169240 A JP 60169240A JP 16924085 A JP16924085 A JP 16924085A JP S6230359 A JPS6230359 A JP S6230359A
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博 池田
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細田　直之
Toshiaki Ono
敏昭 小野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ＣｕまたはＣＩＪ合金製極細線からなり、
これをスプールに巻いて使用した場合に相互密着の発生
がない半導体装置用ボンディングワイヤに関するもので
ある。
〔従来の技術〕
一般に、半導体装置としてトランジスタやＩＣ１さらに
ＬＳＩなどが知られており、これら半導体装置の製造に
ボンディングワイヤが用いられている。
このボンディングワイヤは、例えば高純度３ｉからなる
半導体チップとＣＬＩ合金製リードフレームとに渡って
結線するために用いられるもので、主としてＡＬＩ製極
細極細線用されてきたが、近年、この高価なＡｔＪ！ｌ
！極細線に代って安価なＣＬＩまたはＣ１合金製極細線
を用いる試みがなされるようになってきている。
一方、ボンディングワイＶは、スプールに巻かれて使用
されるがミ生産性の向上をはかる目的で、その巻ぎ量は
長尺化の傾向にあり、例えば直径：２５μＩルの極細線
で、直径：２ｉｎｘ長さ：２ｉｎのスプールに５００ｍ
以上巻くことが要望されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、このように長尺の５ＱＯ７７１以上の良さの極
細線をスプールに巻く場合、その巻き方は、３〜８　ｍ
ｍピッチのクロス准きが主流となり、かつ巻き上り後の
線ずれを防止するために、どうしても適当なテンション
（２〜４９の荷重に相当）をかけながら多層に巻かざる
を得ないことから、特にＣ１またはＣｕ合金製極細線の
場合には、重なり合った線同志が密着し、この結果ボン
ディング時の繰り出しに際して、線がひっかかって、ワ
イヤ切れを起すなどの問題が生じるものであった。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、上記の
Ｊ：うな従来ＣＩＪまたはＣｕ合金製極細線からなる半
導体装置用ボンディングワイヤのもつ問題点を解決すべ
く研究を行なった結果、ＣＬＩまたはＣｕ合金ＦＪＡ極
細線の表面に５０〜３００人の平均層厚で酸化膜を形成
してやると、これをスプールに巻いてボンディングワイ
Ａ７として使用した場合に、表面に形成した酸化膜によ
って線同志の密着がなくなることから、スムーズな繰り
出しが可能となり、ワイヤ切れの発生が皆無となるとい
う知見を得たのである。
したがって、この発明は、上記知見にもとづいてなされ
たものであって、表面に平均層厚：５０〜３００人の酸
化膜を形成したＣＬＩまたはＣｕ合金製極細線で構成さ
れた半導体装置用ボンディングワイヤに特徴を右するも
のである。
なお、この発明のボンディングワイヤにおいて、酸化膜
の平均層厚を５０〜３００人と定めたのは、その平均層
厚が５０人未満では所望の密着防止効果を得ることがで
きず、一方その平均層厚が３００人を越えると、ボンデ
ィング時に酸化膜が原因の接着不良（ボンディング不良
）を起すようになるという理由にもとずくものである。
（実施例） つぎに、この発明のボンディングワイヤを実施例により
具体的に説明する。
それぞれ第１表に示される成分組成をもった直径：２５
μｍのＣｕおよびＣｕ合金Ｉ！８ｉＩＩｌｉＩＩＩ線を
用意し、これら極細線に、０．０１〜０，１％の範囲内
の所定の酸素濃度に調製したＡｒガス（このほかＮ２な
どの不活性ガスを用いてもよい）中において、温度；２
５０〜４５０℃の範囲内の温度に１．５秒間保持の条件
で連続焼鈍を施して、同じく第１表に示される平均層厚
の酸化膜を表面に形成し、ついでこの極細線を、直径：
２ｉｎｘ長さ：２ｉｎのスプールに、荷１：３．５ｇに
相当するテンションを付加しながら、４＃ビツヂのクロ
ス巻きにて、１０００ｍの長さ多層巻きすることによっ
て、本発明ボンディングワイヤ１〜９および比較ボンデ
ィングワイヤ１〜４をそれぞれ製造した。
なお、比較ボンディングワイヤ１〜４は、いずれも酸化
膜の平均層厚がこの発明の範囲から外れたものである。
つぎに、この結果得られた本発明ボンディングワイヤ１
〜９および比較ボンディングワイヤ１〜４をそれぞれボ
ンディングマシンにセットし、不活性雰囲気中にて、３
ｉチツプとＣｕ合金製リードフレームとのボンディング
を行ない、ワイヤ切れの発生回数を測定すると共に、ボ
ンディング後のワイヤの接合性を観察した。これらの結
果を第１表に示した。
〔発明の効果〕
第１表に示される結果から明らかなように、本発明ボン
ディングワイヤ１〜９は、いずれもスプールにおけるワ
イヤ同志の密着がないので、ボンディング時のワイヤの
繰り出しがスムーズで、この結果ワイヤ切れの発生が皆
無であり、ボンディング部の接合性も良好で何ら問題が
ないのに対して、比較ボンディングワイヤ１〜４に見ら
れるように、酸化膜の厚みが平均層厚で３００人を越え
ると、スプールにおける密着はないが、ボンディング部
に接合不良が起り易くなり、一方酸化膜の厚みが同５０
人未満では、ボンディング部の接合性は良好であるが、
スプールにおいてワイヤ同志に密着が起り、ボンディン
グ時にワイヤ切れが発生するようになるものであった。
上）ホのように、この発明の半導体装置用ボンディング
ワイヤは、表面に酸化膜を形成したＣ　ＵまたはＣｌ合
金製極細線で構成されているので、スプールに巻かれた
時に前記酸化膜によってワイヤ同志に密着現象が起るこ
とがなく、したがってボンディング時におけるワイヤの
スムーズな繰り出しが可能となることから、ワイヤ切れ
の発生が皆無となり、ざらにボンディング部の接合性ら
良好で、何ら問題はなく、かつ安価であるなど工業上有
用な効果をもたらすものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面に平均層厚：５０〜３００Åの酸化膜を形成したＣ
    ｕまたはＣｕ合金製極細線で構成されたことを特徴とす
    る半導体装置用ボンディングワイヤ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114880A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法

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