JPS6379926A - ボンデイングワイヤ - Google Patents

ボンデイングワイヤ

Info

Publication number
JPS6379926A
JPS6379926A JP61225653A JP22565386A JPS6379926A JP S6379926 A JPS6379926 A JP S6379926A JP 61225653 A JP61225653 A JP 61225653A JP 22565386 A JP22565386 A JP 22565386A JP S6379926 A JPS6379926 A JP S6379926A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
copper
purity
wire
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61225653A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0123540B2 (ja
Inventor
Akito Kurosaka
昭人 黒坂
Haruo Tominaga
晴夫 冨永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP61225653A priority Critical patent/JPS6379926A/ja
Publication of JPS6379926A publication Critical patent/JPS6379926A/ja
Publication of JPH0123540B2 publication Critical patent/JPH0123540B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/431Pre-treatment of the preform connector
    • H01L2224/4312Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/432Mechanical processes
    • H01L2224/4321Pulling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45647Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01083Bismuth [Bi]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012Semiconductor purity grades
    • H01L2924/012044N purity grades, i.e. 99.99%

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、半導体素子チップの電極と外部リードを接
続するために使用する銅系ボンディングワイヤの改良に
関するものである。
[従来の技術j 従来、ICやLSIなどの半導体素子のデツプ電極と外
部リードとの結線用のボンディングワイヤは、主として
金線が使用されてきたが、金線は極めて高価になる欠点
がある。そこで最近、経済性と導電性の点から金線の代
替として、銅線及び銅合金線を使用することが検討され
ている。
ところで一般にボンディングワイヤには、以下の(1)
〜(5)に記載する特性が要求される。
(1)半導体素子チップの電極に接続するためにボンデ
ィングワイヤの先端を溶融させてボールを作製した際に
、このボールが真球に近い形状であって、しかも、この
真球状のボールが安定して作製できること。
(2)半導体素子デツプ電極にボールを接合する際に、
チップ割れを起こすことなく、かつ、安定した接合強度
が得られること。
(3)機械的強度、並びに、高温強度が大きく、ボンデ
ィング時に断線を生じないこと。
(4)熱ザイクルによってネック切れ(ボールとボンデ
ィングワイヤとの境界部分の破断)が生じないこと。
(5)塑性変形による外部リードへの熱圧着及び超音波
ボンディングが可能なこと。
「発明が解決しようとする問題点」 そこでこのような要求がなされている背景から、本願発
明者らは、前記(1)〜(5)に記載した緒特性を満足
する銅系ボンディングワイヤの開発を目的として、純度
99.99%以上の高純度銅線、あるいは、この高純度
銅を基に製造した各種銅合金線を用いて実験を繰り返し
行った。この結果、高純度銅線にあっては、チップ割れ
などの問題は生じないものの、熱サイクルによるネック
切れが度々発生した。一方、銅合金線にあっては、ネッ
ク切れなどの問題は生じなかったが、高純度銅線に比較
してボールが硬いためにデツプ割れが度々生じ、外部リ
ードとのウェッジボンディングが高純度銅線よりも困難
であった。
本発明は、前述の背景に鑑み、前記実験を繰り返し行っ
て得られた知見を基になされたもので、熱サイクルによ
るネック切れを防止することができ、電極デツプの接続
用に形成されるボールの硬度を制御できるようにしてデ
ツプ割れを無くするとともに、外部リードとの熱圧着お
よび超音波圧着を容易に行うことができるようにしたボ
ンディングワイヤを提供することを目的とする。
「問題点を解決するための手段」 本発明は、前記問題点を解決するために、純度99.9
9%以」二の高純度銅に、この高純度銅の再結晶温度を
高める元素としてBiを10〜100重It ppm含
有させてなる銅合金から心線部を形成し、この心線部の
外周に99.99%以」二の高純度銅からなる被覆部を
形成してなるものである。
「実施例」 図面は、本発明の一実施例のボンディングワイヤAの断
面構造を示すもので、このボンディングワイヤA゛は心
線部1を被覆部2で覆ってなる構造を有している。
前記心線部lは、純度99.99%以上の高純度銅に、
その再結晶温度を高める元素としてBi(ビスマス)を
10〜100重量ppm含有させた銅合金から構成され
たワイヤである。ここで、純度99゜99%以上の高純
度銅を用いるのは、わずかでもボール硬度の低い銅合金
を得るためである。更に、銅合金中に含有させるBiの
濃度を前記範囲に限定したのは、Biの含有量がlO重
量ppm未満では、銅合金の再結晶温度を高める効果が
現れないためであり、また、銅合金中に含有させるBi
の濃度が100重量ppmより高い濃度では、適度なボ
ール硬度を得るために、心線部の比率を少なくする必要
が生じ、結果として心線部が細くなり過ぎてネック切れ
を生じるためである。
また、前記被覆部2は純度99.99%以上の高純度銅
からなる。ここで、被覆部2の純度をこのような値に設
定したのは、99.99%未満の純度の銅線では、ボー
ル硬度が銅合金線と同等になって適度なボール硬度に制
御することができないためである。
なお、ボンディングワイヤAにおいては、心線部lに対
する被覆部2の被覆率を10〜90%の範囲に設定する
ことが好ましい。この限定理由は、被覆部2の比率が9
0%を越えた値となるとネック切れを生じ易く、10%
を下回る値ではデツプ割れを生じ易いためである。
前記構造のボンディングワイヤAにあっては、心線部l
に再結晶温度の高い銅合金を用いているために、熱サイ
クルによるネック切れを防止することができる。また、
ボンディング時にボンディングワイヤAの先端を溶融さ
せてボールを形成する場合、心線部lに含有されている
元素の濃度を被覆部2の高純度銅が希釈して適度のボー
ル硬度に制御するために、チップ割れを阻止することが
できる。なお、ボンディングワイヤAにあっては、被覆
部2に高純度銅を用いているために、外部リードとのウ
ェッジボンディングも容易に実施することができる。
「製造例」 第1表に示す成分の銅合金心線に、第1表に示す割合で
高純度銅を被覆し、更に、線引加工と中間熱処理を繰り
返し施して直径30 )t mの銅系ボンディングワイ
ヤを複数作製した。
第1表 第1表に示ず各ボンディングワ・rヤについて、その機
械特性とボンディング特性について測定した。その測定
結果を第2表に示す。なお、熱圧着と超音波併用方式に
よってボンディングを行ったところ、試料Nol〜No
8は容易にウェッジボンディングすることができた。ま
た、第2表において、ボール形状が「良」とは、ボンデ
ィングワイヤの先端を溶融させて形成したボールの形状
が真球に近い状態、「変形」とはポール形状が真球に対
していびつな度合が大きい状態を示している。
第2表 第2表において、試料No2〜No6は、本発明で限定
した合金組成とし、被覆率を10〜90%の範囲内とし
て製造した試料であり、いずれも、真球に近いボール形
状を有し、チップ割れを起こすことなく接合ができ、再
結晶温度も高い値を示している。そ、して、試料No2
〜No6はいずれも高温強度が高く、ボール硬度も適正
値であった。
また、試料Nol 、No2は、各々心線部1のBi含
有量を10重量 ppmとするとともに、試料Nolは
被覆部2の被覆率を5%、試料No2は、被覆部2の被
覆率を10%とした試料であるが、試料Nolは試料N
o2に比較してボール硬度が高く、チップ割れを生じて
いる。一方、試料No6と試料No7は、各々被覆部2
の被覆率を90%とするとともに、試料No6は心線部
1のBi含有量を100重量ppm、試料No7は心線
部lのBi含有量をl 50 ppmとした試料である
が、試料No7は試料NoBに比較してボール硬度が高
く、チップ割れを生じている。更に、試料No8は、心
線部lのBi含有量を]、 501)pm、被覆部2の
被覆率を95%とした試料であるが、試料No2〜No
6に比較して高温強度が低く、ボール形状が真珠から外
れた形状となっている。なお、被覆部2を構成する高純
度銅からボンディングワイヤを構成した試料No9、お
よび、心線部1を構成する銅合金からボンディングワイ
ヤを構成した試料NoI OとNol 1において、試
料、 N o 9および試料Nol0にあっては、再結
晶温度が低く、試料Not 1=8− にあってはボール硬度が高くチップ割れを生じている。
以上の測定結果を鑑みて、被覆部2の被覆率は10〜9
0%の範囲が好ましいことが判明した。
ところで、被覆部2の被覆率を10〜90%の範囲に規
定した試料No2〜N○7であってもBiの含有量をl
O重fflppmとした試料No2にあっては、他の試
料No3〜No7に比較して再結晶温度の低下が見られ
る。また、Bi含有量を5%とした試料NoI Oにあ
っては、心線部1を100%としても再結晶温度が大き
く低下している。これらの結果から鑑みてBi含有量の
下限を10重量%に限定した。
更に被覆部2の被覆率を10〜90%の範囲に規定した
試料No2〜No7であっても、B1の含有量を150
重量ppmとした試11No7にあっては、チップ割れ
を生じている。以l二の結果から鑑みてBi含有量の」
−眼を100重里%に限定した。
「発明の効果」 以」二説明したように本発明は、心線部にBiを10〜
100重量%含有させた再結晶温度の高い銅合金を用い
ているために、高純度銅からなる従来の心線において問
題となっていた熱ザイクルによるネック切れを防止でき
る効果がある。
また、心線部を高純度銅からなる被覆部で覆っているた
めに、ボンディング時に先端を溶融させてポールを形成
する場合、心線部の銅合金に含有された元素の濃度を被
覆部の高純度銅が溶融して希釈するために、ボールの硬
度を適度な値に制御することができ、これによってチッ
プ割れを防止できる効果がある。
銅合金に比較して軟質の高純度銅を被覆部に用いている
ので、外部リードとの熱圧着及び超音波圧着を容易にで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図である。 A・・・・・・ボンディングワイヤ、 ■・・・・・・心線部、    2・・・・・・被覆部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  純度99.99%(重量%、以下同じ)以上の高純度
    銅に、この高純度銅の再結晶温度を高める元素としてB
    iを10〜100重量ppm含有させてなる銅合金から
    心線部を形成し、この心線の外周に純度99.99%以
    上の高純度銅からなる被覆部を形成してなるボンディン
    グワイヤ。
JP61225653A 1986-09-24 1986-09-24 ボンデイングワイヤ Granted JPS6379926A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225653A JPS6379926A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 ボンデイングワイヤ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225653A JPS6379926A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 ボンデイングワイヤ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6379926A true JPS6379926A (ja) 1988-04-09
JPH0123540B2 JPH0123540B2 (ja) 1989-05-02

Family

ID=16832663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61225653A Granted JPS6379926A (ja) 1986-09-24 1986-09-24 ボンデイングワイヤ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6379926A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332033A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Hitachi Ltd 電子装置
US6120585A (en) * 1996-05-15 2000-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflow soldering device
WO2003036710A1 (fr) * 2001-10-23 2003-05-01 Sumitomo Electric Wintec, Incorporated Fil de connexion
JP2006190763A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Nippon Steel Corp 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2006216929A (ja) * 2005-01-05 2006-08-17 Nippon Steel Corp 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2007012776A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2010272884A (ja) * 2010-08-03 2010-12-02 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体装置用ボンディングワイヤ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332033A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Hitachi Ltd 電子装置
US6120585A (en) * 1996-05-15 2000-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflow soldering device
WO2003036710A1 (fr) * 2001-10-23 2003-05-01 Sumitomo Electric Wintec, Incorporated Fil de connexion
JP2006190763A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Nippon Steel Corp 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2006216929A (ja) * 2005-01-05 2006-08-17 Nippon Steel Corp 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP4672373B2 (ja) * 2005-01-05 2011-04-20 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2007012776A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP2010272884A (ja) * 2010-08-03 2010-12-02 Nippon Steel Materials Co Ltd 半導体装置用ボンディングワイヤ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0123540B2 (ja) 1989-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0520493B2 (ja)
JPS6379926A (ja) ボンデイングワイヤ
JPH0547608B2 (ja)
JPH0520494B2 (ja)
JPS63238234A (ja) ボンデイングワイヤ
JPH0123541B2 (ja)
JPS6119158A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS63238235A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS6030158A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS61255045A (ja) 半導体装置用ボンデイングワイヤ及びその製造方法
JPH0479236A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPH0479240A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPS63238232A (ja) 銅細線とその製造法
JP3586909B2 (ja) ボンディングワイヤ
JP2920783B2 (ja) ボンデイングワイヤー
JPH0479243A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPH02219249A (ja) ボンディング用金合金細線
JPH0479241A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPS63255336A (ja) ボンデイングワイヤ
JP3358295B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPH0479246A (ja) 半導体素子用ボンディング線
JPS5965439A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS62287634A (ja) 半導体素子結線用細線
JPS63255335A (ja) ボンデイングワイヤ
JPS62142734A (ja) 半導体装置