JPH02219249A - ボンディング用金合金細線 - Google Patents
ボンディング用金合金細線Info
- Publication number
- JPH02219249A JPH02219249A JP1041187A JP4118789A JPH02219249A JP H02219249 A JPH02219249 A JP H02219249A JP 1041187 A JP1041187 A JP 1041187A JP 4118789 A JP4118789 A JP 4118789A JP H02219249 A JPH02219249 A JP H02219249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- ppm
- wire
- gold
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 title claims abstract description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/012—Semiconductor purity grades
- H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子上の電極と外部リードとを接合す
るために使用する耐熱性に優れた金合金細線に関する。
るために使用する耐熱性に優れた金合金細線に関する。
（従来技術と問題点）
従来、ケイ素半導体素子上の電極と外部リードとの間を
接続するボンディング線としては、金細線が使用されて
きた。このように金細線が多用されてきたのは、金ボー
ルの形成が真円球状となり、形成された金ボールの硬さ
が適切であって、接合時の圧力によってケイ素半導体素
子を損傷することがなく、確実な接続ができ、その信頼
性が極めて高いためであった。しかし、金細線を自動ボ
ングーにかけて金細線の先端を溶融して金ポールを形成
させて接合を行なうと、金細線は再結晶化温度が低く耐
熱性を欠くために、金ボール形成の直上部において引張
強度が不足し断線を起したり、断線をまぬがれて接合さ
れた金細線は樹脂封止によって断線したり、又、半導体
素子を封止用樹脂で保護した場合、ワイヤフローを呈し
短絡を起すという問題がある。
接続するボンディング線としては、金細線が使用されて
きた。このように金細線が多用されてきたのは、金ボー
ルの形成が真円球状となり、形成された金ボールの硬さ
が適切であって、接合時の圧力によってケイ素半導体素
子を損傷することがなく、確実な接続ができ、その信頼
性が極めて高いためであった。しかし、金細線を自動ボ
ングーにかけて金細線の先端を溶融して金ポールを形成
させて接合を行なうと、金細線は再結晶化温度が低く耐
熱性を欠くために、金ボール形成の直上部において引張
強度が不足し断線を起したり、断線をまぬがれて接合さ
れた金細線は樹脂封止によって断線したり、又、半導体
素子を封止用樹脂で保護した場合、ワイヤフローを呈し
短絡を起すという問題がある。
これを解決するために、接続時に形成させる金ボールの
形状および硬さを損わない程度に、高純度金中に微量の
添加元素を加えて破断強度と耐熱性を向上させた種々の
ボンディング用金合金細線が公表されているが、接合の
ループ高さが適切でないため、高く、近年急速に普及し
つつある薄形パッケージ用デバイスに対応させるには十
分でないという問題がある。
形状および硬さを損わない程度に、高純度金中に微量の
添加元素を加えて破断強度と耐熱性を向上させた種々の
ボンディング用金合金細線が公表されているが、接合の
ループ高さが適切でないため、高く、近年急速に普及し
つつある薄形パッケージ用デバイスに対応させるには十
分でないという問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、常温お
よび高温の引張強度を向上せしめ、接合のループ高さを
低くして薄形パッケージ用デバイスに適するボンディン
グ用金合金細線を提供することを目的とするものである
。
よび高温の引張強度を向上せしめ、接合のループ高さを
低くして薄形パッケージ用デバイスに適するボンディン
グ用金合金細線を提供することを目的とするものである
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、９９．９９重景％以上の純度を有する高純度
金にイツトリウム３〜１００重量ｐｐｍ、カルシウム１
〜５０重量ｐｐｍ ｓベリリウム１〜１０重量ｐｐｍを
それぞれ添加し、これら添加元素の総量が５〜１１０重
量ｐｐｍの範囲とするボンディング用金合金細線である
。
金にイツトリウム３〜１００重量ｐｐｍ、カルシウム１
〜５０重量ｐｐｍ ｓベリリウム１〜１０重量ｐｐｍを
それぞれ添加し、これら添加元素の総量が５〜１１０重
量ｐｐｍの範囲とするボンディング用金合金細線である
。
本発明は、高純度金に耐熱性を向上するイツトリウムと
カルシウムを更に常温の機械的強度を向上するベリリウ
ムを添加することにより、これら三元素の相剰作用によ
って常温の機械的強度と耐熱性を一段と向上させ、ワイ
ヤフローを起さず、接合時のループ高さを低くして、且
つ高速自動ボンダーにも適合させるものである。
カルシウムを更に常温の機械的強度を向上するベリリウ
ムを添加することにより、これら三元素の相剰作用によ
って常温の機械的強度と耐熱性を一段と向上させ、ワイ
ヤフローを起さず、接合時のループ高さを低くして、且
つ高速自動ボンダーにも適合させるものである。
イツトリウムの添加量が３重量ｐｐｍ未満であるときは
、耐熱性が向上せず、封止樹脂の影響を受けてワイヤフ
ローを呈し、且つループ高さにバラツキが生じ不安定な
接合となる。逆に、イツトリウムの添加量が５０重量ｐ
ｐｍ近傍を超えると、その添加にかかわらず耐熱性効果
は飽和状態となって余り向上せず、１１０重量ｐｐｍを
超えるとボール表面に酸化皮膜が形成され、ボール形状
に歪を生じ、且つイツトリウムが金の結晶粒界に析出し
て脆性を生じ、伸線加工に支障を起こす。その好ましい
添加量は３〜６０重量ｐｐｍである。
、耐熱性が向上せず、封止樹脂の影響を受けてワイヤフ
ローを呈し、且つループ高さにバラツキが生じ不安定な
接合となる。逆に、イツトリウムの添加量が５０重量ｐ
ｐｍ近傍を超えると、その添加にかかわらず耐熱性効果
は飽和状態となって余り向上せず、１１０重量ｐｐｍを
超えるとボール表面に酸化皮膜が形成され、ボール形状
に歪を生じ、且つイツトリウムが金の結晶粒界に析出し
て脆性を生じ、伸線加工に支障を起こす。その好ましい
添加量は３〜６０重量ｐｐｍである。
カルシウムの添加量が１重量ｐｐｍ未満であるときは、
イツトリウムおよびベリリウムとの相剰作用に欠け、耐
熱性が不安定となり、ループ高さにバラツキを生じ、僅
かながらワイヤフローを呈する。
イツトリウムおよびベリリウムとの相剰作用に欠け、耐
熱性が不安定となり、ループ高さにバラツキを生じ、僅
かながらワイヤフローを呈する。
逆に、５０重量ｐｐｍを超えるとボール表面に酸化皮膜
が形成され、ボール形状に歪を生じ、且つカルシウムが
金の結晶粒界に析出して脆性を生じ、伸線加工に支障を
起す。その好ましい添加量は１〜４０重量ｐｐｍである
。
が形成され、ボール形状に歪を生じ、且つカルシウムが
金の結晶粒界に析出して脆性を生じ、伸線加工に支障を
起す。その好ましい添加量は１〜４０重量ｐｐｍである
。
従って、イツトリウムとカルシウムの添加総量を４〜１
１０重量ｐｐｍとするが、好ましい添加総量は４〜４０
重量ｐｐｍである。
１０重量ｐｐｍとするが、好ましい添加総量は４〜４０
重量ｐｐｍである。
ベリリウムの添加量が１重量ｐｐｍ未満であるときは、
常温の機械的強度をより向上できない。
常温の機械的強度をより向上できない。
逆に１０重量ｐｐを超えると、ボンディング時の再結晶
による結晶粒の粗大化に加えて箱状の関節を生じ、ネッ
ク切れを起し、又、ボール形状に歪を生じるので、微小
電極との接合の信顛性を低下させる。その好ましい添加
量は１〜６重量ｐｐｍである。
による結晶粒の粗大化に加えて箱状の関節を生じ、ネッ
ク切れを起し、又、ボール形状に歪を生じるので、微小
電極との接合の信顛性を低下させる。その好ましい添加
量は１〜６重量ｐｐｍである。
従って、イツトリウム、カルシウム、ベリリウムの添加
総量を５〜１１０重量ｐｐｍとするが、好ましい添加総
量は５〜５０重量ｐｐｍである。
総量を５〜１１０重量ｐｐｍとするが、好ましい添加総
量は５〜５０重量ｐｐｍである。
（実施例）
以下、実施例について説明する。
全純度が９９．９９重量％以上の電解金を用いて、第１
表に示す化学成分の金合金を高周波真空溶解炉で溶解鋳
造し、その鋳塊を圧延した後、常温で伸線加工を行ない
最終線径を２５μｍφの金合金細線とし、大気雰囲気中
で連続焼鈍して伸び値が４％になるように調質する。
表に示す化学成分の金合金を高周波真空溶解炉で溶解鋳
造し、その鋳塊を圧延した後、常温で伸線加工を行ない
最終線径を２５μｍφの金合金細線とし、大気雰囲気中
で連続焼鈍して伸び値が４％になるように調質する。
得られた金合金細線について、常温引張強度、高温引張
強度（２５０℃、３０秒保持）、接合のループ高さ、モ
ールド時のワイヤフローおよびボール形状を調べた結果
を第１表に併記した。
強度（２５０℃、３０秒保持）、接合のループ高さ、モ
ールド時のワイヤフローおよびボール形状を調べた結果
を第１表に併記した。
接合のループ高さは、高速自動ボンダーを使用して半導
体素子上の電極と外部リードとの間を接合した後、形成
されるループの頂高とチップの電極面とを光学顕微鏡で
観察してその高さを測定する。
体素子上の電極と外部リードとの間を接合した後、形成
されるループの頂高とチップの電極面とを光学顕微鏡で
観察してその高さを測定する。
ワイヤフローは、高速自動ボンダーで半導体素子上の電
極と外部リードとを接合し、薄形モールドの金型内にセ
ントして封止用樹脂を注入した後、得られたパッケージ
をＸ線で観察し、封止用樹脂によるボンディング線の歪
み、すなわち、直線接合からの最大わん面距離と接合ス
パン距離とを測定し、歪値からワイヤフローの良否を評
価した。
極と外部リードとを接合し、薄形モールドの金型内にセ
ントして封止用樹脂を注入した後、得られたパッケージ
をＸ線で観察し、封止用樹脂によるボンディング線の歪
み、すなわち、直線接合からの最大わん面距離と接合ス
パン距離とを測定し、歪値からワイヤフローの良否を評
価した。
○印：歪値３％未満（薄形パンケージに適合する）
△印：歪値３〜１０％
×印：歪値１１％以上
ボールの形状は、高速自動ボンダーを使用し、電気トー
チ放電によって得られる金合金ポールを走査電子顕微鏡
で観察し、ポール表面に酸化物が生ずるもの、ボールの
形状がイビツになるもの、半導体素子の電極に良好な形
状で接合できないものを×印で、良好なものを○印で評
価した。
チ放電によって得られる金合金ポールを走査電子顕微鏡
で観察し、ポール表面に酸化物が生ずるもの、ボールの
形状がイビツになるもの、半導体素子の電極に良好な形
状で接合できないものを×印で、良好なものを○印で評
価した。
結果かられかるように、本発明に係る実施例は耐熱性が
良好で、接合のループ高さを低く形成することができ、
封止樹脂によるワイヤフローの影響も無視することがで
き、且つボール形状も良好であるため信頼性のある接合
ができる。
良好で、接合のループ高さを低く形成することができ、
封止樹脂によるワイヤフローの影響も無視することがで
き、且つボール形状も良好であるため信頼性のある接合
ができる。
（効 果）
以上説明した如く、本発明にかかる金合金細線は、高温
引張強度が優れ、接合のループ高さが低く形成でき、封
止樹脂によるワイヤフローもなく、高速自動ボンダーに
十分対応できると共に形成されるボール形状も真球であ
るので、薄形パッケージ用デバイスのボンディング線と
して信頼性よく実用に供せられる利点がある。
引張強度が優れ、接合のループ高さが低く形成でき、封
止樹脂によるワイヤフローもなく、高速自動ボンダーに
十分対応できると共に形成されるボール形状も真球であ
るので、薄形パッケージ用デバイスのボンディング線と
して信頼性よく実用に供せられる利点がある。
従って産業上に寄与する点が大である。
Claims (1)
- 高純度金にイツトリウム３〜１００重量ｐｐｍ、カルシ
ウム１〜５０重量ｐｐｍ、ベリリウム１〜１０重量ｐｐ
ｍをそれぞれ添加し、これら添加元素の総量が５〜１１
０重量ｐｐｍの範囲とすることを特徴とするボンディン
グ用金合金細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041187A JPH0719787B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | ボンディング用金合金細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041187A JPH0719787B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | ボンディング用金合金細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219249A true JPH02219249A (ja) | 1990-08-31 |
| JPH0719787B2 JPH0719787B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=12601414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041187A Expired - Lifetime JPH0719787B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | ボンディング用金合金細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719787B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05179375A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-20 | Nippon Steel Corp | ボンディング用金合金細線 |
| EP0882805A1 (en) * | 1993-09-06 | 1998-12-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Gold based material for ornamental purposes, hardened by alloying with minor components |
| US5945065A (en) * | 1996-07-31 | 1999-08-31 | Tanaka Denshi Kogyo | Method for wedge bonding using a gold alloy wire |
| CN105803245A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-27 | 浙江佳博科技股份有限公司 | 一种高性能键合合金丝及其制备方法与应用 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1041187A patent/JPH0719787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05179375A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-20 | Nippon Steel Corp | ボンディング用金合金細線 |
| EP0882805A1 (en) * | 1993-09-06 | 1998-12-09 | Mitsubishi Materials Corporation | Gold based material for ornamental purposes, hardened by alloying with minor components |
| US5945065A (en) * | 1996-07-31 | 1999-08-31 | Tanaka Denshi Kogyo | Method for wedge bonding using a gold alloy wire |
| CN105803245A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-27 | 浙江佳博科技股份有限公司 | 一种高性能键合合金丝及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719787B2 (ja) | 1995-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62127438A (ja) | 半導体素子用ボンディング線 | |
| JPH02219249A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JPS63211731A (ja) | ボンデイング線 | |
| JPH02219250A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JPH02205641A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3811600B2 (ja) | 半導体素子金合金線 | |
| JPH02219251A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3779817B2 (ja) | 半導体素子用金合金線 | |
| JP3586909B2 (ja) | ボンディングワイヤ | |
| JP3346871B2 (ja) | 半導体素子用金合金 | |
| JPS63227733A (ja) | 耐熱性に優れた金合金 | |
| KR0157474B1 (ko) | 반도체 소자용 금합금 | |
| JP3535657B2 (ja) | 半導体素子用金合金線 | |
| JPH02260643A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3028458B2 (ja) | 半導体素子用金合金線 | |
| JPH03130337A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP2782082B2 (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JPS62290836A (ja) | 半導体素子のボンデイング用金線 | |
| JP3426397B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線 | |
| JPH084099B2 (ja) | 耐食性に優れた半導体素子用銅ボンディング線 | |
| JPH02260644A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3012466B2 (ja) | 半導体素子用金合金線 | |
| JPS62127436A (ja) | 半導体素子用ボンディング線 | |
| JPH02259033A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JPS62127437A (ja) | 半導体素子用ボンデイング線 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |