JPS62264630A - ２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS62264630A JPS62264630A JP10911086A JP10911086A JPS62264630A JP S62264630 A JPS62264630 A JP S62264630A JP 10911086 A JP10911086 A JP 10911086A JP 10911086 A JP10911086 A JP 10911086A JP S62264630 A JPS62264630 A JP S62264630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thin film
- container
- evaporation source
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 18
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 10
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体薄膜特に基板上に結晶性のすぐれたｌｌ
−ＶＩ族化合物薄膜を形成する装置およびその方法に関
する。
−ＶＩ族化合物薄膜を形成する装置およびその方法に関
する。
従来の技術
薄膜を気相で堆積する方法を犬きく分類すると、（１）
熱的蒸着法 （２）スパッター蒸着法 （３）ＣＶＤ法 の３つの方法に分類ができる。ＩＩ−Ｗ族化合物あるい
はＩＶ−■族化合物において従来から用いられているホ
ットウォール法は、先に述べた分類によれば、（１）の
熱的蒸着法に属する堆積方法の１つで、詳しくはシンソ
リッドフィルムス（Ｔｈ１ｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ）
、 ４９ （１９７８）Ｐ３〜５７にＡ 、Ｌｏｐｅ
ｚ−Ｏｔｅｒｏがまとめているが、その概要について以
下に述べる。
熱的蒸着法 （２）スパッター蒸着法 （３）ＣＶＤ法 の３つの方法に分類ができる。ＩＩ−Ｗ族化合物あるい
はＩＶ−■族化合物において従来から用いられているホ
ットウォール法は、先に述べた分類によれば、（１）の
熱的蒸着法に属する堆積方法の１つで、詳しくはシンソ
リッドフィルムス（Ｔｈ１ｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ）
、 ４９ （１９７８）Ｐ３〜５７にＡ 、Ｌｏｐｅ
ｚ−Ｏｔｅｒｏがまとめているが、その概要について以
下に述べる。
ホットウォール法は、化合物半導体薄膜、特に成分元素
の蒸気圧が大きく異なる化合物半導体薄膜あるいは成分
元素の蒸気圧が高くて、基板温度が３００″Ｃ程度以下
でないと膜堆積が生じない化合物半導体等のようＫ、普
通の真空蒸着法においては、ストイキオメトリ−からの
ずれを生じたり、基板温度を３００℃程度以上に上げて
表面マイグレーションによる結晶性向上をはかるといっ
たことができない場合に非常に有効な方法である。
の蒸気圧が大きく異なる化合物半導体薄膜あるいは成分
元素の蒸気圧が高くて、基板温度が３００″Ｃ程度以下
でないと膜堆積が生じない化合物半導体等のようＫ、普
通の真空蒸着法においては、ストイキオメトリ−からの
ずれを生じたり、基板温度を３００℃程度以上に上げて
表面マイグレーションによる結晶性向上をはかるといっ
たことができない場合に非常に有効な方法である。
すなわち、第６図に示したように、堆積したい材料１を
容器２に図のように入れておき、容器２のフタθを図の
Ａに示した位置のまま、／ヤッタ−７を閉じてまわり全
体を真空にする。そのあと、ヒーター４と４ａ及び４ｂ
によって容器２あるいはフタロを均一に加熱し、所望の
温度に達するまでそのｔま放置し、平衡状態に達したら
、シャッター７を開けてフタロを図に示すＢの位置まで
降下し、基板３上に薄膜を堆積させる。この方法の特徴
は、薄膜堆積中の容器内を容器の温度で決まる熱平衡状
態に近い状態に保つことができ、基板３に堆積する薄膜
は、そのような熱平衡状態に近い状態で成長しているの
で、ストイキオメトリ−の点ですぐれており、真空蒸着
法において、基板温度が３００℃程度以上で薄膜の堆積
ができない材料もこの方法によれば、３００ ’Ｃ程度
以上の基板温度でも堆積が可能であり、表面マイグレー
ションによる結晶性の向上が期待できる。
容器２に図のように入れておき、容器２のフタθを図の
Ａに示した位置のまま、／ヤッタ−７を閉じてまわり全
体を真空にする。そのあと、ヒーター４と４ａ及び４ｂ
によって容器２あるいはフタロを均一に加熱し、所望の
温度に達するまでそのｔま放置し、平衡状態に達したら
、シャッター７を開けてフタロを図に示すＢの位置まで
降下し、基板３上に薄膜を堆積させる。この方法の特徴
は、薄膜堆積中の容器内を容器の温度で決まる熱平衡状
態に近い状態に保つことができ、基板３に堆積する薄膜
は、そのような熱平衡状態に近い状態で成長しているの
で、ストイキオメトリ−の点ですぐれており、真空蒸着
法において、基板温度が３００℃程度以上で薄膜の堆積
ができない材料もこの方法によれば、３００ ’Ｃ程度
以上の基板温度でも堆積が可能であり、表面マイグレー
ションによる結晶性の向上が期待できる。
発明が解決しようとする問題点
第６図に示した従来の装置においては、ヒーター４と４
ａ及び４ｂを、それぞれ熱電対５と５ａ及び５ｂで温度
をモニターして制御している。理想的には、薄膜の堆積
を基板３上に行う場合、蒸発源の飽和蒸気圧が１０−３
Ｔｏｒｒ−１０−２Ｔｏｒｒ程度になるような温度にヒ
ーター４ｂを制御し、壁面部はその温度に比べ同じかも
しくは数１０℃高い温度に制御して蒸発源の付着を防止
し、基板部は、蒸発源の温度に比べ数１０℃〜１Ｑ○℃
程度低い温度に制御することによって蒸発源の堆積速度
をかせぐことが望ましい。しかし、容器２及びフタロは
、薄膜堆積中、すなわちフタロが第６図でＢの位置のと
きにおいては、ヒーター４及び熱電対６で温度制御して
いる壁面部とヒーター４ｂ及び熱電対５ｂで温度制御し
ている蒸発源加熱部あるいはヒーター４ａ及び熱電対５
ａで温度制御している基板部とおたがいに熱的な干渉を
かなりうけ、各部の温度を望みの温度に制御することが
困難となる。すなわち、薄膜の堆積を行う上での各部の
温度がそれぞれ独立に制御できないために、成長条件が
ある程度限定されることや各部の温度の初期設定状態が
薄膜の堆積中におたがいの熱的な干渉のために変化する
という不都合を生じる。
ａ及び４ｂを、それぞれ熱電対５と５ａ及び５ｂで温度
をモニターして制御している。理想的には、薄膜の堆積
を基板３上に行う場合、蒸発源の飽和蒸気圧が１０−３
Ｔｏｒｒ−１０−２Ｔｏｒｒ程度になるような温度にヒ
ーター４ｂを制御し、壁面部はその温度に比べ同じかも
しくは数１０℃高い温度に制御して蒸発源の付着を防止
し、基板部は、蒸発源の温度に比べ数１０℃〜１Ｑ○℃
程度低い温度に制御することによって蒸発源の堆積速度
をかせぐことが望ましい。しかし、容器２及びフタロは
、薄膜堆積中、すなわちフタロが第６図でＢの位置のと
きにおいては、ヒーター４及び熱電対６で温度制御して
いる壁面部とヒーター４ｂ及び熱電対５ｂで温度制御し
ている蒸発源加熱部あるいはヒーター４ａ及び熱電対５
ａで温度制御している基板部とおたがいに熱的な干渉を
かなりうけ、各部の温度を望みの温度に制御することが
困難となる。すなわち、薄膜の堆積を行う上での各部の
温度がそれぞれ独立に制御できないために、成長条件が
ある程度限定されることや各部の温度の初期設定状態が
薄膜の堆積中におたがいの熱的な干渉のために変化する
という不都合を生じる。
問題点を解決するだめの手段
先に述べたような困難を解決するために、第１図に示す
ようなホットウォールを用いた堆積装置及びそれを用い
た製造方法を提案する。すなわち、一方が開管状態で他
方が一部に真空引き用の穴と蒸気供給口を備え、壁面が
温度制御可能な容器と、前記容器の開管状態の方を密ぺ
い状態にできかつ温度制御可能な基板ホルダーを兼ねた
フタと、前記容器の蒸気供給口に接続されかつ温度制御
可能な蒸発源保持部とからなることを特徴とする製造装
置を用い、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の原料を前記蒸着
源保持部に入れ、前記基板ホルダーを兼ねたフタに基板
をとりつけてセットしたあと前記■−■族化合物半導体
薄膜の製造装置全体をたとえば１０−５トール以下の真
空にする工程と、前記容器を２００ ℃〜４ｏ ｏ ’
Ｃの間の温度で保持する工程と、前記蒸発源保持部を原
料の飽和蒸気圧が１ｏ−１トール〜１トールになる程度
まで加熱し保持する工程によって■−■族化合物半導体
薄膜を製造する。
ようなホットウォールを用いた堆積装置及びそれを用い
た製造方法を提案する。すなわち、一方が開管状態で他
方が一部に真空引き用の穴と蒸気供給口を備え、壁面が
温度制御可能な容器と、前記容器の開管状態の方を密ぺ
い状態にできかつ温度制御可能な基板ホルダーを兼ねた
フタと、前記容器の蒸気供給口に接続されかつ温度制御
可能な蒸発源保持部とからなることを特徴とする製造装
置を用い、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の原料を前記蒸着
源保持部に入れ、前記基板ホルダーを兼ねたフタに基板
をとりつけてセットしたあと前記■−■族化合物半導体
薄膜の製造装置全体をたとえば１０−５トール以下の真
空にする工程と、前記容器を２００ ℃〜４ｏ ｏ ’
Ｃの間の温度で保持する工程と、前記蒸発源保持部を原
料の飽和蒸気圧が１ｏ−１トール〜１トールになる程度
まで加熱し保持する工程によって■−■族化合物半導体
薄膜を製造する。
作 用
本発明によって、蒸発源加熱部１２ａとウオール部２及
びフタ１６で囲まれる部分との温度制御は、それぞれ独
立にできることになる。この結果、堆積条件の制御性及
び安定性を従来装置及び方法に比べて向上させることが
でき条件の最適化も容易になる。
びフタ１６で囲まれる部分との温度制御は、それぞれ独
立にできることになる。この結果、堆積条件の制御性及
び安定性を従来装置及び方法に比べて向上させることが
でき条件の最適化も容易になる。
■−■族化合物半導体薄膜の堆積条件の立場からすれば
、従来の第６図に示したような装置及び従来技術のとこ
ろで述べた各部の温度条件では、はぼ静的な熱平衡状態
の中で薄膜の堆積が行われるが、本発明における半導体
薄膜堆積装置及び各部の温度条件下では、蒸気が蒸発源
からウオールとフタで囲まれた部分に供給されながら一
方では真空中に引き口１８を通じて拡散して行くので、
薄膜の堆積は、動的な定常状態中で行われ、系は非平衡
状態であるが、蒸発源の飽和蒸気圧を従来の１ｏ 〜１
０−２Ｔｏｒｒの間で制御する状態から、本発明では１
０ Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｔｏｒｒの間で制御する状態にする
ことによって従来の堆積条件における平衡状態と同等の
堆積条件を実現できる。まだ、ウオールの温度とフタ及
び基板の温度を同じ温度に制御すると、ウオール部にも
半導体薄膜が堆積するが、再現性の点から堆積していた
方が良い。
、従来の第６図に示したような装置及び従来技術のとこ
ろで述べた各部の温度条件では、はぼ静的な熱平衡状態
の中で薄膜の堆積が行われるが、本発明における半導体
薄膜堆積装置及び各部の温度条件下では、蒸気が蒸発源
からウオールとフタで囲まれた部分に供給されながら一
方では真空中に引き口１８を通じて拡散して行くので、
薄膜の堆積は、動的な定常状態中で行われ、系は非平衡
状態であるが、蒸発源の飽和蒸気圧を従来の１ｏ 〜１
０−２Ｔｏｒｒの間で制御する状態から、本発明では１
０ Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｔｏｒｒの間で制御する状態にする
ことによって従来の堆積条件における平衡状態と同等の
堆積条件を実現できる。まだ、ウオールの温度とフタ及
び基板の温度を同じ温度に制御すると、ウオール部にも
半導体薄膜が堆積するが、再現性の点から堆積していた
方が良い。
実施例
本発明の半導体堆積装置及びその方法についての実施例
を以下に示す。本発明の半導体堆積装置は、第１図に示
しだように、ウオール１２及び蒸発源加熱部１２ａをボ
ロンナイトライドを加工して構成し、蒸発源加熱部１２
ａｌｄ、ウオール部１２に比べて熱容量的にみて充分小
さくするために１／ＳＯの大きさにした。
を以下に示す。本発明の半導体堆積装置は、第１図に示
しだように、ウオール１２及び蒸発源加熱部１２ａをボ
ロンナイトライドを加工して構成し、蒸発源加熱部１２
ａｌｄ、ウオール部１２に比べて熱容量的にみて充分小
さくするために１／ＳＯの大きさにした。
すなわち、ウオール部１２とフタ１６で囲まれた部分の
熱容量に比べ、蒸発源１を加熱する蒸発源加熱部１２ａ
の熱容量を充分小さくすることによって、蒸発源加熱部
１２ａの温度がその他の部分に比べてかなり高温に保た
れる場合は蒸発源加熱部１２ａとその他の部分との熱的
相互作用によって蒸発源加熱部１２ａ以外の部分への熱
エネルギーの伝導が生じてもほとんど影響をうけずにウ
オール部１２とフタ１６で囲まれた部分を容易にしかも
独立に温度制御できることになる。蒸発源１１は、たと
えばＣｄＳあるいはＺｎＳ等の場合は、カーボンのクヌ
ードセンセルにそのパウダーを第１図に示したように充
填する。ヒーター１４．１４ａ。
熱容量に比べ、蒸発源１を加熱する蒸発源加熱部１２ａ
の熱容量を充分小さくすることによって、蒸発源加熱部
１２ａの温度がその他の部分に比べてかなり高温に保た
れる場合は蒸発源加熱部１２ａとその他の部分との熱的
相互作用によって蒸発源加熱部１２ａ以外の部分への熱
エネルギーの伝導が生じてもほとんど影響をうけずにウ
オール部１２とフタ１６で囲まれた部分を容易にしかも
独立に温度制御できることになる。蒸発源１１は、たと
えばＣｄＳあるいはＺｎＳ等の場合は、カーボンのクヌ
ードセンセルにそのパウダーを第１図に示したように充
填する。ヒーター１４．１４ａ。
１４ｂはタングステンヒーター、熱電対１５゜１５ａ、
１５ｂとしてはＣＡ熱電対を用いた。また、基板１３は
フタ１６とともに取りはずしが可能である。
１５ｂとしてはＣＡ熱電対を用いた。また、基板１３は
フタ１６とともに取りはずしが可能である。
半導体薄膜の堆積は以上のような第１図に示した装置を
真空容器内に入れて行った。真空度は、残留ガスの影響
をなくすために１０−５トール以下にする必要があり、
実際は１ｏ−６ト一ル台で行った。
真空容器内に入れて行った。真空度は、残留ガスの影響
をなくすために１０−５トール以下にする必要があり、
実際は１ｏ−６ト一ル台で行った。
たとえば、基板１３としてガラス基板、基板１３上に堆
積する半導体薄膜として、ＣｄＳ薄膜の場合について以
下に述べる。Ｔｓ を蒸発源加熱部の温度、Ｔｗ及び
Ｔｓｕｂをそれぞれウオールの温度及び基板の盟度でＴ
ｗ ＝ Ｔ ｓ ｕｂの条件になるよう温度制御する。
積する半導体薄膜として、ＣｄＳ薄膜の場合について以
下に述べる。Ｔｓ を蒸発源加熱部の温度、Ｔｗ及び
Ｔｓｕｂをそれぞれウオールの温度及び基板の盟度でＴ
ｗ ＝ Ｔ ｓ ｕｂの条件になるよう温度制御する。
第２図は、Ｔｗをパラメーターにして、ＣｄＳ薄膜の堆
積速度とＴｓ の関係を示しており、そのとなりにＣｄ
Ｓ固体の平衡解離定数にの温度１衣存性を示している。
積速度とＴｓ の関係を示しており、そのとなりにＣｄ
Ｓ固体の平衡解離定数にの温度１衣存性を示している。
Ｋの温度依存性にそったところは熱的な平衡状態からず
れており、Ｔｓ の温度が８４０℃付近以上すなわちＣ
ｄＳの飽和蒸気圧が１ｏ−１ト一ル〜１トール程度のと
ころで堆積速度が飽和の傾向を示しているが、このこと
は薄膜の堆積が熱平衡に近い状態で生じていることを示
している。すなわち、本発明における装置によって、本
発明の方法を用いかつ蒸発源の飽和蒸気圧が１０−１ト
ール〜１トールになるように蒸発源の温度制御を行えば
従来の装置による従来の方法と同様な熱平衡に近い状態
で薄膜堆積ができる。
れており、Ｔｓ の温度が８４０℃付近以上すなわちＣ
ｄＳの飽和蒸気圧が１ｏ−１ト一ル〜１トール程度のと
ころで堆積速度が飽和の傾向を示しているが、このこと
は薄膜の堆積が熱平衡に近い状態で生じていることを示
している。すなわち、本発明における装置によって、本
発明の方法を用いかつ蒸発源の飽和蒸気圧が１０−１ト
ール〜１トールになるように蒸発源の温度制御を行えば
従来の装置による従来の方法と同様な熱平衡に近い状態
で薄膜堆積ができる。
たとえば、Ｔｗ＝Ｔｓｕｂ ＝３００℃において、Ｔｓ
を８１０″Ｃから８５６℃まで変化させてＣｄＳ薄膜を
堆積したときの結晶性をＸ線回折によって確かめてみる
と、第３図に示すように六方晶系のＣ軸配向性が、Ｔｓ
＝８４０℃以上でかなりすぐれている。このことは第
２図において、堆積速度が飽和の傾向を示し薄膜の堆積
が熱平衡状態に近い状態で生じていること一致している
。また、Ｔｓ＝８４０℃の時にＴｗ及びＴｇｕｂを２０
０℃から４５０ ”Ｃまで変化させてみた場合における
結晶性のＸ線回折によって評価した結果を第４図に示し
た。この結果から、Ｔｗ＝Ｔｓｕｂが３００℃付近で、
その結晶性が最適化されることが見いだされた。このよ
うな情報は、従来の装置においては、各部の温度がそれ
ぞれ独立に制御できない場合に得られなかったが、本発
明の装置によって、ＴｓとＴｗ及びＴｓｕｂとを独立に
制御できるようになったために得られた新しい情報であ
る。
を８１０″Ｃから８５６℃まで変化させてＣｄＳ薄膜を
堆積したときの結晶性をＸ線回折によって確かめてみる
と、第３図に示すように六方晶系のＣ軸配向性が、Ｔｓ
＝８４０℃以上でかなりすぐれている。このことは第
２図において、堆積速度が飽和の傾向を示し薄膜の堆積
が熱平衡状態に近い状態で生じていること一致している
。また、Ｔｓ＝８４０℃の時にＴｗ及びＴｇｕｂを２０
０℃から４５０ ”Ｃまで変化させてみた場合における
結晶性のＸ線回折によって評価した結果を第４図に示し
た。この結果から、Ｔｗ＝Ｔｓｕｂが３００℃付近で、
その結晶性が最適化されることが見いだされた。このよ
うな情報は、従来の装置においては、各部の温度がそれ
ぞれ独立に制御できない場合に得られなかったが、本発
明の装置によって、ＴｓとＴｗ及びＴｓｕｂとを独立に
制御できるようになったために得られた新しい情報であ
る。
また、得られた薄膜の比抵抗をウオール温度に対してプ
ロットした図が第６図である。第５図において、ウオー
ル温度が２００℃未満の場合、比抵抗が低く得られた薄
膜のストイキオメトリ−がずれる傾向にあることを示し
ている。一方ウオール温度が４００”Ｃを越えると、第
４図におけるＸ線回折のデータが示すように結晶の配向
性が悪くなり、この効果のために比抵抗が急激に増大す
る。
ロットした図が第６図である。第５図において、ウオー
ル温度が２００℃未満の場合、比抵抗が低く得られた薄
膜のストイキオメトリ−がずれる傾向にあることを示し
ている。一方ウオール温度が４００”Ｃを越えると、第
４図におけるＸ線回折のデータが示すように結晶の配向
性が悪くなり、この効果のために比抵抗が急激に増大す
る。
このような傾向は、ＣａＳ薄膜だけに限らず、他の■−
■族化合物半導体薄膜においても同様である。
■族化合物半導体薄膜においても同様である。
したがって、ウオール温度及び基板温度（フタの温度も
同温度）は、２０ｄ′〜４ｏ ｏ ”Ｃの範囲の温度に
設定することが望ましい。ＣｄＳ薄膜においては、第４
図と第５図に示した結果からウオール温度及び基板ホル
ダーを兼ねたフタを２５０”Ｃ〜３５０’Ｃとし、蒸発
源保持部の温度を８４０℃以上にすることによって最も
結晶性及びストイキオメ） ＩＪ−のすぐれた薄膜が得
られる。
同温度）は、２０ｄ′〜４ｏ ｏ ”Ｃの範囲の温度に
設定することが望ましい。ＣｄＳ薄膜においては、第４
図と第５図に示した結果からウオール温度及び基板ホル
ダーを兼ねたフタを２５０”Ｃ〜３５０’Ｃとし、蒸発
源保持部の温度を８４０℃以上にすることによって最も
結晶性及びストイキオメ） ＩＪ−のすぐれた薄膜が得
られる。
発明の効果
本発明による半導体薄膜の堆積装置及びその堆積方法に
よって、基板上に結晶性のすぐれたｎ−■族化合物薄膜
が再現性よく堆積できる。
よって、基板上に結晶性のすぐれたｎ−■族化合物薄膜
が再現性よく堆積できる。
第１図は本発明の一実施例における半導体薄膜堆積装置
の概略図、第２図は本発明の方法によるＣｄＳ薄膜の堆
積速度の蒸発源温度依存性を示す図、第３図は本発明の
方法による第２図におけるウオール温度及び基板温度が
３００″Ｃの時におけるＣｄＳ薄膜のＸ線回折パターン
の蒸発源温度依存性を示す図、第４図は本発明の方法に
よる蒸発源温度が８４０″Ｃの時におけるＣｄＳ薄膜の
Ｘ線回折バカ−＋７／ＴＸ内 −１−泗＃油宜具もニネ
ｎ 螢ご口ｌ４本発明における蒸発源温度が８４０℃の
時におけるＣｄＳ薄膜の比抵抗値のウオール温度依存性
を示す図、第６図は従来のホットウォール法による半導
体薄膜堆積装置の概略図である。 １１・・・・・・蒸発源、１２・・・・・・ウオール、
１２ａ・−・・・・蒸発源加熱部、１３・・・・・・基
板、１４，１４．ａ。 １４ｂ・・・・・・ヒーター、１６・・・・・・フタ、
１７・・・・・・蒸気供給口、１８・・・・・・真空引
き口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５ｂ １５ｂ 第２図 ＴＳ、 ’（’Ｃ） ｆｏｏｏ ／ Ｔ （Ｋ” ） 第３図 ２θ 第４図 ２θ 第５図 （℃） ＋０００／Ｔ （Ｋ一つ つオール及び基板通、羨、
の概略図、第２図は本発明の方法によるＣｄＳ薄膜の堆
積速度の蒸発源温度依存性を示す図、第３図は本発明の
方法による第２図におけるウオール温度及び基板温度が
３００″Ｃの時におけるＣｄＳ薄膜のＸ線回折パターン
の蒸発源温度依存性を示す図、第４図は本発明の方法に
よる蒸発源温度が８４０″Ｃの時におけるＣｄＳ薄膜の
Ｘ線回折バカ−＋７／ＴＸ内 −１−泗＃油宜具もニネ
ｎ 螢ご口ｌ４本発明における蒸発源温度が８４０℃の
時におけるＣｄＳ薄膜の比抵抗値のウオール温度依存性
を示す図、第６図は従来のホットウォール法による半導
体薄膜堆積装置の概略図である。 １１・・・・・・蒸発源、１２・・・・・・ウオール、
１２ａ・−・・・・蒸発源加熱部、１３・・・・・・基
板、１４，１４．ａ。 １４ｂ・・・・・・ヒーター、１６・・・・・・フタ、
１７・・・・・・蒸気供給口、１８・・・・・・真空引
き口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５ｂ １５ｂ 第２図 ＴＳ、 ’（’Ｃ） ｆｏｏｏ ／ Ｔ （Ｋ” ） 第３図 ２θ 第４図 ２θ 第５図 （℃） ＋０００／Ｔ （Ｋ一つ つオール及び基板通、羨、
Claims (7)
- （１）一方が開管状態で、他方が一部に真空引き用の穴
と蒸気供給口を備え、壁面が温度制御可能な容器と、前
記容器の開管状態の方を密ぺい状態にできかつ温度制御
可能な基板ホルダーを兼ねたフタと、前記容器の蒸気供
給口に接続され、かつ温度制御可能な蒸発源保持部とを
有してなることを特徴とするII−VI族化合物半導体薄膜
の製造装置。 - （２）容器及び基板ホルダーを兼ねたフタの温度と蒸発
源保持部の温度がそれぞれ独立に制御できることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のII−VI族化合物半導
体薄膜の製造装置。 - （３）容器の熱容量に比べ、蒸発源保持部の熱容量が小
さいことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のII−
VI族化合物半導体薄膜の製造装置。 - （４）容器の素材が、ボロンナイトライドであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のII−VI族化合物
半導体薄膜の製造装置。 - （５）蒸発源保持部が、原料充填用のカーボンよりなる
クヌードセンセルと前記クヌードセンセルを保持する部
分とよりなること特徴とする第１項記載のII−VI族化合
物半導体薄膜の製造装置。 - （６）一方が開管状態で他方が一部に真空引き用の穴と
蒸気供給口を備え、壁面が温度制御可能な容器と、前記
容器の開管状態の方を密ぺい状態にできかつ温度制御可
能な基板ホルダーを兼ねたフタと、前記容器の蒸気供給
口に接続され温度制御可能な蒸発源保持部とからなるI
I−VI族化合物半導体薄膜の製造装置の前記蒸発源保持
部に原料を入れ、前記基板ホルダーを兼ねたフタに基板
をとりつけてセットしたあと、前記II−VI族化合物半導
体薄膜の製造装置全体を真空にする工程と、前記容器及
び前記基板ホルダーを兼ねたフタを２００℃〜４００℃
の間の温度で保持する工程と、前記蒸発源保持部を原料
の飽和蒸気圧が１０＾−＾１トール〜１トールになる程
度まで加熱し保持する工程とを有してなることを特徴と
するII−VI族化合物半導体薄膜の製造方法。 - （７）原料がＣｄＳよりなり、容器と基板ホルダーを兼
ねたフタを２５０℃〜３５０℃の間のある温度に保持す
る工程と、前記蒸発源保持部を８４０℃以上のある温度
に保持する工程とを備えてなることを特徴とする特許請
求の範囲第６項記載のII−VI族化合物薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10911086A JPS62264630A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10911086A JPS62264630A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264630A true JPS62264630A (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14501818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10911086A Pending JPS62264630A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264630A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691437A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Preparation of metallized element |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP10911086A patent/JPS62264630A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691437A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Preparation of metallized element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6110279A (en) | Method of producing single-crystal silicon carbide | |
| JPH11116399A (ja) | 炭化タンタルのコーティング方法及びこの方法を用いて製造した単結晶製造装置 | |
| JPH0483871A (ja) | 有機薄膜の作製方法及びその作製装置 | |
| JPH0760804B2 (ja) | 半導体気相成長方法及びその装置 | |
| JPS62264630A (ja) | ２−６族化合物半導体薄膜の製造装置及びそれを用いた２−６族化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| US3925146A (en) | Method for producing epitaxial thin-film fabry-perot cavity suitable for use as a laser crystal by vacuum evaporation and product thereof | |
| JP2575838B2 (ja) | シリコン・デンドライトウェブ結晶成長方法 | |
| DK159349B (da) | Foto-elektrisk celle | |
| JP2000053493A (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置 | |
| JPS6143413A (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS631038A (ja) | ２−６族化合物薄膜形成装置 | |
| JPH0484441A (ja) | ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH08172052A (ja) | カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法及び太陽電池 | |
| JPH01264218A (ja) | 原子層エピタキシャル成長方法 | |
| JPS62206824A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0271533A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS62271439A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH02293391A (ja) | ホットウォールエピタキシャル成長方法 | |
| JPH04349616A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の形成方法 | |
| Kaverina et al. | The influence of the structure of amorphous silicon deposited in ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate | |
| JPH06108250A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPS631747B2 (ja) | ||
| JPH05339095A (ja) | 分子線エピタキシー装置の水銀カドミウムテルル薄膜用基板ホルダー | |
| JPH08119792A (ja) | 昇華法における結晶化速度の測定方法、結晶の精製方法及び単結晶の成長方法 | |
| JP2828868B2 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の液相結晶成長方法 |