JPH0484441A - AgGaSe↓2結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
AgGaSe↓2結晶薄膜の形成方法Info
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- JPH0484441A JPH0484441A JP20017390A JP20017390A JPH0484441A JP H0484441 A JPH0484441 A JP H0484441A JP 20017390 A JP20017390 A JP 20017390A JP 20017390 A JP20017390 A JP 20017390A JP H0484441 A JPH0484441 A JP H0484441A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はAgGa Se、結晶薄膜の形成方法に関する
ものである。
ものである。
従来、I II−■x族カルコパライト型化合物半導
体に属するAgGa Se、は非線型光学材料としてオ
プトエレクトロニクス分野においてその応用面から関心
がもたれており、Ag、Ga、及びSeの各単一材料を
以て、AgGa S ez結晶薄膜を形成する手段とし
て、フラッシュ法による単結晶基板上へのAgGaSe
、結晶のエビタシキャル成長により行うことが知られて
いる。これは、粒状あるいは粉状に精製したAg、Ga
、Seの各原料を高温に保った蒸発源の中に少量ずつ落
下させて瞬間的に蒸発させることにより、単結晶基板上
にAgGaSe2を蒸着させて結晶成長を行うものであ
る。
体に属するAgGa Se、は非線型光学材料としてオ
プトエレクトロニクス分野においてその応用面から関心
がもたれており、Ag、Ga、及びSeの各単一材料を
以て、AgGa S ez結晶薄膜を形成する手段とし
て、フラッシュ法による単結晶基板上へのAgGaSe
、結晶のエビタシキャル成長により行うことが知られて
いる。これは、粒状あるいは粉状に精製したAg、Ga
、Seの各原料を高温に保った蒸発源の中に少量ずつ落
下させて瞬間的に蒸発させることにより、単結晶基板上
にAgGaSe2を蒸着させて結晶成長を行うものであ
る。
上記従来技術においては、精製後の各原料の粒あるいは
粉の大きさ、蒸発源の温度及び各原料を蒸発源に落下さ
せる割合を精密に制御させることは非常に難しく、この
ため、毎回同じ条件で基板に蒸着を行うことができず、
同品質のAgGaSe、結晶薄膜を形成することが困難
であるといった問題点を有していた。
粉の大きさ、蒸発源の温度及び各原料を蒸発源に落下さ
せる割合を精密に制御させることは非常に難しく、この
ため、毎回同じ条件で基板に蒸着を行うことができず、
同品質のAgGaSe、結晶薄膜を形成することが困難
であるといった問題点を有していた。
そこで本発明は再現性の良いAgGaSe2結晶薄膜の
形成方法を提供することを目的とする。
形成方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段]
本発明は(100)面のCraAs基板を2oo〜5o
。
。
”C,、Agを700〜950”C、G aを850〜
1000’c 。
1000’c 。
Seを130〜200’Cに各々保ちながら真空中に位
置せしめ、前記基板にAg、Ga及びSeを真空蒸発さ
せてなるものである。
置せしめ、前記基板にAg、Ga及びSeを真空蒸発さ
せてなるものである。
一般的な真空蒸着と同様にI Xl0−7T o rr
以下の真空中で基板及び各素材の温度を所定の範囲に維
持するとAg、Ga及びSeが結晶することが認められ
、且つこの結晶はエピタキシャル結晶であった。
以下の真空中で基板及び各素材の温度を所定の範囲に維
持するとAg、Ga及びSeが結晶することが認められ
、且つこの結晶はエピタキシャル結晶であった。
以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
最初に基板((100)面のGaAs単結晶基板)1を
、NHnOH: 4HzO□:12H,Oのエッチャン
トを用い室温で10分間の表面エツチングを行い、その
後HF水溶液中で室温30分の表面処理を行う。前記処
理した基板1は真空蒸着装置2に配設される。この真空
蒸着装置2は第1図に示す通り基板1の加熱ヒータ3、
シャッター4及び蒸着材料用の各クヌードセンセル5.
5a、5bを真空槽6内に設けてなるものであり、基板
1と各クヌード−tx7−fzBv5,5a、5bとの
間にシャ・ンター4が介在している。そして、各クヌー
ドセンセル5.5a、5bの詳細な構造は第2図に示す
ように、容器7内部にAg、Ga、Seの各粉末を入れ
るためのルツボ8が設けられ、このルツボ8の外周にル
ツボ8の加熱ヒータ9を巻回したものであり、加熱ヒー
タ9を外部との電気的接続により電圧を印加することで
ルツボ8内の温度を任意に設定することができる。
、NHnOH: 4HzO□:12H,Oのエッチャン
トを用い室温で10分間の表面エツチングを行い、その
後HF水溶液中で室温30分の表面処理を行う。前記処
理した基板1は真空蒸着装置2に配設される。この真空
蒸着装置2は第1図に示す通り基板1の加熱ヒータ3、
シャッター4及び蒸着材料用の各クヌードセンセル5.
5a、5bを真空槽6内に設けてなるものであり、基板
1と各クヌード−tx7−fzBv5,5a、5bとの
間にシャ・ンター4が介在している。そして、各クヌー
ドセンセル5.5a、5bの詳細な構造は第2図に示す
ように、容器7内部にAg、Ga、Seの各粉末を入れ
るためのルツボ8が設けられ、このルツボ8の外周にル
ツボ8の加熱ヒータ9を巻回したものであり、加熱ヒー
タ9を外部との電気的接続により電圧を印加することで
ルツボ8内の温度を任意に設定することができる。
以上のように構成される真空蒸着装置2に基板1を設置
し、各クヌードセンセル5.5a、5bにそれぞれAg
、、Ga、Seの粉末を入れる。次に真空槽6内の排気
を行い真空状態とし、基板1を加熱ヒータ3により50
0℃30分間の熱処理を行った後、この基板1を冷却し
て300℃の温度に維持するとともに、各クヌードセン
セル5.5a、5bの温度を加熱ヒータ9により制御し
て、Ag粉末を収納したクヌードセンセル5の温度を7
80℃8Ga粉末を収納したクヌードセンセル5aのャ
ッター4を開いて蒸着を行った。而る後シャッター4を
閉じ、各クヌードセンセル5゜5a、5b及び基板1を
冷却して、基板lを取り出し、Ag、Ga、Sez膜の
X線回折パターンを観察したところ、第3図に示すよう
に(100)面のGaps基板上に(200)面及び(
400)面に強く配向したAgGaSez結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長して形成されたことが認められた。こ
のように真空蒸着装置2を用い、基板1の加熱ヒータ3
及びルツボ8の加熱ヒータ9に印加する電圧による各ク
ヌードセンセル5.5a、5bの温度を前述した範囲で
一定にすることで再現性の良い同品質のAgGa Se
Zが得られる。
し、各クヌードセンセル5.5a、5bにそれぞれAg
、、Ga、Seの粉末を入れる。次に真空槽6内の排気
を行い真空状態とし、基板1を加熱ヒータ3により50
0℃30分間の熱処理を行った後、この基板1を冷却し
て300℃の温度に維持するとともに、各クヌードセン
セル5.5a、5bの温度を加熱ヒータ9により制御し
て、Ag粉末を収納したクヌードセンセル5の温度を7
80℃8Ga粉末を収納したクヌードセンセル5aのャ
ッター4を開いて蒸着を行った。而る後シャッター4を
閉じ、各クヌードセンセル5゜5a、5b及び基板1を
冷却して、基板lを取り出し、Ag、Ga、Sez膜の
X線回折パターンを観察したところ、第3図に示すよう
に(100)面のGaps基板上に(200)面及び(
400)面に強く配向したAgGaSez結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長して形成されたことが認められた。こ
のように真空蒸着装置2を用い、基板1の加熱ヒータ3
及びルツボ8の加熱ヒータ9に印加する電圧による各ク
ヌードセンセル5.5a、5bの温度を前述した範囲で
一定にすることで再現性の良い同品質のAgGa Se
Zが得られる。
尚、上記実施例と同様な手段で、基板l、各クヌードセ
ンセル5.5a、5bの温度を種々に変化させて実験し
たところ、基板温度200〜500℃,Ag収納クヌー
ドセンセル温度700〜950℃,Ga収納クヌードセ
ンセル温度850〜1000″C,Se収納クヌードセ
ンセル温度130〜200℃を逸脱すると、AgGaS
ez結晶の再現性が悪くなってしまった。
ンセル5.5a、5bの温度を種々に変化させて実験し
たところ、基板温度200〜500℃,Ag収納クヌー
ドセンセル温度700〜950℃,Ga収納クヌードセ
ンセル温度850〜1000″C,Se収納クヌードセ
ンセル温度130〜200℃を逸脱すると、AgGaS
ez結晶の再現性が悪くなってしまった。
本発明は(100)面(7)GaAs基板を2oo〜5
o。
o。
”C,Agを700〜950″C,Gaを850〜1o
oo″C1Seを130〜200’Cに各々保ちながら
真空中に位置せしめ、前記基板にAg、Ga及びSeを
真空蒸着させてなることにより再現性の良いAgGa5
ez結晶薄膜の形成方法を提供できる。
oo″C1Seを130〜200’Cに各々保ちながら
真空中に位置せしめ、前記基板にAg、Ga及びSeを
真空蒸着させてなることにより再現性の良いAgGa5
ez結晶薄膜の形成方法を提供できる。
4、
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示し、第1図は
真空蒸着装置の概略説明図、第2図はクヌードセンセル
の一部切欠き斜視図、第3図はAgGaSez膜のX線
回折パターン図である。 1−・基板 2−真空蒸着装置 5 5a、5b−クヌードセンセル 特許出願人 日本精機株式会社
真空蒸着装置の概略説明図、第2図はクヌードセンセル
の一部切欠き斜視図、第3図はAgGaSez膜のX線
回折パターン図である。 1−・基板 2−真空蒸着装置 5 5a、5b−クヌードセンセル 特許出願人 日本精機株式会社
Claims (1)
- (100)面のGaAs基板を200〜500℃、Ag
を700〜950℃、Gaを850〜1000℃、Se
を130〜200℃に各々保ちながら真空中に位置せし
め、前記基板にAg、Ga及びSeを真空蒸発させてな
ることを特徴とするAgGaSe_2結晶薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20017390A JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | AgGaSe↓2結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20017390A JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | AgGaSe↓2結晶薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0484441A true JPH0484441A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16420009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20017390A Pending JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | AgGaSe↓2結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0484441A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100692604B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-03-14 | 중앙대학교 산학협력단 | CuAu상 ⅠⅢⅥ₂단결정 박막의 형성방법 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP20017390A patent/JPH0484441A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100692604B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-03-14 | 중앙대학교 산학협력단 | CuAu상 ⅠⅢⅥ₂단결정 박막의 형성방법 |
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