JPH0484441A - ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法Info
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- JPH0484441A JPH0484441A JP20017390A JP20017390A JPH0484441A JP H0484441 A JPH0484441 A JP H0484441A JP 20017390 A JP20017390 A JP 20017390A JP 20017390 A JP20017390 A JP 20017390A JP H0484441 A JPH0484441 A JP H0484441A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＡｇＧａ Ｓｅ、結晶薄膜の形成方法に関する
ものである。
ものである。
従来、Ｉ ＩＩ−■ｘ族カルコパライト型化合物半導
体に属するＡｇＧａ Ｓｅ、は非線型光学材料としてオ
プトエレクトロニクス分野においてその応用面から関心
がもたれており、Ａｇ、Ｇａ、及びＳｅの各単一材料を
以て、ＡｇＧａ Ｓ ｅｚ結晶薄膜を形成する手段とし
て、フラッシュ法による単結晶基板上へのＡｇＧａＳｅ
、結晶のエビタシキャル成長により行うことが知られて
いる。これは、粒状あるいは粉状に精製したＡｇ、Ｇａ
、Ｓｅの各原料を高温に保った蒸発源の中に少量ずつ落
下させて瞬間的に蒸発させることにより、単結晶基板上
にＡｇＧａＳｅ２を蒸着させて結晶成長を行うものであ
る。
体に属するＡｇＧａ Ｓｅ、は非線型光学材料としてオ
プトエレクトロニクス分野においてその応用面から関心
がもたれており、Ａｇ、Ｇａ、及びＳｅの各単一材料を
以て、ＡｇＧａ Ｓ ｅｚ結晶薄膜を形成する手段とし
て、フラッシュ法による単結晶基板上へのＡｇＧａＳｅ
、結晶のエビタシキャル成長により行うことが知られて
いる。これは、粒状あるいは粉状に精製したＡｇ、Ｇａ
、Ｓｅの各原料を高温に保った蒸発源の中に少量ずつ落
下させて瞬間的に蒸発させることにより、単結晶基板上
にＡｇＧａＳｅ２を蒸着させて結晶成長を行うものであ
る。
上記従来技術においては、精製後の各原料の粒あるいは
粉の大きさ、蒸発源の温度及び各原料を蒸発源に落下さ
せる割合を精密に制御させることは非常に難しく、この
ため、毎回同じ条件で基板に蒸着を行うことができず、
同品質のＡｇＧａＳｅ、結晶薄膜を形成することが困難
であるといった問題点を有していた。
粉の大きさ、蒸発源の温度及び各原料を蒸発源に落下さ
せる割合を精密に制御させることは非常に難しく、この
ため、毎回同じ条件で基板に蒸着を行うことができず、
同品質のＡｇＧａＳｅ、結晶薄膜を形成することが困難
であるといった問題点を有していた。
そこで本発明は再現性の良いＡｇＧａＳｅ２結晶薄膜の
形成方法を提供することを目的とする。
形成方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
本発明は（１００）面のＣｒａＡｓ基板を２ｏｏ〜５ｏ
。
。
”Ｃ，、Ａｇを７００〜９５０”Ｃ、Ｇ ａを８５０〜
１０００’ｃ 。
１０００’ｃ 。
Ｓｅを１３０〜２００’Ｃに各々保ちながら真空中に位
置せしめ、前記基板にＡｇ、Ｇａ及びＳｅを真空蒸発さ
せてなるものである。
置せしめ、前記基板にＡｇ、Ｇａ及びＳｅを真空蒸発さ
せてなるものである。
一般的な真空蒸着と同様にＩ Ｘｌ０−７Ｔ ｏ ｒｒ
以下の真空中で基板及び各素材の温度を所定の範囲に維
持するとＡｇ、Ｇａ及びＳｅが結晶することが認められ
、且つこの結晶はエピタキシャル結晶であった。
以下の真空中で基板及び各素材の温度を所定の範囲に維
持するとＡｇ、Ｇａ及びＳｅが結晶することが認められ
、且つこの結晶はエピタキシャル結晶であった。
以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
最初に基板（（１００）面のＧａＡｓ単結晶基板）１を
、ＮＨｎＯＨ： ４ＨｚＯ□：１２Ｈ，Ｏのエッチャン
トを用い室温で１０分間の表面エツチングを行い、その
後ＨＦ水溶液中で室温３０分の表面処理を行う。前記処
理した基板１は真空蒸着装置２に配設される。この真空
蒸着装置２は第１図に示す通り基板１の加熱ヒータ３、
シャッター４及び蒸着材料用の各クヌードセンセル５．
５ａ、５ｂを真空槽６内に設けてなるものであり、基板
１と各クヌード−ｔｘ７−ｆｚＢｖ５，５ａ、５ｂとの
間にシャ・ンター４が介在している。そして、各クヌー
ドセンセル５．５ａ、５ｂの詳細な構造は第２図に示す
ように、容器７内部にＡｇ、Ｇａ、Ｓｅの各粉末を入れ
るためのルツボ８が設けられ、このルツボ８の外周にル
ツボ８の加熱ヒータ９を巻回したものであり、加熱ヒー
タ９を外部との電気的接続により電圧を印加することで
ルツボ８内の温度を任意に設定することができる。
、ＮＨｎＯＨ： ４ＨｚＯ□：１２Ｈ，Ｏのエッチャン
トを用い室温で１０分間の表面エツチングを行い、その
後ＨＦ水溶液中で室温３０分の表面処理を行う。前記処
理した基板１は真空蒸着装置２に配設される。この真空
蒸着装置２は第１図に示す通り基板１の加熱ヒータ３、
シャッター４及び蒸着材料用の各クヌードセンセル５．
５ａ、５ｂを真空槽６内に設けてなるものであり、基板
１と各クヌード−ｔｘ７−ｆｚＢｖ５，５ａ、５ｂとの
間にシャ・ンター４が介在している。そして、各クヌー
ドセンセル５．５ａ、５ｂの詳細な構造は第２図に示す
ように、容器７内部にＡｇ、Ｇａ、Ｓｅの各粉末を入れ
るためのルツボ８が設けられ、このルツボ８の外周にル
ツボ８の加熱ヒータ９を巻回したものであり、加熱ヒー
タ９を外部との電気的接続により電圧を印加することで
ルツボ８内の温度を任意に設定することができる。
以上のように構成される真空蒸着装置２に基板１を設置
し、各クヌードセンセル５．５ａ、５ｂにそれぞれＡｇ
、、Ｇａ、Ｓｅの粉末を入れる。次に真空槽６内の排気
を行い真空状態とし、基板１を加熱ヒータ３により５０
０℃３０分間の熱処理を行った後、この基板１を冷却し
て３００℃の温度に維持するとともに、各クヌードセン
セル５．５ａ、５ｂの温度を加熱ヒータ９により制御し
て、Ａｇ粉末を収納したクヌードセンセル５の温度を７
８０℃８Ｇａ粉末を収納したクヌードセンセル５ａのャ
ッター４を開いて蒸着を行った。而る後シャッター４を
閉じ、各クヌードセンセル５゜５ａ、５ｂ及び基板１を
冷却して、基板ｌを取り出し、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｅｚ膜の
Ｘ線回折パターンを観察したところ、第３図に示すよう
に（１００）面のＧａｐｓ基板上に（２００）面及び（
４００）面に強く配向したＡｇＧａＳｅｚ結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長して形成されたことが認められた。こ
のように真空蒸着装置２を用い、基板１の加熱ヒータ３
及びルツボ８の加熱ヒータ９に印加する電圧による各ク
ヌードセンセル５．５ａ、５ｂの温度を前述した範囲で
一定にすることで再現性の良い同品質のＡｇＧａ Ｓｅ
Ｚが得られる。
し、各クヌードセンセル５．５ａ、５ｂにそれぞれＡｇ
、、Ｇａ、Ｓｅの粉末を入れる。次に真空槽６内の排気
を行い真空状態とし、基板１を加熱ヒータ３により５０
０℃３０分間の熱処理を行った後、この基板１を冷却し
て３００℃の温度に維持するとともに、各クヌードセン
セル５．５ａ、５ｂの温度を加熱ヒータ９により制御し
て、Ａｇ粉末を収納したクヌードセンセル５の温度を７
８０℃８Ｇａ粉末を収納したクヌードセンセル５ａのャ
ッター４を開いて蒸着を行った。而る後シャッター４を
閉じ、各クヌードセンセル５゜５ａ、５ｂ及び基板１を
冷却して、基板ｌを取り出し、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｅｚ膜の
Ｘ線回折パターンを観察したところ、第３図に示すよう
に（１００）面のＧａｐｓ基板上に（２００）面及び（
４００）面に強く配向したＡｇＧａＳｅｚ結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長して形成されたことが認められた。こ
のように真空蒸着装置２を用い、基板１の加熱ヒータ３
及びルツボ８の加熱ヒータ９に印加する電圧による各ク
ヌードセンセル５．５ａ、５ｂの温度を前述した範囲で
一定にすることで再現性の良い同品質のＡｇＧａ Ｓｅ
Ｚが得られる。
尚、上記実施例と同様な手段で、基板ｌ、各クヌードセ
ンセル５．５ａ、５ｂの温度を種々に変化させて実験し
たところ、基板温度２００〜５００℃，Ａｇ収納クヌー
ドセンセル温度７００〜９５０℃，Ｇａ収納クヌードセ
ンセル温度８５０〜１０００″Ｃ，Ｓｅ収納クヌードセ
ンセル温度１３０〜２００℃を逸脱すると、ＡｇＧａＳ
ｅｚ結晶の再現性が悪くなってしまった。
ンセル５．５ａ、５ｂの温度を種々に変化させて実験し
たところ、基板温度２００〜５００℃，Ａｇ収納クヌー
ドセンセル温度７００〜９５０℃，Ｇａ収納クヌードセ
ンセル温度８５０〜１０００″Ｃ，Ｓｅ収納クヌードセ
ンセル温度１３０〜２００℃を逸脱すると、ＡｇＧａＳ
ｅｚ結晶の再現性が悪くなってしまった。
本発明は（１００）面（７）ＧａＡｓ基板を２ｏｏ〜５
ｏ。
ｏ。
”Ｃ，Ａｇを７００〜９５０″Ｃ，Ｇａを８５０〜１ｏ
ｏｏ″Ｃ１Ｓｅを１３０〜２００’Ｃに各々保ちながら
真空中に位置せしめ、前記基板にＡｇ、Ｇａ及びＳｅを
真空蒸着させてなることにより再現性の良いＡｇＧａ５
ｅｚ結晶薄膜の形成方法を提供できる。
ｏｏ″Ｃ１Ｓｅを１３０〜２００’Ｃに各々保ちながら
真空中に位置せしめ、前記基板にＡｇ、Ｇａ及びＳｅを
真空蒸着させてなることにより再現性の良いＡｇＧａ５
ｅｚ結晶薄膜の形成方法を提供できる。
４、
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し、第１図は
真空蒸着装置の概略説明図、第２図はクヌードセンセル
の一部切欠き斜視図、第３図はＡｇＧａＳｅｚ膜のＸ線
回折パターン図である。 １−・基板 ２−真空蒸着装置 ５ ５ａ、５ｂ−クヌードセンセル 特許出願人 日本精機株式会社
真空蒸着装置の概略説明図、第２図はクヌードセンセル
の一部切欠き斜視図、第３図はＡｇＧａＳｅｚ膜のＸ線
回折パターン図である。 １−・基板 ２−真空蒸着装置 ５ ５ａ、５ｂ−クヌードセンセル 特許出願人 日本精機株式会社
Claims (1)
- （１００）面のＧａＡｓ基板を２００〜５００℃、Ａｇ
を７００〜９５０℃、Ｇａを８５０〜１０００℃、Ｓｅ
を１３０〜２００℃に各々保ちながら真空中に位置せし
め、前記基板にＡｇ、Ｇａ及びＳｅを真空蒸発させてな
ることを特徴とするＡｇＧａＳｅ＿２結晶薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20017390A JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20017390A JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484441A true JPH0484441A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16420009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20017390A Pending JPH0484441A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | ＡｇＧａＳｅ↓２結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100692604B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-03-14 | 중앙대학교 산학협력단 | ＣｕＡｕ상 ⅠⅢⅥ₂단결정 박막의 형성방법 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP20017390A patent/JPH0484441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100692604B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-03-14 | 중앙대학교 산학협력단 | ＣｕＡｕ상 ⅠⅢⅥ₂단결정 박막의 형성방법 |
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