JPH01264218A - 原子層エピタキシャル成長方法 - Google Patents
原子層エピタキシャル成長方法Info
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- JPH01264218A JPH01264218A JP9292688A JP9292688A JPH01264218A JP H01264218 A JPH01264218 A JP H01264218A JP 9292688 A JP9292688 A JP 9292688A JP 9292688 A JP9292688 A JP 9292688A JP H01264218 A JPH01264218 A JP H01264218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
陽イオンを含む分子と陰イオンを含む分子とを基板に交
互に供給し【基板上に原Ｆ層を単位として結晶成長させ
る方法に関し、 高速かつ高スルーブツトで経済的な原子層のエピタキシ
ャル成長方法を提供することを目的とし、化合物半導体
を原子層エピタキシャルで成長させる際、原料供給のタ
イミングに合わせて基板温度を変化させ、基板湿度を下
げ時に分解温度の低いガスを供給し、基板温度を上げた
時に分解温度の高いガスを供給するよう構成する。
互に供給し【基板上に原Ｆ層を単位として結晶成長させ
る方法に関し、 高速かつ高スルーブツトで経済的な原子層のエピタキシ
ャル成長方法を提供することを目的とし、化合物半導体
を原子層エピタキシャルで成長させる際、原料供給のタ
イミングに合わせて基板温度を変化させ、基板湿度を下
げ時に分解温度の低いガスを供給し、基板温度を上げた
時に分解温度の高いガスを供給するよう構成する。
本発明は原子層エピタキシャル成長方法に係り、特に陽
イオンを含む分子と陰イオンを含む分子とを基板に交互
に供給して基板上に原子層を中位として結晶成長させる
方法に関する。
イオンを含む分子と陰イオンを含む分子とを基板に交互
に供給して基板上に原子層を中位として結晶成長させる
方法に関する。
原子層エピタキシャル成長方法（ＡＬＥ：Ａｔｏｌｃ
１−ａｙｅｒ ｌ：ｐｉｔａｘｙ）は半導体結晶成長
法の一つで、化合物半導体成長を行なう場合、陽イオン
を含む分子と陰イオンを含む分子とを基板に交互に供給
することにより原子層を単位として行なわれる。ＡＬＥ
が理想的に行なわれるためには、原料は成る一定の♀ま
では基板に吸着するが、−旦その一定量が吸着したなら
ばそれ以上の吸着は起こらないという自己停止効果（セ
ルフリミテイング効果）を有する必要がある。
１−ａｙｅｒ ｌ：ｐｉｔａｘｙ）は半導体結晶成長
法の一つで、化合物半導体成長を行なう場合、陽イオン
を含む分子と陰イオンを含む分子とを基板に交互に供給
することにより原子層を単位として行なわれる。ＡＬＥ
が理想的に行なわれるためには、原料は成る一定の♀ま
では基板に吸着するが、−旦その一定量が吸着したなら
ばそれ以上の吸着は起こらないという自己停止効果（セ
ルフリミテイング効果）を有する必要がある。
従来、化合物半導体を成長するＡＬＥ成長装置としては
、第３図に示す如き構成のものが多かった。この装鱈は
化学気相成長（ＣＶ Ｄ ： ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐ
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法による成長炉をＡｌ
２炉に転用したもので、第３図中、１はリアクタ、２は
リセプタ、３はセリ“ブタ２上にａ置された基板、４は
ガス導入口、５はゲートバルブ、６はガス排気口、７は
リアクタ１の外周に巻回された高周波コイルである。
、第３図に示す如き構成のものが多かった。この装鱈は
化学気相成長（ＣＶ Ｄ ： ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐ
ｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法による成長炉をＡｌ
２炉に転用したもので、第３図中、１はリアクタ、２は
リセプタ、３はセリ“ブタ２上にａ置された基板、４は
ガス導入口、５はゲートバルブ、６はガス排気口、７は
リアクタ１の外周に巻回された高周波コイルである。
化合物半導体として硫化亜鉛（ＺｎＳ）を原子層エビタ
キシャルヤル成長法で成長させるには、次の様な手法を
用いる。
キシャルヤル成長法で成長させるには、次の様な手法を
用いる。
すなわち、Ｚｎ原料として塩化亜鉛（ｚｎＣ之、）ガス
が一定時間、第３図のガス導入口４より導入されてリア
クタ１内に充満される。これにより、第４図（Ａ）に模
式的に示すように、基板３上に塩素基を含むＺｎ化合物
分子が吸着する。
が一定時間、第３図のガス導入口４より導入されてリア
クタ１内に充満される。これにより、第４図（Ａ）に模
式的に示すように、基板３上に塩素基を含むＺｎ化合物
分子が吸着する。
吸着Ｚｎ化合物分子が基板表面を覆いつくすと、過剰の
Ｚｎ化合物分子を供給しても、更にそれ以上の化合物分
子の吸着はされず成長は停止するセルフリミティング効
果が生ずる。
Ｚｎ化合物分子を供給しても、更にそれ以上の化合物分
子の吸着はされず成長は停止するセルフリミティング効
果が生ずる。
次の硫化水素（Ｈ２５）ガスがガス導入口４より一定期
間導入されることにより、第４図（Ｂ）に模式的に示す
ようにＳ原子と水ｌＡ基よりなる陰イ′オンを含むＳ化
合物分子が吸着し、Ｓ化合物分子の水素基とＺｎ化合物
分子の１％基とが反応して一定期間後第４図（Ｃ）に模
式的に示す如く、ｚｎ原子層９ａ上にＳ分子ＦＭ９ｔ）
が形成される。
間導入されることにより、第４図（Ｂ）に模式的に示す
ようにＳ原子と水ｌＡ基よりなる陰イ′オンを含むＳ化
合物分子が吸着し、Ｓ化合物分子の水素基とＺｎ化合物
分子の１％基とが反応して一定期間後第４図（Ｃ）に模
式的に示す如く、ｚｎ原子層９ａ上にＳ分子ＦＭ９ｔ）
が形成される。
以下、上記と同様にしてｚｎ原子層とＳ原子層とが交互
に成長し、ＺｎＳ層が基板３上に所定の膜厚で形成され
ることになる。
に成長し、ＺｎＳ層が基板３上に所定の膜厚で形成され
ることになる。
このように、従来は基板表面上でセルフリミティング効
果のある化合物原料を供給することにより、セルフリミ
テイング効宋をもたせようとしてきた。
果のある化合物原料を供給することにより、セルフリミ
テイング効宋をもたせようとしてきた。
しかし、一般に上記のような好都合な化合物原料は殆ど
存在しない。例えばＧａＡｓを原子層エピタキシャルで
成長するにはＧａ原料、Ａｓ原料にセルフリミテイング
効果をもたせる必要がある。
存在しない。例えばＧａＡｓを原子層エピタキシャルで
成長するにはＧａ原料、Ａｓ原料にセルフリミテイング
効果をもたせる必要がある。
Ａｓにはセルフリミティング効果があるため、Ａｓはど
のような原料で供給しても原子層エピタキシャル成長を
行なう妨げにはならない。一方、ＱａＳ原子はセルフリ
ミティング効果がないため、Ｇａ原子の形で原料供給を
行うならば理想的な原子層エピタキシャル成長は行われ
ない。そのため、Ｇ ａ ｎ料としては化合物原料が使
用されている。
のような原料で供給しても原子層エピタキシャル成長を
行なう妨げにはならない。一方、ＱａＳ原子はセルフリ
ミティング効果がないため、Ｇａ原子の形で原料供給を
行うならば理想的な原子層エピタキシャル成長は行われ
ない。そのため、Ｇ ａ ｎ料としては化合物原料が使
用されている。
すなわち、基板表面上でセルフリミテイング効果のある
Ｇａの化合物を供給することにより、Ｇａにセルフリミ
テイング効宋を持たせようとしてきた。
Ｇａの化合物を供給することにより、Ｇａにセルフリミ
テイング効宋を持たせようとしてきた。
ＧａＡＳの原子層エピタキシャル成長は、Ｇａ原料とし
てＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチル
ガリウム）等を用い、Ａｓ原料としてＡＳＨ３（アルシ
ン）等を用いている。従来は、これらの原料を交互に、
一定の温度に保った基板上に供給して、成長を行ってき
た。
てＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチル
ガリウム）等を用い、Ａｓ原料としてＡＳＨ３（アルシ
ン）等を用いている。従来は、これらの原料を交互に、
一定の温度に保った基板上に供給して、成長を行ってき
た。
第５図に、従来の結晶成長時のガス供給及び基板温度の
シーケンスを示す。同図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ）の横
軸は峙間を表わす。また、同図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ
）の縦軸はそれぞれ基板温度、ＴＭＧ供給吊及びＡＳＨ
３供給楢を示す。
シーケンスを示す。同図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ）の横
軸は峙間を表わす。また、同図（ａ）、（ｂ）及び（Ｃ
）の縦軸はそれぞれ基板温度、ＴＭＧ供給吊及びＡＳＨ
３供給楢を示す。
基板湿度は４００℃前後で一定に保たれる。この状態で
、ＴＭＧ供給とＡＳＨ３供給とを１０秒ｊ３きに交互に
行う、ＴＭＧ供給は４０ｃｃ／ｗｉｎで１０秒間行う。
、ＴＭＧ供給とＡＳＨ３供給とを１０秒ｊ３きに交互に
行う、ＴＭＧ供給は４０ｃｃ／ｗｉｎで１０秒間行う。
ＡＳＨ３供給は４０ｃｃ／ｍ１１１で１２０秒周行う。
ＴＭＧとＡＳＨｔの分解温度は、八５ｌ１２の方が高（
、分解が起こりにくい。ＴＭＧは５００℃前後で分解し
、Ａ Ｓ Ｈｓは６００〜７００℃前後で分解する。Ｔ
ＥＧは４００℃前後で分解する。
、分解が起こりにくい。ＴＭＧは５００℃前後で分解し
、Ａ Ｓ Ｈｓは６００〜７００℃前後で分解する。Ｔ
ＥＧは４００℃前後で分解する。
靭板温度を４００℃に保ち、ＴＭＧの分解温度にＧ、Ｉ
ぼ等しいか又はそれ以下設定しである。基板温度をＴＭ
Ｇの分解温度以上に設定すると、ＴＭＧは分解できない
。
ぼ等しいか又はそれ以下設定しである。基板温度をＴＭ
Ｇの分解温度以上に設定すると、ＴＭＧは分解できない
。
しかしながら、従来の成長方法では基板ｆＡ度をＴＭＧ
又はＴＥＧの分解温度近傍に設定しているため、ＡＳＨ
３の分解が進まず、成長に時間がかかるという問題点が
ある。また、所望の成長速度を得るためには長時間にわ
たり多聞のＡＳＨ３を必要とする。このため、結晶成長
の高スループツトが望めず１また不経済である。更に、
基板温度を高い分解温度のＡＳＨ３に合わせたならば、
ＴＭＧ又はＴＥＧが基板に到達する前に分解するため、
セルフリミテイング効果が得られず、ＡＬＥが行なわれ
ないという問題点もある。
又はＴＥＧの分解温度近傍に設定しているため、ＡＳＨ
３の分解が進まず、成長に時間がかかるという問題点が
ある。また、所望の成長速度を得るためには長時間にわ
たり多聞のＡＳＨ３を必要とする。このため、結晶成長
の高スループツトが望めず１また不経済である。更に、
基板温度を高い分解温度のＡＳＨ３に合わせたならば、
ＴＭＧ又はＴＥＧが基板に到達する前に分解するため、
セルフリミテイング効果が得られず、ＡＬＥが行なわれ
ないという問題点もある。
従って、本発明は上記問題点を解決し、高速かつ高スル
ープツトで経済的な原子層のエピタキシャル成長を提供
することを目的とする。
ープツトで経済的な原子層のエピタキシャル成長を提供
することを目的とする。
本発明は、化合物半導体を原子層エピタキシャルで成長
させる際、原料供給のタイミングに合わせて基板温度を
変化させ、 基板温度を下げ時に分解温度の低いガスを供給し、基板
温度を上げた時に分解温度の高いガスを供給する原子層
エピタキシャル成長方法である。
させる際、原料供給のタイミングに合わせて基板温度を
変化させ、 基板温度を下げ時に分解温度の低いガスを供給し、基板
温度を上げた時に分解温度の高いガスを供給する原子層
エピタキシャル成長方法である。
本発明では、供給するガスの分解湿度に合わせて基板温
度を変化させているので、上記問題点を解決することが
できる。
度を変化させているので、上記問題点を解決することが
できる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第２図は、本発明方法を実施できる原子層エピタキシャ
ル成長装置の構成図である。同図中、１０はリアクタ、
１１はサセプタ、１２は基板、１３はガス導入口、１４
は排気口、１５はランプ炉、１６ａ、１６ｂ、１６ｃは
それぞれバルブ、１７はコントローラである。
ル成長装置の構成図である。同図中、１０はリアクタ、
１１はサセプタ、１２は基板、１３はガス導入口、１４
は排気口、１５はランプ炉、１６ａ、１６ｂ、１６ｃは
それぞれバルブ、１７はコントローラである。
サセプタ１１は熱容量を下げるため２ｍ程度と薄い。一
般に用いられているサセプタは３０＃Ｉ前後である。サ
セプタ１１の熱容Φを下げるためには、薄くするほか、
熱容量の小さい材料を選択することも有効である。サセ
プタ１１の熱容量を下げる理由は、本発明ではガスの供
給に応じて基板温度を変化させるため、基板温度を迅速
に変化させることができるようにするためである。サセ
プタ１１上には、基板１２が載置される。
般に用いられているサセプタは３０＃Ｉ前後である。サ
セプタ１１の熱容Φを下げるためには、薄くするほか、
熱容量の小さい材料を選択することも有効である。サセ
プタ１１の熱容量を下げる理由は、本発明ではガスの供
給に応じて基板温度を変化させるため、基板温度を迅速
に変化させることができるようにするためである。サセ
プタ１１上には、基板１２が載置される。
ランプ炉１５は基板１２を加熱する。本実施例では、Ａ
ＳＨ３を供給する時は基板１２の温度を６００℃程度に
設定するため、従来の加熱用高周波コイルより高い出力
のランプ炉１５を用いている。
ＳＨ３を供給する時は基板１２の温度を６００℃程度に
設定するため、従来の加熱用高周波コイルより高い出力
のランプ炉１５を用いている。
ランプ炉１５は赤外線加熱炉で構成できる。
コントローラ１７はランプ炉１５の加熱温度を制御する
。同時に、コントローラ１７はランプ炉１５の加熱温度
の設定に応じて、バルブ１６ａ〜１６ｃの開閉をｔ１１
制御する。コントローラ１７は例えばマイクロコンピュ
ータで構成でき、侵述する動作シーケンスに従ってラン
プ炉１５及びバルブ１６ａ〜１６Ｃを制御する。
。同時に、コントローラ１７はランプ炉１５の加熱温度
の設定に応じて、バルブ１６ａ〜１６ｃの開閉をｔ１１
制御する。コントローラ１７は例えばマイクロコンピュ
ータで構成でき、侵述する動作シーケンスに従ってラン
プ炉１５及びバルブ１６ａ〜１６Ｃを制御する。
次に、動作を第１図の動作シーンスを参照して説明する
。
。
まず、コントローラ１７はランプ炉１５に加熱の指爪を
与え、基板１２の温度を６００℃まで上昇させる。この
とき、コントローラ１７はパルスＰ＋をバルブ１６ａ及
び１６Ｃに供給し、これらを開かせる。これにより、Ｈ
２ガスとＡＳＨ３ガスとがガス導入口１３を介してリア
クタ１０内に供給される。このガス供給は、基板１２を
保護するために行う。
与え、基板１２の温度を６００℃まで上昇させる。この
とき、コントローラ１７はパルスＰ＋をバルブ１６ａ及
び１６Ｃに供給し、これらを開かせる。これにより、Ｈ
２ガスとＡＳＨ３ガスとがガス導入口１３を介してリア
クタ１０内に供給される。このガス供給は、基板１２を
保護するために行う。
次に排気後、コントローラ１７はランプ炉１５の加熱を
停止させ、基板１２の温度を４００℃に設定する。コン
トローラ１７は第２図に図示していない熱雷対等の温度
検出器で基板１２の温度を監視しており、基板１２の温
度が４００℃に到達した時点で、パルスＰ２をバルブ１
６ａ及び１６ｂに与え、Ｈ２ガスとＴＭＧとをリアク１
０内に供給する。パルスＰ２の存続時間は１０秒で、Ｔ
ＭＧの供給ｍは第１図（ｂ）に示すように４０ｃｃ／■
ｉｎである。
停止させ、基板１２の温度を４００℃に設定する。コン
トローラ１７は第２図に図示していない熱雷対等の温度
検出器で基板１２の温度を監視しており、基板１２の温
度が４００℃に到達した時点で、パルスＰ２をバルブ１
６ａ及び１６ｂに与え、Ｈ２ガスとＴＭＧとをリアク１
０内に供給する。パルスＰ２の存続時間は１０秒で、Ｔ
ＭＧの供給ｍは第１図（ｂ）に示すように４０ｃｃ／■
ｉｎである。
パルスＰ２が立下った時点で、コントローラ１７はラン
プ炉１５を再び加熱し、基板１２の温度を６００℃に設
定する。そして、コントローラ１７はパルスＰ３をバル
ブ１６ａ及び１６ｃに与え、Ｈ２ガスとＡＳＨ３ガスと
をリアクタ１０内に導入する。このパルスＰ３の立上り
は第１図に示すようにパルスＰ２の立下りから１０秒後
と予め設定しても良いし、前述した熱雷対で検出した温
度が６００℃になった時点でパルスＰ３を立上げても良
い。パルスＰ３は４秒間印加されＡ Ｓ Ｈ３の供給♀
は４０ＣＣ／■ｉｎである。
プ炉１５を再び加熱し、基板１２の温度を６００℃に設
定する。そして、コントローラ１７はパルスＰ３をバル
ブ１６ａ及び１６ｃに与え、Ｈ２ガスとＡＳＨ３ガスと
をリアクタ１０内に導入する。このパルスＰ３の立上り
は第１図に示すようにパルスＰ２の立下りから１０秒後
と予め設定しても良いし、前述した熱雷対で検出した温
度が６００℃になった時点でパルスＰ３を立上げても良
い。パルスＰ３は４秒間印加されＡ Ｓ Ｈ３の供給♀
は４０ＣＣ／■ｉｎである。
次に、パルスＰ３の立下りに同期して、コントローラ１
７はランプ炉１５の加熱を停止させ、基板１２の温度が
４００℃になった時点でパルスＰ４をバルブ１６ａ及び
１６ｂに供給する。このパルスＰ４の立上りはパルスＰ
３の立下りから２０秒後に行っても良いし、検出した温
度が４００℃になった時刻としても良い。
７はランプ炉１５の加熱を停止させ、基板１２の温度が
４００℃になった時点でパルスＰ４をバルブ１６ａ及び
１６ｂに供給する。このパルスＰ４の立上りはパルスＰ
３の立下りから２０秒後に行っても良いし、検出した温
度が４００℃になった時刻としても良い。
以下、同様にしてランプ炉１５の加熱制御及びパルスの
印加を制御して、ＴＭＧとＡｓＨｔとを交互に供給する
。
印加を制御して、ＴＭＧとＡｓＨｔとを交互に供給する
。
最後に、基板１２の温度を下げつつパルスＰ７でバルブ
１６ａ及び１６ｃを開き、Ｈ２と＾５１１３とを供給す
る。
１６ａ及び１６ｃを開き、Ｈ２と＾５１１３とを供給す
る。
以上のとおり、ＴＭＧとＡＳＨ３とを供給することによ
り、高速かつ高スルーブツトでΔ５ｔ−ｈの消費ωを少
なく抑えた成長が可能となる。本実施例でのＡＳＨ３の
消′ｎ量は、従来の方法にくらべ、１／３０はどになる
ことが実験により確認された。
り、高速かつ高スルーブツトでΔ５ｔ−ｈの消費ωを少
なく抑えた成長が可能となる。本実施例でのＡＳＨ３の
消′ｎ量は、従来の方法にくらべ、１／３０はどになる
ことが実験により確認された。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、供給するガスの
種類に応じて基板温度を変化させることとしたため、高
速かつ高スルーブツトで経済的な原子層エピタキシャル
成長を行うことができる。
種類に応じて基板温度を変化させることとしたため、高
速かつ高スルーブツトで経済的な原子層エピタキシャル
成長を行うことができる。
第１図は本発明実施例の結晶成長時のガス供給及び基板
温疾のｔｉ１１ｔ１１シーケンスを示す図、第２図は本
発明方法を実施する原子層エピタキシャル成長装置の構
成図、 第３図は従来方法を実施するための原子層エビ全４成長
ヤル成良装置の一例の構成図、第４図はｚｎ層の成長過
程の説明図、及び第５図は従来方法の結晶成長時のガス
供給及び基板温度の制御シーケンスを示す図である。 図において、 １０はリアクタ、 １１はサセプタ、 １２は基板、 １３はガス導入口、 １４は排気口、 １５はランプ炉、 １６ａ〜１６Ｃはバルブ、 １７はコントローラ である。 一−□↓Ｉ ゝ−一〆〆 Ｆ ε ５ ＡｓＨ，供給量 ＴＭＧ ｔｆｔ給量 基板
温度ＺｎＳ層の成長過程説明図 第４図 Ｆ ５ ６
温疾のｔｉ１１ｔ１１シーケンスを示す図、第２図は本
発明方法を実施する原子層エピタキシャル成長装置の構
成図、 第３図は従来方法を実施するための原子層エビ全４成長
ヤル成良装置の一例の構成図、第４図はｚｎ層の成長過
程の説明図、及び第５図は従来方法の結晶成長時のガス
供給及び基板温度の制御シーケンスを示す図である。 図において、 １０はリアクタ、 １１はサセプタ、 １２は基板、 １３はガス導入口、 １４は排気口、 １５はランプ炉、 １６ａ〜１６Ｃはバルブ、 １７はコントローラ である。 一−□↓Ｉ ゝ−一〆〆 Ｆ ε ５ ＡｓＨ，供給量 ＴＭＧ ｔｆｔ給量 基板
温度ＺｎＳ層の成長過程説明図 第４図 Ｆ ５ ６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体を原子層エピタキシャルで成長させる際
、原料供給のタイミングに合わせて基板温度を変化させ
、 基板温度を下げ時に分解温度の低いガスを供給し、 基板温度を上げた時に分解温度の高いガスを供給するこ
とを特徴とする原子層エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9292688A JPH01264218A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 原子層エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9292688A JPH01264218A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 原子層エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01264218A true JPH01264218A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14068096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9292688A Pending JPH01264218A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 原子層エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01264218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601393B2 (en) | 2000-12-06 | 2009-10-13 | Novellus Systems, Inc. | Controlling the temperature of a substrate in a film deposition apparatus |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9292688A patent/JPH01264218A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601393B2 (en) | 2000-12-06 | 2009-10-13 | Novellus Systems, Inc. | Controlling the temperature of a substrate in a film deposition apparatus |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
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