JPS62206824A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS62206824A JPS62206824A JP4962086A JP4962086A JPS62206824A JP S62206824 A JPS62206824 A JP S62206824A JP 4962086 A JP4962086 A JP 4962086A JP 4962086 A JP4962086 A JP 4962086A JP S62206824 A JPS62206824 A JP S62206824A
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- halogen
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相輸送反応により化合物半導体等の単結晶膜
を成長させる装置に関する。
を成長させる装置に関する。
従来、化合物半導体単結晶膜を基板結晶上へエピタキシ
ャル成長させる一方法として封管法がある。この方法は
第２図に示したような装置を用い、真空に封じた石英管
１３内の一端に原料多結晶粉末と微量のハロゲン、例え
ば工２とからなる原料４を入れて温度勾配中で加熱する
もので、高温部に置かれた原料４がハロゲンによる気相
輸送反応により、低温部へ輸送され、基板結晶６上に単
結晶となって析出する性質を利用している。
ャル成長させる一方法として封管法がある。この方法は
第２図に示したような装置を用い、真空に封じた石英管
１３内の一端に原料多結晶粉末と微量のハロゲン、例え
ば工２とからなる原料４を入れて温度勾配中で加熱する
もので、高温部に置かれた原料４がハロゲンによる気相
輸送反応により、低温部へ輸送され、基板結晶６上に単
結晶となって析出する性質を利用している。
しかしながら、例えばＩｎＧａＡｓのようなＧａＡｓと
ＩｎＡｔｘとからなる混晶を成長させる場合には、同一
の原料室に置かれたＧａＡｓとＩｎＡｓとではハロゲン
との反応速度が異なるため、混晶組成の厳密な制御は困
鑑であった。
ＩｎＡｔｘとからなる混晶を成長させる場合には、同一
の原料室に置かれたＧａＡｓとＩｎＡｓとではハロゲン
との反応速度が異なるため、混晶組成の厳密な制御は困
鑑であった。
本発明の目的は上記問題を解決した組成制御性の良好な
気相成長装置を提供することにある。
気相成長装置を提供することにある。
本発明は密閉容器と、この密閉容器内に設けられた少な
くとも２つ以上の原料室と、これらの原料室の温度をそ
れぞれ独立に制御する加熱装置とを備えたことを特徴と
する気相成長装置である。
くとも２つ以上の原料室と、これらの原料室の温度をそ
れぞれ独立に制御する加熱装置とを備えたことを特徴と
する気相成長装置である。
以下に図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の模式図であ
る。Ｙ字型石英管１の２つの原料室２，３にＧａＡｓ多
結晶粉末とｖＩｉ量のハロゲン（Ｌ又はｏｒ、 ）より
成る原料４および、ＩｎＡｓ多結晶粉末と微量のハロゲ
ン（Ｌ又は［３ｒ、 ）より成る原料５をそれぞれ充填
し、ＧａＡｓ基板結晶６を他の一室の試料室１２内の基
板支持体７に取り付ける。管内を１０−’ Ｔｏｒｒ程
度以下の高真空にした後、基板支持体７を石英管１と一
体にして熔融封じ切る。その後、コイルヒーター８，９
を原料室２，３近傍に、コイルヒーター１０を試料室１
２内の基板結晶６近傍にそれぞれ巻き付け、別々に通電
し、所望の混晶組成が得られるように原料室２，３の温
度をそれぞれ独立にコントロールする。各々の原料室２
，３において加熱された原料４，５はハロゲンと反応す
ることにより、それぞれハロゲン化物の気体となり、原
料室２，３に連通ずる試料室１２内の混合部１１で混合
気体となった後、低温の基板結晶６上に成長する。この
様に本実施例では原料４と原料５とをそれぞれ別々の温
度に設定できるため、成長膜の組成制御は容易であった
。
る。Ｙ字型石英管１の２つの原料室２，３にＧａＡｓ多
結晶粉末とｖＩｉ量のハロゲン（Ｌ又はｏｒ、 ）より
成る原料４および、ＩｎＡｓ多結晶粉末と微量のハロゲ
ン（Ｌ又は［３ｒ、 ）より成る原料５をそれぞれ充填
し、ＧａＡｓ基板結晶６を他の一室の試料室１２内の基
板支持体７に取り付ける。管内を１０−’ Ｔｏｒｒ程
度以下の高真空にした後、基板支持体７を石英管１と一
体にして熔融封じ切る。その後、コイルヒーター８，９
を原料室２，３近傍に、コイルヒーター１０を試料室１
２内の基板結晶６近傍にそれぞれ巻き付け、別々に通電
し、所望の混晶組成が得られるように原料室２，３の温
度をそれぞれ独立にコントロールする。各々の原料室２
，３において加熱された原料４，５はハロゲンと反応す
ることにより、それぞれハロゲン化物の気体となり、原
料室２，３に連通ずる試料室１２内の混合部１１で混合
気体となった後、低温の基板結晶６上に成長する。この
様に本実施例では原料４と原料５とをそれぞれ別々の温
度に設定できるため、成長膜の組成制御は容易であった
。
本実施例においては、加熱装置はコイルヒーターとした
が、これに限らず赤外線加熱など他の加熱装置であって
も本発明は適用できる。
が、これに限らず赤外線加熱など他の加熱装置であって
も本発明は適用できる。
以上実施例においては、Ｙ字型石英管としたが、これに
限らず他の形状の石英管でも、また石英管に限らずセラ
ミックス材等を用いても本発明は適用できる。
限らず他の形状の石英管でも、また石英管に限らずセラ
ミックス材等を用いても本発明は適用できる。
また、以上実施例においては、基板結晶はＧａＡｓ。
原料はＧａＡｓとＩｎＡｓとし、原料室を２つとしたが
、他の基板結晶および材料を用い、原料室を３個以上と
しても本発明を適用できることは明らかである。
、他の基板結晶および材料を用い、原料室を３個以上と
しても本発明を適用できることは明らかである。
また、以上実施例においては、原料室の温度を時間的に
それぞれ一定とし、ＧａＡｓとＩｎＡｓとから成る一様
な組成のＩｎＧａＡｓ混晶を成長させたが、これに限ら
ず、原料室の温度をそれぞれ時間的に変化させることに
よって、多層膜を成長させる場合にも本発明は適用でき
る。
それぞれ一定とし、ＧａＡｓとＩｎＡｓとから成る一様
な組成のＩｎＧａＡｓ混晶を成長させたが、これに限ら
ず、原料室の温度をそれぞれ時間的に変化させることに
よって、多層膜を成長させる場合にも本発明は適用でき
る。
以上説明したように、本発明によれば混晶組成を厳密に
制御することができ、また多層膜も容易に形成できる効
果を有するものである。
制御することができ、また多層膜も容易に形成できる効
果を有するものである。
第１図は本発明による装置の実施例を示す構成図、第２
図は従来用いられていた気相成長装置を示す構成図であ
る。 図中、１はＹ字型石英管、２，３は原料室、４，５は原
料、６は基板結晶、７は基板支持体、８，９．１０はコ
イルヒーター、１１は混合部、１２は試料室である。
図は従来用いられていた気相成長装置を示す構成図であ
る。 図中、１はＹ字型石英管、２，３は原料室、４，５は原
料、６は基板結晶、７は基板支持体、８，９．１０はコ
イルヒーター、１１は混合部、１２は試料室である。
Claims (1)
- （１）密閉容器と、この密閉容器内に設けられた少なく
とも２つ以上の原料室と、これらの原料室の温度をそれ
ぞれ独立に制御する加熱装置とを備えたことを特徴とす
る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4962086A JPS62206824A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4962086A JPS62206824A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206824A true JPS62206824A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12836275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4962086A Pending JPS62206824A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206824A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350453A (en) * | 1990-03-02 | 1994-09-27 | Hoechst Aktiengesellschaft | Device for producing thin films of mixed metal oxides from organic metal compounds on a substrate |
| US5364718A (en) * | 1988-09-06 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Method of exposing patttern of semiconductor devices and stencil mask for carrying out same |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4962086A patent/JPS62206824A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364718A (en) * | 1988-09-06 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Method of exposing patttern of semiconductor devices and stencil mask for carrying out same |
| US5350453A (en) * | 1990-03-02 | 1994-09-27 | Hoechst Aktiengesellschaft | Device for producing thin films of mixed metal oxides from organic metal compounds on a substrate |
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