JPS62239443A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPS62239443A
JPS62239443A JP61083010A JP8301086A JPS62239443A JP S62239443 A JPS62239443 A JP S62239443A JP 61083010 A JP61083010 A JP 61083010A JP 8301086 A JP8301086 A JP 8301086A JP S62239443 A JPS62239443 A JP S62239443A
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substrate
light
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optical recording
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JP61083010A
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Nobuhiko Kano
宣彦 加納
Akira Aoyama
明 青山
Shinobu Kunida
国田 忍
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本’its明は光記録媒体の構造に関する。
〔従来σ)技術〕
光学的に記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体は、
従来より研究開発が盛んにおこなわれて芦た。特に近年
磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き換
え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。と
ころ6S、光1B気記鎌媒体の記録111は希さ類遷移
金属膜であるため、耐候性に劣る。そのため記録f@シ
透明誘電体膜でサンドイッチレ、さらに基板どうしな貼
り合せにする貼り合せ構造が一般に用いられている。
筆3図に従来の貼り合せ光磁気記録媒体の訪面図會示す
。1けポリカーボネート基板1.2111 tで114
寸きである(溝ピッチ1.6μm、溝巾08μm。
溝深さ7ooX)、2は窒化シリコン膜1000ス厚。
5は光磁気記録M (Tb Fg (3o 、 Nd 
DyFe部) 450ス厚、4け窒化シリコン:1I1
10ooffl厚であり、以上1゜2,5.4が情報の
記碌面h;設けられ之光透過性基板7である。そして6
はポリカーボネート基板であるh″−溝なしで、6が他
方の光透過性基板となる。6と7を貼り合せる層が5で
、UV硬化樹脂やばある。
〔発明h;解決しようとする問題点〕
ところh’−1上記のように作製した貼り合せ情報記録
媒体は接/i1部に気泡が混入する欠点hZあっ゛た。
気泡の混入は真空中に砕石基板貼合せに於ても発生して
いた。二枚の基板に挾まれ之接着剤中に混入した気泡は
、記録膜層よりの情報読入出し、書、h込み時、エラー
となってしまいピットエラーレートを低下させる原因と
なっていた。本発明の目的は、ピットエラーレート低下
の原因である接着剤中の混入気泡なケくする情報記録媒
体(ディスク構成)を提供する恵である。
〔問題点を解決するための手段〕
(1)  本発明の記録媒体は情報の記録層h;設けら
れた光透過性基板の記録層側と、記録層が設けられてい
r(い他方の光透過性基板とを貼り合せた構成であり、
前記記録層/I−設けられていないイlh力の光透過性
基板の貼り合せ面に、少なくとも一層の誘電体群が成膜
されている事を特徴とする。
(2)前記誘成体嘩の成分は、AI、O,、Bj208
. Ca O。
ado、 cdS、 (’!eo□、 ct12o5.
ニー08. Xa、O5,M(7F、 MgO。
N(120,、S/>205. Sin、、 5i(T
、 SnO2,’No2. ZnO,Z?−0,。
kS、AtN、 Sj、N、、 BiN、TiN、 B
N、 HJ″N、ZyN のうち少なくとも1成分以上
含む事を特徴とする。
(3)  前記誘電体喚の膜厚が30A以上10μm未
満である事を特徴とする。誘成体噂の厚さは、30A以
下では島状となり基板表面を均一に覆う事hSできず、
10μm以上では成11儂に多大な時間を必要とするの
で現実的でない。適性なill厚は−30′A以七で1
0μm以下である。
〔実施例1〕 第1図に本発明で要件し之ディスクの構造を示す。1け
ポリカーボネート基板1.21厚で片面に?!#、b′
−けいている(溝ピヴチ1.6 urn 、 7辱巾0
.8 ptn、 。
溝深さ650A)62は窒化シリコン膜1000λ厚。
3は光t・り気記録層(TbFeCn ) 450A厚
、4け窒化シ11コツ膜10ooス厚であり1以上1.
2.3.4が情報の記録層h;設けられt光透過性基板
7である。6は溝のない平滑なポリカーボネート基板1
.2騙厚で、8け窒化シリコン10ooK厚である。6
と8より構成される光透過性基板9Vi5のUV硬化接
着剤を介して、7の光透過性基板と貼り合せられている
第2図は本発明の構成ディスクの貼合せ装置の野念図で
ある。10け真空チャンバーであり、11け真空ポンプ
、12けモータ、13け接着剤塗布用ティスペンサーノ
ズル、15けディスベア ? −ユニット、14けディ
スペンサー水平方向g 1mユニット、16け光透過性
平滑基板9を支持1−てぃろフレーム、17け基板9の
支持を開設置12、光透過性基板7(記録層h;片面に
設けられている)上に基板9を流し込むスイッチである
第2図に示す貼合せ憐1舜を用層て、真空中に砕工、基
板7上にUV硬化接着剤を塗布し、その後UV露光を施
こし軍1図に示すディスク構1告とした。結果は基1反
貼合せ接着剤層中への気泡混入けなく良好なピントエラ
ーレートhz rqられ之。特に気泡混入に起因するバ
ーストエう−を皆無くでき7?: 。
〔実施例り 筆4図K、実施例1同様第2図に示す貼合せ簿1#を用
いてを作しtディスク構造な示す。1′はポリメチルメ
タクリレート基板1.2 m JTtで、片面にrPj
 h”寸いている。(溝ピッチ2.0μm 、 溝巾0
.8μm。
溝深さ700λ)。2け窒化シリコンi[1(’too
λ厚、3は光磁気記録j’f4 (NdDy Fe C
o) 470人厚、4け窒化シリコン嘆1000に厚で
あり、以上1′、り、3゜4ht情報の記優層h′−設
けられた光透過性基板7である66は溝のない平滑なポ
リメチルメタクリレートに板1.2稍厚、8αけ窒化シ
リコンsoo X厚、8bけ窒化アルミニウムSOO1
原である。6と8α、8bより構成されろ光透過性基板
9は、5のUVf餠化接着剤を介して、7の光透過性基
板と貼り合せられている。上記構成のディスクは基板貼
り合せ妾着剤、tΔ中への気泡混入がなく、良好なビア
トニー7−1/ −トhs得られた。、第1図に示[7
た溝ii21al様、気泡混入に起用するバーストエラ
ーに皆無でありL 〔実施例3〕 笛5図に、実施列1同様車2図に示す貼合せ装ナベナ用
いて】!i作しtディスク構造を示す、、1はポリカー
ボネート基板’L2yrml暖で1片面に溝がけいてい
る。(溝ピッチ1.6μm、溝巾0.8μm、溝深さ6
50χ)。2′は酸化シリコン(sjo)Ill 10
00ス厚、3は光1+1?気記録層(ydvyFeco
)  5oox厚であり、以上1.2′、3bt情報の
記録層が設けられ次光透過性51板7である。6は溝の
ない平滑なポリカーボネート基板1.2職翼ワ、8′け
SiO膜1000λ厚であう。6と8′より構成される
光透過性基板9は、5のUV硬化接着剤を介して、7の
光透過性基板と貼り合せられている。上記構成のディス
クは、基板貼り合せ接層剤層中への気泡混入め;なく、
良好なビットエラーレートが得られた。筆1図に示した
構成同様、気泡混入に起因するバーストエラー?′i皆
無でもった。
〔実施例4〕 筆6図に、μ流側1同様堕2図に示す貼合せ袈If−&
用いて・反作し之ディスク構造を示す。1”はポリカー
ボネート基板縞板1.2 第1図厚、5αけ前記平滑基
板上に2P法により形成され次紫外線硬化樹脂層の凹凸
であり30μm厚である(溝ピッチ1,6處、溝巾0.
8μm、溝深さ700 g )。3は光磁気記録層(H
d D?/ Fe an ) 700 K厚であり、以
上1// 、 5 (L *3が情報の記録層が設けら
れ次光透過性基板7である。6は溝のない平滑なポリカ
ーボネート基板1、2 Ill厚、8は窒化シリコン1
000A厚である。6と8より構成される光透過性基板
9は、5bのUV硬化接着剤シ介して、7の光透過性基
板と貼り合せられている。上記構成のディスクは、基板
貼り合せ接着剤層中への気泡混入h;なく、良好なピッ
トエラーレートh=得られt、第1図に示し、た構成同
様、気泡混入に起因するバーストエラーは皆無で帆った
〔実施例5〕 第7図に、実施例1同様筑2図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構、告を示す。1けポリカーボネー
ト基板1.2謁厚で片面に溝^−寸いている。(溝ピッ
チ1.6μm、m巾0.8μm、溝深さ650 ’;+
 )。2け窒化シリコン嘆1000λ厚、3は光磁気記
録層(Tb Fg CO) 450人厚、4け窒化シリ
コン噂1000入厚であり1以上1,2,3.4が情報
の記録層hS設けられた光透過性基板7である。5のU
V硬化接着剤を介して、2枚の光透過性基板シ貼り合せ
た構造となっている。上記構成のディスクは、基板貼り
合せ接層剤層中への気泡混入h′−なく、良好なビット
エラーレートが得られた。第1:Aに示1.た構成同様
、気泡混入に起因するバーストエラーは皆無であった。
尚、光透過性基板として、ボ11カーボネート、P M
 M A、エボ干シ、その仙熱町ノβ性樹脂基板、熱硬
化性樹@基板を使用する事ができろ、、誘′a体;!つ
としてけ、Sフ’、N、、 klN、SiO等、特許請
求の範囲第2項記載の材料?使用する事ができる。誘電
体嘆けffi %であっても多層でも良く、各種材料の
複合体であっても良い。情報記鋒膿としてはTb Fe
 (’!(+ 。
Nd Dot Pg (11等の光磁気媒体、その他相
変態型媒体な使用する事h1できる、使用する慢着剤け
UV硬化接軒剤lで限定する必要はなく、嫌気性接着剤
、2液硬化性接着剤でも良い。
〔発明の効果〕
以上実施例で述べた曲り、貼り合せディスクの構IJv
、で、記録層hS、設けられていない光透過性基板に少
なくと4一層の誘社体膜をIiX嘩する事により、真空
中での貼合せ時の接着剤層への気泡混入を防止する効果
h′−ある。真空中での貼合せて接着剤層に気泡^;入
る原因としては、光透過性基板よりのガス放出h″−考
えられる。誘ル体1曜な広5畏而に施こす慣により先に
述べ之ガス放出が抑えられ接贋剤層へ気泡力を混入しな
くなる効果力を生ずると考えられる。その他、誘+lj
体嘩ヤ帽噂する事により、唆青削と光透過性7.1:板
/IS直接、接触する事がrC〈r(す、欅寿剤中のモ
ノマー、第11ゴマ−による基板表層の侵しがなくなる
効果があ奈。妾青剤によう基板の侵しは、光の敗乱現瘉
を伴なう為、ディスクの光学特性に大片な悪影響を及ぼ
す性質o’+ものである。、I:記の効果h;本発明で
得られ、ディスクのバーストピント二弓−レートは大巾
だ改良された。誘雷体膜の厚さは30′A以下では島状
となり塙板表面を均一に覆51!がで踵ず、10μm以
上ではLi口μ多犬な時間を必要とするので現実的でな
い。適正な膜厚は30λ以上で10μm以下である 、
【図面の簡単な説明】
第1図・・・・・・本発明j(よるディスク構造図第2
図・・・・・・ディスク貼合せ集電の概念図竿3図・・
・・・・従来のディスク構造図@4図・・・・・・本発
明によるディスク構造す第5図・・・・・・本光明によ
るディスクN#債図@ 61’4・・・・・・本発明に
よるディスク構造図第7図・・・・・・本発明によるデ
ィスク構造図以  上 S ・璧4ろシソコ濠 第j 図 第 6 図 第■図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)情報の記録層が設けられた光透過性基板の記録面
    側と、記録層が設けられていない他方の光透過性基板と
    を貼り合せた光記録媒体において、前記記録層が設けら
    れていない他方の光透過性基板の貼り合せ面に少なくと
    も一層の誘電体膜が成膜されていることを特徴とする光
    記録媒体。
  2. (2)前記誘電体膜の成分が、Al_2O_3、Bi_
    2O_3、CaO、CdO、CdS、CeO_2、Cd
    _2O_3、In_2O_3、La_2O_3、MgF
    、MgO、Nd_2O_3、Sb_2O_3、SiO、
    SiO_2、SnO_2、TiO_2、ZnO、ZrO
    _2、ZnS、AlN、Si_3N_4、SiN、Ti
    N、BN、HfN、ZrNのうち少なくとも1成分以上
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光記
    録媒体。
  3. (3)前記誘電体膜の膜厚が30Å以上10μm未満で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光記
    録媒体。
JP61083010A 1986-04-10 1986-04-10 光記録媒体 Expired - Lifetime JPH0766567B2 (ja)

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US07/036,240 US4800112A (en) 1986-04-10 1987-04-09 Optical recording medium
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JPH0766567B2 JPH0766567B2 (ja) 1995-07-19

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01245447A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Teijin Ltd 光磁気記録媒体
GB2306751A (en) * 1995-10-31 1997-05-07 Samsung Electronics Co Ltd Phase change type optical medium
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US6854126B2 (en) * 2002-08-08 2005-02-08 Hitachi, Ltd. Information recording medium with SiO2-In2O3-SnO2-ZnS protective layer

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