JPH01184741A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH01184741A JPH01184741A JP63007723A JP772388A JPH01184741A JP H01184741 A JPH01184741 A JP H01184741A JP 63007723 A JP63007723 A JP 63007723A JP 772388 A JP772388 A JP 772388A JP H01184741 A JPH01184741 A JP H01184741A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Tb] Chemical compound [Fe].[Co].[Tb] FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVRLBVUHNKCEQQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Gd].[Tb] Chemical compound [Fe].[Gd].[Tb] XVRLBVUHNKCEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 amorphous 5i). n) Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光ディスクの製造方法に関し、
耐久性の優れた光ディスクを実用化することを目的とし
、 案内溝を備え、ディスク状をした透明樹脂基板上に第1
の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形成してな
る光ディスクにおいて、前記透明樹脂基板上に有機金属
化合物をプラズマ重合させてポリマからなる薄膜を形成
した後に、プラズマ酸化を行って該薄膜の表面を非晶質
の酸化物薄膜に変え、該酸化物薄膜を備えた基板上に第
1の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形成して
光ディスクを構成する。
、 案内溝を備え、ディスク状をした透明樹脂基板上に第1
の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形成してな
る光ディスクにおいて、前記透明樹脂基板上に有機金属
化合物をプラズマ重合させてポリマからなる薄膜を形成
した後に、プラズマ酸化を行って該薄膜の表面を非晶質
の酸化物薄膜に変え、該酸化物薄膜を備えた基板上に第
1の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形成して
光ディスクを構成する。
本発明は耐久性を向上した光ディスクの製造方法に関す
る。
る。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、狭義の光ディスクと光磁気ディスクとに
分けることができる。
メモリであり、狭義の光ディスクと光磁気ディスクとに
分けることができる。
こ\で、狭義の光ディスクは記録媒体として低融点の金
属或いは合金を用い、情報の記録を穴の有無により行う
読み出し専用のメモリ (Write 0nce Me
n+ory)が主流である。
属或いは合金を用い、情報の記録を穴の有無により行う
読み出し専用のメモリ (Write 0nce Me
n+ory)が主流である。
一方、光磁気ディスクは記録膜を垂直磁化している磁性
膜で形成し、外部より磁化方向と反対方向に垂直磁場を
加えなからレーザ光を照射すると、照射された磁性膜の
温度上昇により保磁力が減少して磁化反転が起こるのを
利用し、情報の記録と消去を行う書き換え可能なメモリ
(Erasable Mem。
膜で形成し、外部より磁化方向と反対方向に垂直磁場を
加えなからレーザ光を照射すると、照射された磁性膜の
温度上昇により保磁力が減少して磁化反転が起こるのを
利用し、情報の記録と消去を行う書き換え可能なメモリ
(Erasable Mem。
ry)″である。
光ディスクにはこのような種類があるが、何れもガラス
または合成樹脂よりなる透明基板上に第1の保護膜、記
録膜、第2の保護膜と層形成して単位の光デイスク基板
が形成されている。
または合成樹脂よりなる透明基板上に第1の保護膜、記
録膜、第2の保護膜と層形成して単位の光デイスク基板
が形成されている。
そして、実用的には単位の光デイスク基板の形で使うよ
りも、光ディスクの種類により、二枚を接着剤を用いて
貼り合わせた貼り合わせ形やセパレータを介して対向さ
せたサンドインチ形が用いられている。
りも、光ディスクの種類により、二枚を接着剤を用いて
貼り合わせた貼り合わせ形やセパレータを介して対向さ
せたサンドインチ形が用いられている。
さて、光ディスクの基板には先に記したようにガラス基
板または合成樹脂基板(以下略して樹脂基板)が使用さ
れており、前者は光の透過率がよく、反りを生ぜず、ま
た耐湿性と耐薬品性が優れているため、第1の保護膜の
形成を省略することができるなどの利点があるもの\、 ■ 基板上に案内溝(プリグループ)を形成するのに多
くの工数を必要とする。
板または合成樹脂基板(以下略して樹脂基板)が使用さ
れており、前者は光の透過率がよく、反りを生ぜず、ま
た耐湿性と耐薬品性が優れているため、第1の保護膜の
形成を省略することができるなどの利点があるもの\、 ■ 基板上に案内溝(プリグループ)を形成するのに多
くの工数を必要とする。
■ 機械的な衝撃に脆く、割れ易い。
■ 樹脂基板に較べて高価である。
などの理由から特別な用途を除き、ポリカーボネート(
略称PC)やポリメチルメタクリレート(略称PMMA
)などの樹脂基板が使用されている。
略称PC)やポリメチルメタクリレート(略称PMMA
)などの樹脂基板が使用されている。
本発明は、か\る樹脂基板を使用する光ディスクについ
て、耐久性を向上した製法に関するものである。
て、耐久性を向上した製法に関するものである。
先に記したように光ディスクは貼り合わせ形やサンドイ
ンチ形の構造が使用されているが、こ\では貼り合わせ
形をとる光磁気ディスクを例として従来の技術を説明す
る。
ンチ形の構造が使用されているが、こ\では貼り合わせ
形をとる光磁気ディスクを例として従来の技術を説明す
る。
光磁気ディスクはPMMAやPCからなる樹脂基板上に
スパッタリング法などを用いて二酸化硅素(Si0□)
、酸化硅素(SiO)など屈折率の大きな材料を110
0n程度に形成して第1の保護膜とし、この上にテルビ
ウム・鉄・コバルト(Tb Fe Co)、ガドリニウ
ム・テルビウム・鉄(Gd Tb Fe)などの垂直磁
化膜を1100n程度の厚さに形成して記録膜とし、こ
の上に第2の保護膜として、第1の保護膜形成材料と類
似した材料を1100n程度の厚さに層形成して単位の
光磁気ディスク基板が作られている。
スパッタリング法などを用いて二酸化硅素(Si0□)
、酸化硅素(SiO)など屈折率の大きな材料を110
0n程度に形成して第1の保護膜とし、この上にテルビ
ウム・鉄・コバルト(Tb Fe Co)、ガドリニウ
ム・テルビウム・鉄(Gd Tb Fe)などの垂直磁
化膜を1100n程度の厚さに形成して記録膜とし、こ
の上に第2の保護膜として、第1の保護膜形成材料と類
似した材料を1100n程度の厚さに層形成して単位の
光磁気ディスク基板が作られている。
そして、貼り合わせ形は、二枚の光磁気ディスク基板を
樹脂基板を外側とし、エポキシ樹脂などの接着剤を用い
て貼り合わせて作られている。
樹脂基板を外側とし、エポキシ樹脂などの接着剤を用い
て貼り合わせて作られている。
か\る、光磁気ディスクについて、70℃、相対湿度9
0%の高温高湿の環境に500時間以上放置する試験を
行うと、樹脂基板と第1の保護膜との間でスポット状や
融状の膨れが発生する。
0%の高温高湿の環境に500時間以上放置する試験を
行うと、樹脂基板と第1の保護膜との間でスポット状や
融状の膨れが発生する。
このことは、樹脂基板と第1の保護膜との間の密着性が
良くないことを示しており、耐久性に問題があることが
判る。
良くないことを示しており、耐久性に問題があることが
判る。
以上記したように光磁気ディスクに対して高温高湿の環
境中に置く耐久試験を行うと、樹脂基板と第1の保護膜
との間でスポット状や融状の膨れを生じ、耐久性に欠け
ることが問題である。
境中に置く耐久試験を行うと、樹脂基板と第1の保護膜
との間でスポット状や融状の膨れを生じ、耐久性に欠け
ることが問題である。
上記の問題は樹脂基板上に無機物的な官能基を有する有
機金属化合物をプラズマ重合させてポリマからなる薄膜
を形成した後に、プラズマ酸化を行って該薄膜の表面を
非晶質の酸化物薄膜に変え、該酸化物薄膜を備えた基板
上に第1の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形
成する光ディスクの製造方法をとることにより解決する
ことができる。
機金属化合物をプラズマ重合させてポリマからなる薄膜
を形成した後に、プラズマ酸化を行って該薄膜の表面を
非晶質の酸化物薄膜に変え、該酸化物薄膜を備えた基板
上に第1の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形
成する光ディスクの製造方法をとることにより解決する
ことができる。
樹脂基板とこの上にスパッタリング法などで形成した保
護膜や記録膜との密着性が悪い理由は両者の結合が物理
的であって、化学結合を伴っていないからである。
護膜や記録膜との密着性が悪い理由は両者の結合が物理
的であって、化学結合を伴っていないからである。
その例証として、プラスチック板の上にスパッタリング
法や真空蒸着法などを用いて無機物の膜や金属膜を形成
した後、粘着テープを膜面に密着させて剥離すると、膜
全体が粘着テープに付着して基板より剥離してしまう。
法や真空蒸着法などを用いて無機物の膜や金属膜を形成
した後、粘着テープを膜面に密着させて剥離すると、膜
全体が粘着テープに付着して基板より剥離してしまう。
すなわち、有機材料からなる樹脂基板と無機材料からな
る第1の保護膜とは馴染みが悪いのである。
る第1の保護膜とは馴染みが悪いのである。
この解決法の一つとして、シランカップリング剤やチタ
ネートカップリング剤を樹脂基板の表面に塗布する方法
がある。
ネートカップリング剤を樹脂基板の表面に塗布する方法
がある。
然し、この方法は樹脂基板の表面がカップリング剤によ
って侵されると云う問題があり、品質および信頼性の点
で好ましくない。
って侵されると云う問題があり、品質および信頼性の点
で好ましくない。
そこで、本発明は有機硅素化合物のように分子内に無機
物的な官能基(例えば−5iOH)をもつ有機金属化合
物をガス状して放射線を照射するか、或いはプラズマ環
境に曝し、二重結合を切って重合を起こさせ、樹脂基板
の上にポリマ膜を作る。
物的な官能基(例えば−5iOH)をもつ有機金属化合
物をガス状して放射線を照射するか、或いはプラズマ環
境に曝し、二重結合を切って重合を起こさせ、樹脂基板
の上にポリマ膜を作る。
次に、この表面を酸化して無機物(例えば非晶質の5i
n)とし、この上に従来のように第1の保護膜、記録膜
、第2の保護膜と層形成を行うものである。
n)とし、この上に従来のように第1の保護膜、記録膜
、第2の保護膜と層形成を行うものである。
このような方法を用いると、樹脂基板の表面はラジカル
化してポリマ膜と接合しているので、密着性が良く、ま
たポリマ膜の表面は酸化して無機物となっているので第
1の保護膜との密着性も良く、そのため光磁気ディスク
の耐久性が向上するものである。
化してポリマ膜と接合しているので、密着性が良く、ま
たポリマ膜の表面は酸化して無機物となっているので第
1の保護膜との密着性も良く、そのため光磁気ディスク
の耐久性が向上するものである。
樹脂基板としてはpcを用い、分子内に無機物的な官能
基をもつ有機金属化合物としてはビニルトリメトキシシ
ラン(CHz = Cl−5i (OCH3) :l)
を選んだ。
基をもつ有機金属化合物としてはビニルトリメトキシシ
ラン(CHz = Cl−5i (OCH3) :l)
を選んだ。
そして、T、Wydever : Applied
0ptics 717.16゜1977の方法によりP
C基板上にポリマを約20nmの厚さに形成した。
0ptics 717.16゜1977の方法によりP
C基板上にポリマを約20nmの厚さに形成した。
すなわち、プラズマ重合装置の中にpc基板を置き、ビ
ニルトリメトキシシランを2.OPa程度導入した状態
で周波数13.5MHz、出力0.5KWで10分間放
電させ、PC基板の上にビニルトリメトキシシランの重
合膜を形成した。
ニルトリメトキシシランを2.OPa程度導入した状態
で周波数13.5MHz、出力0.5KWで10分間放
電させ、PC基板の上にビニルトリメトキシシランの重
合膜を形成した。
次に装置内を排気した後、酸素(0□)を0.5 Pa
導入し、出力0.3KWで10分間放電させて、pc基
板上の重合膜の酸化処理を行った。
導入し、出力0.3KWで10分間放電させて、pc基
板上の重合膜の酸化処理を行った。
か\る膜は分光分析によると5i−0の結合が確認でき
、表面はSiOの非晶質膜になっていることが判る。
、表面はSiOの非晶質膜になっていることが判る。
このようなPC基板二枚の上に従来と同様にスパッタ法
により第1の保護膜としてSiO□膜を、記録膜として
Tb Fe Co膜を、また第2の保護膜としてSiO
□膜を作り、エポキシ系接着剤を用いて貼り合わせて光
磁気ディスクを作った。
により第1の保護膜としてSiO□膜を、記録膜として
Tb Fe Co膜を、また第2の保護膜としてSiO
□膜を作り、エポキシ系接着剤を用いて貼り合わせて光
磁気ディスクを作った。
次に、か\る光磁気ディスクとポリマ膜のない従来構造
の光磁気ディスクとを70℃、90%RHの高温高湿の
雰囲気において耐久試験を行った。
の光磁気ディスクとを70℃、90%RHの高温高湿の
雰囲気において耐久試験を行った。
その結果、本発明に係るポリマ膜を介在させたものは1
500時間経過後においても変化がないのに対し、従来
構造のものは300時間で膨れ状の欠陥が発生しており
、これにより本発明の有効性が証明できた。
500時間経過後においても変化がないのに対し、従来
構造のものは300時間で膨れ状の欠陥が発生しており
、これにより本発明の有効性が証明できた。
以上記したように本発明の実施により有機材料からなる
樹脂基板と無機材料からなる記録媒体との密着性を向上
することができ、これにより光磁気ディスクの耐久性を
向上することができる。
樹脂基板と無機材料からなる記録媒体との密着性を向上
することができ、これにより光磁気ディスクの耐久性を
向上することができる。
代理人 弁理士 井桁 貞−゛〔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 案内溝を備え、ディスク状をした透明樹脂基板上に第1
の保護膜、記録膜、第2の保護膜と順次に層形成してな
る光ディスクにおいて、 前記透明樹脂基板上に有機金属化合物をプラズマ重合さ
せてポリマからなる薄膜を形成した後、プラズマ酸化を
行って該薄膜の表面を非晶質の酸化物薄膜に変え、該酸
化物薄膜を備えた基板上に第1の保護膜、記録膜、第2
の保護膜と順次に層形成することを特徴とする光ディス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63007723A JPH01184741A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63007723A JPH01184741A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01184741A true JPH01184741A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11673635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63007723A Pending JPH01184741A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01184741A (ja) |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63007723A patent/JPH01184741A/ja active Pending
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