JPS63171443A

JPS63171443A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPS63171443A
Application number: JP62002532A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yatake; 正弘矢竹
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1987-01-08
Filing date: 1987-01-08
Publication date: 1988-07-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光記録媒体の密着貼り合わせ構造に関する。

〔従来の技術〕

従来の光記録媒体は特開昭６０−１０１７５７特開昭６
０−１１５５４４　、実開昭６０−８５７２６あるいは
特開昭６１−８０５３５などにあるようにエアサンドイ
ッチ構造をとったり、特開昭５７−５０５３７を特開昭
６０−１８２０３５、特開昭６１−５４５０あるいは特
開昭６０−５４５２などにあるように密着貼り合わせ構
造をとったりしていた。また、接着層としては特開昭６
０−１８５２５５のようにエポキシ系の接層剤を用いた
りしていた。また、接着の方法として、接Ｎ　剤をロー
ルコート、スピンコードなどして塗布した後、熱または
圧力をかけて硬化させることがこころみもれている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術ではエアサンドイッチ構造ある
いは密着貼り合わせ構造がとられているが、エアサンド
イッチ構造は空気層を挾んでいるため機械的強度が弱く
、記録層自身が耐・酸化性が強いものか記録層の耐酸化
性のための強固な保護が必要であるか、記録層の耐酸化
性のための保護層としてセラミックスを用いると機械的
強度の弱さに起因する温湿度の変化による基板変形でセ
ラミックス層にクラックを生じやすくなり、セラミック
ス層は用いることができない。また、密着貼り合わせ構
造においてエポキシ系の接着剤を用いると、保護層を介
して、貼り６合わせたとしても保護層のピンホールから
工ざキシ系の接着剤の中の酸触媒が浸透して記録層を酸
化させる。あるいは、接着剤の中に嫌気硬化性を付与し
たり、イオン重合系の触媒を用いると、嫌気性触媒ある
いはイオン重合系の触媒が、上述のエポキシ系の接着剤
の中の酸触媒と同様に、保護層のピンホールから浸透し
て記録層を酸化させる。さらに、嫌気硬化性を付与した
接着剤は機械を用いて塗布しようとしたり、真空系内で
貼り合わせようとすると、機械中でゲル化しやすく、真
空中でもゲル化しやすいため均一に拉布させるための制
御が非常に難しい。また、接着剤をロールコート、スピ
ンコードなどして塗布した後熱と圧力または圧力をかけ
て硬化させることにより、透光性支持体として用いる樹
脂を変形させたり、記録層や保一層にクラックを生じや
すい。また、従来の接着方法では接着層の中に多くの気
泡が残り、その気泡の影響により光学的ばらつきや、熱
伝導率の違いによる記録ビットの形状が均一にならない
という問題点を有していた。

そこで本発明はこのような問題点を解決するものでその
°目的とするところは、充分な機械的強度を有し、保護
層や記録層にクラックを生じさせたり、記録層を酸化さ
せることが極めて少ない盪産性に富んだ密着貼り合わせ
構造の光記録媒体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光記録媒体は、光を用いて記録、再生または消
去を行なう光記録媒体の密着貼り合わせ構造において、
透光性支持体上に少なくとも一層以上の薄膜層が形成さ
れており、接着層が少なくとも２９０　ｎｍから４５０
ａｍの波長の光に対して有効励起波長域を有するラジカ
ル重合系の光重合開始剤を含み、その光重合開始剤の前
述の有効励起波長域の光線透過率がａ、０３パ一セント
以上である層を透過した前述の有効励起波長域の光によ
り前述の接着層が硬化したことを特徴とする。

本発明において、嫌気硬化性触媒はラジカル重合系の光
重合開始剤の５分の１モルパーセント以上含まない理由
は、５５＋０１モルパーセント以上含むと嫌気硬化性の
効果が出て、機械を用いた塗布が難しく、記録層の酸化
も多くなり、ピットエラーレートが低下するためである
。また、本発明では樹脂基体からなる透光性支持体を用
いているので、２９Ｑｎｍより短い波長の光は吸収され
て透過しないので接着層の硬化には寄与しない。また、
４５１１）ｙｓｍより長い波長の光に対して有効励起波
長域を有するものは可視光でラジカルを発生するので不
安定であり取扱いづらく、本発明の用途には向か°ない
１本発明における２９０３ｍから４５０ｎｍの波長の光
に対して有効励起波長域を有するｙｅ重合開始剤は、硬
化に用いる光源に合わせて用−るとよい０例えば５６５
７−那付近の波長の光を鏝もよく出す高圧水銀笛を光源
として用いる場合は、５６５Ｗｍ付近の波長に有効励起
波長域を有する光重合開始剤を用いるとよい、このとき
、透光性支持体、第１保護層、記録層及び第２保Ｗ！Ｉ
ＩＭを通過する５６５Ｗｍ付近の波長光の透過率は１０
３パーセント以上であれば硬化には問題ない、一般的に
ｙｅ重合開始剤の多くは２９Ｑｎｍｊり短い波長の光に
対しても有効励起波長域を有するものがあるが、２９０
３ｍより短い波長の光は樹脂基体が吸収するために、光
重合開始剤の他に分光増感剤などを加えて、接層層の硬
化の効率を上げてやると接層層が効率よく硬化するよう
になる。

〔実施例〕

第１図（α）から第７図は本発明の光記録媒体の基本構
成図である。

第１図（α）に示す円で囲った部分を拡大して示したの
が第１図（ｂ）であるが、１は１２ｍｍ厚さのディスク
状のｌリカーボネートの透光性支持体であり、ニッケル
のスタンパを用いた射出成形により第１図（ｂ）に示す
ように１．６μピツチでスパイラル状のトラッキング用
の溝が形成されたものである。２は１の透光性支持体上
に直接成膜された５ｉＡｔＮの第１保護層であり、初期
真空度１０−’　Ｔ　Ｏｒ　ｒ以下で、硅素７０重社パ
ーセントでアルミニウム５０重社パーセントの合金ター
ゲットを用いて、窒素２０パーセント、アルゴン８０パ
ーセントの混合ガスを導入して１．５　ｍ　Ｔ　Ｏｒｒ
にしてＩＫＷのパワーを印加することによるＤｏ反応マ
グネトロンスパッタリング法により８００１成膜したも
のである。３はＮｄＤｙ？ｅＯＯＴｉの記録層であり、
２の第１保護層を逆スパツタした後、真空系を１０””
Ｔｏｒｒ以下にしてアルゴンガスな導入して１．４　ｍ
　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒとして８００Ｗのパワーを印加するこ
とによるＤｏマグネトロンスパッタリング法により３７
０又成膜したものである。４は５ｉＡｔＮの第２保護層
であり、２と同様に真空系を１０−６以下にして硅素７
０重社パーセントでアルミニウム３０重量パーセントの
合金ターゲットを用いて窒素１５パー七ント、アルゴン
８５パーセントの混合ガスを導入して１、５　ｍ　Ｔ　
Ｏｒ　ｒに″してＩＫＷのパワーを印加することによる
］）Ｃ反応マグネトロンスパッタリング法により１ｓｏ
ｏＸ成膜したものである。５は本発明になる接着層であ
り、ヘキサンジオールジアクリレート６５部、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート３０部の混合物にチバ
ガイギー社製イルガキ為ア９０７を５部添加したものを
透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗布した後
真空系に置いて貼り合わせて、高圧水銀笛により紫外線
を照射して硬化させたものである。６は１と同様な方法
により作成したポリカーボネートの透光性支持体である
。７は２と同様な方法により成膜したＳｉＡ／、Ｈの第
１保護層である。８は３と同様な方法により成膜したＮ
　（Ｌ　Ｄ　ｙ　ＩＦ　５ｏｏＴｉの記録層である。９
は４と同様な方法により成膜した８　ｉ　Ａ　ｔＮｆ）
第２保護層である。１０は透光性支持体の内周側にある
接着層が直接つく部分である。１１は透光性支持体の外
局側にある接着層上ｔ☆橘＾ノ館八へｆ＆七−１り神→
ｎＬｒ＃ｌ＾Δ−各透光性支持体の内周側にある接着層
が直“接つく部分である。１３は１１と向い合った透光
性支持体の外Ｐ４側にある接着層が直接つく部分である
。

１４はディスクのセンターホールである。

第２図の１５は第１図の１と同様に、Ｌ２ｍ厚さのディ
スク状の透光性支持体であり、ニッケルのスタンパを用
いる射出成形により１．６μピツチでスパイラル状のト
ラッキング用の溝が形成されたものである。１６は１５
の透光性支持体上に直接成膜された５ｉＡＩＮの第１保
護層であり、第１図の２と同様に、初期真空度Ｉ　Ｐ＠
Ｔ　Ｏｒ　ｒ以下で硅素７０重社パーセントでアルミニ
ウム３０重鷺パーセントの合金ターゲットを用いて、窒
素２０パーセント、アルゴン８０バーセントノ混合ガス
を導入して１−５　ｍ　Ｔ　Ｏｒ　ｒとしてＩＫＷのパ
ワーを印加することによるＲＩＦ反応マグネトロンスパ
ッタリング法により８５０Ｘ成膜したものである。１７
はＧｄＴｂ？ｅＣｏＴｉの記録層であり、１６の第１保
護層を逆スパツタした後、真空系を１０−’Ｔｏｒｒ以
下にしてアルゴンガスを導大して１．５　ｍ　Ｔ　ｏ　
ｒ　ｒとしてＧｄＴｂ’Ｉ’ｉの合金ターゲットに３０
０Ｗ、？ｅＣｏの合金ターゲットにＩＫＷのパワーを印
加することによるＤＣ同時スパッタリング法により４０
０′ｊ−成膜したものである。１８は５ｉＡｔＮの第２
保護層であり、１６の第１保護層と同様に真空系を１０
″″＠Ｔｏｒｒ以下にして硅素７０重にパーセントでア
ルミニウム３０重社パーセントの合金ターゲットを用い
て窒素１５パーセント、アルゴン８５パーセントの混合
ガスを導入して１．５　ｍ　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒにして１Ｋ
Ｗのパワーを印加することによるＤＣ反応マグネトロン
スパッタリング法により１５５０′ｊ−成膜したもので
ある。１９は本発明になる接着層であり、ネオペンチル
グリコールジアクリレート６０部。

ジペンタエリスリトールへ午すアクリレート２０部、ジ
エチレングリコールジアクリレート１５部の混合物にベ
ンジルジメチルケタール３部とベンジル２ｗｋを添加し
たものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に真
空系内で塗布した後貼り合わせて高圧水銀燈により紫外
線を照射して硬化させたものである。２０は１５と同様
な方法により作成したポリカーボネートの透光性支持体
である。２１は１６と同様な方法により成膜した５ＩＡ
ＬＮの第１保護Ｉ響である。２２は１７と同様な方法に
より成膜したＧｄＴ１）ＦｅＯｏＴｉの記録層である。

２３は１８と同様な方法により成膜したＳｉＡ／、Ｈの
第２保護層である。２４は透光性支持体の内周側にある
接着層が直接つく部分である。２５は透光性支持体の外
周側にある接着層が直接つく部分である。２６は２４と
向い合った透光性支持体の内ｌｌ！ｉｌ側にある接着層
が直接つく部分である。２７は２５と向いあった透光性
支持体の外周側にある接着層が直接つく部分である。２
８はディスクのセンターホールである。

第５図の２９は１．２　ｒｍ厚さのディスク状のポリカ
ーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタンパ
を用いた射出成形により１．７μピツチでスパイラル状
のトラッキング用の溝が形成されたものである。３０は
５ｉＡＡＮＯの第１保護層であり、初期真空度１０−”
　Ｔ　Ｏｒ　ｒ以下にして、硅素６０重量パーセントで
アルミニウム４０重社パーセントの合金ターゲットを用
いて、窒素２０パーセント、酸素１パーセント、アルゴ
ン７９パーセントの混合ガスを導入して１．４　ｍ　Ｔ
　ｏ　ｒ　ｒにしてＩＫＷのパワーを印加することによ
るＲ１Ｆ１部マグネトロンスパッタリング法によりａｓ
ｏＬ成展したものである。３１はＧｄＴｂ？ｅの記録層
であり、３０の第１保護層を逆スパツタした後、真空系
を１０−’　Ｔ　Ｏｒ　ｒ以下にしてアルゴンガスを導
入して１．５　ｍ　Ｔ　Ｏｒ　ｒとして、９９．９９パ
一セント純度の鉄のターゲットの上に５Ｗ角と１Ｃ１１
１角のガドリニウムとテルビウムのベレットを置−た状
態でＩＫＷのパワーを印加することにより３ｏｏ１成膜
したものである。５２は５ｉＡｔＮＯの第２保護層であ
り、３０の第１保護層と同様に、硅素６０重量パーセン
トでアルミニウム４０重社パーセントの合金ターゲット
を用−で、窒素１８パーセントの混合ガスを導入して１
．５　ＦＩＬ　Ｔ　Ｏｒｒにして８００Ｗのパワーを印
加することによ２１Ｆｔ’１！反応マグ木トロンスパッ
タリング法により１ｏｏｏｉ成膜したものである。３３
はアルミニウムの反射膜であり、真空系を１０−’Ｔｏ
ｒｒ以下にしてアルゴンガスを導入して２ｍ’ｒｏｒｒ
として、アルミニウムのターゲットを用いた′Ｄｃマグ
ネトロンスパッタリング法により６ｏｏＸ成膜したもの
である。３４は本発明になる接着層であり、１．４−ブ
タンジオールシアクシレート６０部、トリエチレングリ
コールジアクリレート２０部、ジペンタエリスリトール
へキサアクリレート１５部、フッ素変成アクリレート１
部の混合物に、ベンゾインイソブチルエーテル２部とベ
ンジルジメチルケタール２部を添加したものを、貼り合
わせる片方の透光性支持体の記録層が成膜されている側
に塗布した後、真空系に置いて貼り合わせて、高圧水銀
燈により紫外線を照射して硬化させたものである。３５
は２９と同様な方法により作成したぎりカーボネートの
透光性支持体である。

３６は３０と同様な方法により成膜したＳｌＡＬＭＯの
第１保護層である。３７は３１と同様な方法により成膜
したＧｄＴｂ１Ｆｅの記録層である。

３日は３２と同様な方法により成膜したＳｉＡ／。

ＮＯの第２保護層である。３９は３３と同様な方法によ
り成膜したアルミ＋ウムの反射膜である。

４０は透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。４１は透光性支持体の外周側にある接着層が
直接つく部分である。４０は３８と向いあった透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。４３
は４１と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。４４はディスクのセンターホー
ルである第４図の４５は１．２閣厚さのディスク状のエ
ポキシの透光性支持体であり、酸硬化型のエポキシ樹脂
を注型成形により作成したものである。４６は２Ｐ層で
あり、本発明の特許請求の範囲で述べた中間層というこ
とになるが、ニッケルのスタンパを用φて１．６５μピ
ツチのスパイラル状の溝を形成したものである。４７は
ＳｉＮの第１保護層であり、４６の２Ｐ層を逆スパツタ
した後、真空Ｘヲ１０−”　’Ｌ’　ｏ　ｒ　ｒ以下に
して、アルゴンガスな導入して２ｍ’ｒｏｒｒとして、
窒化硅素の焼結体ターゲットを用いて、ｓｏｏｗのパワ
ーを印加することによるＲ　？’マグネトロンスパッタ
リング法により１ｏｏｏｉ成膜したものである。４８は
Ｔｂ１ＦｅＣＯの記録層であり、４７の第１保ＢＩＩＭ
を逆スパツタした後、真空系を１０−’　Ｔ　ｏ　ｒ　
ｒ以下にしてアルゴンガスな導入して１．６　ｍ　Ｔ　
Ｏｒ　ｒとして、９９．９５パ一セント純度鉄−コバル
トのターゲット上に５■Ｘ５ｍＸ１ｍ＋のテルビウムの
ペレットを置いた状態で５００Ｗのパワーを印加するこ
とによるＤＣマグネトロンスパッタリング法により４０
０１成膜したものである。４９はＳＩＮの第２保護層で
あり４７の第１保護層と同様ニ、真空系を１０”＠Ｔｏ
ｒｒ以下にして、アルゴンガスを導入して２ｒｙｔ’ｒ
ｏｒｒとして、窒化硅素の焼結体ターゲットを用いて６
００Ｗのパワーを印加することによるＲＩＦマグネトロ
ンスパッタリング法により１５００Ｘ成膜したものであ
る。

５０は本発明になる接着層であり、１，６−へキサンジ
オールジアクリレート３０部、トリメチロールプロパン
トリアクリレート３０部１日本化薬製０ＡＹＡＲＡＤ　
　Ｒ１２８を２０部、ネオペンチルグリコールジアクリ
レート１５部の混合物にチバガイギー社製イルガキエア
９０７を５部添加したものを透光性支持体の記録層が成
膜されている側に塗布した後、真空系に置−て貼り合わ
せ、て高圧水銀笛により紫外線を照射して硬化させたも
のである。５１は４５と同様な方法により作成したエポ
キシの透光性支持体である。５２は４６と同様な方法に
より作成した２Ｐ層である。５３は４７と同様な方法に
より成膜したＳｉＮの第１保瞼層である。５４は４８と
同様な方法により成膜したＴｂＦｅ０ｏの記録層である
。５５は４９と同様な方法により成膜した８１Ｎの第２
保護層である。５６は透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分である。５７は透光性支持体の外周側
にある接着層が直接つく部分である。５８は５６と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。５９は５７と向−合く部分である。６０はデ
ィスクのセンターホールである。

第５図の６１は１．２簡厚さのディスク状のぎりメチル
メタクリレートの透光性支持体であり、ニッケルのスタ
ンパを用いた射出成形により１・６μピツチでスパイラ
ル状のトラッキング用の溝が形成されたものである。６
２はＡ／、’Ｎｏの第１保護層であり、６１のポリメチ
ルメタクリレートの透光性支持体を逆スパツタした後、
真空系を１０″″ＳＴｏ　ｒｒ以下にして、アルゴンガ
スな導入して３ｍＴＯｒｒとして、ＡｔＮ０の焼結体タ
ーゲットを用いるＲ７マグネトロンスパッタリング法に
より１ｓｏｏｉ成膜したものである。６３はＴｅ−Ｔｅ
Ｏｘの記録層であり、６２のＡｔＮ０の第１保護層を成
膜した後真空系を１０″″″’ｘｏｒｒ以下ニジて、ア
ルゴン９０パーセントで酸素１０パーセントの混合ガス
を導入して５ｍＴｏｒｒとして、Ｔｅのターゲットを用
いるＲＩＦ反応マグネトロンスパッタリング法により１
ｏｏｏ１成膜したものである−　６４はＡｔＮ０の第２
保縛層であり、６２と同様に真空系を１０−’Ｔｏｒｒ
以下にして、アルゴンガスを導入して！５ＦＩＴＯｒｒ
として、ＡｔＮ０の焼結体ターゲットを用いるＲ１マグ
ネトロンスパッタリング法により１ｓｏｏ′ｊ−成膜し
たものである。６５は本発明になる接着層であり、テト
ラヒドロ７リルアクリレート２０部、１゜６−ヘキサン
ジオールジアクリレート３０部、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート２０部、ジペンタエリスリトール
へキサアクリレート２５部の混合物にチバガイギー社製
イルガキュア９０７を５部添加したものを、貼り合わせ
る片方の透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗
布した後、真空系に置いて貼り合わせて、高圧水銀笛に
より紫外線を照射して硬化させたものである。６６は６
１と同様な方法により作成した〆リメチルメタクリレー
トの透光性支持体である。

６７は６２と同様な方法により成膜したＡｔＮ０の第１
保護層である。６８は６３と同様な方法により成膜した
Ｔ　ｅ　−Ｔ　ｅ　Ｏｘの記録層である。

６９は６４と同様な方法により成膜したｆｓ２保護層で
ある。７０は透光性支持体の内周側にある接着層が直接
つく部分である。７１は透光性支持体の外周側にある接
着層が直接つく部分である。

７２は７０と向９合りた透光性支持体の内周側にある接
層層が直接つく部分である。７３は７１と向い合った透
光性支持体の外周側にある接着層が直接つく部分である
。７４はディスクのセンターホールである。

第６図に示す光記録媒体は第１図に示す光記録媒体と全
く同一の条件で作成したものであるが、７７及び８２の
ＮｄＤｙ１ＦｅＯＯＴｉの記録層の側端面が保護層で覆
われた形になっている。７５及び８０がポリカーボネー
トの透光性支持体、７６及び８１が５ｉＡｔＮの第１保
護層、７８及び８３が３１ＡｔＮの第２保護層、７９が
本発明になる接着層、８４及び８６が透光性支持体の内
周側にある接着層が直接つく部分であり、８５及び８７
が透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく部分で
あり、８８がディスクのセンターホールである。

次に、本発明になる接着層の硬化について説明する。第
１図（α）から第６図に示す構成の光記録媒体の接着層
の硬化に５６５ｎｍ付近の波長を最もよく出す高圧水銀
笛を用いる場合に透光性支持体上に中間層を介しである
いは介さずして第１保護層、記録層、第２保護層の順に
成膜したとき、透光性支持体の記録層が成膜されて−な
一側からの５６５３７７１付近の光の透過率は第３図に
示す構成で最も低くｃＬ１パーセントであった。ｌ１１
パ一セント程度の低い透過率でも接着層の硬化は十分で
あった。第７図に、第１図に示す構成の光記録媒体にお
いて、記録層の厚さを変えたときの３６５ｎｍの光の透
過率と接着層のゲル分率との関係を示す。このとき光源
として５６５＆ｍ付近の波長を最もよく出す高圧水銀笛
を用−て接着層を硬化させ、透過率の測定は分光光度計
を用−で行なった。第７図の結果かられかるように、透
過率力（Ｉ　Ｑ　３バ一セント程度であれば、接着層の
ゲル分率が９ａパ一セント以上になるため、接着層のＪ
ｉｆｆ　ｔＩ／Ｌ−Ｌ−１−μ　／Ａ　ｄ　丸　ス　：
”　　Ｊ−清；　ｈａｓ　ス　　　＝　　Ｆｓ　　１．
　　ｊ）　−一１１５として用いた高圧水銀笛は５６５
１Ｌｍ以外に、２９０１％那から４５０ｎｍの波長の光
として、２９フル罵、３０１ル扉、３１３ルｍ、５５４
ルｍ。

４０６ｎｍ、４５６ル扉付近の光も出しているが、透光
性支持体がポリカーボネートであるため２９７ｎｔｎ、
ＳＯ１ｒｂｍ付近の光はほとんど透過せず、５１ｓｆ＆
ｍ付近の光の透過率もほとんどない、さらに４０６ル風
付近の光は光重合開始剤の有効励起波長域であるが、励
起率はきわめて低く、４５６ｎｍ付近の光は光重合開始
剤の有効励起波長域を越えているので、第１図に示す構
成の光記録媒体で接着層の硬化に寄与したのはほとんど
５６５ｎｍ付近の波長の光によるものと考えられる尚、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本
発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能である。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば以下の効果な有す。

（１）　　接着層の硬化に用いる光源の透過率が１０３
パーセン）１度で接゛着層の硬化が可能であるので、透
光性支持体と記録層等を通過した光でも接着層を硬化さ
せることが可能となり、光記録媒体の両面を用いて記録
、再生を行なう構成が可能となる。

（２）　　ラジカル重合系の接着層とすることでエポキ
シ系の接着剤イオン重合系の接着剤あるいは嫌気硬化性
接着剤等で用いられる記録層を酸化させやすい酸触媒、
イオン重合系触媒あるいは嫌気硬化性触媒をほとんど含
まないため、記録層の酸化を完全に防ぐことができる（
３）接着層に気泡が全く入らないようにすることが可能
なため、第１保護層、記録層、第２保護層の次に接着層
がくる簡単な構成が可能となる。

（４）　ホットメルト型の接着剤のように接着層の硬化
のとき透光性支持体に圧力をかけたり、エポキシの接着
剤のように透光性支持体に熱と圧力をかけたりしなくて
よいので、透光性支持体を熱で変形させたり、圧力で光
学的歪を与えたりすることが少ない。

（５）比較的低粘度の接着剤がつくれるため作業性に優
れる。また、嫌気硬化性が弱いので機械を用いた塗布が
可能である。さらに、接着層の硬化が秒単位ですむため
量産性に擾れる（６）密着貼り合わせ構造であるため機
械的強度が強く、エアサンドイッチ構造のように温湿度
の変化に伴う透光性支持体の変形による保護層や記録層
にクラックを生じるということがない。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）（ｂ）〜第６図は本発明の光記録媒体の基
本構成図である。第７図は、第１図（α）において記録
層の膜厚を変えて５６５ｒＬｍの尤の透過率を変えたと
きの接着層のゲル分率を示す図である。１・・・・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体
２・・・・・・・・・５ｉＡｔＮの第１保護層３・・・
・・・・・・ＮｄＤｙ１ＦｅＣｏＴｉの記録層４・・・
・・・・・・５ｉＡＡＮの第２保護層５・・・・・・・
・・接着層６・・・・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体
７・・・・・・・・・ＳｉＡ／、Ｎの第１保護層８・・
・・・・・・・ＮｄＤｙ？ｅＯＯＴｉの記録層９・・・
・・・・・・５ｉＡｔＮの第２保護層１０・・・・・・
内周側の接着層が直接つく部分１１・・・・・・外周側
の接ＭＪｇＪが直接つく部分１２・・・・・・内周側の
接着層が直接つく部分１３・・・・・・外周側の接着層
が直接つく部分１４・・・・・・ディスクのセンターホ
ール１５・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体
１６・・・・・・Ｓ　ｉ　ＡｔＮの第１保護層１７・・
・・・・ＧｄＴｂ１ＦｅＯＯＴｉの記録層１８・・・・
・・５ｉＡｔＮの第２保護層１９・・・・・・接着層２０・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体２１
・・・・・・５ｉＡｔＮの第１保護層２２・・・・・・
Ｇ（ｌτｂｌＦｅｏｏＴｉの記録層２３・・・・・・８
１ＡｔＮの第２保護層２４・・・・・・内周側の接着層
が直接つく部分２５・・・・・・外周側の接着層が直接
つく部分２６・・・・・・内周側の接着層が直接つく部
分２７・・・・・：外周側の接着層が直接つく部分２８
・・・・・・ディスクのセンターホール２９・・・・・
・ポリカーボネートの透光性支持体３０・・・・・・３
１ＡｔＮＯの第１保護層３１・・・・・・ＧｄＴｂＦｅ
の記録層３２・・・・・・３１ＡｔＮＯの第２保護層３
３・・・・・・アルミニウムの反射膜５４・・・・・・
接着層３５・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体３６
・・・・・−８ｉＡＪ、Ｎｏの第１保護層３７・・・・
・・ＧｄＴｔ）？θの記録層５８・・・・・・Ｓｉ　Ａ
ｔＮ　Ｏの第２保護層３９・・・・・・アルミニウムの
反射膜４０・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分
４１・・・・・・外周側の接着層が直接つく部分４２・
・・・・・内周側の接層層が直接つく部分４３・・・・
・・外周側の接着層が直接つく部分４４・・・・・・デ
ィスクのセンターホール部分４５・・・・・・ポリカー
ボネートの透光性支持体４６・・・・・・２Ｐ層４７・・・・・・ＳｉＮの第１保！ｉ層４８・・・・・
・Ｔｂ１ＦｅＯｏの記録層４９・・・・・・ＳｉＮの第
２保護層５０・・・・・・接着層５１・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体５２
・・・・・・２Ｐ層゛５３・・・・・・ＳｉＮの第１保護層５４・・・・・・Ｔｂ１ＦｅＣｏの記録層５５・・・・
・・ＳｉＮの第２保護層５６・・・・・・内周側の接層層が直接つく部分５７・
・・・・・外周側の接着層が直接つく部分５８・・・・
・・内周側の接ＭＷＩが直接つく部分５９・・・・・・
外周側の接層層が直接つく部分６０・・・・・・ディス
クのセンターホール部分６１・・・・・・ポリメチルメ
タクリレートの透光性支持体６２・・・・・・ＡｔＮ０の第１保護層６５−−　Ｔ　
ｅ　−Ｔ　ｅ　Ｏｘの記録層６４・・・・・・Ａ／、Ｎ
ｏの第２保趙層６５・・・・・・接着層６６・・・・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支
持体６７・・・・・・ＡｔＮ０の第１保論層６８・・・・・
・Ｔ　ｏ　−Ｔ　ｅ　Ｏｘの記録層６９・・・・・・ｋ
ｔＮｏの第２保護層７０・・・・・・内局側の接着層が
直接つく部分７１・・・・・・外周側の接Ｎ層が直接つ
く部分７２・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分
７３・・・・・・外周側の接着層が直接つく部分７４・
・・・・・ディスクのセンターホール部分７５・・・・
・・ポリカーボネートの透光性支持体７６・・・・・・
５ｉＡＡＮの５１ｇ１保画層７７　＝　−Ｎ　ｄ　Ｄ　
ｙ　７　ｅ　ＯＯＴ　ｉの記録層７８・・・・・・３１
Ａ／、Ｍの第２保護層７９・・・・・・接着層８０・・・・・・キリカーボネートの透光性支持体８１
・・・・・・５ｉＡｔＮの第１保獲層８２−−　Ｎ　ｄ
　Ｄ　ｙ　Ｆ　ｅ○ｏＴｉの記録層８３・・・・・・５
ｉＡｔＮの第２保護層８４・・・・・・内周側の接層層
が直接つく部分８５・・・・・・外周側の接着層が直接
つく部分８６・・・・・・内）ｔｉＩＯ［Ｉの接着層が
直接つく部分８７・・・・・・外周側の接着層が直接つ
く部分８８°°°°°°デイスクのセンターホールＷ分
以上出願人　セイコーエプソン株式会社代理人　弁理士最上筋（他１名）葡！５回ＱＯＴ　　０４０ａ０４　０ｊ　　　　　Ｏに　　１−
ｏ　　７．（）３７５轡光め遮遁辛

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録
媒体の密着貼り合わせ構造において、透光性支持体上に
少なくとも記録層を含む一層以上の薄膜層が形成されて
おり、接着層が少なくとも２９０ｎｍから４５０ｎｍの
波長の光に対して有効励起波長域を有するラジカル重合
系の光重合開始剤を含み、該光重合開始剤の前記有効励
起波長域の光線透過率が０．０３パーセント以上である
層を透過した前記有効励起波長域の光により前記接着層
が硬化したことを特徴とする光記録媒体。
（２）前記光記録媒体の前記接着層に前記光重合開始剤
の５分の１モルパーセント以上の嫌気硬化性触媒を含ま
ないことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録媒体。
（３）前記光記録媒体において、前記薄膜層がセラミッ
クスからなる保護層により前記記録層を挾み込んだ構成
になつていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。
（４）前記光記録媒体において、前記記録層以外の金属
薄膜を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。
（５）前記光記録媒体において、前記透光性支持体上に
射出成形または２Ｐ法によりトラッキング用の溝又はピ
ットを配したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。