JPS63171444A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体の密着貼り合わせ構造に関する。

〔従来の技術〕

従来の光記録媒体は特開昭６°０−１０１７３７、特開
昭６０−１１５３４．実開昭６０−８５７２６、特開昭
６１−８０５３５などにあるようにエアサンドイッチ構
造をとったり、特開昭５７−５０５５７　、特開昭６０
−１８２０５５　、特開昭６１−５４．５０．特開昭６
０−５４５２などにあるように密着貼り合わせ構造をと
ったりしていた。また、接着層としては特開昭６０−１
８５２３５のようにエポキシ系の接着層を用いたりして
いた。また、接着の方法として、接着剤をロールコート
、スピンコードなどして塗布した後、熱と圧力または圧
力をかけて硬化させることがこころみられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術ではエアサンドイッチ構造ある
いは密着貼り合わせ構造がとられているが、エアサンド
イッチ構造は空気層を挾んでいるため機械的強度が弱く
、記録層自身が耐酸化性が強いものか記録層の耐酸化性
のための強固な保護が必要であるが、記録層の耐酸化性
のための保護層としてセラミックスを用瞬ると機械的強
度の弱さに起因する温湿度の変化による基板変形でセラ
ミックス層にクラックを生じやすくなり、セラミックス
層は用いることができない。また、密着貼り合わせ構造
においてエポキシ系の接着剤を用いると、保護層を介し
て貼り合わせたとしても保護層のピンホールからエポキ
シ系の接着剤の中の酸触媒が浸透して記録層を酸化させ
る。あるいは、接着剤の中に嫌気硬化性を付与したり、
イオン重合系の触媒を用いると、嫌気性触媒あるいはイ
オン重合系の触媒が、上述のエポキシ系の接着剤の中の
酸触媒と同様に、保護層のピンホールから浸透して記録
層を酸化させる。さらに、嫌気硬化性を付与した接着剤
は機械を用いて塗布しようとしたり、真空系内で貼り合
わせようとすると、機械中でゲル化しやすく、真空中で
もゲル化しやすいため均一に塗布させるための制御が非
常に難しい。また、ｕＦ剤をロールコート、スピンコー
ドなどして塗布した後熱と圧力または圧力をかけて硬化
させることにより、透光性支持体として用いる樹脂を変
形させたり、記録層や保護層にクラックを生じやすい。

また、従来の接着方法では接着層の中に多くの気泡が残
り、その気泡の影りにより光学的ばらつきや、熱伝導率
の違いによる記録ビットの形状が均一にならないと−う
問題点を有していた。

そこで本発明はこのような問題点を解決するものでその
目的とするところは、充分な機械的強度を有し、保護層
や記録層にクラックを生じさせたり、記録層を酸化させ
ることが極めて少ない量産性に富んだ密着貼り合せ構造
の光記録媒体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光記録媒体は、光を用いて記録、再生または消
去を行なう光記録媒体の密着貼り合わせ構造において、
接着層の主成分がアクリレート基を有する単官能アクリ
ンート、多官能アクリレート、変成アクリレートあるい
はアクリレート基を有するオリゴマーから選ばれた１種
または２種以上の混合物であることを特徴とする。゛本
発明ではラジカル重合系の光重合開始剤の有効励起波長
域を少なくとも２９０ｎｍから４５０ｎｍに有すると限
定しているが、透光性支持体が樹脂基体であるため２９
０ｎｍより短い波長の光は樹脂基体に吸収され透過しな
いので２９０ｎｍより短−波長の光は実質的に硬化に寄
与しなく、−４５０がｍより長い波長の光でラジヵをを
発生するものは非常に不安定なものであり、作業性が悪
くなるためである。ラジカル重合系光重合開始剤は少な
くとも２９０３ｍから４５０３ｍに有効励起波長域を有
すればよいが、硬化に用いる光の発生源に合わせて開始
効率が高くなるように設定した方がよ−。例えば、５６
５ｎｍの波長の光を最もよく出す高圧水銀笛などを用い
る場合は３６５５ｍの波長の光に対して有効励起波長域
を有・するものを用−ればよい。嫌気硬化性触媒はラジ
カル重合系の光重合開始剤の５分の１モルパーセント以
上含むと、嫌気硬化性触媒の硬化が出て、機械で塗布す
ることが難しく、記録層の酸化も多くなり、長期信頼性
がなくなるため、５分の１モルパーセント以上含まない
方がよい。

また、本発明で用いるアクリレート基を有する単官能ア
クリレート、多官能アクリレート、変成アクリレートあ
るいはアクリレート基を有するオリゴマーから選ばれた
１種または２種以上の混合物は、塗布や硬化に問題が出
ない程度にメタアクリレート基、ニゲキシ基、水酸基、
カルボキシル基等を有するうのを添加して慢かまわない
が、エチレングリコールジアクリレート、テトラヒドロ
フリルアクリレート、テトラエチレングリコールジアク
リレート、１．６−ヘキサンジオールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリアクロキ
シエチルフォスフェート、ヒドロキシピクリン酸ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、ペンタ−トリアクリレ−）　、
　　、１　、４−ブタンジオールジアクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、テトラメチロール
メタンテトラアクリレート、ビスジエチレングリコール
フタレートジアクリレート、ビスフェノール人ジオキシ
ジエチレングリコールエーテルのジアクリレート、ビス
フェノールＡジグリシジルエーテルのジアクリレート、
ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、フッ素変
成アクリレート、硅素変成アクリレートなどを用いると
よく、これらの１種または２種以上の混合物の粘度を２
５℃で２００センチダイズ以下に配合して用いると作業
性に優れるが均一塗布のためには２５℃で１００センチ
ボイス以下に配合する方がよい。

〔実施例〕

第１図（α）から第７図体本発明の光記録媒体の基本構
成図である。

第１図（α）に示す円で囲った部分を拡大して示したの
が第１図（ｂ）であるが、１は１．２−ｍ厚さのディス
ク状のポリカーボネートの透光性支持体であり、ニッケ
ルのスタンパを用いた射出成形により第１図（Ａ）に示
すように１．６μピツチでスパイラル状のトラツ午ング
用の溝が形成されたものである。２は１の透光性支持体
上に直接成膜されたＳｉＡ／、Ｈの第１保護層であり、
初期真空度１−０″″’ＴＯｒｒ以下で、硅素７０３ｉ
ｉｌパーセントでアルミニウム３０重量パーセントの合
金ターゲットを用いて、窒素２０パーセント、アルゴン
８０パーセントの混合ガスを導入しテ１．５　ｒＩＬ’
Ｌ’　。

ｒｒにしてＩＫＷのパワーを印加することによるＤＣ反
応マグネトロンスパッタリング法により８００大成膜し
たものである。６はＮｄＤｙ７ａＯｏＴｉの記録層であ
り、２の第１保護層を逆スパツタした後、真空系を１０
″″”ｒｏｒｒ以下にしてアルゴンガスを導入して１．
４　ｍ　Ｔ　Ｏｒ　ｒとして８００Ｗのパワーを印加す
ることによるＤｏマグネトロンスパッタリング法により
５７ｏ１成膜したものである。４は８１ＡｔＨの第２保
誰層であり、２と同様に真空系を１０−６以下己して硅
素７０重鑓パーセントでアルミニウム３０重量パーセン
トの合金ターゲットを用いて窒素１５パーセント、アル
ゴン８５パーセントの混合ガスを導入して１、５　ｍ　
Ｔ　Ｏｒ　ｒにしてＩＫＷのパワーを印加することによ
るＤＣ反応マグネトロンスパッタリング法により１ｓｏ
ｏｉ成膜したものである。５は本発明になる接着層であ
り、ヘキサンジオールジアクリレート６５部、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート３０部の混合物にチバ
ガイギー社製イルガキュ゛ア９０７を５部添加したもの
を透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗布した
後真空系に置いて貼り合わせて、高圧水銀笛により紫外
線を照射して硬化させたものである。６は１と同様な方
法により作成したポリカーボネートの透光性支持体であ
る６　７は２と同様な方法により成膜した８１ＡＡＮの
第１保論層である。８は３と同様な方法により成膜した
ＮｄＤｙ１ＦａＣＯＴｉの記録層である。９は４と同様
な方法により成膜したＳ、１ＡｔＨの第２保護層である
。１０は透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく
部分である。１１は透光性支持体の外周側にある接着層
カー直接つく部分である。１２は１０と向９合つた透光
性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。

、１３は１１と向い合った透光性支持体の外周側にある
接着層が直接つく部分である。

１４はディスクのセンターホールである。

第２図の１５は第１図の１と同様に、１．２　ｍ厚さの
ディスク状の透光性支持体であり、ニッケルのスタンパ
を用いる射出成形により１．６μピツチでスパイラル状
のトラッキング用の溝が形成されたものである。１６は
１５の透光性支持体上に直接成膜された５ｉＡｔＮの第
１保護層であり、第１図の２と同様に、初期真空度１０
−’Ｔｏｒｒ以下で硅素７０ｆｉｉパーセントでアルミ
ニウム３０型録パーセントの合金ターゲットを用−て、
窒素２０パーセント、アルゴン８０パー七ントの混合ガ
スを導入して１．５　ｍ　Ｔ　Ｏｒ　ｒとして１１ｍＷ
のパワーを印加することによるＲ？反応マグネトロンス
パッタリング法により８５０Ｘ成膜したものである。１
７はＧｄＴｂＦｅ０ＯＴｉの記録層であり、１ｓ６の第
１保護層を逆スパツタした後、真空系を１０−’Ｔｏｒ
ｒ以下にしてアルゴンガスを導入して１．５　ｍ　Ｔ　
Ｏｒ　ｒとしてＧｄ’ｌ’ｌ）’Ｉ’ｉの合金ターゲッ
トに５　Ｑ　ＯＷ　、　’Ｔ！　ｅ　Ｏｏの合金ターゲ
ットにＩＫＷのパワーを印加することによるＤＣ同時ス
パッタリング法により４００Ｘ成膜したものである。１
８はＳｉＡ／、Ｎの第２保護層であり、１６の第１保護
層と同様に真空系を１０−’　ＴＯｒｒ以下にして硅素
７０重量パーセントでアルミニウム３０重量パーセント
の合金ターゲットを用いて窒素１８パーセント、アルゴ
ン８５パーセントの混合ガスを導入して１．５　ｍ　Ｔ
　ｏ　ｒ　ｒにしてＩＫＷのパワーを印加することによ
るＤＯ反応マグネトロンスパッタリング法により１５５
０１成膜したものである。１９は本発明になる接着層で
あり、ネオペンチルグリコールジアクリレート６０部。

ジペンタエリスリトールへキサアクリレート２０部、ジ
エチレングリコールジアクリレート１５部の混合物にベ
ンジルジメチルケタール３部とベンジル２部を添加した
ものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に真空
系内で塗布した後貼り合わせて高圧水銀笛により紫外線
を照射して硬化させたものである。２０は１５と同様な
方法により作成したポリカーボネートの゛透光性支持体
である。２１は１６と同様な方法により成膜した５ＩＡ
ｔＮの第１保護層である。２２は１７と同様な方法によ
り成膜したＧｄ’Ｌ’ｂｌＦｅＯｏＴｉの記録層である
。２３は１８と同様な方法により成膜した５ｉＡｔＮの
第２保護層である。２４は透光性支持体の内周側にある
接着層が直接つく部分である。２５は透光性支持体の外
周側にある接着層が直接つく部分である。２６は２４と
向い合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つ
く部分である。２７は２５と向い合った透光性支持体の
外周側にある接着層が直接つく部分である。２８はディ
スクのセンターホールである。

第３図の２９は１．’　２　ｍ厚さのディスク状のｌリ
カーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタン
パを用いた射出成形によりトラッキング用のビットが形
成されたものである。３０は＋３１Ａｔｏｏ−の第１保
護層であり、初期真空度１０″″６Ｔｏｒｒ以下にして
、硅素６０重量パーセントでアルミニラ４４０重置パー
セントの合金ターゲラトラ用いテ、窒素２０パーセント
、ｆｊ１素１パー−ｔｒｙト、アルゴン７９パーセント
の混合ガスを導入して１．４　ｒＩＬＴ　Ｏｒ　ｒにし
てＩＫＷのパワーを印加することによるＲＩＦ反応マグ
ネトロンスパッタリング法により８５０又成膜したもの
である。３１はＧｄＴｂ１Ｆｅの記録層であり、３ｏの
第１保護層を逆スパツタした後、真空系を１０−”Ｉ’
Ｏｒｒ以下にしてアルゴンガスな導入して１．５　ｍ　
Ｔ　ｏ　ｒ　ｒとして、９９．９９パ一セント純度の鉄
のターゲットの上に５ＩＩ１１角のガドリニウムとテル
ビウムのペレットを置いた状態でＩＫＷのパワーを印加
することにより３００裏成膜したものである。５２は１
９１ＡｔＮＯの第２保護層であり、３ｏの第１保護層と
同様に、硅素６０重舷パーセントのアルミニウム４０重
量パーセントの合金ターゲットを用いて、窒素１８パー
セント、酸素２パーセント。

アルゴン８０パーセントの混合ガスを導入して１５　ｍ
　Ｔ　Ｏｒ　ｒにして８００Ｗのパワーを印加すること
によるＲ？反応マグネトロンスパッタリング法により１
ｏｏｏｉ成膜したものである。３３はアルミニウムの反
射膜であり、真空系を１０−６’ｒｏｒｒ以下にして、
アルゴンガスを導入して２ｓ’ｒｏｒｒとして、アルミ
ニウムのターゲットを用いたＤｏマグネトロンスパッタ
リング法により６００１成膜したものである。３４は本
１発明になる接着層であり、１，４−ブタンジオールジ
アクリレート６０部、トリエチレングリコールジアクリ
レー）　２０　［１ジペンタエリスリトールへキサアク
リレート１５部、フッ素変成アクリレート１部の混合物
に、ベンゾインイソブチルエーテル２部とベンジルジメ
チルケタール２部を添加したものを、貼り合わせる片方
の透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗布した
後、真空系に置いて貼り合わせて、高圧水銀燈により紫
外線を照射して硬化させたものである。３５は２９と同
様な方法により作成したぎりカーボネートの透光性支持
体である。３６は３０と同様な方法により成膜した５ｉ
ＡＡＮＯの第１保護層である。３７は３１と同様な方法
により成膜したＧ（ＬＴｂ７６の記録層である。３８は
３２と同様な方法により成膜した！９１ＡｔＮｏの第２
保護層である。３９は５３と同様な方法により成膜した
アルミニウムの反射膜である。４０は透光性支持体の内
周側にある接着層が直接つく部分である。４１は透光性
支持体の外局側にある接着層が直接つく部分である。

４０は３８と向い合った透光性支持体の内周側にある接
着層が直接つく部分である。４３は４１と向い合った透
光性支持体の外周側にある接着層がｔ接つく部分である
。４４はディスクのセンターホールである。

第４図の４５は１．２順厚さのディスク状のエポキシの
透光性支持体であり、酸硬化型のエポキシ樹脂を注型成
形により作成したものである。４６は２Ｐ層であり、本
発明の特許請求の筒口で述べた中間層ということになる
が、ニッケルのスタンパラ用ｖ−て１．６５μピツチの
スパイラル状の溝を形成したものである。４７はＳｉＨ
の第１保護層であり、４６の２Ｐ層を逆スパツタした後
、真空系を１０″″・ＴＯｒｒ以下にして、アルゴンガ
スを導入して２ｓ’ｒｏｒｒとして、窒化硅素の焼結体
ターゲットを用いて、ｓｏｏｗのパワーを印加すること
によるＲ７マグネトロンスパッタリング法により１ｏｏ
ｏｉ成膜したものである。４ＢはＴｂ１ＦｅＯｏの記録
層であり、４７の第１保護層を逆スパツタした後、真空
系を１０−’　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ以下にしてアルゴンガス
を導入して１．６ｍ　Ｔ　ｏ　ｒ　ｒとして、９９．９
５パ一セント純度鉄−コバルトのターゲット上に５　ｍ
　Ｘ　５　ｍ　Ｘ　１　ｍのテルビウムのペレットを置
いた状態で５００Ｗのパワーを印加することによるＤｏ
マグネトロンスパッタリング法によりａｏｏ′ｊ−成膜
したものである。４９はＳｉＨの第２保峨層であり４７
の＠１保護層と同様に、真空系を１０″″’　Ｔｏｒｒ
以下にして、アルゴンガスな導入して２ｍＴＯｒｒとし
て、窒化硅素の焼結体ターゲットを用いて６００Ｗのパ
ワーを印加することによるＲ？マグネトロンスパッタリ
ング法により１ｓｏｏＸ成膜したものである。

５０は本発明になる接着層であり、１，６へ午サンジオ
ールジアクリレート３０部、トリメチロールプロパント
リアクリレート３０部２日本化薬製０ＡＹＡＲＡＤ　　
Ｒ１２Ｂを２０部、ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート１５部の混合物にチバガイギー社製イルガキュア９
０７を５部添Ｕ口したものを透光性支持体の記録層が成
膜されている側に塗布した後、真空系に置いて貼り合わ
せて高圧水銀燈により紫外線を照射して硬化させたもの
である。５１は４５と同様な方法により作成したエポキ
シの透光性支持体である。５２は４６と同様な方法によ
り作成した２Ｐ層である。５３は４７と同様な方法によ
り成膜した３１Ｎの第１保護層である。５４は４８と同
様な方法により成膜したＴｂ１ＦｅＯＯの記録層である
。５５は４９と同様な方法により成膜したＳｉＨの第２
保論層である。５６は透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分である。５７は透光性支持体の外周側
にある接着層が直接つく部分である。５８は５６と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。５９は５７と向い合った透光性支持体の内周
側にある接着層が直接つく部分である。６０はディスク
のセンターホールである。

第°５図の６１は１．２団厚さのディスク状のポリメチ
ルメタクリレートの透光性支持体であり、ニッケルのス
タンパを用いた射出成形により１．６μピツチでスパイ
ラル状のトラッキング用の溝カ形成されたものである。

６２はＡｔＮ０の第１保護層であり、６１のボザメチル
メタクリＶ−トの透光性支持体を逆スパツタした後、真
空系を１０−・’ｒｏｒｒ以下にして、アルゴンガスを
導入して３ｍ’Ｉ’ｏｒｒとして、ＡｔＮ０の焼結体タ
ーゲットを用いるＲ７マグネトロンスパッタリング法に
より１５００Ｘ成膜したものである。６３はＴｅ−Ｔｅ
Ｏｘの記録層であり、６２のＡｔＮ０の第１保護層を成
膜した後真空系を１０−″Ｔｏｒｒ以下にして、アルゴ
ン９０パーセントで酸素１０パーセントの混合ガスを４
人して５ｍＴｏｒｒとして、Ｔｅのターゲットを用いる
Ｒ７反応マグネトロンスパッタリング法により１ｏｏｏ
Ｘ成膜したものである。６４はＡ／、ＮＯの＠２保融層
であり、６２と同様に真空系を１０″″’ＴＯ，ｒｒ以
下にして、アルゴンガスを導入して５２ｉＴＯｒｒとし
て、Ａ／、Ｎｏの焼結体ターゲットを用いるＲ？マグネ
トロンスパッタリング法により１５００Ｘ成膜したもの
である。６５は本発明になる接着層であり、テトラヒド
ロフリルアクリレート２０部、１゜６−ヘキサンジオー
ルジアクリレートｓ　ａｙ、７″トラメチロ一ルメタン
テトラアクリレート２０部。

ジペンタエリスリトールへキサアクリレート２５部の混
合物にチバガイギー社製イルガキエア９０７を５部添Ｄ
Ｏしたものを、貼り合わせる片方の透光性支持体の記録
層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置≠て貼
り合わせて、高圧水銀笛により紫外線を照射して硬化さ
せたものである。

６６は６１と同様な方法により作成したポリメチルメタ
クリレートの透光性支持体である。６７は６２と同様な
方法により成膜したＡ／ＬＮＯの第１保護層である。６
８は６５と同様な方法により成膜したＴ　ｅ　−Ｔ　ｅ
　Ｏｘの記録層である。６９は６４と同様な方法により
成膜した第２保護層である。７０は透光性支持体の内局
側にある接着層が直接つく部分である。７１は透光性支
持体の外周側にある接着層が直接つく部分である。７２
は７０と向い合った透光性支持体の内周側にある接着層
が直接つく部分である。７３は７１と向−合りた透光性
支持体の外周側にある接着層が直接つく部分である。７
４はディスクのセンターホールである。

第６図の７５は１．２　ｍ厚さのディスク状のポリカー
ボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタンパを
用いた射出成形により１．６μピツチでスパイラル状の
トラッキング用の溝が形成されたものである。７６はＳ
１０．の第１保一層であり、ｆ９１０．のペレットを用
−た真空蒸着法により６００裏成膜されたものである。

７７はシアニン系の有機色素の記録層であり、７６の８
１０．の第１保護層上にスピンコードにより成膜された
ものである。このとき記録層は、スピンコードであるた
め８４及び８６の透光性支持体の内周側にある接着層が
直接つく部分や８５及び８７の透光性支持体の外周側に
ある接着層が直接つく部分にまで広がるが、ＭＷには全
く問題はない。７８はＳ１０．の第２保護層であり、７
６の第１保護層と同様に真空蒸着法により成膜したもの
である。

７７は本発明になる接ＮＮであり、１，６−ヘキサンジ
オールジアクリレート９５ｗｈにベンジルジメチルケタ
ール５部添加したち・のを、貼り合わせる片方の透光性
支持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空
系に置いて貼り合わせて、中圧水銀笛により紫外線を照
射して硬化させたものである。８０は７５と同様な方法
により作成したポリカーボネートの透光性支持体である
。８１は７６と同様な方法により成膜したＥｌｉＯ，の
第１保磯層である。８２は７７と同様な方法により成膜
したシアニン系の有機色素の記録層である。

８３は７８と同様な方法により成膜した８１０ｔの第２
保護層である。８８はディスクのセンターホールである
。

第７図に示す光記録媒体は第１図に示す光記録媒体と全
く同一の条件で作成したものであるが、９１及び９６Ｏ
Ｎ（ＩＤ７ＩＦθ０ｏＴｉ、の記録層の側端面が保護層
で覆われた形にな、っている。８９及び９４がポリカー
ボネートの透光性支持体。

９０及び９５が５ｉＡｔＮの落１保護層、９２及び９７
がＳｉＡ／、Ｎの第２保護層、９３が本発明になる接着
層、９８及び１００が透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分であり、９９及び１０１が透光性支持
体の外周側にある接層層が直接つく部分であり、１０２
がディスクのセンターホールである。

第８図の１０３は１．２ｍ厚さのポリカーボネートの透
光性支持体であり、ニッケルのスタンパを用いた射出成
形により１．７μピツチでスパイラル状のトラッキング
用の溝がある。１０４は５ｉＡｔＮの第１保８１１１９
１であり、１０３の透光性支持体を逆スパツタした後、
真空系を１０″″’　ＴＯｒｒ以下にして、硅素７０重
社パーセントでアルミニウム３０重量パーセントの合金
ターゲットを用いて９素１９パーセント、アルゴン８１
パーセントの混合ガスを導入して２ｍＴＯｒｒとして、
ＩＫＷのパワーを印加することによるＤＣ反応マグネト
ロンスパッタリング法により１０００Ａ成膜したもので
ある。１０５はＮａＤｙ？ｅＯｏＴｉの記録層であり、
１０４のＳｉＡ／、Ｎの第１保護層を逆スパツタした後
、真空系を１０”’ＴＯｒｒ以下にしてアルゴンガスを
導入することにより２ｍ’ｌ’ｏｒｒとしてＮｄＤｙ？
ｅＯｏＴｉの合金ターゲットを用いて５００Ｗのパワー
を印〃ｕすることによるＤｏマグネトロンスパッタリン
グ法により４００又成膜したものである。１０６は５ｉ
ＡｔＮの第２保護層であり、真空系を１０””Ｔｏｒｒ
以下にして、１０４と同様に硅素７０重社パーセントで
アルミニウム５０重虚パーセントの合金ターゲットを用
いて窒素１９パーセント、アルゴン８１パーセントの混
合ガスを導入して２　ｍ　ＴｏｒｒとしてＩＫＷのパワ
ーを印加することによるＤＣ反応マグネトロンスパッタ
リング法により１０００Ｘ成膜したものである。１０７
は不発明になる接着層であり、１，６−へ午サンジオー
ルシアクリＶ　−）　５０部、ネオペンチルグリコール
ジアクリレート２５部、ジペンタエリスリトールへ午す
アクリレート２０部、の混合物にチバガイギー社製イル
ガキエア９０７を５部添加したものを、１０８の５ｉＡ
ｔＮｏの上に塗布した後、真空系に置いて置いて貼り合
わせて、高圧水銀笛により紫外線を照射して硬化させた
ものである。１０８の５ｉＡｔＮｏ層は１０９のｌリカ
ーボネートの透光性支持体上に、硅素８０重社パーセン
トでアルミニウム２０重量パー七ンートの合金ターゲッ
トを用いて、窒素１５パーセント、酸素５パーセント、
アルゴン８０パーセントの混合ガスを用いるＲ７反応マ
グネトロンスパッタ・リング法により５００１成膜した
ものである。１０９のポリカーボネートの透光性支持体
は１０３と同様に１．２園厚さで射出成形により形成し
たものであるが、１０３のようにトラッキング用の溝は
ない。１１０はディスクの内周側にある接層層が直接つ
く部分である。１１１はディスクの外周側にある接着層
が直接つく部分である。１１２は１０９の内＃ｆｉｌ！
Ｉにある接着層が直接つく部分である。１１３は１０９
の外周側にある接着層が直接つく部分である。

１１４はディスクのセンターホールである。。

第９図に示す構成の光記録媒体は第８図に示す構成の光
記録媒体と同じ方法により作成したものであるが、貼り
合わせる側の透光性支持体すなわちトラッキング用の溝
がない側のＳｉＡ／、Ｎｏ層がなり構成になっている。

１１５はポリカーボネートの透光性支持体、１１６は５
ｉＡｔＮの第１保護層、１１７はＮｄＤｙ？ｅＯＯＴｉ
の記録層、１１８は５ｉＡｔＮの第２保護層、１１９は
接着層、１２０はｌリカーボネートの透光性支持体、１
２１は内周側にある接着層が直接つく部分、１２２は外
周側にある接着層が直接つく部分、１２３はディスクの
センターホールである。

次に、本発明になる接着層について説明する。

表１は第１図（α）に示す構成の光記録媒体において接
着層を種々変化させたものである。

表１において耐候性試験条件は６０℃９０％ＲＨ下で１
０００時間である。表１の結果から本発明の接着層はピ
ットエラーレートの経時変化が極めめで少ない長期信頼
性のある光記録媒体を提供することがわかる。また、本
発明において、第８図及び第９図に示す構成の光記録媒
体以外は接着層の硬化は少なくとも透光性支持体、第１
保護層、記録層及び第２保護層を通ってきた光により硬
化するが、本発明である第１図（α）から第７図に示す
構成の光記録媒体で全く問題はなかった。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば以下の効果を有する。

（リ　ラジカル重合系の光重合接層層とすることで、エ
ポキシ系の接着剤、イオン重合系の接着剤あるいは嫌気
硬化性の接着剤で用いられる記録層を酸化させやすい酸
触媒イオン重合系触媒あるいは嫌気硬化性触媒をほとん
ど含まないため、記録層の経時による酸化を完全に防ぐ
ことができる。

（２）　　接層層に気泡が全く入らないようにすること
が可能なため、第１保護層、記録層、第２保護層の次に
接着層がくる簡単な構成が可能となる。

（３）、ホットメルト型の接着剤のように接着層の硬化
のとき透光性支持体に圧力をかけたり、エボ牛シの接着
剤のように透光性支持体に熱と圧力をかけたりしなくて
よいので、透光性支持体を熱で変形させたり、圧力で光
学的歪を与えたりすることがない。

（４）　　比較的低粘度の接着剤がつくれるため作業性
に優れる。また、嫌気硬化性が弱いので機械を用いた塗
布が可能である。さらに、接着層の硬化が秒単位ですむ
ため証産性がある。

（５）　　密着貼り合わせ構造であるため機械的強度が
強く、エアサンドイッチ構造のように温湿度の変化に伴
なう透光性支持体の変形による保護層や記録層にクラッ
クを生じるということがない。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）（ｂ）〜第９図は本発明の光記録°媒体の
基本構成図である。 １・・・・・・・・・ボ・リカーボネートの透光性支持
体２・・・・・・・・・Ｓ　ｉ　ＡｔＮの第１保護層３
・・・・・・・・・ＮｄＤｙ１Ｆｅ（３０Ｔｉの記録層
４・・・・・・・・・５ｉＡｔＮの第２保顧層５・・・
・・・・・・接着層 ６・・・・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体
７・・・・・・・・・ＳｉＡ／、Ｎの第１保護層８・・
・・・・・・・ＩＪｄＤｙＦｅＣＯＴｉの記録層９・・
・・・・・・・Ｓ　１ＡｔＮの第２保護層１０・・・・
・・内周側の接着層が直接つく部分１１・・・・・・外
聞側の接着層が直接つく部分１２・・・・・・内周側の
接着層が直接つく部分１３・・・・・・外局側の接着層
が直接つく部分１４・・・・・・ディスクのセンターホ
ール１５・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体
１６・・・・・・Ｓ　ｉ　ＡｔＮの１ｇ１保護層１７−
　・・−Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　７　ｅ　Ｏｏ　’Ｉ’　ｉの
記録層１８・・・・・・５ｉＡｔＮの８ｇ２保護層１９
・・・・・・接着層 ２０・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体２１
・・・・・・５ｉＡＡＮの第１保護層２２　＝　−Ｇ　
ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｏｏ　Ｔ　ｉの記録層２３・・・
・・・Ｓ　ｉ　Ａ／、Ｎの第２保護層２４・・・・・・
内周側の接着層が直接つく部分２５・・・・・・外周側
の接着層が直接つく部分２６・・・・・・内周側の接着
層が直接つく部分２７・・・・・・外周側の接着層が直
接つく部分２８°°°°°°デイスクのセンターホール
２９・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体３０
・・・−・ＳｉＡ／、Ｎｏの第１保畿層３１・・・・・
・ＧｄＴｂ７ｅの記録層３２・・・・・・ＳｉＡ／、Ｎ
ｏの第２保護層５３・・・・・・アルミニウムの反射膜
３４・・・・・・接着層 ３５・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体３６
・・・・・・５ｉＡＡＮＯの第１保護層５７・・・・・
−ＧｄＴｂ７ｅの記録層３８・・・・・・ＳｉＡ／、Ｎ
ｏの第２保護層３９・・・・・・アルミニウムの反射膜
４０・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分４１・
・・・・・外局側の接層層が直接つく部分４２・・・・
・・内周側の接着層が直接つく部分４５・・・・・・外
周側の接着層が直接つく部分４４・・・・・・ディスク
のセンターホール４５・・・・・・工ｌキシの透光性支
持体４６・・・・・・２ＰＭ ４７・・・・・・ＳｉＮの第１保護層 ４８・・・・・・Ｔｂ１ＦｅＯｏの記録層４９・・・・
・・ＳｉＮの第２保護層 ５０・・・・・・接層層 ５１・・・・・・エポキシの透光性支持体５２・・・・
・・２Ｐ層 ５３・・・・・・ＳｉＮの第１保護層 ５４・・・・・・Ｔｂ７ｅＯＯの記録層５５・・・・・
・ＳｉＮの第２保論層 ５６・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分５７・
・・・・・外周側の接着層が直接つく部分５日・・・・
・・内周側の接着層が直接つく部分５９・・・・・・外
周側の接着層が直接つく部分６０・・・・・・ディスク
のセンターホール６１・・・・・・ポリメチルメタクリ
レートの透光性支持体 ６２・・・・・・Ａ／、Ｎｏの第１保護層６５・・・・
・・Ｔ　ｅ　−Ｔ　ｅ　Ｏｘの記録層６４・・・・・・
ＡｔＮ０の第２保護層６５・・・・・・接着層 ６６・・・・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支
持体 ６７・・・・・・Ａ／、ＮＯの第１保護層６８・・・・
・・Ｔ　ｅ　−ＴｅＯｘの記録層６９・・・・・・ｋｔ
Ｈｏの第２保論層７０・・・・・・内周側の接着層が直
接つく部分７１・・・・・・外周側の接着３１が直接つ
く部分７２・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分
７３・・・・・・外周側の接着層が直接つく部分７４・
・・・・・ディスクのセンターホール７５・・・・・・
ｌリカーボネートの透光性支持体７６・・・・・・Ｓ１
０．の第１保護層７７・・・・・・シアニン系の有機色
素の記録層７Ｂ・・・・・・ＳｉＯ□の第２保護層７９
・・・・・・接着層 ８０・・・・・・ｌリカーボネートの透光性支持体８１
・・・・・・Ｓ１０．の第１保護層８２・・・・・・シ
アニン系の有機色素の記録層８３・・・・・・Ｓ１０．
の第２保護層８４・・・・・・内周側の接着層が直接つ
く部分８５・・・・・・外周側の接着層が直接つく部分
８６・・・・・・内周側の接着層が直接つく部分８７・
・・・・・外周側の接着層が直接つく部分８８・・・・
・・ディスクのセンターホール８９・・・・・・ポリカ
ーボネートの透光性支持体９０・・・・・・５ｉＡｔＮ
の第１保護層９１・・・・・・ＮｄＤｙＦｅ０Ｏで１の
記録層９２・・・・・・５ｉＡＬＮの第２保護層９３・
・・・・・接着層 ９４・・・・・・ぎリカーボネートの透光性支持体９５
・・・・・・５ｉＡｔＮの第１保護層９６　・”　−Ｎ
　６　Ｄ　ｙ　？　ｅ　Ｏｏ　’］”　ｉの記録層９７
・・・・・・ＳｉＡＬＭの第２保護層９８・・・・・・
内局側の接着層が直接つく部分９９・・・・・・外周側
の接着層が直接つく部分１００・・・内周側の接着層が
直接つく部分１０１・・・外周側の接着層が直接つく部
分１０２・・・ディスクのセンターホール部分１０５・
・・ポリカーボネートの透光性支持体１０４・・・５ｉ
ＡｔＮの第１保護層 １０５−ＮｄＤｙＦｅＣ０Ｔｉの記録層１０６・・・５
ｉＡｔＮの第２保護層 １０７・・・接着層 １０８・・・ＳｉＡ／、Ｎｏ層 １０９・・・ｌリカーボネートの透光性支持体１１０・
・・内周側の接着層が直接つく部分１１１・・・外周側
の接着層が直接つく部分１１２・・・内周側の接着層が
直接つく部分１１３・・・外周側の接着層が直接つく部
分１１４・・・ディスクのセンターホール１１５・・・
ポリカーボネートの透光性支持体１１６・・・５ｉＡｔ
Ｎの第１保護層 １１７−ＮｄＤｙＦｅ０Ｏ’ｒｉの記録層１１８・・・
ＳｉＡ／、Ｎの第２保護層１１９・・・接着層 １２０・・・ポリカーボネートの透光性支持体１２１・
・・内局側の接着層が直接つく部分１２２・・・外周側
の接着層が直接つく部分１２３・・・ディスクのセンタ
ーホール以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士最上軸（他１名： １１θ７撞１層 第１岨

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録
   媒体の密着貼り合わせ構造において、接着層の主成分が
   アクリレート基を有する単官能アクリレート、多官能ア
   クリレート、変成アクリレートあるいはアクリレート基
   を有するオリゴマーから選ばれた１種または２種以上の
   混合物であり、前記接着層が少なくとも透光性支持体と
   記録層を通過した光により硬化することを特徴とする光
   記録媒体。
2. （２）前記光記録媒体の前記接着層に少なくとも２９０
   ｎｍから４５０ｎｍの波長の光に対して有効励起波長域
   を有するラジカル重合系の光重合開始剤を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
3. （３）前記光記録媒体の前記接着層に前記光重合開始剤
   の５分の１モルパーセント以上の嫌気硬化性触媒を含ま
   ないことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
   録媒体。
4. （４）前記光記録媒体において、セラミックスからなる
   保護層により記録層を挾み込んだ構成になつていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
5. （５）前記光記録媒体において、記録層以外の金属薄膜
   を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   光記録媒体。
6. （６）前記光記録媒体において、前記透光性支持体上に
   射出成形または２Ｐ法によりトラッキング用の溝又はピ
   ットを配したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光記録媒体。