JPS63160034A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体の密着貼り合わせ方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の光記録媒体は特開昭６Ｏ−１０ｊ７５７、特開昭
６０−１１５３４４　、実開昭６０−８５７２６あるい
は特開昭６１−８０５５５などにあるようにエアサンド
イッチ構造をとったり、特開昭５７−５０３５７．特開
昭６０−１８２０５５、特開昭６１−５４５０あるいは
特開昭６０−５４５２などにあるように密着貼り合わせ
、構造をとったりしていた。また、接着層としては特開
昭６Ｏ−１８ｓ２５５のようにエポキシ系の接着剤を用
いたりしていた。また、接着の方法として、接着剤ヲロ
ールコート、スピンコードなどして塗布した後、熱また
は圧力をかけて線化させることがこころみられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術ではエアサンドイッチ構造ある
いは密着貼り合わせ構造がとられているが、エアサンド
インチ構造は空気層を挾んでいるため機械的強度が弱く
、記録層自身が耐酸化性が強いものか記録層の耐酸化性
のための強固な保護が心間であるが、記録層の耐酸化性
のための保護層としてセラミックスを用いると機械的強
度の弱さに起因する温湿度の変化による基板変形でセラ
ミックス層にクラックを生じやすくなり、セラミックス
層は用いることができない。また、密着貼り合わせ構造
においてエポキシ系の接着剤を用いると、保護Ｊイクを
介して貼り合わせたとしても保護層のピンホールからエ
ポキシ系の接着剤の中の酸触媒が浸透して記録層を酸化
させる、あるいは、接着剤の中に嫌気線化性を付与した
り、イオン重合系の触媒を用いると、嫌気性触媒あるい
はイオン重合系の触媒が、上述のエポキシ系の接着剤の
中の酸触媒と同様に、保護層のピンホールから浸透して
記録Ｊ？ｊを酸化させる。さらに、嫌気線化性を付与し
た接着剤は機械を用いて塗布しようとしたり、真空系内
で貼り合わせようとすると、機械中でゲル化しやすく、
真空中でもゲル化しやすいため均一に塗布させるための
制御が非常に難しい、また、接着剤をロールコート、ス
ピンコードなどして塗布した後熱と圧力または圧力をか
けて線化させることにより、６光性支持体として用いる
樹脂を変形させたり、記Ｍｆ’ｌｌや保護層にクラック
を生じやすい、また、従来の接着方法では接着層の中に
多くの気泡が残り、その気泡の影響により光学的ばらつ
きや、熱伝導率の違いによる記録ピットの形状が均ｉに
ならないという問題点を有していた。

そこで本発明はこのような問題点を解決するものでその
目的とするところは、充分な機械的強度を有し、保護層
や記録層にクラックを生じさせたり、記録層を酸化させ
ることが極めて少ない量産性に富んだ密着貼り合わせ構
造の光記録媒体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光記録媒体のＨ！方法は光を用いて記録、再生
または消失を行なう光記録媒体の密着貼り合わせ構造に
おいて、透光性支持体の片面に少なくとも記録層を成膜
したものを２枚用いて、前記透光性支持体の前記記録層
が成膜されている側同士貼り合わせて、前記透光性支持
体の記基記録層が成膜されていない両面から光を照射し
て接着層を線化させたことを特徴とする。

本発明において、嫌気線化性触媒はラジカル重合系の光
重合開始剤の５分の１モルパーセント以上含まない理由
は、５分の１モルパーセント以上含むと嫌気線化性の効
果が出て、機械を用いた塗布が難しく、記録層の酸化も
多くなり、ピットエラーレートが低下するためである。

また、本発明では樹脂基体からなる透光性支持体を用い
ているので、２９０ｒＬｒｎより短い波長の光は吸収さ
れて透過しないので接着層の線化には寄与しない６また
、４５０ｒＬｍより長い波長の光に対して有効励起波長
域を有するものは可視光でラジカルを発生するので不安
定であり、本発明の用途には向かない。本発明における
２　９０　ｒｂｒｎから４．５０　ｒＬｍの波長の光に
対して有効励起波長域を有する光重合開始剤は、線化に
用いる光源に合わせて用いるとよい。例えば３６５ＴＬ
ｒ／Ｌの波長を最もよく出す高圧水銀燈を光源として用
いる場合は、５６５ｔＬ７７Ｌの波長に有効励起波長域
を有する光重合開始剤を用いるとよい。一般に光重合開
始剤の多くは２９０ｎｍより短い波長の光に対しても有
効励起波長域を有するものがあるが、２９０　ｒＬｍよ
り短い波長の光は樹脂基体が吸収するために、光重合開
始剤の他に分光増感剤などを加えて、接着層の線化の効
率を上げてやると接着層が効率よく線化するようになる
。また、本発明において、透光性支持体上に中間層を介
しであるいは介さずして、第１保護層、記録層及び第２
保護層を成膜したものを２枚貼り合わせて、記録層が成
膜されていない両面から光を当てて線化させるのは、片
面からでは接着層の線化が片より、接着Ｆ’Ｊの線化が
不十分な部分ができるためである。

〔実施例〕

第２図（α）から第８図は本発明の光記録媒体の基本十
−工成図である。

第２図（α）に示す円で囲った部分を拡大して示したの
が第２図（ｂ）であるが、１は１．２　ｍｍ厚さのディ
スク状のポリカーボネートの透光性支持体であり、ニッ
ケルのスタンパを用いた射出成形により第１図（ｂ）に
示すように１．６μピツチでスパイラル状のトラッキン
グ用の溝が形成されたものである。２は１の透光性支持
体上に直接成膜された５ｉＡｔＮの第１保順層であり、
初期真空度１０−’　Ｔｏｒｒ　　以下で、硅素７０重
ｂ１パーセントでアルミニウム５０重量パーセントの合
金ターゲラトラ用いて、窒素２０パーセント、アルゴン
８０バー　セントの混合ガスを導入して１．５７７１　
’ｒｏｒｒ　　にしてＩＫＷのパワーを印加することに
よるＤＣ反応マグネトロンスパッタリング法により５ｏ
ｏＸ成膜したものである。３はＮｄＤｙｌＦｅＣｏＴｉ
の記録層であり、２の第１保護層を逆スパツタした後、
真空系を１０−’　Ｔｏｒｒ　以下にしてアルゴンガス
を導入して１．４　ｍ　’ｒｏｒｒ　　として８００Ｗ
のパワーを印加することによるＤｏマグネトロンスパッ
タリング法により３７０′に成膜したものである。４は
５ｉＡｔＮの第２保護層であり、２と同様に真空系を１
０−６以下にして硅素７０重量パーセントでアルミニウ
ム５０重積パーセントの合金ターゲラトラ用いて窒素１
５パーセント、アルゴン８５パーセントの混合ガスを導
入してｔ　５　ｒｎ　Ｔｏｒｒ　　にしてＩＫＷのパワ
ーを印加することによるＤＣ反応マグネトロンスパッタ
リング法により１５００Ｘ成膜したものである。５は接
着層であり、ヘキサンジオールジアクリレート６５部、
トリメチロールプロパントリアクリレート３０部の混合
物にチバガイギー社製イルガキュア９０７を５部添加し
たものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗
布した後真空系に置いて貼り合わせて、高圧水ｆＪ燈に
より紫外線を照射して線化させたものである。６は１と
同様な方法により作成したポリカーボネートの透光性支
持体である。７は２と同様な方法により成膜した５ｉＡ
ｔＮの第１保護層である。８は３と同様な方法により成
膜したＮｄＤｙｌＦｅＣｏＴｉの記録層である。９は４
と同様な方法により成膜した５ｉＡｔＨの第２保護層で
ある。

１０は透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。１１は透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分である。１２は１０と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。１３
は１１と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。１４はディスクのセンターホー
ルである＠３図の１５は第２図（α）の１と同様に、１
．２団厚さのディスク状の透光性支持体であり、ニッケ
ルのスタンバを用いる射出成形により１．６／ｊピツチ
でスパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもの
である。１６は１５の透光性支持体上に直接成膜された
５ｉＡｔＮの第１保護層であり、第２図（α）の２と同
様に、初期真空度１０−’　ＴＯｒｒ　　以下で硅素７
０重量パーセントでアルミニウム５０重量パーセントの
合金ターゲットを用いて、ｉｉ２０パーセント、アルゴ
ン８’Ｏパーセントの混合ガスを導入して１．５　ｍ　
’ｒｏｒｒ　　としてＩＫＷのパワーを印力ｌすること
にょるＲ７反応マグネトロンスパッタリング法によりａ
−ｓｏＸ成涙したものである。１７はＧａＴｂ？ｅＣｏ
Ｔｉの記録１・ｎであり、１６の第１保護Ｋｊを逆スパ
ツタした後、真空系を１０″″’　ＴＯｒｒ　以下にし
てアルゴンガスを導入して１．５扉ＴＯｒｒとしてＧｄ
ＴｂＴｉの合金ターゲットに３ｏｏｗ、ｙθＣＯの合金
ターゲットにＩＫＷのパワーを印加することによるＤＣ
同時スパッタリング法により４００又成膜したものであ
る。１８は５ｉＡｔＮの第２保護層であり、１６の第１
保護層と同様に真空系を１０−’　Ｔｏｒｒ以下にして
硅素７０重社バーセントでアルミニウム３０重社バーセ
ントの合金ターゲットを用いて窒素１５パーセント、ア
ルゴン８５パーセントの混合ガスを導入して１．５　ｍ
　Ｔｏｒｒ　　にしてＩＫＷのパワーを印力ｉすること
によるＤＣ反応マグネトロンスパッタリング法により１
５５０′に成膜したものである゛。１９は接着Ｊ＝ｕで
あり、ネオペンチルグリコールジアクリレート６０部、
ジペンタエリスリトールへ午すアクリレート２０部、ジ
エチレングリコールジアクリレート１５部の混合物にベ
ンジルジメチルケタール３部とベンジル２部を添加した
ものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に真空
系内で塗布した後貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線
を照射して線化させたものである。２０は１５と同様ｄ
方法により作成したポリカーボネートの透光性支持体で
ある。２１は１６と同様な方法により成膜した５ｉＡｔ
Ｈの第１保護ハクである。２２は１７と同様な方法によ
り成膜したＧｄＴｂＦｅＣ！ｏＴｉの記録層である６２
３は１８と同様な方法により成膜した５ｉＡｔＮの第２
保護層である。２４は透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分である。２５は透光性支持体の外周側
にある接着層が直接つく部分である。２６は２４と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。２７は２５と向いあった透光性支持体の外周
側にある接着Ｉ・ｊが直接つく部分である。２８はディ
スクのセンターホールである。

８ｇ４図の２９はｔ　２　ｒｒａ厚さのディスク状のポ
リカーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタ
ンパを用い−た射出成形により１．７μピツチでスパイ
ラル状のトラッキング用の溝が形成されたものである。

３０は５ｉＡｔＮＯの第１保護層であり、初期真空度１
０″″’　Ｔｏｒｒ　以下にして、硅素６０重ｔパーセ
ントでアルミニウム４０重社バーセントの合金ターゲッ
トを用いて、窒素２０パーセント、酸素１パーセント、
アルゴン７９パーセントの混合ガスを導入して１．４　
ｒｒＬＴＯｒｒ　　にして１ＫＷのパワーを印加するこ
とによるＲ７反応マグネトロンスパッタリング法により
ａｓｏＸ成膜したものである。３１はＧａＴｂ１Ｆｅの
記録層であり、３０の第１保護層を逆スパツタした後、
真空系を１０−’　Ｔｏｒｒ　　以下にしてアルゴンガ
スを導入して１．５　ｍ　Ｔ＋）ｒｒ　　として、９９
．９　’９パーセント純度の鉄のターゲットの上に５ｒ
ｌｒ！ｎ角と１ｃ！ｎ角のガドリニウムとテルビ°ウム
のペレットを置いた状態でＩＫＷのパワーを印加するこ
とにより３００Ｘ成展したものである。３２は５ｉＡｔ
ＮＯの第２保論層であり＞　５０の第１保護層と同様に
、硅素６ｏｉ１ｄパーセントでアルミニウム４０重社バ
ーセントの合金ターゲットを用いて、窒素１８パーセン
トｓ　酸素２　バーセント、アルゴン８０パーセントの
混合ガスを導入して１．５　ｍ　Ｔｏｒｒ　　にして８
００Ｗのパワーを印加することによるＲ７反応マグネト
ロンスパッタリング法により１０００Ｘ成膜したもので
あるａ　３３はアルミニウムの反射戻であり、真空系を
１０″″’　ＴＯｒｒ　　以下にして、アルゴンガスを
導入して２　ｍ　’Ｉ’ｏｒｒ　　として、アルミニウ
ムのターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により６００Ｘ成膜したものである。３４は本発明
になる接着層であり、１，４−ブタンジオールジアクリ
レート６０部、トリエチレングリコールジアクリレート
２０部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート１
５部、フッ素変成アクリレート１部の混合物に、ベンゾ
インイソブチルエーテル２部とベンジルジメチルケター
ル２部を添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支
持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系
に置いて貼り合わせて、高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。

３５は２９と同様な方法により作成したポリカーボネー
トの透光性支持体である。３６は３０と同様な方法によ
り成膜したＳｉＡ／、ＮＯの第１保護層である。３７は
３１と同様な方法により成膜したＧｄＴｂＦｅの記録層
である。３８は３２と同様な方法により成膜したＳｉＡ
／、Ｎｏの第２保護層である。３９は３３と同様な方法
により成膜したアルミニウムの反射膜である。４０は透
光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分である
、、４１はｒ１！Ｌ光性支持体の外周側にある接着層が
直接つく部分である。４０は３８と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。４３
は４１と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。４４はディスクのセンターホー
ルである。

第５図の４５は１．２　ｍｍ厚さのディスク状のエポキ
シの透光性支持体であり、酸線化現のエポキシ樹脂を注
型成形により作成したものである。４６は２ＰＪｄであ
り、本発明の特許請求の範囲で述べた中間層ということ
になるが、ニッケルのスタンバを用いて１，６５μピツ
チのスパイラル状の溝を形成したものである６４７はＳ
ｉＨの第１保護層であり、４６の２Ｐ層を逆スパツタし
た後、真空系を１０−＠Ｔｏｒｒ　以下にして、アルゴ
ンガスを導入して２　ｍ　Ｔｏｒｒ　　として、窒化硅
素の焼結体ターゲットを用いて、５００Ｗのパワーを印
加することによるＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より１０００＾成膜したものである。４８はＴｂＦｅｏ
ｏの記録層であり、４７の第１保護層を逆スパツタした
後、真空系をＩ　ＣＩ”　Ｔｏｒｒ　　以下にしてアル
ゴンガスな導入して１．７５　ｍ　ＴＯｒｒ　　として
、９９、９５パ一セント純度鉄−コバルトのターゲット
上に５　ｒｒａｎ　Ｘ　５　ｖｒｒｎ　Ｘ　１　ｒａｎ
のテルビウムのペレットを置いた状態でｓｏｏｗのパワ
ーを印加することによるＤＣマグネトロンスバッタリ／
グ法により４００に成膜したものである。４９はＳｉＮ
の第２保獲層であり４７の第１保護層と同様に、真空系
を１０′″”ｒｏｒｒ　　以下にして、アルゴンガスを
導入して２　ｍ　Ｔｏｒｒ　　として、窒化硅素の焼結
体ターゲットを用いて６００Ｗのパワーを印加すること
によるＲ７マグネトロンスパッタリング法により１ｓｏ
ｏＸ成膜したものである。５０は本発明になる接着層で
あり、１．６ヘキサンジオ一ルジアクリレート３０部、
トリメチロールプロパントリアクリレート５０部２日本
化薬製ＣＡＹＡＲＡＤＲ１２Ｂを２０部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート１５部の混合物にチバガイギ
ー社製イルガキエア９０７を５部添加したものを透光性
支持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空
系に置いて貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。５１は４５と同様な方法に
より作成したエホ゛キシの透光性支持体である。５２は
４６と同様な方法により作成した２Ｐ層である。５３は
４７と同様な方法により成膜したＳｉＮの第１保設層で
ある。５４は４８と同様な方法により成膜したＴｂ？ｅ
Ｏ。

の記録層である。５５は４９と同様な方法により成膜し
た５ｉＮ１７）第２保護層である。５６は透光性支持体
の内周側にある接着層が直接つく部分である。５７は透
光性支持体の外［に側にある接着層が直接つく部分であ
る。５８は５６と向い合ったｉ゛光性支持体の内周側に
ある接着Ｋｊが直接つく部分である。５９は５７と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。

６０はディスクのセンターホールである。

第６図の６１は１．２ｒｒｒＩＲ厚さのディスク状のポ
リメチルメタクリレートの透り性支持体であり、ニッケ
ルのスタンパを用いた射出成形により１．６μピツチで
スパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもので
ある。６２はＡｔＮｏの第１保護層であり、６１のポリ
メチルメタクリレートの透光性支持体を逆スパツタした
後、真空系を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ　　以下にして、アルゴ
ンガスな導入して３ｍＴＯｒｒ　　として、ＡｔＮ０の
焼結体ターゲットを用いるＲ７マグネトロンスパッタリ
ング法により１５００又成戻したものである。６３はＴ
ｅ−’ｒｅＯｘの記録層であり、６２のＡｔＮ０の第１
保護層を成膜した後真空系を１０″″’　ＴＯｒｒ　　
以下にして、アルゴン９０パーセントで酸素１０パーセ
ントの混合ガスを導入して５　ｍ　ＴＯｒｒ　　として
、Ｔｅのターゲットを用いるＲ７反応マグネトロンスパ
ッタリング法により１ｏｏｏＸ成膜したものである。６
４はＡＡＮＯの第２保護層であり、６２と同様に真空系
を１０−’　ＴＯｒｒ　　以下にして、アルゴンガスを
導入して３　ｍ　Ｔｏｒｒ　　として、ＡｔＮ０の焼結
体ターゲットを用いるＲ７マグネトロンスノ％７タリン
グ法により１５００に成膜したものである。６５は本発
明になる接着層であり、テトラヒドロフリルアクリレー
ト２０部、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート３
０部、テトラメチロールメタンテトラアクリレート２０
部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート２５部
の混合物にチバガイギー社製イルガキエア９０７を５部
添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体の記
録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置いて
貼り合わせて、高圧水銀源により紫外線を照射して線化
させたものである。６６は６１と同様な方法により作成
したポリメチルメタクリレートの透光性支持体である。

６７は６２と同様な方法により成膜したＡｔＮ０の第１
保護層である。６８は６３とＰ１様な方法により成膜し
たＴθ−Ｔ　ｅ　Ｏｘの記録層である。６９は６４と同
様な方法により成膜した第２保護層である。７０は透光
性支持体の内局側にある接着層が直接つく部分である６
７１は透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく部
分である。７２は７０と向い合った透光性支持体の内周
側にある接着層が直接つく部分である。７３は７１と向
ｐ合った透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく
部分である。

７４はディスクのセンターホールである。

第７図の７５は？、　２　ｍ厚さのディスク状のポリカ
ーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタンパ
を用いた射出成形により１．６μピツチでスパイラル状
のトラッキング用の溝が形成されたものである。７６は
Ｓ１０．の第１保護層であり、Ｓｉｎ、のペレットを用
いた真空蒸着法により６００Ｘ成膜されたものである。

７７はシアニン系の有機色素の記録層であり、７６０Ｓ
ｉｎ、の第１保護層上にスピンコードにより成膜された
ものである。このとき記録層は、スピンコードであるた
め８４及び８６の透光性支持体の内周側にある接着層が
直接つく部分や８５及び８７の透光性支持体の外周側に
ある接着層が直接つく部分にまで広がるが、接着には全
く問題はない。７８はＳ１０．の第２保護層であり、７
６の第１保護層と同様に真空蒸着法により成膜したもの
である。

７７は本発明になる接着層であり、１．６−へ牛サンジ
オールジアクリレート９５部にベンジルメチルケタール
５部添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体
の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置
いて貼り合わせて、中圧水銀燈により紫外線を照射して
線化させたものである。８０は７５と同様な方法により
作成したポリカーボネートの透光性支持体である。８１
は７６と同様な方法により成膜したＳｉＯ□の第１保護
層である。８２は７７と同様な方法により成膜したシア
ニン系の有機色素の記り層である。

８３は７８と同様な方法により成膜したｓｌｏ。

の第２保護層である。８８はディスクのセンターホール
である。

第８図に示す光記録媒体は第２図（α）に示す光記録媒
体と全く同一の条件で作成したものであるが、９１及び
９６のＮｄＤｙＦｅ０ＯＴｉの記録層のｆｄＩＩ端而が
俣面層で舒われだ形になっている−８９及び９４がぎリ
カーボネートの透光性支持体、９０及び９５が５ＩＡｔ
Ｎの第ｆ保護層、９２及び９７が５ｉＡｔＮの第２保護
層、９３が本発明になる接着層、９８及び１００が透光
性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分であり、
９９及び１０１が透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分であり、１０２がディスクのセンターホー
ルである。

次に、本発明における接着層の線化方法について説明す
る。第１図は本発明になる接着層の線化方法を示す図で
あり、光記録媒体の両面から光を照射して接着層を線化
させる方法であり、１０５は光記録媒体、１０４及び１
０５が接着層を線化させるための光源である０本発明で
は金属薄膜を記録層として用いる場合を含むため、２９
０Ｆ＆ｒｎから４５０３ｆｉの波長の光の透過率がかな
り低くなるために、接着層の線化効率が悪くなる。そこ
で、本発明では光記録媒体の両面から光を照射して接着
層を線化させている。第９図には、第２図（α）に示す
構成の光記録媒体で接着層の線化方法として、光記録媒
体の両面から光を照射した場合と片面から光を照射した
ときの６５℃９０％ＲＨ下のピットエラーレートの経時
変化図であり、１０６が両面から光を照射した場合で、
１０７が片面から光を照射した場合である。このとき、
光源として５６ＳｒＬｍ付近の波長の光を鏝もよく出す
高圧水銀源を用いて接着層を線化させた。第９図の結果
かられかるように本発明になる光記録媒体の製造方法に
より、ピットエラーレートの経時変化が極めて少ない光
記録媒体が提供されることがわかる。

尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば以下の効果を有する。

（１）接着層の線化のとき、光記録媒体の両側から光を
当てるので、接着層が均一に線化して耐候性の優れた光
記録媒体となる。

（２）　　接着層の線化に用いる光源の透過率がわずか
でも接着層が線化するので、光記録媒体の両面を用いた
信号の記録、再生が可能となる。

（３）　　ラジカル重合系の接着層を用いているので、
エポキシ系の接着剤、イオン重合系接着剤あるいは嫌気
線化性接着剤等で用いられる記録層゛１を酸化させやす
い、酸触媒、イオン重合系触媒あるいは嫌気線化性触媒
をほとんど含まないため、記録層を完全に防ぐことがで
きる。

（４）　接着層に気泡が全く入らないようにすることが
可能なため、第１保護層、記録層、第２保護層の次に接
着層がくる簡単な構成が可能となる（５）　　ホットメ
ルト型の接着剤のように接着層の線化のとき透光性支持
体に圧力をかけたり、エポキシ系の接着剤のように透光
性支持体に熱と圧力をかけたりしなくてよいので、透光
性支持体を熱で変形させたり、圧力で光学的歪を与えた
りすることが少ない。

（６）比較的低粘度の接着剤がつくれるため作業性に優
れる。また、嫌気線化性が弱いので機械を用いた塗布が
可能である。さらに、接着層の線化が秒単位ですむため
ｔ３ｋｍ性に侵れる。

（ア）　　密着貼り合わせ構造であるため機械的強度が
強く、エアサンドインチ構造のように温湿度の変化に伴
う透光性支持体の変形による保護層や記録層にクラック
を生じるということがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の製造方法を示す図である
。 第２図（α）（ｂ）〜第８図は本発明の光記録媒体の基
本構成図を示す図である。 第９図は光記録媒体の両図から光を照射して接着層を線
化させた場合と片面から光を照射して接着層を線化させ
たときの６５℃９０％ＲＨ下でのピットエラーレートの
経時変化図である。 １・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体２・・
・・・・５ｉＡｔＮの８ｇ１保護層５−−ＮｄＤｙ？ｅ
ＣＯＴｉの記Ｉ　ＦＪｆ４・・・・・・５ｉＡｊＪの第
２保護層５・・・・・・接着層 ６・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体７・・
・・・・Ｓ　ｉ　ＡｔＮの第１保護層８・・・・・・Ｎ
ｄＤｙＩＦａＣＯτ１□の記録層９・・・・・・５ｉＡ
ｔＮの第２保護層１０・・・内周側の接着層が直接つく
部分１１・・・外周側の接着層が直接つく部分１２・・
・内周側の接着層が直接つく部分１５・・・外周側の接
着層が直接つく部分１４・・・ディスクのセンターホー
ル １５・・・ポリカーボネートの透光性支持体１６・・・
５ｉＡｔＮの第１保護層 １７−ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの記録層 １８・・・５ｉＡ４Ｎの第２保護層 １９・・・接着層 ２０・・・ポリカーボネートの透光性支持体２１・・・
５ｉＡｔＮの第１保愚層 ２２−ＧｄＴｂＦｅＯｏＴｉの記り層 ２３・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 ２４・・・内周側の接Ｎ層が直接つく部分２５・・・外
周側の接着層が直接つく部分２６・・・内局側の接着層
が直接つく部分２７・・・外１Ｍ側の接着層が直接つく
部分２８・・・ディスクのセンターホール ２９・・・ポリカーボネートの透光性支持体３０・・・
５ｉＡｔＨ□の第１保設層 ５１　・・・ＧｄＴｂ１Ｆｅの記録層 ３２・・・５ｉＡｔＮＯｆ）第２保護層３３・・・アル
ミニウムの反射膜 ３４・・・接着層 ３５・・・ポリカーボネートの透光性支持体３６・・・
５ｉＡｔＮＯの第１保設層 Ｓ　７−ＧｄＴｂＦｅの記録層 ３８・・・５ｉＡｔｌＪＱの第２保護層３９・・・アル
ミニウムの又対膜 ４０・・・内周側の接着層が直接つく部分４１・・・外
周側の接着層が直接つく部分４２・・・内周側の接着層
が直接つく部分４３・・・外周側の接着層が直接つく部
分４４・・・ディスクのセンターホール部分４５・・・
ｇ　ＩＪカーボネートの透光性支持体４６・・・２Ｐ層 ４７・・・ＳｉＨの第１保護層 ４８−＝ＴｂＦｅＯｏの記録層 ４９・・・ＳｉＨの第２保護層 ５０・・・接着層 ５１・・・ポリカーボネートの透光性支持体５２・・・
２ＰＮ ５３・・・ＳｉＨの第１保護層 ５４・・・Ｔｂ？θＣｏの記録層 ５５・・・ＳｉＨの第２保護層 ５６・・・内周側の接着層が直接つく部分５７・・・外
周側の接着層が直接つく部分５８・・・内周側の接着層
が直接つく部分５９・・・外周側の接着層が直接つく部
分６０・・・ディスクのセンターホール部分６１・・・
ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 ６２・・・ＡｔＮ０の第１保護層 ６５−Ｔ　ｅ　−Ｔ　ｅＯｘの記録層 ６４・・・ＡｔＮ０の第２保護層 ６５・・・接着層 ６６・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 ６７・・・Ａ　ｔ　Ｎ　Ｏの第１保護層６８・・・Ｔθ
−ＴｅＯｘの記録層 ６９・・・ｈｔＮｏの第２保護層 ７０・・・内周側の接着層が直接つく部分７１・・・外
周側の接着層が直接つく部分７２・・・内周側の接着層
が直接つく部分７３・・・外周側の接着層が直接つく部
分７４・・・ディスクのセンターホール部分７５・・・
ポリカーボネートの透光性支持体７６・・・Ｓ１０．の
第１保設層 ７７・・・シアニン系の有機色素の記録層７８・・・Ｓ
１０．の第２保護層 ７９・・・接着層 ８０・・・ポリカーボネートの透光性支持体８１・・・
Ｓｉｎ、の第１保護層 ８２・・・シアニン系の有機色素の記録層８３・・・Ｓ
ｉｎ、の第２保護層 ８４・・・内周側の接着層が直接つく部分８５・・・外
１４側の接着層が直接つく部分８６・・・内周側の接着
層が直接つく部分１ｌ１７・・・外周側の接着層が直接
つく部分８日・・・ディスクのセンターホール部分８９
・・・ポリカーボネートの透光性支持体９０・・・５ｉ
ＡｔＮの第１保護層 ９１−ＮｄＤｙＦｅ０ＯＴｉの記録層 ９２・・・５ｉＡｔＮの第２保護層 ９３・・・接着層 ９４・・・ポリカーボネートの透光性支持体９５・・・
ＳｉＡ／、Ｎの第１保護層 ９６　・＝ＮｄＤｙ？ｅ（３０’ｒｉの記録層９７・・
・５ｉＡｔＮの第２保護層 ９８・・・内周側の接着層が直接つく部分９９・・・外
周側の接着層が直接つく部分１００・・・内周側の接着
層が直接つく部分１０１・・・外周側の接着層が直接つ
く部分１０２・・・ディスクのセンターホール部分１０
３・・・光記録媒体 １０４・・・接着層を線化させるための光源１０５・・
・接着層を線化させるための光源１０６・・・光記録媒
体の両面から光を照射して接着ＩＣを線化させたもの １０７・・・光記録媒体の片面から光を照射して接着層
を線化させたもの 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士最上筋（他１名） １９３う七Ｉ元己１コミ童某ゴ名。 ｔｏ４九Ａ １図 第２図（λ） ＠２図（１７） ｌち、２０誘九記寝任 業４図 ８５図 偶−／口

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録
   媒体の密着貼り合わせ構造において、透光性支持体の片
   面に少なくとも記録層を成膜したものを２枚用いて、前
   記透光性支持体の前記記録層が成膜されている側同士貼
   り合わせて、前記透光性支持体の前記記録層が成膜され
   ていない両面から光を照射して接着層を線化させたこと
   を特徴とする光記録媒体の製造方法。
2. （２）前記接着層に少なくとも２９０ｎｍから４５０ｎ
   ｍの波長の光に対して有効励起波長域を有するラジカル
   重合系の光重合開始剤を含むことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
3. （３）前記接着層に前記光重合開始剤の５分の１モルパ
   ーセント以上の嫌気性触媒を含まないことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
4. （４）前記光記録媒体において、セラミックスからなる
   保護層により前記記録層を挾み込んだ構成になっている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
   体の製造方法。
5. （５）前記光記録媒体において、前記透光性支持体上に
   射出成形または２Ｐ法によりトラッキング用の溝又はビ
   ットを配したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光記録媒体の製造方法。