JPS63160034A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS63160034A JPS63160034A JP61307284A JP30728486A JPS63160034A JP S63160034 A JPS63160034 A JP S63160034A JP 61307284 A JP61307284 A JP 61307284A JP 30728486 A JP30728486 A JP 30728486A JP S63160034 A JPS63160034 A JP S63160034A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体の密着貼り合わせ方法に関する。
従来の光記録媒体は特開昭6O−10j757、特開昭
60−115344 、実開昭60−85726あるい
は特開昭61−80555などにあるようにエアサンド
イッチ構造をとったり、特開昭57−50357.特開
昭60−182055、特開昭61−5450あるいは
特開昭60−5452などにあるように密着貼り合わせ
、構造をとったりしていた。また、接着層としては特開
昭6O−18s255のようにエポキシ系の接着剤を用
いたりしていた。また、接着の方法として、接着剤ヲロ
ールコート、スピンコードなどして塗布した後、熱また
は圧力をかけて線化させることがこころみられている。
60−115344 、実開昭60−85726あるい
は特開昭61−80555などにあるようにエアサンド
イッチ構造をとったり、特開昭57−50357.特開
昭60−182055、特開昭61−5450あるいは
特開昭60−5452などにあるように密着貼り合わせ
、構造をとったりしていた。また、接着層としては特開
昭6O−18s255のようにエポキシ系の接着剤を用
いたりしていた。また、接着の方法として、接着剤ヲロ
ールコート、スピンコードなどして塗布した後、熱また
は圧力をかけて線化させることがこころみられている。
しかし、前述の従来技術ではエアサンドイッチ構造ある
いは密着貼り合わせ構造がとられているが、エアサンド
インチ構造は空気層を挾んでいるため機械的強度が弱く
、記録層自身が耐酸化性が強いものか記録層の耐酸化性
のための強固な保護が心間であるが、記録層の耐酸化性
のための保護層としてセラミックスを用いると機械的強
度の弱さに起因する温湿度の変化による基板変形でセラ
ミックス層にクラックを生じやすくなり、セラミックス
層は用いることができない。また、密着貼り合わせ構造
においてエポキシ系の接着剤を用いると、保護Jイクを
介して貼り合わせたとしても保護層のピンホールからエ
ポキシ系の接着剤の中の酸触媒が浸透して記録層を酸化
させる、あるいは、接着剤の中に嫌気線化性を付与した
り、イオン重合系の触媒を用いると、嫌気性触媒あるい
はイオン重合系の触媒が、上述のエポキシ系の接着剤の
中の酸触媒と同様に、保護層のピンホールから浸透して
記録J?jを酸化させる。さらに、嫌気線化性を付与し
た接着剤は機械を用いて塗布しようとしたり、真空系内
で貼り合わせようとすると、機械中でゲル化しやすく、
真空中でもゲル化しやすいため均一に塗布させるための
制御が非常に難しい、また、接着剤をロールコート、ス
ピンコードなどして塗布した後熱と圧力または圧力をか
けて線化させることにより、6光性支持体として用いる
樹脂を変形させたり、記Mf’llや保護層にクラック
を生じやすい、また、従来の接着方法では接着層の中に
多くの気泡が残り、その気泡の影響により光学的ばらつ
きや、熱伝導率の違いによる記録ピットの形状が均iに
ならないという問題点を有していた。
いは密着貼り合わせ構造がとられているが、エアサンド
インチ構造は空気層を挾んでいるため機械的強度が弱く
、記録層自身が耐酸化性が強いものか記録層の耐酸化性
のための強固な保護が心間であるが、記録層の耐酸化性
のための保護層としてセラミックスを用いると機械的強
度の弱さに起因する温湿度の変化による基板変形でセラ
ミックス層にクラックを生じやすくなり、セラミックス
層は用いることができない。また、密着貼り合わせ構造
においてエポキシ系の接着剤を用いると、保護Jイクを
介して貼り合わせたとしても保護層のピンホールからエ
ポキシ系の接着剤の中の酸触媒が浸透して記録層を酸化
させる、あるいは、接着剤の中に嫌気線化性を付与した
り、イオン重合系の触媒を用いると、嫌気性触媒あるい
はイオン重合系の触媒が、上述のエポキシ系の接着剤の
中の酸触媒と同様に、保護層のピンホールから浸透して
記録J?jを酸化させる。さらに、嫌気線化性を付与し
た接着剤は機械を用いて塗布しようとしたり、真空系内
で貼り合わせようとすると、機械中でゲル化しやすく、
真空中でもゲル化しやすいため均一に塗布させるための
制御が非常に難しい、また、接着剤をロールコート、ス
ピンコードなどして塗布した後熱と圧力または圧力をか
けて線化させることにより、6光性支持体として用いる
樹脂を変形させたり、記Mf’llや保護層にクラック
を生じやすい、また、従来の接着方法では接着層の中に
多くの気泡が残り、その気泡の影響により光学的ばらつ
きや、熱伝導率の違いによる記録ピットの形状が均iに
ならないという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するものでその
目的とするところは、充分な機械的強度を有し、保護層
や記録層にクラックを生じさせたり、記録層を酸化させ
ることが極めて少ない量産性に富んだ密着貼り合わせ構
造の光記録媒体を提供するところにある。
目的とするところは、充分な機械的強度を有し、保護層
や記録層にクラックを生じさせたり、記録層を酸化させ
ることが極めて少ない量産性に富んだ密着貼り合わせ構
造の光記録媒体を提供するところにある。
本発明の光記録媒体のH!方法は光を用いて記録、再生
または消失を行なう光記録媒体の密着貼り合わせ構造に
おいて、透光性支持体の片面に少なくとも記録層を成膜
したものを2枚用いて、前記透光性支持体の前記記録層
が成膜されている側同士貼り合わせて、前記透光性支持
体の記基記録層が成膜されていない両面から光を照射し
て接着層を線化させたことを特徴とする。
または消失を行なう光記録媒体の密着貼り合わせ構造に
おいて、透光性支持体の片面に少なくとも記録層を成膜
したものを2枚用いて、前記透光性支持体の前記記録層
が成膜されている側同士貼り合わせて、前記透光性支持
体の記基記録層が成膜されていない両面から光を照射し
て接着層を線化させたことを特徴とする。
本発明において、嫌気線化性触媒はラジカル重合系の光
重合開始剤の5分の1モルパーセント以上含まない理由
は、5分の1モルパーセント以上含むと嫌気線化性の効
果が出て、機械を用いた塗布が難しく、記録層の酸化も
多くなり、ピットエラーレートが低下するためである。
重合開始剤の5分の1モルパーセント以上含まない理由
は、5分の1モルパーセント以上含むと嫌気線化性の効
果が出て、機械を用いた塗布が難しく、記録層の酸化も
多くなり、ピットエラーレートが低下するためである。
また、本発明では樹脂基体からなる透光性支持体を用い
ているので、290rLrnより短い波長の光は吸収さ
れて透過しないので接着層の線化には寄与しない6また
、450rLmより長い波長の光に対して有効励起波長
域を有するものは可視光でラジカルを発生するので不安
定であり、本発明の用途には向かない。本発明における
2 90 rbrnから4.50 rLmの波長の光に
対して有効励起波長域を有する光重合開始剤は、線化に
用いる光源に合わせて用いるとよい。例えば365TL
r/Lの波長を最もよく出す高圧水銀燈を光源として用
いる場合は、565tL77Lの波長に有効励起波長域
を有する光重合開始剤を用いるとよい。一般に光重合開
始剤の多くは290nmより短い波長の光に対しても有
効励起波長域を有するものがあるが、290 rLmよ
り短い波長の光は樹脂基体が吸収するために、光重合開
始剤の他に分光増感剤などを加えて、接着層の線化の効
率を上げてやると接着層が効率よく線化するようになる
。また、本発明において、透光性支持体上に中間層を介
しであるいは介さずして、第1保護層、記録層及び第2
保護層を成膜したものを2枚貼り合わせて、記録層が成
膜されていない両面から光を当てて線化させるのは、片
面からでは接着層の線化が片より、接着F’Jの線化が
不十分な部分ができるためである。
ているので、290rLrnより短い波長の光は吸収さ
れて透過しないので接着層の線化には寄与しない6また
、450rLmより長い波長の光に対して有効励起波長
域を有するものは可視光でラジカルを発生するので不安
定であり、本発明の用途には向かない。本発明における
2 90 rbrnから4.50 rLmの波長の光に
対して有効励起波長域を有する光重合開始剤は、線化に
用いる光源に合わせて用いるとよい。例えば365TL
r/Lの波長を最もよく出す高圧水銀燈を光源として用
いる場合は、565tL77Lの波長に有効励起波長域
を有する光重合開始剤を用いるとよい。一般に光重合開
始剤の多くは290nmより短い波長の光に対しても有
効励起波長域を有するものがあるが、290 rLmよ
り短い波長の光は樹脂基体が吸収するために、光重合開
始剤の他に分光増感剤などを加えて、接着層の線化の効
率を上げてやると接着層が効率よく線化するようになる
。また、本発明において、透光性支持体上に中間層を介
しであるいは介さずして、第1保護層、記録層及び第2
保護層を成膜したものを2枚貼り合わせて、記録層が成
膜されていない両面から光を当てて線化させるのは、片
面からでは接着層の線化が片より、接着F’Jの線化が
不十分な部分ができるためである。
第2図(α)から第8図は本発明の光記録媒体の基本十
−工成図である。
−工成図である。
第2図(α)に示す円で囲った部分を拡大して示したの
が第2図(b)であるが、1は1.2 mm厚さのディ
スク状のポリカーボネートの透光性支持体であり、ニッ
ケルのスタンパを用いた射出成形により第1図(b)に
示すように1.6μピツチでスパイラル状のトラッキン
グ用の溝が形成されたものである。2は1の透光性支持
体上に直接成膜された5iAtNの第1保順層であり、
初期真空度10−’ Torr 以下で、硅素70重
b1パーセントでアルミニウム50重量パーセントの合
金ターゲラトラ用いて、窒素20パーセント、アルゴン
80バー セントの混合ガスを導入して1.5771
’rorr にしてIKWのパワーを印加することに
よるDC反応マグネトロンスパッタリング法により5o
oX成膜したものである。3はNdDylFeCoTi
の記録層であり、2の第1保護層を逆スパツタした後、
真空系を10−’ Torr 以下にしてアルゴンガス
を導入して1.4 m ’rorr として800W
のパワーを印加することによるDoマグネトロンスパッ
タリング法により370′に成膜したものである。4は
5iAtNの第2保護層であり、2と同様に真空系を1
0−6以下にして硅素70重量パーセントでアルミニウ
ム50重積パーセントの合金ターゲラトラ用いて窒素1
5パーセント、アルゴン85パーセントの混合ガスを導
入してt 5 rn Torr にしてIKWのパワ
ーを印加することによるDC反応マグネトロンスパッタ
リング法により1500X成膜したものである。5は接
着層であり、ヘキサンジオールジアクリレート65部、
トリメチロールプロパントリアクリレート30部の混合
物にチバガイギー社製イルガキュア907を5部添加し
たものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗
布した後真空系に置いて貼り合わせて、高圧水fJ燈に
より紫外線を照射して線化させたものである。6は1と
同様な方法により作成したポリカーボネートの透光性支
持体である。7は2と同様な方法により成膜した5iA
tNの第1保護層である。8は3と同様な方法により成
膜したNdDylFeCoTiの記録層である。9は4
と同様な方法により成膜した5iAtHの第2保護層で
ある。
が第2図(b)であるが、1は1.2 mm厚さのディ
スク状のポリカーボネートの透光性支持体であり、ニッ
ケルのスタンパを用いた射出成形により第1図(b)に
示すように1.6μピツチでスパイラル状のトラッキン
グ用の溝が形成されたものである。2は1の透光性支持
体上に直接成膜された5iAtNの第1保順層であり、
初期真空度10−’ Torr 以下で、硅素70重
b1パーセントでアルミニウム50重量パーセントの合
金ターゲラトラ用いて、窒素20パーセント、アルゴン
80バー セントの混合ガスを導入して1.5771
’rorr にしてIKWのパワーを印加することに
よるDC反応マグネトロンスパッタリング法により5o
oX成膜したものである。3はNdDylFeCoTi
の記録層であり、2の第1保護層を逆スパツタした後、
真空系を10−’ Torr 以下にしてアルゴンガス
を導入して1.4 m ’rorr として800W
のパワーを印加することによるDoマグネトロンスパッ
タリング法により370′に成膜したものである。4は
5iAtNの第2保護層であり、2と同様に真空系を1
0−6以下にして硅素70重量パーセントでアルミニウ
ム50重積パーセントの合金ターゲラトラ用いて窒素1
5パーセント、アルゴン85パーセントの混合ガスを導
入してt 5 rn Torr にしてIKWのパワ
ーを印加することによるDC反応マグネトロンスパッタ
リング法により1500X成膜したものである。5は接
着層であり、ヘキサンジオールジアクリレート65部、
トリメチロールプロパントリアクリレート30部の混合
物にチバガイギー社製イルガキュア907を5部添加し
たものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に塗
布した後真空系に置いて貼り合わせて、高圧水fJ燈に
より紫外線を照射して線化させたものである。6は1と
同様な方法により作成したポリカーボネートの透光性支
持体である。7は2と同様な方法により成膜した5iA
tNの第1保護層である。8は3と同様な方法により成
膜したNdDylFeCoTiの記録層である。9は4
と同様な方法により成膜した5iAtHの第2保護層で
ある。
10は透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。11は透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分である。12は10と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。13
は11と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。14はディスクのセンターホー
ルである@3図の15は第2図(α)の1と同様に、1
.2団厚さのディスク状の透光性支持体であり、ニッケ
ルのスタンバを用いる射出成形により1.6/jピツチ
でスパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもの
である。16は15の透光性支持体上に直接成膜された
5iAtNの第1保護層であり、第2図(α)の2と同
様に、初期真空度10−’ TOrr 以下で硅素7
0重量パーセントでアルミニウム50重量パーセントの
合金ターゲットを用いて、ii20パーセント、アルゴ
ン8’Oパーセントの混合ガスを導入して1.5 m
’rorr としてIKWのパワーを印力lすること
にょるR7反応マグネトロンスパッタリング法によりa
−soX成涙したものである。17はGaTb?eCo
Tiの記録1・nであり、16の第1保護Kjを逆スパ
ツタした後、真空系を10″″’ TOrr 以下にし
てアルゴンガスを導入して1.5扉TOrrとしてGd
TbTiの合金ターゲットに3oow、yθCOの合金
ターゲットにIKWのパワーを印加することによるDC
同時スパッタリング法により400又成膜したものであ
る。18は5iAtNの第2保護層であり、16の第1
保護層と同様に真空系を10−’ Torr以下にして
硅素70重社バーセントでアルミニウム30重社バーセ
ントの合金ターゲットを用いて窒素15パーセント、ア
ルゴン85パーセントの混合ガスを導入して1.5 m
Torr にしてIKWのパワーを印力iすること
によるDC反応マグネトロンスパッタリング法により1
550′に成膜したものである゛。19は接着J=uで
あり、ネオペンチルグリコールジアクリレート60部、
ジペンタエリスリトールへ午すアクリレート20部、ジ
エチレングリコールジアクリレート15部の混合物にベ
ンジルジメチルケタール3部とベンジル2部を添加した
ものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に真空
系内で塗布した後貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線
を照射して線化させたものである。20は15と同様d
方法により作成したポリカーボネートの透光性支持体で
ある。21は16と同様な方法により成膜した5iAt
Hの第1保護ハクである。22は17と同様な方法によ
り成膜したGdTbFeC!oTiの記録層である62
3は18と同様な方法により成膜した5iAtNの第2
保護層である。24は透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分である。25は透光性支持体の外周側
にある接着層が直接つく部分である。26は24と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。27は25と向いあった透光性支持体の外周
側にある接着I・jが直接つく部分である。28はディ
スクのセンターホールである。
分である。11は透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分である。12は10と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。13
は11と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。14はディスクのセンターホー
ルである@3図の15は第2図(α)の1と同様に、1
.2団厚さのディスク状の透光性支持体であり、ニッケ
ルのスタンバを用いる射出成形により1.6/jピツチ
でスパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもの
である。16は15の透光性支持体上に直接成膜された
5iAtNの第1保護層であり、第2図(α)の2と同
様に、初期真空度10−’ TOrr 以下で硅素7
0重量パーセントでアルミニウム50重量パーセントの
合金ターゲットを用いて、ii20パーセント、アルゴ
ン8’Oパーセントの混合ガスを導入して1.5 m
’rorr としてIKWのパワーを印力lすること
にょるR7反応マグネトロンスパッタリング法によりa
−soX成涙したものである。17はGaTb?eCo
Tiの記録1・nであり、16の第1保護Kjを逆スパ
ツタした後、真空系を10″″’ TOrr 以下にし
てアルゴンガスを導入して1.5扉TOrrとしてGd
TbTiの合金ターゲットに3oow、yθCOの合金
ターゲットにIKWのパワーを印加することによるDC
同時スパッタリング法により400又成膜したものであ
る。18は5iAtNの第2保護層であり、16の第1
保護層と同様に真空系を10−’ Torr以下にして
硅素70重社バーセントでアルミニウム30重社バーセ
ントの合金ターゲットを用いて窒素15パーセント、ア
ルゴン85パーセントの混合ガスを導入して1.5 m
Torr にしてIKWのパワーを印力iすること
によるDC反応マグネトロンスパッタリング法により1
550′に成膜したものである゛。19は接着J=uで
あり、ネオペンチルグリコールジアクリレート60部、
ジペンタエリスリトールへ午すアクリレート20部、ジ
エチレングリコールジアクリレート15部の混合物にベ
ンジルジメチルケタール3部とベンジル2部を添加した
ものを透光性支持体の記録層が成膜されている側に真空
系内で塗布した後貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線
を照射して線化させたものである。20は15と同様d
方法により作成したポリカーボネートの透光性支持体で
ある。21は16と同様な方法により成膜した5iAt
Hの第1保護ハクである。22は17と同様な方法によ
り成膜したGdTbFeC!oTiの記録層である62
3は18と同様な方法により成膜した5iAtNの第2
保護層である。24は透光性支持体の内周側にある接着
層が直接つく部分である。25は透光性支持体の外周側
にある接着層が直接つく部分である。26は24と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。27は25と向いあった透光性支持体の外周
側にある接着I・jが直接つく部分である。28はディ
スクのセンターホールである。
8g4図の29はt 2 rra厚さのディスク状のポ
リカーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタ
ンパを用い−た射出成形により1.7μピツチでスパイ
ラル状のトラッキング用の溝が形成されたものである。
リカーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタ
ンパを用い−た射出成形により1.7μピツチでスパイ
ラル状のトラッキング用の溝が形成されたものである。
30は5iAtNOの第1保護層であり、初期真空度1
0″″’ Torr 以下にして、硅素60重tパーセ
ントでアルミニウム40重社バーセントの合金ターゲッ
トを用いて、窒素20パーセント、酸素1パーセント、
アルゴン79パーセントの混合ガスを導入して1.4
rrLTOrr にして1KWのパワーを印加するこ
とによるR7反応マグネトロンスパッタリング法により
asoX成膜したものである。31はGaTb1Feの
記録層であり、30の第1保護層を逆スパツタした後、
真空系を10−’ Torr 以下にしてアルゴンガ
スを導入して1.5 m T+)rr として、99
.9 ’9パーセント純度の鉄のターゲットの上に5r
lr!n角と1c!n角のガドリニウムとテルビ°ウム
のペレットを置いた状態でIKWのパワーを印加するこ
とにより300X成展したものである。32は5iAt
NOの第2保論層であり> 50の第1保護層と同様に
、硅素6oi1dパーセントでアルミニウム40重社バ
ーセントの合金ターゲットを用いて、窒素18パーセン
トs 酸素2 バーセント、アルゴン80パーセントの
混合ガスを導入して1.5 m Torr にして8
00Wのパワーを印加することによるR7反応マグネト
ロンスパッタリング法により1000X成膜したもので
あるa 33はアルミニウムの反射戻であり、真空系を
10″″’ TOrr 以下にして、アルゴンガスを
導入して2 m ’I’orr として、アルミニウ
ムのターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリン
グ法により600X成膜したものである。34は本発明
になる接着層であり、1,4−ブタンジオールジアクリ
レート60部、トリエチレングリコールジアクリレート
20部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート1
5部、フッ素変成アクリレート1部の混合物に、ベンゾ
インイソブチルエーテル2部とベンジルジメチルケター
ル2部を添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支
持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系
に置いて貼り合わせて、高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。
0″″’ Torr 以下にして、硅素60重tパーセ
ントでアルミニウム40重社バーセントの合金ターゲッ
トを用いて、窒素20パーセント、酸素1パーセント、
アルゴン79パーセントの混合ガスを導入して1.4
rrLTOrr にして1KWのパワーを印加するこ
とによるR7反応マグネトロンスパッタリング法により
asoX成膜したものである。31はGaTb1Feの
記録層であり、30の第1保護層を逆スパツタした後、
真空系を10−’ Torr 以下にしてアルゴンガ
スを導入して1.5 m T+)rr として、99
.9 ’9パーセント純度の鉄のターゲットの上に5r
lr!n角と1c!n角のガドリニウムとテルビ°ウム
のペレットを置いた状態でIKWのパワーを印加するこ
とにより300X成展したものである。32は5iAt
NOの第2保論層であり> 50の第1保護層と同様に
、硅素6oi1dパーセントでアルミニウム40重社バ
ーセントの合金ターゲットを用いて、窒素18パーセン
トs 酸素2 バーセント、アルゴン80パーセントの
混合ガスを導入して1.5 m Torr にして8
00Wのパワーを印加することによるR7反応マグネト
ロンスパッタリング法により1000X成膜したもので
あるa 33はアルミニウムの反射戻であり、真空系を
10″″’ TOrr 以下にして、アルゴンガスを
導入して2 m ’I’orr として、アルミニウ
ムのターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリン
グ法により600X成膜したものである。34は本発明
になる接着層であり、1,4−ブタンジオールジアクリ
レート60部、トリエチレングリコールジアクリレート
20部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート1
5部、フッ素変成アクリレート1部の混合物に、ベンゾ
インイソブチルエーテル2部とベンジルジメチルケター
ル2部を添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支
持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系
に置いて貼り合わせて、高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。
35は29と同様な方法により作成したポリカーボネー
トの透光性支持体である。36は30と同様な方法によ
り成膜したSiA/、NOの第1保護層である。37は
31と同様な方法により成膜したGdTbFeの記録層
である。38は32と同様な方法により成膜したSiA
/、Noの第2保護層である。39は33と同様な方法
により成膜したアルミニウムの反射膜である。40は透
光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分である
、、41はr1!L光性支持体の外周側にある接着層が
直接つく部分である。40は38と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。43
は41と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。44はディスクのセンターホー
ルである。
トの透光性支持体である。36は30と同様な方法によ
り成膜したSiA/、NOの第1保護層である。37は
31と同様な方法により成膜したGdTbFeの記録層
である。38は32と同様な方法により成膜したSiA
/、Noの第2保護層である。39は33と同様な方法
により成膜したアルミニウムの反射膜である。40は透
光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分である
、、41はr1!L光性支持体の外周側にある接着層が
直接つく部分である。40は38と向い合った透光性支
持体の内周側にある接着層が直接つく部分である。43
は41と向い合った透光性支持体の外周側にある接着層
が直接つく部分である。44はディスクのセンターホー
ルである。
第5図の45は1.2 mm厚さのディスク状のエポキ
シの透光性支持体であり、酸線化現のエポキシ樹脂を注
型成形により作成したものである。46は2PJdであ
り、本発明の特許請求の範囲で述べた中間層ということ
になるが、ニッケルのスタンバを用いて1,65μピツ
チのスパイラル状の溝を形成したものである647はS
iHの第1保護層であり、46の2P層を逆スパツタし
た後、真空系を10−@Torr 以下にして、アルゴ
ンガスを導入して2 m Torr として、窒化硅
素の焼結体ターゲットを用いて、500Wのパワーを印
加することによるRFマグネトロンスパッタリング法に
より1000^成膜したものである。48はTbFeo
oの記録層であり、47の第1保護層を逆スパツタした
後、真空系をI CI” Torr 以下にしてアル
ゴンガスな導入して1.75 m TOrr として
、99、95パ一セント純度鉄−コバルトのターゲット
上に5 rran X 5 vrrn X 1 ran
のテルビウムのペレットを置いた状態でsoowのパワ
ーを印加することによるDCマグネトロンスバッタリ/
グ法により400に成膜したものである。49はSiN
の第2保獲層であり47の第1保護層と同様に、真空系
を10′″”rorr 以下にして、アルゴンガスを
導入して2 m Torr として、窒化硅素の焼結
体ターゲットを用いて600Wのパワーを印加すること
によるR7マグネトロンスパッタリング法により1so
oX成膜したものである。50は本発明になる接着層で
あり、1.6ヘキサンジオ一ルジアクリレート30部、
トリメチロールプロパントリアクリレート50部2日本
化薬製CAYARADR12Bを20部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート15部の混合物にチバガイギ
ー社製イルガキエア907を5部添加したものを透光性
支持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空
系に置いて貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。51は45と同様な方法に
より作成したエホ゛キシの透光性支持体である。52は
46と同様な方法により作成した2P層である。53は
47と同様な方法により成膜したSiNの第1保設層で
ある。54は48と同様な方法により成膜したTb?e
O。
シの透光性支持体であり、酸線化現のエポキシ樹脂を注
型成形により作成したものである。46は2PJdであ
り、本発明の特許請求の範囲で述べた中間層ということ
になるが、ニッケルのスタンバを用いて1,65μピツ
チのスパイラル状の溝を形成したものである647はS
iHの第1保護層であり、46の2P層を逆スパツタし
た後、真空系を10−@Torr 以下にして、アルゴ
ンガスを導入して2 m Torr として、窒化硅
素の焼結体ターゲットを用いて、500Wのパワーを印
加することによるRFマグネトロンスパッタリング法に
より1000^成膜したものである。48はTbFeo
oの記録層であり、47の第1保護層を逆スパツタした
後、真空系をI CI” Torr 以下にしてアル
ゴンガスな導入して1.75 m TOrr として
、99、95パ一セント純度鉄−コバルトのターゲット
上に5 rran X 5 vrrn X 1 ran
のテルビウムのペレットを置いた状態でsoowのパワ
ーを印加することによるDCマグネトロンスバッタリ/
グ法により400に成膜したものである。49はSiN
の第2保獲層であり47の第1保護層と同様に、真空系
を10′″”rorr 以下にして、アルゴンガスを
導入して2 m Torr として、窒化硅素の焼結
体ターゲットを用いて600Wのパワーを印加すること
によるR7マグネトロンスパッタリング法により1so
oX成膜したものである。50は本発明になる接着層で
あり、1.6ヘキサンジオ一ルジアクリレート30部、
トリメチロールプロパントリアクリレート50部2日本
化薬製CAYARADR12Bを20部、ネオペンチル
グリコールジアクリレート15部の混合物にチバガイギ
ー社製イルガキエア907を5部添加したものを透光性
支持体の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空
系に置いて貼り合わせて高圧水銀燈により紫外線を照射
して線化させたものである。51は45と同様な方法に
より作成したエホ゛キシの透光性支持体である。52は
46と同様な方法により作成した2P層である。53は
47と同様な方法により成膜したSiNの第1保設層で
ある。54は48と同様な方法により成膜したTb?e
O。
の記録層である。55は49と同様な方法により成膜し
た5iN17)第2保護層である。56は透光性支持体
の内周側にある接着層が直接つく部分である。57は透
光性支持体の外[に側にある接着層が直接つく部分であ
る。58は56と向い合ったi゛光性支持体の内周側に
ある接着Kjが直接つく部分である。59は57と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。
た5iN17)第2保護層である。56は透光性支持体
の内周側にある接着層が直接つく部分である。57は透
光性支持体の外[に側にある接着層が直接つく部分であ
る。58は56と向い合ったi゛光性支持体の内周側に
ある接着Kjが直接つく部分である。59は57と向い
合った透光性支持体の内周側にある接着層が直接つく部
分である。
60はディスクのセンターホールである。
第6図の61は1.2rrrIR厚さのディスク状のポ
リメチルメタクリレートの透り性支持体であり、ニッケ
ルのスタンパを用いた射出成形により1.6μピツチで
スパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもので
ある。62はAtNoの第1保護層であり、61のポリ
メチルメタクリレートの透光性支持体を逆スパツタした
後、真空系を1O−6Torr 以下にして、アルゴ
ンガスな導入して3mTOrr として、AtN0の
焼結体ターゲットを用いるR7マグネトロンスパッタリ
ング法により1500又成戻したものである。63はT
e−’reOxの記録層であり、62のAtN0の第1
保護層を成膜した後真空系を10″″’ TOrr
以下にして、アルゴン90パーセントで酸素10パーセ
ントの混合ガスを導入して5 m TOrr として
、Teのターゲットを用いるR7反応マグネトロンスパ
ッタリング法により1oooX成膜したものである。6
4はAANOの第2保護層であり、62と同様に真空系
を10−’ TOrr 以下にして、アルゴンガスを
導入して3 m Torr として、AtN0の焼結
体ターゲットを用いるR7マグネトロンスノ%7タリン
グ法により1500に成膜したものである。65は本発
明になる接着層であり、テトラヒドロフリルアクリレー
ト20部、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート3
0部、テトラメチロールメタンテトラアクリレート20
部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート25部
の混合物にチバガイギー社製イルガキエア907を5部
添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体の記
録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置いて
貼り合わせて、高圧水銀源により紫外線を照射して線化
させたものである。66は61と同様な方法により作成
したポリメチルメタクリレートの透光性支持体である。
リメチルメタクリレートの透り性支持体であり、ニッケ
ルのスタンパを用いた射出成形により1.6μピツチで
スパイラル状のトラッキング用の溝が形成されたもので
ある。62はAtNoの第1保護層であり、61のポリ
メチルメタクリレートの透光性支持体を逆スパツタした
後、真空系を1O−6Torr 以下にして、アルゴ
ンガスな導入して3mTOrr として、AtN0の
焼結体ターゲットを用いるR7マグネトロンスパッタリ
ング法により1500又成戻したものである。63はT
e−’reOxの記録層であり、62のAtN0の第1
保護層を成膜した後真空系を10″″’ TOrr
以下にして、アルゴン90パーセントで酸素10パーセ
ントの混合ガスを導入して5 m TOrr として
、Teのターゲットを用いるR7反応マグネトロンスパ
ッタリング法により1oooX成膜したものである。6
4はAANOの第2保護層であり、62と同様に真空系
を10−’ TOrr 以下にして、アルゴンガスを
導入して3 m Torr として、AtN0の焼結
体ターゲットを用いるR7マグネトロンスノ%7タリン
グ法により1500に成膜したものである。65は本発
明になる接着層であり、テトラヒドロフリルアクリレー
ト20部、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート3
0部、テトラメチロールメタンテトラアクリレート20
部、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート25部
の混合物にチバガイギー社製イルガキエア907を5部
添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体の記
録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置いて
貼り合わせて、高圧水銀源により紫外線を照射して線化
させたものである。66は61と同様な方法により作成
したポリメチルメタクリレートの透光性支持体である。
67は62と同様な方法により成膜したAtN0の第1
保護層である。68は63とP1様な方法により成膜し
たTθ−T e Oxの記録層である。69は64と同
様な方法により成膜した第2保護層である。70は透光
性支持体の内局側にある接着層が直接つく部分である6
71は透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく部
分である。72は70と向い合った透光性支持体の内周
側にある接着層が直接つく部分である。73は71と向
p合った透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく
部分である。
保護層である。68は63とP1様な方法により成膜し
たTθ−T e Oxの記録層である。69は64と同
様な方法により成膜した第2保護層である。70は透光
性支持体の内局側にある接着層が直接つく部分である6
71は透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく部
分である。72は70と向い合った透光性支持体の内周
側にある接着層が直接つく部分である。73は71と向
p合った透光性支持体の外周側にある接着層が直接つく
部分である。
74はディスクのセンターホールである。
第7図の75は?、 2 m厚さのディスク状のポリカ
ーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタンパ
を用いた射出成形により1.6μピツチでスパイラル状
のトラッキング用の溝が形成されたものである。76は
S10.の第1保護層であり、Sin、のペレットを用
いた真空蒸着法により600X成膜されたものである。
ーボネートの透光性支持体であり、ニッケルのスタンパ
を用いた射出成形により1.6μピツチでスパイラル状
のトラッキング用の溝が形成されたものである。76は
S10.の第1保護層であり、Sin、のペレットを用
いた真空蒸着法により600X成膜されたものである。
77はシアニン系の有機色素の記録層であり、760S
in、の第1保護層上にスピンコードにより成膜された
ものである。このとき記録層は、スピンコードであるた
め84及び86の透光性支持体の内周側にある接着層が
直接つく部分や85及び87の透光性支持体の外周側に
ある接着層が直接つく部分にまで広がるが、接着には全
く問題はない。78はS10.の第2保護層であり、7
6の第1保護層と同様に真空蒸着法により成膜したもの
である。
in、の第1保護層上にスピンコードにより成膜された
ものである。このとき記録層は、スピンコードであるた
め84及び86の透光性支持体の内周側にある接着層が
直接つく部分や85及び87の透光性支持体の外周側に
ある接着層が直接つく部分にまで広がるが、接着には全
く問題はない。78はS10.の第2保護層であり、7
6の第1保護層と同様に真空蒸着法により成膜したもの
である。
77は本発明になる接着層であり、1.6−へ牛サンジ
オールジアクリレート95部にベンジルメチルケタール
5部添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体
の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置
いて貼り合わせて、中圧水銀燈により紫外線を照射して
線化させたものである。80は75と同様な方法により
作成したポリカーボネートの透光性支持体である。81
は76と同様な方法により成膜したSiO□の第1保護
層である。82は77と同様な方法により成膜したシア
ニン系の有機色素の記り層である。
オールジアクリレート95部にベンジルメチルケタール
5部添加したものを、貼り合わせる片方の透光性支持体
の記録層が成膜されている側に塗布した後、真空系に置
いて貼り合わせて、中圧水銀燈により紫外線を照射して
線化させたものである。80は75と同様な方法により
作成したポリカーボネートの透光性支持体である。81
は76と同様な方法により成膜したSiO□の第1保護
層である。82は77と同様な方法により成膜したシア
ニン系の有機色素の記り層である。
83は78と同様な方法により成膜したslo。
の第2保護層である。88はディスクのセンターホール
である。
である。
第8図に示す光記録媒体は第2図(α)に示す光記録媒
体と全く同一の条件で作成したものであるが、91及び
96のNdDyFe0OTiの記録層のfdII端而が
俣面層で舒われだ形になっている−89及び94がぎリ
カーボネートの透光性支持体、90及び95が5IAt
Nの第f保護層、92及び97が5iAtNの第2保護
層、93が本発明になる接着層、98及び100が透光
性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分であり、
99及び101が透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分であり、102がディスクのセンターホー
ルである。
体と全く同一の条件で作成したものであるが、91及び
96のNdDyFe0OTiの記録層のfdII端而が
俣面層で舒われだ形になっている−89及び94がぎリ
カーボネートの透光性支持体、90及び95が5IAt
Nの第f保護層、92及び97が5iAtNの第2保護
層、93が本発明になる接着層、98及び100が透光
性支持体の内周側にある接着層が直接つく部分であり、
99及び101が透光性支持体の外局側にある接着層が
直接つく部分であり、102がディスクのセンターホー
ルである。
次に、本発明における接着層の線化方法について説明す
る。第1図は本発明になる接着層の線化方法を示す図で
あり、光記録媒体の両面から光を照射して接着層を線化
させる方法であり、105は光記録媒体、104及び1
05が接着層を線化させるための光源である0本発明で
は金属薄膜を記録層として用いる場合を含むため、29
0F&rnから4503fiの波長の光の透過率がかな
り低くなるために、接着層の線化効率が悪くなる。そこ
で、本発明では光記録媒体の両面から光を照射して接着
層を線化させている。第9図には、第2図(α)に示す
構成の光記録媒体で接着層の線化方法として、光記録媒
体の両面から光を照射した場合と片面から光を照射した
ときの65℃90%RH下のピットエラーレートの経時
変化図であり、106が両面から光を照射した場合で、
107が片面から光を照射した場合である。このとき、
光源として56SrLm付近の波長の光を鏝もよく出す
高圧水銀源を用いて接着層を線化させた。第9図の結果
かられかるように本発明になる光記録媒体の製造方法に
より、ピットエラーレートの経時変化が極めて少ない光
記録媒体が提供されることがわかる。
る。第1図は本発明になる接着層の線化方法を示す図で
あり、光記録媒体の両面から光を照射して接着層を線化
させる方法であり、105は光記録媒体、104及び1
05が接着層を線化させるための光源である0本発明で
は金属薄膜を記録層として用いる場合を含むため、29
0F&rnから4503fiの波長の光の透過率がかな
り低くなるために、接着層の線化効率が悪くなる。そこ
で、本発明では光記録媒体の両面から光を照射して接着
層を線化させている。第9図には、第2図(α)に示す
構成の光記録媒体で接着層の線化方法として、光記録媒
体の両面から光を照射した場合と片面から光を照射した
ときの65℃90%RH下のピットエラーレートの経時
変化図であり、106が両面から光を照射した場合で、
107が片面から光を照射した場合である。このとき、
光源として56SrLm付近の波長の光を鏝もよく出す
高圧水銀源を用いて接着層を線化させた。第9図の結果
かられかるように本発明になる光記録媒体の製造方法に
より、ピットエラーレートの経時変化が極めて少ない光
記録媒体が提供されることがわかる。
尚、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。
、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変更は可能であ
る。
以上述べたように本発明によれば以下の効果を有する。
(1)接着層の線化のとき、光記録媒体の両側から光を
当てるので、接着層が均一に線化して耐候性の優れた光
記録媒体となる。
当てるので、接着層が均一に線化して耐候性の優れた光
記録媒体となる。
(2) 接着層の線化に用いる光源の透過率がわずか
でも接着層が線化するので、光記録媒体の両面を用いた
信号の記録、再生が可能となる。
でも接着層が線化するので、光記録媒体の両面を用いた
信号の記録、再生が可能となる。
(3) ラジカル重合系の接着層を用いているので、
エポキシ系の接着剤、イオン重合系接着剤あるいは嫌気
線化性接着剤等で用いられる記録層゛1を酸化させやす
い、酸触媒、イオン重合系触媒あるいは嫌気線化性触媒
をほとんど含まないため、記録層を完全に防ぐことがで
きる。
エポキシ系の接着剤、イオン重合系接着剤あるいは嫌気
線化性接着剤等で用いられる記録層゛1を酸化させやす
い、酸触媒、イオン重合系触媒あるいは嫌気線化性触媒
をほとんど含まないため、記録層を完全に防ぐことがで
きる。
(4) 接着層に気泡が全く入らないようにすることが
可能なため、第1保護層、記録層、第2保護層の次に接
着層がくる簡単な構成が可能となる(5) ホットメ
ルト型の接着剤のように接着層の線化のとき透光性支持
体に圧力をかけたり、エポキシ系の接着剤のように透光
性支持体に熱と圧力をかけたりしなくてよいので、透光
性支持体を熱で変形させたり、圧力で光学的歪を与えた
りすることが少ない。
可能なため、第1保護層、記録層、第2保護層の次に接
着層がくる簡単な構成が可能となる(5) ホットメ
ルト型の接着剤のように接着層の線化のとき透光性支持
体に圧力をかけたり、エポキシ系の接着剤のように透光
性支持体に熱と圧力をかけたりしなくてよいので、透光
性支持体を熱で変形させたり、圧力で光学的歪を与えた
りすることが少ない。
(6)比較的低粘度の接着剤がつくれるため作業性に優
れる。また、嫌気線化性が弱いので機械を用いた塗布が
可能である。さらに、接着層の線化が秒単位ですむため
t3km性に侵れる。
れる。また、嫌気線化性が弱いので機械を用いた塗布が
可能である。さらに、接着層の線化が秒単位ですむため
t3km性に侵れる。
(ア) 密着貼り合わせ構造であるため機械的強度が
強く、エアサンドインチ構造のように温湿度の変化に伴
う透光性支持体の変形による保護層や記録層にクラック
を生じるということがない。
強く、エアサンドインチ構造のように温湿度の変化に伴
う透光性支持体の変形による保護層や記録層にクラック
を生じるということがない。
第1図は本発明の光記録媒体の製造方法を示す図である
。 第2図(α)(b)〜第8図は本発明の光記録媒体の基
本構成図を示す図である。 第9図は光記録媒体の両図から光を照射して接着層を線
化させた場合と片面から光を照射して接着層を線化させ
たときの65℃90%RH下でのピットエラーレートの
経時変化図である。 1・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体2・・
・・・・5iAtNの8g1保護層5−−NdDy?e
COTiの記I FJf4・・・・・・5iAjJの第
2保護層5・・・・・・接着層 6・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体7・・
・・・・S i AtNの第1保護層8・・・・・・N
dDyIFaCOτ1□の記録層9・・・・・・5iA
tNの第2保護層10・・・内周側の接着層が直接つく
部分11・・・外周側の接着層が直接つく部分12・・
・内周側の接着層が直接つく部分15・・・外周側の接
着層が直接つく部分14・・・ディスクのセンターホー
ル 15・・・ポリカーボネートの透光性支持体16・・・
5iAtNの第1保護層 17−GdTbFeCoTiの記録層 18・・・5iA4Nの第2保護層 19・・・接着層 20・・・ポリカーボネートの透光性支持体21・・・
5iAtNの第1保愚層 22−GdTbFeOoTiの記り層 23・・・5iAtNの第2保護層 24・・・内周側の接N層が直接つく部分25・・・外
周側の接着層が直接つく部分26・・・内局側の接着層
が直接つく部分27・・・外1M側の接着層が直接つく
部分28・・・ディスクのセンターホール 29・・・ポリカーボネートの透光性支持体30・・・
5iAtH□の第1保設層 51 ・・・GdTb1Feの記録層 32・・・5iAtNOf)第2保護層33・・・アル
ミニウムの反射膜 34・・・接着層 35・・・ポリカーボネートの透光性支持体36・・・
5iAtNOの第1保設層 S 7−GdTbFeの記録層 38・・・5iAtlJQの第2保護層39・・・アル
ミニウムの又対膜 40・・・内周側の接着層が直接つく部分41・・・外
周側の接着層が直接つく部分42・・・内周側の接着層
が直接つく部分43・・・外周側の接着層が直接つく部
分44・・・ディスクのセンターホール部分45・・・
g IJカーボネートの透光性支持体46・・・2P層 47・・・SiHの第1保護層 48−=TbFeOoの記録層 49・・・SiHの第2保護層 50・・・接着層 51・・・ポリカーボネートの透光性支持体52・・・
2PN 53・・・SiHの第1保護層 54・・・Tb?θCoの記録層 55・・・SiHの第2保護層 56・・・内周側の接着層が直接つく部分57・・・外
周側の接着層が直接つく部分58・・・内周側の接着層
が直接つく部分59・・・外周側の接着層が直接つく部
分60・・・ディスクのセンターホール部分61・・・
ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 62・・・AtN0の第1保護層 65−T e −T eOxの記録層 64・・・AtN0の第2保護層 65・・・接着層 66・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 67・・・A t N Oの第1保護層68・・・Tθ
−TeOxの記録層 69・・・htNoの第2保護層 70・・・内周側の接着層が直接つく部分71・・・外
周側の接着層が直接つく部分72・・・内周側の接着層
が直接つく部分73・・・外周側の接着層が直接つく部
分74・・・ディスクのセンターホール部分75・・・
ポリカーボネートの透光性支持体76・・・S10.の
第1保設層 77・・・シアニン系の有機色素の記録層78・・・S
10.の第2保護層 79・・・接着層 80・・・ポリカーボネートの透光性支持体81・・・
Sin、の第1保護層 82・・・シアニン系の有機色素の記録層83・・・S
in、の第2保護層 84・・・内周側の接着層が直接つく部分85・・・外
14側の接着層が直接つく部分86・・・内周側の接着
層が直接つく部分1l17・・・外周側の接着層が直接
つく部分8日・・・ディスクのセンターホール部分89
・・・ポリカーボネートの透光性支持体90・・・5i
AtNの第1保護層 91−NdDyFe0OTiの記録層 92・・・5iAtNの第2保護層 93・・・接着層 94・・・ポリカーボネートの透光性支持体95・・・
SiA/、Nの第1保護層 96 ・=NdDy?e(30’riの記録層97・・
・5iAtNの第2保護層 98・・・内周側の接着層が直接つく部分99・・・外
周側の接着層が直接つく部分100・・・内周側の接着
層が直接つく部分101・・・外周側の接着層が直接つ
く部分102・・・ディスクのセンターホール部分10
3・・・光記録媒体 104・・・接着層を線化させるための光源105・・
・接着層を線化させるための光源106・・・光記録媒
体の両面から光を照射して接着ICを線化させたもの 107・・・光記録媒体の片面から光を照射して接着層
を線化させたもの 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋(他1名) 193う七I元己1コミ童某ゴ名。 to4九A 1図 第2図(λ) @2図(17) lち、20誘九記寝任 業4図 85図 偶−/口
。 第2図(α)(b)〜第8図は本発明の光記録媒体の基
本構成図を示す図である。 第9図は光記録媒体の両図から光を照射して接着層を線
化させた場合と片面から光を照射して接着層を線化させ
たときの65℃90%RH下でのピットエラーレートの
経時変化図である。 1・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体2・・
・・・・5iAtNの8g1保護層5−−NdDy?e
COTiの記I FJf4・・・・・・5iAjJの第
2保護層5・・・・・・接着層 6・・・・・・ポリカーボネートの透光性支持体7・・
・・・・S i AtNの第1保護層8・・・・・・N
dDyIFaCOτ1□の記録層9・・・・・・5iA
tNの第2保護層10・・・内周側の接着層が直接つく
部分11・・・外周側の接着層が直接つく部分12・・
・内周側の接着層が直接つく部分15・・・外周側の接
着層が直接つく部分14・・・ディスクのセンターホー
ル 15・・・ポリカーボネートの透光性支持体16・・・
5iAtNの第1保護層 17−GdTbFeCoTiの記録層 18・・・5iA4Nの第2保護層 19・・・接着層 20・・・ポリカーボネートの透光性支持体21・・・
5iAtNの第1保愚層 22−GdTbFeOoTiの記り層 23・・・5iAtNの第2保護層 24・・・内周側の接N層が直接つく部分25・・・外
周側の接着層が直接つく部分26・・・内局側の接着層
が直接つく部分27・・・外1M側の接着層が直接つく
部分28・・・ディスクのセンターホール 29・・・ポリカーボネートの透光性支持体30・・・
5iAtH□の第1保設層 51 ・・・GdTb1Feの記録層 32・・・5iAtNOf)第2保護層33・・・アル
ミニウムの反射膜 34・・・接着層 35・・・ポリカーボネートの透光性支持体36・・・
5iAtNOの第1保設層 S 7−GdTbFeの記録層 38・・・5iAtlJQの第2保護層39・・・アル
ミニウムの又対膜 40・・・内周側の接着層が直接つく部分41・・・外
周側の接着層が直接つく部分42・・・内周側の接着層
が直接つく部分43・・・外周側の接着層が直接つく部
分44・・・ディスクのセンターホール部分45・・・
g IJカーボネートの透光性支持体46・・・2P層 47・・・SiHの第1保護層 48−=TbFeOoの記録層 49・・・SiHの第2保護層 50・・・接着層 51・・・ポリカーボネートの透光性支持体52・・・
2PN 53・・・SiHの第1保護層 54・・・Tb?θCoの記録層 55・・・SiHの第2保護層 56・・・内周側の接着層が直接つく部分57・・・外
周側の接着層が直接つく部分58・・・内周側の接着層
が直接つく部分59・・・外周側の接着層が直接つく部
分60・・・ディスクのセンターホール部分61・・・
ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 62・・・AtN0の第1保護層 65−T e −T eOxの記録層 64・・・AtN0の第2保護層 65・・・接着層 66・・・ポリメチルメタクリレートの透光性支持体 67・・・A t N Oの第1保護層68・・・Tθ
−TeOxの記録層 69・・・htNoの第2保護層 70・・・内周側の接着層が直接つく部分71・・・外
周側の接着層が直接つく部分72・・・内周側の接着層
が直接つく部分73・・・外周側の接着層が直接つく部
分74・・・ディスクのセンターホール部分75・・・
ポリカーボネートの透光性支持体76・・・S10.の
第1保設層 77・・・シアニン系の有機色素の記録層78・・・S
10.の第2保護層 79・・・接着層 80・・・ポリカーボネートの透光性支持体81・・・
Sin、の第1保護層 82・・・シアニン系の有機色素の記録層83・・・S
in、の第2保護層 84・・・内周側の接着層が直接つく部分85・・・外
14側の接着層が直接つく部分86・・・内周側の接着
層が直接つく部分1l17・・・外周側の接着層が直接
つく部分8日・・・ディスクのセンターホール部分89
・・・ポリカーボネートの透光性支持体90・・・5i
AtNの第1保護層 91−NdDyFe0OTiの記録層 92・・・5iAtNの第2保護層 93・・・接着層 94・・・ポリカーボネートの透光性支持体95・・・
SiA/、Nの第1保護層 96 ・=NdDy?e(30’riの記録層97・・
・5iAtNの第2保護層 98・・・内周側の接着層が直接つく部分99・・・外
周側の接着層が直接つく部分100・・・内周側の接着
層が直接つく部分101・・・外周側の接着層が直接つ
く部分102・・・ディスクのセンターホール部分10
3・・・光記録媒体 104・・・接着層を線化させるための光源105・・
・接着層を線化させるための光源106・・・光記録媒
体の両面から光を照射して接着ICを線化させたもの 107・・・光記録媒体の片面から光を照射して接着層
を線化させたもの 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋(他1名) 193う七I元己1コミ童某ゴ名。 to4九A 1図 第2図(λ) @2図(17) lち、20誘九記寝任 業4図 85図 偶−/口
Claims (5)
- (1)光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録
媒体の密着貼り合わせ構造において、透光性支持体の片
面に少なくとも記録層を成膜したものを2枚用いて、前
記透光性支持体の前記記録層が成膜されている側同士貼
り合わせて、前記透光性支持体の前記記録層が成膜され
ていない両面から光を照射して接着層を線化させたこと
を特徴とする光記録媒体の製造方法。 - (2)前記接着層に少なくとも290nmから450n
mの波長の光に対して有効励起波長域を有するラジカル
重合系の光重合開始剤を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光記録媒体の製造方法。 - (3)前記接着層に前記光重合開始剤の5分の1モルパ
ーセント以上の嫌気性触媒を含まないことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の光記録媒体の製造方法。 - (4)前記光記録媒体において、セラミックスからなる
保護層により前記記録層を挾み込んだ構成になっている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光記録媒
体の製造方法。 - (5)前記光記録媒体において、前記透光性支持体上に
射出成形または2P法によりトラッキング用の溝又はビ
ットを配したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307284A JPS63160034A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307284A JPS63160034A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160034A true JPS63160034A (ja) | 1988-07-02 |
Family
ID=17967274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61307284A Pending JPS63160034A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63160034A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0221438A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
EP0836182A2 (en) * | 1996-10-11 | 1998-04-15 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
US6337118B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-01-08 | Jsr Corporation | Adhesive for optical disks |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61307284A patent/JPS63160034A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0221438A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
EP0836182A2 (en) * | 1996-10-11 | 1998-04-15 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
EP0836182A3 (en) * | 1996-10-11 | 1998-11-11 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
US5900098A (en) * | 1996-10-11 | 1999-05-04 | Wea Manufacturing Inc. | Methods for bonding structurally dissimilar optical discs |
US6337118B1 (en) | 1998-08-20 | 2002-01-08 | Jsr Corporation | Adhesive for optical disks |
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