JPH0766567B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0766567B2 JPH0766567B2 JP61083010A JP8301086A JPH0766567B2 JP H0766567 B2 JPH0766567 B2 JP H0766567B2 JP 61083010 A JP61083010 A JP 61083010A JP 8301086 A JP8301086 A JP 8301086A JP H0766567 B2 JPH0766567 B2 JP H0766567B2
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- Japan
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- substrate
- optical recording
- recording medium
- light
- thickness
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体の構造に関する。
光学的に記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体は、
従来より研究開発が盛んにおこなわれてきた。特に近年
磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き換
え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。と
ころが、光磁気記録媒体の記録膜は希さ類遷移金属膜で
あるため、耐候性に劣る。そのため記録層を透明誘電体
膜でサンドイッチし、さらに基板どうしを貼り合せにす
る貼り合せ構造が一般に用いられている。
従来より研究開発が盛んにおこなわれてきた。特に近年
磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き換
え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。と
ころが、光磁気記録媒体の記録膜は希さ類遷移金属膜で
あるため、耐候性に劣る。そのため記録層を透明誘電体
膜でサンドイッチし、さらに基板どうしを貼り合せにす
る貼り合せ構造が一般に用いられている。
第３図に従来の貼り合せ光磁気記録媒体の断面図を示
す。１はポリカーボネート基板1.2mmtで溝付きである
（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚、３は光磁気記録層（TbFeCo,NdD
yFeCo等）450Å厚、４は窒化シリンコン膜1000Å厚であ
り、以上1,2,3,4が情報の記録面が設けられた光透過性
基板７である。そして６はポリカーボネート基板である
が溝なしで、６が他方の光透過性基板となる。６と７を
貼り合せる層が５で、UV硬化樹脂層である。
す。１はポリカーボネート基板1.2mmtで溝付きである
（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚、３は光磁気記録層（TbFeCo,NdD
yFeCo等）450Å厚、４は窒化シリンコン膜1000Å厚であ
り、以上1,2,3,4が情報の記録面が設けられた光透過性
基板７である。そして６はポリカーボネート基板である
が溝なしで、６が他方の光透過性基板となる。６と７を
貼り合せる層が５で、UV硬化樹脂層である。
ところが、上記のように作製した貼り合せ情報記録媒体
は接着部に気泡が混入する欠点があった。気泡の混入は
空気中に於る基板貼合せて於ても発生していた。二枚の
基板に挾まれた接着剤中に混入した気泡は、記録膜層よ
りの情報読み出し、書き込み時、エラーとなってしまい
ビットエラーレートを低下させる原因となっていた。本
発明の目的は、ビットエラーレート低下の原因である接
着剤中の混入気泡をなくする情報記録媒体（ディスク構
成）を提供する事である。
は接着部に気泡が混入する欠点があった。気泡の混入は
空気中に於る基板貼合せて於ても発生していた。二枚の
基板に挾まれた接着剤中に混入した気泡は、記録膜層よ
りの情報読み出し、書き込み時、エラーとなってしまい
ビットエラーレートを低下させる原因となっていた。本
発明の目的は、ビットエラーレート低下の原因である接
着剤中の混入気泡をなくする情報記録媒体（ディスク構
成）を提供する事である。
（１） 本発明の記録媒体は情報の記録層が設けられた
光透過性基板の記録層側と、記録層が設けられていない
他方の光透過性基板とを貼り合せた構成であり、前記記
録層が設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ
面に、少なくとも一層の誘電体膜が成膜されている事を
特徴とする。
光透過性基板の記録層側と、記録層が設けられていない
他方の光透過性基板とを貼り合せた構成であり、前記記
録層が設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ
面に、少なくとも一層の誘電体膜が成膜されている事を
特徴とする。
（２） 前記誘電体膜の成分は、Al2O3,Bi2O3,CaO,CdO,
CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb2O3,Si
O,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,TiN,B
N,HfN,ZrNのうち少なくとも１成分以上含む事を特徴と
する。
CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb2O3,Si
O,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,TiN,B
N,HfN,ZrNのうち少なくとも１成分以上含む事を特徴と
する。
（３） 前記誘電体膜の膜厚が30Å以上10μｍ未満であ
る事を特徴とする。誘電体膜の厚さは、30A以下では島
状となり基板表面を均一に覆う事ができず、10μｍ以上
では成膜に多大な時間を必要とするので現実的でない。
適性な膜厚は、30Å以上で10μｍ以下である。
る事を特徴とする。誘電体膜の厚さは、30A以下では島
状となり基板表面を均一に覆う事ができず、10μｍ以上
では成膜に多大な時間を必要とするので現実的でない。
適性な膜厚は、30Å以上で10μｍ以下である。
〔実施例１〕 第１図に本発明で製作したディスクの構造を示す。１は
ポリカーボネート基板1.2mm厚で片面に溝が付いている
（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚,3は光磁気記録層（TbFeCo）450
Å厚、４は窒化シリコン膜1000Åで厚であり、以上1.2.
3.4が情報の記録層が設けられた光透過性基板７であ
る。６は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm厚
で、８は窒化シリコン1000Å厚である。６と８より構成
される光透過性基板９は５のUV硬化接着剤を介して、７
の光透過性基板と貼り合せられている。
ポリカーボネート基板1.2mm厚で片面に溝が付いている
（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚,3は光磁気記録層（TbFeCo）450
Å厚、４は窒化シリコン膜1000Åで厚であり、以上1.2.
3.4が情報の記録層が設けられた光透過性基板７であ
る。６は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm厚
で、８は窒化シリコン1000Å厚である。６と８より構成
される光透過性基板９は５のUV硬化接着剤を介して、７
の光透過性基板と貼り合せられている。
第２図は本発明の構成ディスクの貼合せ装置の概念図で
ある。10は真空チャンバーであり、11は真空ポンプ、12
はモータ、13は接着剤塗布用ディスペンサーノズル、15
はディスペンサーユニット、14はディスペンサー水平方
向移動ユニット、16は光透過性平滑基板９を支持してい
るフレーム、17は基板９の支持を開設し、光透過性基板
７（記録層が片面に設けられている）上に基板９を押し
込むスイッチである。
ある。10は真空チャンバーであり、11は真空ポンプ、12
はモータ、13は接着剤塗布用ディスペンサーノズル、15
はディスペンサーユニット、14はディスペンサー水平方
向移動ユニット、16は光透過性平滑基板９を支持してい
るフレーム、17は基板９の支持を開設し、光透過性基板
７（記録層が片面に設けられている）上に基板９を押し
込むスイッチである。
第２図に示す貼合せ装置を用いて、真空中に於て、基板
７上にUV硬化接着剤を塗布し、その後UV露光を施こし第
１図に示すディスク構造とした。結果は基板貼合せ接着
剤層中への気泡混入はなく良好なビットエラーレートが
得られた。特に気泡混入に起因するバーストエラーを皆
無にできた。
７上にUV硬化接着剤を塗布し、その後UV露光を施こし第
１図に示すディスク構造とした。結果は基板貼合せ接着
剤層中への気泡混入はなく良好なビットエラーレートが
得られた。特に気泡混入に起因するバーストエラーを皆
無にできた。
〔実施例２〕 第４図に、実施例１同様第２図に示す貼合せ装置を用い
て製作してディスク構造を示す。１′はポリメチルメタ
クリレート基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。
（溝ピッチ2.0μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚、３は光磁気記録層（NdDyFeCo）
470Å厚、４は窒化シリコン膜1000Å厚であり、以上
１′,2,3,4が情報の記録層が設けられた光透過性基板７
である。６は溝のない平滑なポリメチルメタクリレート
基板1.2mm厚、8aは窒化シリコン500Å厚、8bは窒化アル
ミニウム500Å厚である。６と8a,8bより構成される光透
過性基板９は、５のUV硬化接着剤を介して、７の光透過
性基板と貼り合せられている。上記構成のディスクは基
板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がなく、良好なビッ
トエラーレートが得られた。第１図に示した構成同様、
気泡混入に起因するバーストエラーは皆無であった。
て製作してディスク構造を示す。１′はポリメチルメタ
クリレート基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。
（溝ピッチ2.0μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。２は窒
化シリコン膜1000Å厚、３は光磁気記録層（NdDyFeCo）
470Å厚、４は窒化シリコン膜1000Å厚であり、以上
１′,2,3,4が情報の記録層が設けられた光透過性基板７
である。６は溝のない平滑なポリメチルメタクリレート
基板1.2mm厚、8aは窒化シリコン500Å厚、8bは窒化アル
ミニウム500Å厚である。６と8a,8bより構成される光透
過性基板９は、５のUV硬化接着剤を介して、７の光透過
性基板と貼り合せられている。上記構成のディスクは基
板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がなく、良好なビッ
トエラーレートが得られた。第１図に示した構成同様、
気泡混入に起因するバーストエラーは皆無であった。
〔実施例３〕 第５図に、実施例１同様第２図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。１はポリカーボネート
基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。（溝ピッチ1.6
μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２′は酸化シリコン
（SiO）膜1000Å厚、３は光磁気記録層（NdDyFeCo）800
Å厚であり、以上1,2′,3が情報の記録層が設けられた
光透過性基板７である。６は溝のない平滑なポリカーボ
ネート基板1.2mm厚、８′はSiO膜1000Å厚である。６と
８′より構成される光透過性基板９は、５のUV硬化接着
剤を介して、７の光透過性基板と貼り合せられている。
上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気
泡混入がなく、良好なビットエラーレートが得られた。
第１図に示した構成同様、気泡混入に起因するバースト
エラーは皆無であった。
て製作したディスク構造を示す。１はポリカーボネート
基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。（溝ピッチ1.6
μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２′は酸化シリコン
（SiO）膜1000Å厚、３は光磁気記録層（NdDyFeCo）800
Å厚であり、以上1,2′,3が情報の記録層が設けられた
光透過性基板７である。６は溝のない平滑なポリカーボ
ネート基板1.2mm厚、８′はSiO膜1000Å厚である。６と
８′より構成される光透過性基板９は、５のUV硬化接着
剤を介して、７の光透過性基板と貼り合せられている。
上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気
泡混入がなく、良好なビットエラーレートが得られた。
第１図に示した構成同様、気泡混入に起因するバースト
エラーは皆無であった。
〔実施例４〕 第６図に、実施例１同様第２図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。１″はポリカーボネー
ト平滑基板1.2mm厚、5aは前記平滑基板上に2P法により
形成された紫外線硬化樹脂層の凹凸であり30μｍ厚であ
る（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。３は
光磁気記録層（HdDyFeCo）700Å厚であり、以上１″,5
a,3が情報の記録層が設けられた光透過性基板７であ
る。６は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm
厚、８は窒化シリコン1000Å厚である。６と８より構成
される光透過性基板９は、5bのUV硬化接着剤を介して、
７の光透過性基板と貼り合せられている。上記構成のデ
ィスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がな
く、良好なビットエラーレートが得られた。第１図に示
した構成同様、気泡混入に起因するバーストエラーは皆
無であった。
て製作したディスク構造を示す。１″はポリカーボネー
ト平滑基板1.2mm厚、5aは前記平滑基板上に2P法により
形成された紫外線硬化樹脂層の凹凸であり30μｍ厚であ
る（溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å）。３は
光磁気記録層（HdDyFeCo）700Å厚であり、以上１″,5
a,3が情報の記録層が設けられた光透過性基板７であ
る。６は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm
厚、８は窒化シリコン1000Å厚である。６と８より構成
される光透過性基板９は、5bのUV硬化接着剤を介して、
７の光透過性基板と貼り合せられている。上記構成のデ
ィスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がな
く、良好なビットエラーレートが得られた。第１図に示
した構成同様、気泡混入に起因するバーストエラーは皆
無であった。
〔実施例５〕 第７図に、実施例１同様第２図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。１はポリカーボネート
基板1.2mm厚で片面に溝が付いている。（溝ピッチ1.6μ
m,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２は窒化シリコン膜1000
Å厚、３は光磁気記録層（TbFeCo）450Å厚、４は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、以上1,2,3,4が情報の記録
層が設けられた光透過性基板７である。５のUV硬化接着
剤を介して、２枚の光透過性基板を貼り合せた構造とな
っている。上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤
層中への気泡混入がなく、良好なビットエラーレートが
得られた。第１図に示した構成同様、気泡混入に起因す
るバーストエラーは皆無であった。
て製作したディスク構造を示す。１はポリカーボネート
基板1.2mm厚で片面に溝が付いている。（溝ピッチ1.6μ
m,溝巾0.8μm,溝深さ650Å）。２は窒化シリコン膜1000
Å厚、３は光磁気記録層（TbFeCo）450Å厚、４は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、以上1,2,3,4が情報の記録
層が設けられた光透過性基板７である。５のUV硬化接着
剤を介して、２枚の光透過性基板を貼り合せた構造とな
っている。上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤
層中への気泡混入がなく、良好なビットエラーレートが
得られた。第１図に示した構成同様、気泡混入に起因す
るバーストエラーは皆無であった。
尚、光透過性基板として、ポリカーボネート、PMMA、エ
ポキシ、その他熱可塑性樹脂基板、熱硬化性樹脂基板を
使用する事ができる。誘電体膜としては、Si3N4,AlN,Si
O等、特許請求の範囲第２項記載の材料を使用する事が
できる。誘電体膜は単層であっても多層でも良く、各種
材料の複合体であっても良い。情報記録膜としてはTbFe
Co,NdDyFeCo等の光磁気媒体、その他相変態型媒体を使
用する事ができる。使用する接着剤はUV硬化接着剤に限
定する必要はなく、嫌気性接着剤、２液硬化性接着剤で
も良い。
ポキシ、その他熱可塑性樹脂基板、熱硬化性樹脂基板を
使用する事ができる。誘電体膜としては、Si3N4,AlN,Si
O等、特許請求の範囲第２項記載の材料を使用する事が
できる。誘電体膜は単層であっても多層でも良く、各種
材料の複合体であっても良い。情報記録膜としてはTbFe
Co,NdDyFeCo等の光磁気媒体、その他相変態型媒体を使
用する事ができる。使用する接着剤はUV硬化接着剤に限
定する必要はなく、嫌気性接着剤、２液硬化性接着剤で
も良い。
以上実施例で述べた通り、貼り合せディスクの構成で、
記録層が設けられていない光透過性基板に少なくとも一
層の誘電体膜を成膜する事により、真空中での貼合せ時
の接着剤層への気泡混入を防止する効果がある。真空中
での貼合せで接着剤層に気泡が入る原因としては、光透
過性基板よりのガス放出が考えられる。誘電体膜を基板
表面に施こす事により先に述べたガス放出が抑えられ接
着剤層へ気泡が混入しなくなる効果が生ずると考えられ
る。その他、誘電体膜を成膜する事により、接着剤と光
透過性基板が直接、接触する事がなくなり、接着剤中の
モノマー、オリゴマーによる基板表層の侵しがなくなる
効果がある。接着剤による基板の侵しは、光の散乱現象
を伴なう為、ディスクの光学特性に大きな悪影響を及ぼ
す性質のものである。上記の効果が本発明で得られ、デ
ィスクのバーストビットエラーレートは大巾に改良され
た。誘電体膜の厚さは30Å以下では島状となる基板表面
を均一に覆う事ができず、10μｍ以上では成膜に多大な
時間を必要とするので現実的でない。適正な膜厚は30Å
以上で10μｍ以下である。
記録層が設けられていない光透過性基板に少なくとも一
層の誘電体膜を成膜する事により、真空中での貼合せ時
の接着剤層への気泡混入を防止する効果がある。真空中
での貼合せで接着剤層に気泡が入る原因としては、光透
過性基板よりのガス放出が考えられる。誘電体膜を基板
表面に施こす事により先に述べたガス放出が抑えられ接
着剤層へ気泡が混入しなくなる効果が生ずると考えられ
る。その他、誘電体膜を成膜する事により、接着剤と光
透過性基板が直接、接触する事がなくなり、接着剤中の
モノマー、オリゴマーによる基板表層の侵しがなくなる
効果がある。接着剤による基板の侵しは、光の散乱現象
を伴なう為、ディスクの光学特性に大きな悪影響を及ぼ
す性質のものである。上記の効果が本発明で得られ、デ
ィスクのバーストビットエラーレートは大巾に改良され
た。誘電体膜の厚さは30Å以下では島状となる基板表面
を均一に覆う事ができず、10μｍ以上では成膜に多大な
時間を必要とするので現実的でない。適正な膜厚は30Å
以上で10μｍ以下である。
第１図……本発明によるディスク構造図 第２図……ディスク貼合せ装置の概念図 第３図……従来のディスク構造図 第４図……本発明によるディスク構造図 第５図……本発明によるディスク構造図 第６図……本発明によるディスク構造図 第７図……本発明によるディスク構造図
Claims (3)
- 【請求項１】情報の記録層が設けられた光透過性基板の
記録面側と、記録層が設けられていない他方の光透過性
基板とを貼り合せた光記録媒体において、前記記録層が
設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ面に少
なくとも一層の誘電体膜が成膜されていることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】前記誘電体膜の成分が、Al2O3,Bi2O3,CaO,
CdO,CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb
2O3,SiO,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,
TiN,BN,HfN,ZrNのうち少なくとも１成分以上含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。 - 【請求項３】前記誘導体膜の膜厚が30Å以上10μｍ未満
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083010A JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
| KR1019870003379A KR920010028B1 (ko) | 1986-04-10 | 1987-04-09 | 광기록 매체 |
| US07/036,240 US4800112A (en) | 1986-04-10 | 1987-04-09 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083010A JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62239443A JPS62239443A (ja) | 1987-10-20 |
| JPH0766567B2 true JPH0766567B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13790276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61083010A Expired - Lifetime JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766567B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| KR0160729B1 (ko) * | 1995-10-31 | 1999-01-15 | 김광호 | 상변화형 광디스크 |
| JP4748435B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2011-08-17 | 日本電気硝子株式会社 | 積層ガラスセラミック材料及び積層ガラスセラミック焼結体 |
| JP2004071079A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP61083010A patent/JPH0766567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62239443A (ja) | 1987-10-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |