JPH0766568B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH0766568B2
JPH0766568B2 JP61122767A JP12276786A JPH0766568B2 JP H0766568 B2 JPH0766568 B2 JP H0766568B2 JP 61122767 A JP61122767 A JP 61122767A JP 12276786 A JP12276786 A JP 12276786A JP H0766568 B2 JPH0766568 B2 JP H0766568B2
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JP
Japan
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layer
recording layer
substrate
optical recording
groove
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JP61122767A
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JPS62279537A (ja
Inventor
宣彦 加納
明 青山
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Priority to KR1019870003379A priority patent/KR920010028B1/ko
Priority to US07/036,240 priority patent/US4800112A/en
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体の製造に関する。
〔従来の技術〕
光学的に記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体は、
従来より研究開発がさかんにおこなわれてきた。特に近
年磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き
換え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。
ところで、光磁気記録媒体の記録膜は希土類遷移金属膜
であるため、耐候性に劣る。そのため記録層を透明誘電
体膜でサンドイッチし、さらに基板どうしを貼り合せに
する貼り合せ構造が一般に用いられている。第3図に従
来の貼り合せ光磁気記録媒体の断面図を示す。1はポリ
カーボネート基板1.2mtで溝付きである。(溝ピッチ1.6
μm、溝幅0.8μm、溝深さ700Å)2は、窒化シリコン
膜1000Å厚、3は光磁気記録層(TbFeCOo、NdDyFeCo
等)450Å厚、4は窒化シリコン膜1000Å厚であり、以
上1、2、3、4が情報の記録面が設けられた光透過性
基板8である。そして6は窒化シリコン1000Å、7はポ
リカーボネート基板であるが溝なしで、6、7が他方の
光透過性基板9となる。8と9を貼り合せる層が5で、
UV硬化樹脂層である。
発明が解決しようとする問題点〕 従来の記録媒体は、UV硬化接着剤を介して透明誘電体膜
を接着する事により2枚の基板(8、9)を貼り合せる
構成となっていた。UV硬化接着剤と誘電体膜の接着力が
弱い為、基板貼り合せ後、恒温恒湿槽に入れ、湿熱試験
を行なうと接着界面が剥がれる現象があった。又ディス
ク外周、内周部にはみ出した接着剤を機械加工で除去す
る際にも接着界面よりの剥がれの現象があった。
基板貼り合せ後、記録媒体の記録層3が内周、外周に露
出していたので、耐候性試験(温度60℃、湿度90%)を
行なうと100時間以内で、記録層の劣化が内周及び外周
より進んでしまい、記録媒体の信頼性に大きな問題があ
った。
本発明の目的は上記の従来品の持つ欠点を解決する為、
記録媒体の内周、外周で接着面の接着力を向上させ、尚
且つ、耐候性試験を1000時間を行なっても記録層の劣化
が起こらない媒体構成を提供する事である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光記録媒体は、情報の記録層が設けられた光透
過性基板の記録層側と、記録層が設けられていない他方
の光透過性基板とを貼り合せた光記録媒体に於て、前記
記録層が設けられていない他方の光透過性基板の貼り合
せ面に、少なくとも一層の誘電体膜が成膜されており、
前記情報の記録層が設けられた光透過性基板、及び、前
記記録層が設けられていない他方の光透過性基板の両基
板ともに、内周および外周部は成膜層がなく光透過性基
板自身が露出されている事を特徴とする。
〔実施例1〕 図−1に本発明の実施例を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で溝付きである。(溝ピッチ1.6μm、溝幅
0.8μm、溝深さ700Å)。2は窒化シリコン膜1000Å
厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)450Å厚、4は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、1、2、3、4が情報の記
録層が設けられた光透過性基板8である。6は窒化シリ
コン1000Å厚、7は溝なしのポリカーボネート基板1.2m
m厚である。6と7が他方の光透過性基板となる。8と
9を貼り合わせる層が5で、UV硬化接着剤層である。光
透過性基板8、9の内周および外周部は成膜層がなく、
1、7のポリカーボネート基板自身が露出している。基
板の露出量は最内周部、最外周部共に2mmである。上記
構成よりなる貼り合せ構造のディスクを耐候性試験(温
度60℃、湿度90%)した結果、試験前と1000時間試験後
とでC/Nに差はなかった。ビットエラーレートに於ては
試験後5%の増加がみられた。
〔実施例2〕 図−2に本発明の実施例を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で溝付きである。(溝ピッチ1.6μm、溝幅
0.8μm、溝深さ700Å)、2は窒化シリコン膜1000Å
厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)450Å厚、4は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、1、2、3、4が情報の記
録層が設けられた光透過性基板8である。6は窒化シリ
コン膜1000Å厚、7は溝なしのポリカーボネート基板1.
2mmである。6と7が他方の光透過性基板となる。8と
9を貼り合わせる層が5で、UV硬化接着剤層である。光
透過性基板8、9の内周および外周部は成膜層がなく、
1、7のポリカーボネート基板自身が露出している。基
板7の露出量は最内周部、最外周部共に1.0mmである。
記録層部に設けられた溝は、最内周部、最外周部、ポリ
カーボネート基板自身が露出している部分迄続いてい
る。上記構成よりなる貼り合せ構造のディスクを耐候性
試験した結果、試験前と1000時間試験後とでC/Nに差は
なかった。ビットエラーレートに於ては試験後の増加は
なかった。
〔実施例3〕 図−4に本発明の実施例を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で溝付きである。(溝ピッチ1.6μm、溝幅
0.8μm、溝深さ700Å)、2は窒化シリコン膜1000Å
厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)450Å厚、4は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、1、2、3、4が情報の記
録層が設けられた光透過性基板8である。6は窒化シリ
コン膜1000Å厚、7は溝ありのポリカーボネート基板1.
2mmである。6と7が他方の光透過性基板となる。8と
9を貼り合わせる層が5で、UV硬化接着剤層である。光
透過性基板8、9の内周および外周部は成膜層がなく、
1、7のポリカーボネート基板自身が露出している。基
板の露出量は最内周部5.0mm、最外周部0.5mmである。光
透過性基板9は窒化シリコン膜6の密着力を向上させる
為に溝が設けられている。上記構成よりなる貼り合せ構
造のディスクを耐候性試験した結果、試験前と1000時間
試験後とでC/N比に差はなかった。ビットエラーレート
に於ては試験後の増加はなかった。
〔実施例4〕 図−5に本発明の実施例のディスク外周部を示す。1は
ポリカーボネート基板1.2mm厚で溝付きである。(溝ピ
ッチ1.6μm、溝幅0.8μm、溝深さ700Å)、2は窒化
シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)45
0Å厚であり、1、2、3が情報の記録層が設けられた
光透過性基板8である。6は窒化シリコン膜1000Å厚、
7は溝ありのポリカーボネート基板1.2mmである。6と
7が他方の光透過性基板となる。8と9を貼り合わせる
層が5で、UV硬化接着剤層である。光透過性基板8、9
の内周および外周部は成膜層がなく、1、7のポリカー
ボネート基板自身が露出している。基板の露出量は最内
周部5.0mm、最外周部0.5mmである。上記構成よりなる貼
り合せ構造のディスクを耐候性試験した結果、試験前と
1000時間試験後でC/N比に差はなかった。ビットエラー
レートに於ては試験後7%の増加がみられた。
〔実施例5〕 図−6に本発明の実施例のディスク外周部を示す。1は
ポリカーボネート基板1.2mm厚で溝付きである。(溝ピ
ッチ1.6μm、溝幅0.8μm、溝深さ700Å)、2は窒化
シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)45
0Å厚であり、4は窒化シリコン膜1000Å厚であり、
1、2、3、4が情報の記録層が設けられた光透過性基
板8である。5は8同志を貼り合わせる層でありUV接着
剤である。基板の露出量は最内周部5.0mm、最外周部0.5
mmである。上記構成よりなる貼り合せ構造のディスクを
耐候性試験した結果、試験前と1000時間試験後でC/N比
に差はなかった。ビットエラーレートに於ては試験後増
加はみられなかった。
尚、光透過性基板としては、実施例に示したポリカーボ
ネートの他に、PMMA、エポキシ等の光学特性に優れた線
状エラストマー、三次元架橋エラストマーを使用する事
ができる。透明誘電体層としては、実施例に示した窒化
シリコン(Si3N4、SiN)の他にAl2O3、Bi2O3、CaO、Cd
O、CdS、CeO2、Cd2O3、In2O3、La2O3、MgF、MgO、Nd
2O3、Sb2O3、SiO2、SiO、SnO2、TiO2、ZnO、ZnO2、Zn
S、AlN、TiN、BN、HfN、ZrNのうち少なくとも1成分以
上含むものを使用できる。記録層としては、光磁気記録
媒体であるNdDyFeCo、TbFeCo等の他に相変化型記録媒体
を用いる事ができる。接着剤としては、紫外線で硬化す
るUV硬化接着剤の他に、嫌気性接着剤、2液混合型接着
剤等、未硬化時流動性のある接着剤を用いる事ができ
る。
〔発明の効果〕 本発明の構成による密着貼り合せディスクは、1000時間
の耐候性試験後(温度60℃、湿度90%)、試験前と比較
して、C/N比及びビットエラーレートの変化は極めて小
さく、従来構成のディスクと比較して著しく信頼性が向
上する効果がある。ディスクの外周及び内周部で光透過
性基板自身が露出している部分の接着剤との密着力は、
誘電体を介しての密着力とは比較できない程強力であ
り、機械加工及び、湿熱試験に於ける密着部の剥がれを
防止する効果がある。記録層部の誘電体層、記録層を接
着剤で包み込む構成となっている為、外周及び内周部に
外力を受けた場合、記録層部層間に与えるダメージを極
めて小さくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明のディスクの構造図。 第1図(b)は第1図(a)のA部拡大図。 第1図(c)は第1図(a)のB部拡大図。 第2図(a)は本発明ディスクの構造図。 第2図(b)は第2図(a)のC部拡大図。 第2図(c)は第2図(a)のD図拡大図。 第3図(a)は従来ディスクの構造図。 第3図(b)は第3図(a)のE部拡大図。 第3図(c)は第3図(a)のF部拡大図。 第4図(a)は本発明ディスクの構造図。 第4図(b)は第4図(a)のG部拡大図。 第4図(c)は第4図(a)のH部拡大図。 第5図は本発明ディスクの外周部拡大図。 第6図は本発明ディスクの外周部拡大図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】情報の記録層が設けられた光透過性基板の
    記録層側と、記録層が設けられていない他方の光透過性
    基板とを貼り合せた光記録媒体において、前記記録面が
    設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ面に少
    なくとも一層の誘電体膜が成膜されており前記情報の記
    録層が設けられた光透過性基板および前記記録層が設け
    られていない他方の光透過性基板の両基板ともに、内周
    および外周部は成膜層がなく光透過性基板自身が露出さ
    れていることを特徴とする光記録媒体。
JP61122767A 1986-04-10 1986-05-28 光記録媒体 Expired - Lifetime JPH0766568B2 (ja)

Priority Applications (3)

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JP61122767A JPH0766568B2 (ja) 1986-05-28 1986-05-28 光記録媒体
KR1019870003379A KR920010028B1 (ko) 1986-04-10 1987-04-09 광기록 매체
US07/036,240 US4800112A (en) 1986-04-10 1987-04-09 Optical recording medium

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JPS62279537A JPS62279537A (ja) 1987-12-04
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