JPS62223019A - 結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法 - Google Patents
結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62223019A JPS62223019A JP61063657A JP6365786A JPS62223019A JP S62223019 A JPS62223019 A JP S62223019A JP 61063657 A JP61063657 A JP 61063657A JP 6365786 A JP6365786 A JP 6365786A JP S62223019 A JPS62223019 A JP S62223019A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sol
- antimony
- gel
- compound
- tin oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical group [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- -1 alkali metal bicarbonate Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 33
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 11
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 42
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N benzyl n-(2-oxopyrrolidin-3-yl)carbamate Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC(=O)NC1CCNC1=O DAMJCWMGELCIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical class [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100034228 Grainyhead-like protein 1 homolog Human genes 0.000 description 1
- 101001069933 Homo sapiens Grainyhead-like protein 1 homolog Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- SZOADBKOANDULT-UHFFFAOYSA-K antimonous acid Chemical compound O[Sb](O)O SZOADBKOANDULT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Sn+4] CVNKFOIOZXAFBO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G30/00—Compounds of antimony
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S516/00—Colloid systems and wetting agents; subcombinations thereof; processes of
- Y10S516/924—Significant dispersive or manipulative operation or step in making or stabilizing colloid system
- Y10S516/925—Phase inversion
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、結晶5!を酸化スズ・アンチモンゾル及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
酸化スズ・アンチモン系の化合物は、電気伝導性、光透
過性、物理・化学的な耐久性等に優れ、近年tft気光
学素子の目覚ましい発展と相まって、透明導電性材料分
野に飛躍的に需要が伸びつつある工業材料である。
過性、物理・化学的な耐久性等に優れ、近年tft気光
学素子の目覚ましい発展と相まって、透明導電性材料分
野に飛躍的に需要が伸びつつある工業材料である。
(従来の技術)
この様な透明導電性材料は、通常、CVD法、真空a暦
法、反応性イオンブレーティング法、スパッタ法等の膜
形成法により、基板上に膜状に被覆され、実用に供せら
れている。
法、反応性イオンブレーティング法、スパッタ法等の膜
形成法により、基板上に膜状に被覆され、実用に供せら
れている。
しかし、これらの方法はいずれも装置が複雑であり、ま
た膜形成速度が遅いという欠点を有するばかりでなく、
膜形成が小面積であり、大面積の膜を得ることができな
いことで問題がある。
た膜形成速度が遅いという欠点を有するばかりでなく、
膜形成が小面積であり、大面積の膜を得ることができな
いことで問題がある。
これに対し、液状の原料を基板にディップして膜を形成
する所謂塗布法は、比較的m純なプロセスにより大面積
の薄膜が得られるという利点があり、工業的に有望な方
法である。
する所謂塗布法は、比較的m純なプロセスにより大面積
の薄膜が得られるという利点があり、工業的に有望な方
法である。
酸化スズ・アンチモン系の材料に於てもこの塗布法は幅
広く検討されており、多種多様の液状スズ・アンチモン
化合物の熱分解Wi動が研究されている。
広く検討されており、多種多様の液状スズ・アンチモン
化合物の熱分解Wi動が研究されている。
しかし、従来より検討されているスズ・アンチモン系材
料は、主としてスズ及びアンチモンを共にイオンとして
含有する無機、あるいは有機化合物の塩溶液であるため
に、これらを基板上に塗布した後、必ず酸化スズ・アン
チモンとするための焼成工程が必要であった。 従って
、その際生成する酸化スズ・アンチモンは、一般に粒子
径が粗く、また不揃いであるため、均一な膜はvト難く
、殊に均一微細性を要求される分野への適用については
問題があった。
料は、主としてスズ及びアンチモンを共にイオンとして
含有する無機、あるいは有機化合物の塩溶液であるため
に、これらを基板上に塗布した後、必ず酸化スズ・アン
チモンとするための焼成工程が必要であった。 従って
、その際生成する酸化スズ・アンチモンは、一般に粒子
径が粗く、また不揃いであるため、均一な膜はvト難く
、殊に均一微細性を要求される分野への適用については
問題があった。
また加えて、塩化第二スズ・三塩化アンチモン等の化合
物の使用時には、焼成時に有害腐食性のガスを発生する
ため炉の選定を要し、また作業環境上でも好適であると
云えないのが現状である。
物の使用時には、焼成時に有害腐食性のガスを発生する
ため炉の選定を要し、また作業環境上でも好適であると
云えないのが現状である。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明者らはこれらの実情に鑑み、透明導電性材料、更
には他のセラミック材料分野等への適用時に所望される
種々の特性に於て優れる結晶5ffII化スズ・アンチ
モンゾルを得べく、鋭意研究を重ねた結果、本発明を完
成させたものである。
には他のセラミック材料分野等への適用時に所望される
種々の特性に於て優れる結晶5ffII化スズ・アンチ
モンゾルを得べく、鋭意研究を重ねた結果、本発明を完
成させたものである。
(問題点を解決するための手段)
即ち、本発明は結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びそ
の製造方法に関し、水弟1の発明は、Sb/Snモル比
0.3以下でSb及びSnが固溶する粒子径300λ以
下の結晶質酸化スズ・アンチモンゾルであり、水弟2の
発明は、スズ化合物及びアンチモン化合物と、!i炭酸
アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム塩とを反応さ
せゲルを生成した後、アンモニアを添加し、水熱処理す
ることからなる結晶質酸化スズ・アンチモンゾルの製造
方法に関する。
の製造方法に関し、水弟1の発明は、Sb/Snモル比
0.3以下でSb及びSnが固溶する粒子径300λ以
下の結晶質酸化スズ・アンチモンゾルであり、水弟2の
発明は、スズ化合物及びアンチモン化合物と、!i炭酸
アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム塩とを反応さ
せゲルを生成した後、アンモニアを添加し、水熱処理す
ることからなる結晶質酸化スズ・アンチモンゾルの製造
方法に関する。
尚、ここで結晶質酸化スズ・アンチモンとは、酸化アン
チモンが固溶する酸化スズであって、X線回折に於てス
ス石(Cassitarite)に同定されるものを云
う。
チモンが固溶する酸化スズであって、X線回折に於てス
ス石(Cassitarite)に同定されるものを云
う。
(作 用)
先ず水弟1の発明である、Sb/Snモル比0.3以下
でSb及びS!lが固溶する粒子径300λ以下の結晶
質酸化スズ・アンチモンゾルについて説明を行う。
でSb及びS!lが固溶する粒子径300λ以下の結晶
質酸化スズ・アンチモンゾルについて説明を行う。
従来、スズとアンチモンとを成分とするゾルの製造法と
して、スズアルコキシドとアンチモンアルコキシドを、
各種の手段で加水分解する方法が知られている。
して、スズアルコキシドとアンチモンアルコキシドを、
各種の手段で加水分解する方法が知られている。
しかしこの方法により得られるゾルは、その結晶形が非
晶質か、或いはスズ及び/又はアンチモンのある種の水
酸化物であり、酸化スズの結晶形ゾルではない。
晶質か、或いはスズ及び/又はアンチモンのある種の水
酸化物であり、酸化スズの結晶形ゾルではない。
これに対し、本発明の結晶質酸化スズ・アンチモンゾル
は、酸化スズの結晶形を宥し、且これが300^以下と
いう極めて微細なコロイド粒子を水溶液状態で供与し、
安定なゾル溶液を形成するものである。
は、酸化スズの結晶形を宥し、且これが300^以下と
いう極めて微細なコロイド粒子を水溶液状態で供与し、
安定なゾル溶液を形成するものである。
本発明の結晶質酸化スズ・アンチモンゾルを更に説明す
るに当り、以下具体例を用いて説明を行う。
るに当り、以下具体例を用いて説明を行う。
具体例
塩化第二XX”水溶液(SnOt16.5 ’X )1
000部、三塩化アンチモン45部、及び塩酸(HCl
36.0%)180部を混合溶解し、均一な水溶液を
調製した。
000部、三塩化アンチモン45部、及び塩酸(HCl
36.0%)180部を混合溶解し、均一な水溶液を
調製した。
これを重炭酸アンモニウム水溶液(NH32,5%)6
423部に攪はんを行いながら徐々に添加した。
423部に攪はんを行いながら徐々に添加した。
この時のゲル液のPHは7.3であった。
生成したゲルをろ別した後、ゲル中に塩素が認められな
くなるまで注水ろ過洗浄を行った。
くなるまで注水ろ過洗浄を行った。
その結果、SnO,29,0%、Sb4.2%、NH,
0,33%を含有するゲルが得られた。
0,33%を含有するゲルが得られた。
次いで、該ゲル100部にアンモニア水(NH,1,0
%)82部及び水398部を添加混合し、P)110.
4のゲルスラリーを調製した後、これをオートクレーブ
に移し、200℃で6時間の水熱処理を行い、本発明の
結晶質酸化スズ・アンチモンゾルを得た。
%)82部及び水398部を添加混合し、P)110.
4のゲルスラリーを調製した後、これをオートクレーブ
に移し、200℃で6時間の水熱処理を行い、本発明の
結晶質酸化スズ・アンチモンゾルを得た。
(本発明品)
線回折の測定を行なった。 また、透過型電子顕微鏡に
よる拡大観察を行い粒子径を測定した。
よる拡大観察を行い粒子径を測定した。
各々の結果を第1表に示し、またX線回折図を第1図に
示した。
示した。
比較例
塩化第二スズ水溶液(SnO*16.5%)1000部
を重炭酸アンモニウム水溶液(NO32,5%)417
0部に攪はんを行いながら徐々に添加した。
を重炭酸アンモニウム水溶液(NO32,5%)417
0部に攪はんを行いながら徐々に添加した。
生成したゲルをろ別した後、ゲル中に塩素が認められな
くなるまで注水ろ過洗浄を行った。
くなるまで注水ろ過洗浄を行った。
その結果、5nOz35.7%、NFI30.4096
を含有するゲルが得られた。
を含有するゲルが得られた。
次いで、該ゲル100部にアンモニア水(NH31,0
%)101部、及び水448部を添加混合し、PH10
,4のゲルスラリーを調製した後、これを200℃で6
時間水熱処理した。
%)101部、及び水448部を添加混合し、PH10
,4のゲルスラリーを調製した後、これを200℃で6
時間水熱処理した。
次に、三塩化アンチモン45部を塩酸(HCl 36゜
0%)180部に溶解した液を、重炭酸アンモニウム水
溶液(NH,2,5%)2253部に、攪はんを行いな
がら徐々に添加した。 生成した沈殿をろ別した後、沈
殿中に塩素が認められなくなるまで注水ろ過洗浄を行っ
た。
0%)180部に溶解した液を、重炭酸アンモニウム水
溶液(NH,2,5%)2253部に、攪はんを行いな
がら徐々に添加した。 生成した沈殿をろ別した後、沈
殿中に塩素が認められなくなるまで注水ろ過洗浄を行っ
た。
その結果、5b43.4%、 NH,0,02%を含有
する沈殿物が得られた。 次いで、該沈殿物20部にア
ンモニア水(NH,1,0%)0.6部及び水89部を
添加lit介し、PH10,4の懸濁液を[Jした後、
これをオートクレーブに移し、200℃で6時間水熱処
理を行った。 上記のスズのみを含む水熱処理生成物の
100部とアンチモンのみを含む水熱処理生成物の10
部とを混合し、比較例品を得た。
する沈殿物が得られた。 次いで、該沈殿物20部にア
ンモニア水(NH,1,0%)0.6部及び水89部を
添加lit介し、PH10,4の懸濁液を[Jした後、
これをオートクレーブに移し、200℃で6時間水熱処
理を行った。 上記のスズのみを含む水熱処理生成物の
100部とアンチモンのみを含む水熱処理生成物の10
部とを混合し、比較例品を得た。
この比較例品の組成分析、及び100℃乾燥物のX線回
折の測定を行なった。 また、透過型電子顕微鏡による
拡大I51寮を行い粒子径を測定した。 各々の結果を
第1表に示し、またX線回折図を第2図に示した。
折の測定を行なった。 また、透過型電子顕微鏡による
拡大I51寮を行い粒子径を測定した。 各々の結果を
第1表に示し、またX線回折図を第2図に示した。
第1表
具体例で明らかなように、本発明のゾルは化学分析の結
果、スズとアンチモンの双方を含有しているにもかかわ
らず、X線回折の結果ではスズ石の回折ピークを示すの
みであり、アンチモン化合物の回折ピークを全く示さな
い、(第1図(本発明例)参照) これに対し、比較例で得たものは、スズ石の回折ピーク
に加えて5b20.(Valsntimita型)の回
折ピークを示し、比較例品が酸化スズと酸化アンチモン
の単なる混合物であることが判る。(第2図(比較例)
参M) この事実より本発明のゾルは、酸化ススと酸化アンチモ
ンの単なる混合物ではなく、酸化スズにアンチモンが固
溶するゾルであることが明らかである。 また一般には
、酸化アンチモンはスズ石構造の酸化スズに容易に固溶
することが知られており、この事からも本発明の事実を
援用するものである。
果、スズとアンチモンの双方を含有しているにもかかわ
らず、X線回折の結果ではスズ石の回折ピークを示すの
みであり、アンチモン化合物の回折ピークを全く示さな
い、(第1図(本発明例)参照) これに対し、比較例で得たものは、スズ石の回折ピーク
に加えて5b20.(Valsntimita型)の回
折ピークを示し、比較例品が酸化スズと酸化アンチモン
の単なる混合物であることが判る。(第2図(比較例)
参M) この事実より本発明のゾルは、酸化ススと酸化アンチモ
ンの単なる混合物ではなく、酸化スズにアンチモンが固
溶するゾルであることが明らかである。 また一般には
、酸化アンチモンはスズ石構造の酸化スズに容易に固溶
することが知られており、この事からも本発明の事実を
援用するものである。
このようなゾルは従来全く知られていなかったものであ
り、酸化スズ・アンチモン系材料の適用分野に於て新た
な用途を生み出すものである。
り、酸化スズ・アンチモン系材料の適用分野に於て新た
な用途を生み出すものである。
本発明の結晶質酸化スズ・アンチモンゾルの特徴を改め
て列挙すれば次の通りである。
て列挙すれば次の通りである。
第一に、前述の通り、コロイド粒子が均−且つ微細な酸
化スズの結晶質であることである。
化スズの結晶質であることである。
非晶質、あるいは水酸化スズ及び/又は水酸化アンチモ
ンの結晶よりなる従来のゾルは、これを酸化スズ・アン
チモン系材料として利用するためには少なくとも500
℃以上の温度での焼成が必要であり、且つその際、コロ
イド粒子が不可逆的I:lI集し易く、微細な酸化スズ
・アンチモン粒子は得られ難い問題がある。
ンの結晶よりなる従来のゾルは、これを酸化スズ・アン
チモン系材料として利用するためには少なくとも500
℃以上の温度での焼成が必要であり、且つその際、コロ
イド粒子が不可逆的I:lI集し易く、微細な酸化スズ
・アンチモン粒子は得られ難い問題がある。
これに比し、本発明の結晶質酸化スズ・アンチモンゾル
は、これを単に乾燥させるだけで、酸化スズ・アンチモ
ンの超微粒子粉末を得ることが可能となる。
は、これを単に乾燥させるだけで、酸化スズ・アンチモ
ンの超微粒子粉末を得ることが可能となる。
このことは酸化スズ・アンチモン系セラミックスの製造
に於て、非常に有益である。
に於て、非常に有益である。
尚、コロイド粒子径の測定は、電子顕微鏡観察により行
ったが、本発明のゾルは、実質1全てのコロイド粒子が
300A以下の粒子径である。
ったが、本発明のゾルは、実質1全てのコロイド粒子が
300A以下の粒子径である。
第二は、乾燥或いは焼成時に、腐食性のガスを発生しな
い点である。
い点である。
本発明のゾルは、安定化剤としで、少量のアンモニアが
含まれているのみであり、このアンモニアは乾燥時に容
易に蒸発揮散する。
含まれているのみであり、このアンモニアは乾燥時に容
易に蒸発揮散する。
これに比べ、スズ及びアンチモンをイオンとして含有す
る塩水溶液は、相当量の酸根を含んでおり、これを完全
に揮歇させるには可成りの高温処理を要する。 例え
ば、塩化第二スズ・三塩化アンチモン系では、焼成時に
有W腐食性の塩化水素ガスを発生し、炉の選定や作t&
環境上好ましくない。
る塩水溶液は、相当量の酸根を含んでおり、これを完全
に揮歇させるには可成りの高温処理を要する。 例え
ば、塩化第二スズ・三塩化アンチモン系では、焼成時に
有W腐食性の塩化水素ガスを発生し、炉の選定や作t&
環境上好ましくない。
このような理由から、本発明のゾルは工業的に有用であ
る。
る。
第三は、ゾルの安定性に優れて−することである。 ア
ルコキシド法による従来品のゾルは、経時安定性に劣る
と云う致命的な欠陥を有していた。 本発明のゾルは高
純度である上に、安定性も良好であり、より高品位のも
のであると云える。
ルコキシド法による従来品のゾルは、経時安定性に劣る
と云う致命的な欠陥を有していた。 本発明のゾルは高
純度である上に、安定性も良好であり、より高品位のも
のであると云える。
以上のような優れた特徴をもつ本発明の結晶質酸化スズ
・アンチモンゾルは、透明導電性材料として非常に有益
であるばかりか、他に例えばガスセンサー材料等のエレ
クトロセラミックス分野への適用についても有用であり
、その他数多くの用途に適用し得る新規な物質である。
・アンチモンゾルは、透明導電性材料として非常に有益
であるばかりか、他に例えばガスセンサー材料等のエレ
クトロセラミックス分野への適用についても有用であり
、その他数多くの用途に適用し得る新規な物質である。
次に、本第二の発明である結晶質酸化スズ・アンチモン
ゾルの製造方法について説明する。
ゾルの製造方法について説明する。
本第二の発明は、スズ化合物及びアンチモン化合物と、
重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム塩とを
反応させゲルを生成した後、アンモニアを添加し、水熱
処理することからなる結晶質酸化スズ・アンチモンゾル
の製造方法である。
重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム塩とを
反応させゲルを生成した後、アンモニアを添加し、水熱
処理することからなる結晶質酸化スズ・アンチモンゾル
の製造方法である。
本発明では、先ず第一にスズ化合物及びアンチ毛ン化合
物と、重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム
塩とを反応させゲルを得る。
物と、重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウム
塩とを反応させゲルを得る。
本発明に用いるスズ化合物として、塩化第二スズ、硫酸
第二スズ等を、またアンチモン化合物として、三塩化ア
ンチモン等を例示することができる。 更に、重炭酸
アルカリ金属塩として重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウ
ム等を例示することができる。
第二スズ等を、またアンチモン化合物として、三塩化ア
ンチモン等を例示することができる。 更に、重炭酸
アルカリ金属塩として重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウ
ム等を例示することができる。
しかし本発明はこれらに限定されるものではない、 ま
たJ:紀以外の原料を用いて製造したゲルを本発明に用
いた場合には、本発明の目的を達成することができない
。
たJ:紀以外の原料を用いて製造したゲルを本発明に用
いた場合には、本発明の目的を達成することができない
。
即ち、前記重炭酸塩に代えて炭酸ナトリウム、水酸化ナ
トリウム、アンモニア等を用いて製造したゲルは、ろ過
性が悪く、シかも老化し易く、該ゲルを後述する処理に
供しても、本発明の如き分散性に優れた結晶質酸化スズ
・アンチモンゾルを91i造することができない。
トリウム、アンモニア等を用いて製造したゲルは、ろ過
性が悪く、シかも老化し易く、該ゲルを後述する処理に
供しても、本発明の如き分散性に優れた結晶質酸化スズ
・アンチモンゾルを91i造することができない。
次に、これら原料の使用割合に関して云えば、先ず、ス
ズ化合物及びアンチモン化合物に対する重炭酸アルカリ
金属塩または重炭酸アンモニウム塩の使用割合は、ゲル
生成反応の反応終了時の反応液PHが6以−ヒとなるよ
うに1炭酸アルカリ會属塩または重炭酸アンモニウム塩
を添加使用する。 重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸
アンモニウム塩の使用量がこれよりも少量であると、ス
ズ及びアンチモンが完全にゲル化せず収率が悪くなり、
また経済的理由等から好ましくない、 更に、
スズ化合物とアンチモン化合物の使用割合については、
Sb/Snモル比0.3以下となるように使用する。
即ち、Sb/Snモル比が0.3を上回ると、後述する
本発明の処理工程に供しでも、本発明の結晶質酸化スズ
・アンチモンゾルを単線の組成物として得ることが困難
となり、アンチモン単独の結晶質化合物を含有するもの
となることより好ましくない。
ズ化合物及びアンチモン化合物に対する重炭酸アルカリ
金属塩または重炭酸アンモニウム塩の使用割合は、ゲル
生成反応の反応終了時の反応液PHが6以−ヒとなるよ
うに1炭酸アルカリ會属塩または重炭酸アンモニウム塩
を添加使用する。 重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸
アンモニウム塩の使用量がこれよりも少量であると、ス
ズ及びアンチモンが完全にゲル化せず収率が悪くなり、
また経済的理由等から好ましくない、 更に、
スズ化合物とアンチモン化合物の使用割合については、
Sb/Snモル比0.3以下となるように使用する。
即ち、Sb/Snモル比が0.3を上回ると、後述する
本発明の処理工程に供しでも、本発明の結晶質酸化スズ
・アンチモンゾルを単線の組成物として得ることが困難
となり、アンチモン単独の結晶質化合物を含有するもの
となることより好ましくない。
また、Sb/Snモル比の下限について特段限定はない
が、例えば本発明の酸化スズ・アンチモンゾルを透明導
電膜に応用した場合には、Sb/Snモル比が0.00
5 を下回ると、その電気導電性が著しく低下するため
実用上好ましくない。
が、例えば本発明の酸化スズ・アンチモンゾルを透明導
電膜に応用した場合には、Sb/Snモル比が0.00
5 を下回ると、その電気導電性が著しく低下するため
実用上好ましくない。
本発明のスズ化合物、アンチモン化合物、重炭酸アルカ
リ金属塩または重炭酸アンモニウム塩これら王者の添加
順序に関しても特段限定はなく、いずれの添加方法も採
用することができる。
リ金属塩または重炭酸アンモニウム塩これら王者の添加
順序に関しても特段限定はなく、いずれの添加方法も採
用することができる。
しかし、重炭酸アルカリ金属塩または重炭酸アンモニウ
ム塩水溶液に、スズ化合物とアンチモン化合物の混合水
溶液を添加する方法が、均一なゲルを得ることができる
点で、また次工程でのゲル洗浄作業が効率的に行なえる
点で好ましい。
ム塩水溶液に、スズ化合物とアンチモン化合物の混合水
溶液を添加する方法が、均一なゲルを得ることができる
点で、また次工程でのゲル洗浄作業が効率的に行なえる
点で好ましい。
またこの時に、スズ化合物またはアンチモン化合物の種
類、混合比、濃度等の選択によっては、該混合液が不安
定となり、水不溶性の沈澱物を生成することがあるが、
この場合に塩酸等の鉱酸を少量加えてit澱を溶解し、
安定な混合液を調製することは有用である。 また塩酸
等の鉱酸は、予めスズ化合物、アンチモン化合物の水溶
液に添加しておいてもよい。
類、混合比、濃度等の選択によっては、該混合液が不安
定となり、水不溶性の沈澱物を生成することがあるが、
この場合に塩酸等の鉱酸を少量加えてit澱を溶解し、
安定な混合液を調製することは有用である。 また塩酸
等の鉱酸は、予めスズ化合物、アンチモン化合物の水溶
液に添加しておいてもよい。
更にゲル生成反応時の温度は常温でよく、特段に加熱、
冷却等の操作を行なう必要はない。
冷却等の操作を行なう必要はない。
このようにして製造したゲルは、次いで洗浄し、不純物
を除去する。 g4存不純物量に関しては、結晶質酸
化スズ・アンチモンゾルの製造上、また用途1少ない方
が好ましい、 但し、重炭酸アンモニウムを使用してゲ
ルを製造した場合に限り、アンモニアのみはゲル中に残
存していても差し支えない。
を除去する。 g4存不純物量に関しては、結晶質酸
化スズ・アンチモンゾルの製造上、また用途1少ない方
が好ましい、 但し、重炭酸アンモニウムを使用してゲ
ルを製造した場合に限り、アンモニアのみはゲル中に残
存していても差し支えない。
洗浄手段に関しては特に限定されず、通常用いられる注
水ろ過、リパルプ−遠心分離法等の任意の方法を用いる
ことができる。
水ろ過、リパルプ−遠心分離法等の任意の方法を用いる
ことができる。
また、適当なイオン交換樹脂等と接触させ、不純物を除
去する方法も採用し得る。
去する方法も採用し得る。
洗浄後のゲルは、次いでアンモニアを添加して、PHの
W4!1を行う。
W4!1を行う。
而して、アンモニアの添加量はゲルのPHを8〜12、
望ましくは9〜11の範囲とするに足る量が適当である
。
望ましくは9〜11の範囲とするに足る量が適当である
。
即ちPHが上記範囲を逸脱すると、分散性に優れたゾル
は得られない、 尚この場合、必要なアンモニアの添加
量は、ゲルに残存する鷹量不純物の量や種類、或いはゲ
ル中のSnO2、Sbの濃度によって異なるが、概ねS
nO21モルに対して、0.05〜1.00モルの範囲
である。
は得られない、 尚この場合、必要なアンモニアの添加
量は、ゲルに残存する鷹量不純物の量や種類、或いはゲ
ル中のSnO2、Sbの濃度によって異なるが、概ねS
nO21モルに対して、0.05〜1.00モルの範囲
である。
次いでこのPH調製されたゲルは、必要に応じて水を添
加し、濃度を調整する。
加し、濃度を調整する。
この場合、SnO2濃度は15%以下とすることが望ま
しい、 これを越える濃度では、生成するゾルは非常に
粘ちょうであり、取り扱いが甚だ回能なものとなるばか
りか、不均一なものとなる。
しい、 これを越える濃度では、生成するゾルは非常に
粘ちょうであり、取り扱いが甚だ回能なものとなるばか
りか、不均一なものとなる。
PH及び濃度を調整したゲルは、次いで水熱処理される
。 この処理により、粒径300A以下の結晶質酸化ス
ズ・アンチモンゾルが生成する。
。 この処理により、粒径300A以下の結晶質酸化ス
ズ・アンチモンゾルが生成する。
水熱処理の条件に関しては、一般に処理温度が高く、ま
た処理時間が長くなるほど、結晶形の発達が良好であり
、粒径の大きなコロイド粒子が生成する。
た処理時間が長くなるほど、結晶形の発達が良好であり
、粒径の大きなコロイド粒子が生成する。
例えば、粒径約80大のコロイド粒子からなるゾルを製
造するためには、200℃で6時間の水熱9!!!理が
必要である。 ML、結晶質酸化スズ・アンチモンゾ
ルの各用途に応じて最適な粒子径のものを製造すればよ
く、その制御が水熱処理条件の選択によって可能である
点が1本発明の大きな特徴である。
造するためには、200℃で6時間の水熱9!!!理が
必要である。 ML、結晶質酸化スズ・アンチモンゾ
ルの各用途に応じて最適な粒子径のものを製造すればよ
く、その制御が水熱処理条件の選択によって可能である
点が1本発明の大きな特徴である。
(実施例)
以下に本発明の実施例を掲げ更に説明を行うが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
また、%は特にことわらない限り、全て重量%を示す。
実施例1
塩化第二スズ水溶液(3110217,6%)1000
部に、三塩化アンチモン5.4部を加え、80°Cに加
温溶解させた。 冷却後、これを重炭酸アンモニウム水
溶液(NH,3,0%)3494部に攪はんを行いなが
ら徐々に添加し、ゲルを生成させた。この時のゲル液の
PHは7.2であった。
部に、三塩化アンチモン5.4部を加え、80°Cに加
温溶解させた。 冷却後、これを重炭酸アンモニウム水
溶液(NH,3,0%)3494部に攪はんを行いなが
ら徐々に添加し、ゲルを生成させた。この時のゲル液の
PHは7.2であった。
生成したゲルをろ別し、これに約1000部の水を加え
てリパルプ混合し、遠心分離機により固液分離した。
この操作をゲル中に塩素が認められなくなるまで繰り返
し、その結果、5nO232,1%、Sb O,52%
、 NHlo、54%を含有するゲルを得た。
てリパルプ混合し、遠心分離機により固液分離した。
この操作をゲル中に塩素が認められなくなるまで繰り返
し、その結果、5nO232,1%、Sb O,52%
、 NHlo、54%を含有するゲルを得た。
次いで、該ゲル100部にアンモニア水(N)1B2.
0%)9部、及び水212部を添加混合し、PH9,6
のゲルスラリーとした後、これをオートクレーブに移し
、230℃で4時間の水熱処理を行い、本発明のゾルを
得た。
0%)9部、及び水212部を添加混合し、PH9,6
のゲルスラリーとした後、これをオートクレーブに移し
、230℃で4時間の水熱処理を行い、本発明のゾルを
得た。
このゾルの組成分析の結果、5n0210.0%、5b
O316%、Sb/Snモル比0.02であり、透過型
電子顕微111観察による粒子径測定結果は120^で
あった。
O316%、Sb/Snモル比0.02であり、透過型
電子顕微111観察による粒子径測定結果は120^で
あった。
また、ゾルを100℃で乾燥しX線回折を測定した結果
、主要ピークのd(直は3.35λ、2.64X、 1
.77人、2.37X、1.saXであったため、結晶
形はスズ石(Caisitsrite)と同定され、ま
たアンチモン化合物に由来するX線ピークは見られなか
った。
、主要ピークのd(直は3.35λ、2.64X、 1
.77人、2.37X、1.saXであったため、結晶
形はスズ石(Caisitsrite)と同定され、ま
たアンチモン化合物に由来するX線ピークは見られなか
った。
更に、このゾルを常温で1力月間静置したところ、沈降
物は全く認められず、ゾル性状を維持したままであった
。
物は全く認められず、ゾル性状を維持したままであった
。
実施例2
重炭酸ナトリウム水溶液(Na1.4%)9008部に
。
。
攪はんを行いながら硫酸第二スズ水溶液(Sn0.10
.5%) 1000部、及び塩酸酸性塩化アンチモン水
溶液(Sb6.0%、ct 18.4%)424部を同
時に徐々に添加し、ゲルを生成させた。 この時のゲル
液のPHは7.6であった。
.5%) 1000部、及び塩酸酸性塩化アンチモン水
溶液(Sb6.0%、ct 18.4%)424部を同
時に徐々に添加し、ゲルを生成させた。 この時のゲル
液のPHは7.6であった。
生成したゲルをろ別した後、ゲル中にナトリウム、塩素
、硫酸根が認められなくなるまで注水ろ過洗浄を行った
。 その結果、SnO,23,7%。
、硫酸根が認められなくなるまで注水ろ過洗浄を行った
。 その結果、SnO,23,7%。
Sb5.7%を1&有するゲルを得た。
次いで、該ゲル100部にアンモニア水(NHi L5
%〉98部、及び水141部を添加混合し、PH10,
9のゲルスラリーとした後、これをオートクレーブに移
し、180℃で10時間の水熱処理を行い、本発明のゾ
ルを得た。
%〉98部、及び水141部を添加混合し、PH10,
9のゲルスラリーとした後、これをオートクレーブに移
し、180℃で10時間の水熱処理を行い、本発明のゾ
ルを得た。
このゾルの組成分析の結果、SnO□7.0%、Sb1
.7%、Sb/Snモル比0.30であり、透過型電子
顕a鏡観察による粒子径の測定結果は60にであった。
.7%、Sb/Snモル比0.30であり、透過型電子
顕a鏡観察による粒子径の測定結果は60にであった。
また、ゾルを100℃で乾燥しX線回折を測定した結果
、結晶形はスズ石(CassHsrit@)と同定され
、またアンチモン化合物に由来するX線ピークは見られ
なかった。
、結晶形はスズ石(CassHsrit@)と同定され
、またアンチモン化合物に由来するX線ピークは見られ
なかった。
更に、このゾルを常温で121月間静置したところ、沈
降物は全く認められず、ゾル性状を維持したままであっ
た。
降物は全く認められず、ゾル性状を維持したままであっ
た。
第1図は、具体例で得た本発明結晶質酸化スズ・アンチ
モンゾルの100℃乾燥物のX線回折図、また第2図は
、比較例で1)た最終生成物の100℃乾燥物のxI1
1回折図である。
モンゾルの100℃乾燥物のX線回折図、また第2図は
、比較例で1)た最終生成物の100℃乾燥物のxI1
1回折図である。
Claims (2)
- (1)Sb/Snモル比0.3以下でSb及びSnが固
溶する粒子径300Å以下の結晶質酸化スズ・アンチモ
ンゾル。 - (2)スズ化合物及びアンチモン化合物と、重炭酸アル
カリ金属塩または重炭酸アンモニウム塩とを反応させゲ
ルを生成した後、アンモニアを添加し、水熱処理するこ
とからなる結晶質酸化スズ・アンチモンゾルの製造方法
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61063657A JPS62223019A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法 |
US07/023,504 US4775412A (en) | 1986-03-19 | 1987-03-09 | Aqueous sol of crystalline tin oxide solid solution containing antimony, and production thereof |
GB8706411A GB2188313B (en) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | Aqueous sol of crystalline tin oxide solid solution containing antimony, and production thereof |
FR8703748A FR2596041B1 (fr) | 1986-03-19 | 1987-03-18 | Sol d'oxyde d'etain cristallin contenant de l'antimoine en solution solide, et son procede de preparation |
DE19873708894 DE3708894A1 (de) | 1986-03-19 | 1987-03-19 | Waessriges sol von antimon enthaltender kristalliner fester zinnoxidloesung sowie verfahren zu dessen herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61063657A JPS62223019A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62223019A true JPS62223019A (ja) | 1987-10-01 |
JPH0258213B2 JPH0258213B2 (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=13235637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61063657A Granted JPS62223019A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4775412A (ja) |
JP (1) | JPS62223019A (ja) |
DE (1) | DE3708894A1 (ja) |
FR (1) | FR2596041B1 (ja) |
GB (1) | GB2188313B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02221124A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | スズ・アンチモン複合酸化物ゾルの製造方法 |
WO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜トランジスタ |
RU2507288C2 (ru) * | 2009-10-02 | 2014-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) | Способ получения чернил на основе наночастиц диоксида олова легированного сурьмой для микропечати |
JP2014169218A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | リンを含む酸化スズ粒子及びリンを含む酸化スズゾルの製造方法 |
JP2019119636A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 日揮触媒化成株式会社 | 複合金属酸化物粒子連結体、その前駆体溶液の製造方法、および複合金属酸化物粒子連結体の製造方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5204177A (en) * | 1986-03-06 | 1993-04-20 | Catalysts & Chemicals Industries, Co., Ltd. | Process for preparing conductive fine particles and conductive coating materials containing said particles |
US4931426A (en) * | 1988-05-02 | 1990-06-05 | Rhone-Poulenc Inc. | Process for preparing crystalline ceramic superconductor materials by fluidized-bed calcination |
US5178736A (en) * | 1990-05-07 | 1993-01-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Light colored conductive electrocoat paint |
US5104583A (en) * | 1990-05-07 | 1992-04-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Light colored conductive electrocoat paint |
DE69228180T2 (de) * | 1991-04-05 | 1999-07-29 | British Gas Plc | Zinnoxidgassensoren |
US5335361A (en) | 1991-12-11 | 1994-08-02 | Motorola, Inc. | Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves |
CA2138245A1 (en) * | 1992-06-29 | 1994-01-06 | Howard Wayne Jacobson | Electroconductive material and process |
US5292551A (en) * | 1992-06-29 | 1994-03-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for producing electroconductive powders |
US5512094A (en) * | 1992-11-20 | 1996-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal oxide coated silica shells |
USH1447H (en) * | 1992-11-20 | 1995-06-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Coated silica shells |
US5364566A (en) * | 1993-02-12 | 1994-11-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for making electroconductive powders |
FR2710628B1 (fr) * | 1993-09-27 | 1995-12-01 | Kodak Pathe | Préparation de solutions d'oxyde mixte à base d'étain et de silicium. |
DE69428320T2 (de) * | 1993-10-18 | 2002-07-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einen Bildschirm und Anzeigevorrichtung die diese enthalt |
BE1007662A3 (nl) * | 1993-10-18 | 1995-09-05 | Philips Electronics Nv | Beeldweergeefinrichting met een beeldscherm voorzien van een antistatische en lichtabsorberende bekledingslaag. |
CA2142418C (en) * | 1994-02-14 | 2002-03-05 | Thomas Francis Swank | Electrically conductive transparent doped tin oxide films |
US5484694A (en) * | 1994-11-21 | 1996-01-16 | Eastman Kodak Company | Imaging element comprising an electrically-conductive layer containing antimony-doped tin oxide particles |
US5788887A (en) * | 1996-11-01 | 1998-08-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Antimony doped tin oxide electroconductive powder |
US5788913A (en) * | 1996-11-01 | 1998-08-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Processes to prepare antimony doped tin oxide electroconductive powders |
GB9709449D0 (en) * | 1997-05-10 | 1997-07-02 | Univ Warwick | Low temperature production of metal oxides |
GB2326636B (en) * | 1997-06-28 | 2000-11-01 | Secr Defence | Sol-Gel route to transparent metal oxide films |
US6354387B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-03-12 | Baker Hughes Incorporated | Nozzle orientation for roller cone rock bit |
FR2799392A1 (fr) * | 1999-10-06 | 2001-04-13 | Tedeco | Nouveau procede de preparation de dispersions stables de nanoparticules d'oxydes metalliques, et de fabrications de fibres revetues par ces oxydes, et fibres et articles ainsi obtenus |
EP1524247A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | Asahi Glass Company, Limited | Infrared shielding film-coated glass and process for its production |
JP4968450B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2012-07-04 | 日産化学工業株式会社 | 金属酸化物ゾルの製造方法 |
JP6569237B2 (ja) * | 2014-03-06 | 2019-09-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化第一錫の製造方法、Snめっき液の製造方法 |
CN104073027B (zh) * | 2014-06-20 | 2015-12-02 | 广西纳拓科技有限公司 | 氧化锡锑水性纳米分散浆料的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS613291A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | 三洋電機株式会社 | 紙幣処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3346468A (en) * | 1964-05-08 | 1967-10-10 | M & T Chemicals Inc | Tin electrodeposition process |
US4113507A (en) * | 1976-12-01 | 1978-09-12 | Ppg Industries, Inc. | Method of preparing a solution for making electroconductive tin oxide films |
GB2025915B (en) * | 1978-07-12 | 1982-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Process of preparing conductive tin dioxide powder |
JPS5854089B2 (ja) * | 1979-06-22 | 1983-12-02 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の形成方法 |
JPS5771822A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-04 | Mitsubishi Metal Corp | Production of electrically conductive fine particles |
US4566992A (en) * | 1981-12-28 | 1986-01-28 | Metafuse Limited | Solutions for the fusion of one metal to another |
JPS57138708A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-27 | Hitachi Ltd | Composition for forming transparent conductive film and method of forming transparent conductive film |
JPS58148493A (ja) * | 1982-03-01 | 1983-09-03 | アルプス電気株式会社 | 透明導電性被膜形成用ペ−スト |
DE3211066A1 (de) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Transparente leitschicht |
DE3378530D1 (en) * | 1982-08-13 | 1988-12-29 | Atomic Energy Authority Uk | Process for the preparation of dispersions and gels |
CA1227384A (en) * | 1983-12-30 | 1987-09-29 | Westinghouse Electric Corporation | Antimony-doped stannic oxide thick film gas sensor |
CA1272011A (en) * | 1984-08-29 | 1990-07-31 | William R. Bushey | Process for forming solid solutions |
JPS62207717A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-12 | Taki Chem Co Ltd | 結晶質酸化スズゾル及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61063657A patent/JPS62223019A/ja active Granted
-
1987
- 1987-03-09 US US07/023,504 patent/US4775412A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-18 FR FR8703748A patent/FR2596041B1/fr not_active Expired
- 1987-03-18 GB GB8706411A patent/GB2188313B/en not_active Expired
- 1987-03-19 DE DE19873708894 patent/DE3708894A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS613291A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | 三洋電機株式会社 | 紙幣処理装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02221124A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | スズ・アンチモン複合酸化物ゾルの製造方法 |
WO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 薄膜トランジスタ |
JPWO2007023612A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタ |
RU2507288C2 (ru) * | 2009-10-02 | 2014-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) | Способ получения чернил на основе наночастиц диоксида олова легированного сурьмой для микропечати |
JP2014169218A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-09-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | リンを含む酸化スズ粒子及びリンを含む酸化スズゾルの製造方法 |
JP2019119636A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 日揮触媒化成株式会社 | 複合金属酸化物粒子連結体、その前駆体溶液の製造方法、および複合金属酸化物粒子連結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2188313B (en) | 1990-04-11 |
GB2188313A (en) | 1987-09-30 |
FR2596041A1 (fr) | 1987-09-25 |
JPH0258213B2 (ja) | 1990-12-07 |
DE3708894A1 (de) | 1987-10-22 |
DE3708894C2 (ja) | 1990-04-19 |
US4775412A (en) | 1988-10-04 |
FR2596041B1 (fr) | 1989-11-24 |
GB8706411D0 (en) | 1987-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62223019A (ja) | 結晶質酸化スズ・アンチモンゾル及びその製造方法 | |
RU2127221C1 (ru) | Порошок оксида металла, порошок оксида титана, способ получения порошка оксида металла | |
Park et al. | Understanding of homogeneous spontaneous precipitation for monodispersed TiO2 ultrafine powders with rutile phase around room temperature | |
KR20000008868A (ko) | 저온 균질침전법을 이용한 사염화티타늄 수용액으로부터의 결정성 tio₂초미립 분말의 제조방법 | |
FR2568239A1 (fr) | Procede de production d'une composition qui contient des composes de perovskite | |
JPH08501768A (ja) | 酸化物粒子及びその製造法 | |
JP3198494B2 (ja) | 導電性酸化物粒子及びその製造方法 | |
JP3646818B2 (ja) | オキシ炭酸ビスマス粉末およびその製造方法 | |
JPH033607B2 (ja) | ||
JP2006335578A (ja) | 葉片状二水石膏及びその製造方法 | |
CN113428898B (zh) | 液态盐合成铌酸钠钾纳米管及其制备方法 | |
JP3537885B2 (ja) | アナタース型酸化チタンの製造方法 | |
WO2021161550A1 (ja) | ニオブ酸水溶液 | |
JP2787643B2 (ja) | 導電性二酸化チタン繊維及びその製造方法 | |
JP2528462B2 (ja) | 六チタン酸ナトリウム微細粒子粉末の製造法 | |
CN1472141A (zh) | 制备纳米级高纯钛酸钡粉体的工艺 | |
JP3415733B2 (ja) | チタン酸カルシウム微粒子の製造方法 | |
JPH0228549B2 (ja) | Ketsushoshitsusankasuzu*anchimonzorunoseizohoho | |
JPS58213633A (ja) | 酸化アルミニウムの製造方法 | |
JP7187652B2 (ja) | ニオブ酸水溶液 | |
JPH11278832A (ja) | 酸化イットリウム粉末の製造方法 | |
JP3226594B2 (ja) | 針状導電性酸化チタンの製造方法 | |
JP2882040B2 (ja) | 水和ジルコニアゾルの製造方法 | |
JPH11147717A (ja) | 酸化チタン被膜の製造方法 | |
JP2915224B2 (ja) | 無機酸化物粒子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |