JPS62180056A - 炭素薄膜の製造方法 - Google Patents
炭素薄膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、ダイヤモンド状炭素薄膜又はアモルファス炭
素薄膜の製造方法に関する。
素薄膜の製造方法に関する。
B1発明の概要
本発明は、基板上に炭素薄膜を形成するにおいて、
グラファイトをターゲットとし窒素ガスと水素との混合
ガスの所定圧力下で反応性スパッタ法で基板上に堆積製
膜することにより、 低温プロセスにして膜質、膜性能に優れ、装置構成及び
製膜制御も容易にできるようにしたものである。
ガスの所定圧力下で反応性スパッタ法で基板上に堆積製
膜することにより、 低温プロセスにして膜質、膜性能に優れ、装置構成及び
製膜制御も容易にできるようにしたものである。
C1従来の技術
ダイヤモンド状炭素薄膜又はアモルファス炭素薄膜の製
造方法として、イオンビーム法やプラズvCVD法など
が良く知られている。
造方法として、イオンビーム法やプラズvCVD法など
が良く知られている。
イオンビーム法は、元素(炭素源)を真空中でイオン化
して静電的に加速及び目的とするイオンを分離してター
ゲット(基板)に打込み、炭素薄膜を形成する。
して静電的に加速及び目的とするイオンを分離してター
ゲット(基板)に打込み、炭素薄膜を形成する。
プラズマCVD法は、普通のCVD法による膜形成に放
電を伴わせて基板に炭素薄膜を形成する。
電を伴わせて基板に炭素薄膜を形成する。
D0発明が解決しようとする問題点
従来のイオンビーム法による炭素薄膜の形成では、炭素
イオンの加速に大樹りなイオン加速装置を必要とするし
、基板にイオンビームを照射するため界面に構造欠陥が
生じ易い問題があった。また、有機材料や半導体上に炭
素薄膜を形成しようとすると、これら基板がイオンビー
ムに侵されることになり、膜形成の材質が制約される。
イオンの加速に大樹りなイオン加速装置を必要とするし
、基板にイオンビームを照射するため界面に構造欠陥が
生じ易い問題があった。また、有機材料や半導体上に炭
素薄膜を形成しようとすると、これら基板がイオンビー
ムに侵されることになり、膜形成の材質が制約される。
従来のプラズマCVD法では、炭化水素ガスを分解して
炭素源とするため、再重合などにより多種類の成長核種
が生じ易く、任意の膜特性を有する薄膜を形成するのが
難しくなる。また、良質の膜形成には基板温度を200
°C以上に保持する必要があり、この温度に保持できな
い材質の基板には薄膜を形成できない。
炭素源とするため、再重合などにより多種類の成長核種
が生じ易く、任意の膜特性を有する薄膜を形成するのが
難しくなる。また、良質の膜形成には基板温度を200
°C以上に保持する必要があり、この温度に保持できな
い材質の基板には薄膜を形成できない。
本発明の目的は、基板を低温にしなから膜質のコントロ
ールも容易にして良質のダイヤモンド状又はアモルファ
ス炭素薄膜を形成できる製造方法を提供するにある。
ールも容易にして良質のダイヤモンド状又はアモルファ
ス炭素薄膜を形成できる製造方法を提供するにある。
E0問題点を解決するための手段と作用本発明は上記問
題点に鑑みてなされたもので、真空容器内でグラファイ
トをターゲット電極とし、該真空容器内に混合比1乃至
1100ppの窒素ガスと水素の混合ガスを圧力0.7
Pa乃至665Paにし、該真空容器内に配置した基板
上に反応性スパッタ法で炭素薄膜を形成する製造方法と
し、絶縁抵抗を悪くするSP8結合を少なくして高抵抗
率を得、また光学的バンドギャップ、スピン密度の性能
も向上し、さらに淡黄色から無色の透明薄膜を得る。
題点に鑑みてなされたもので、真空容器内でグラファイ
トをターゲット電極とし、該真空容器内に混合比1乃至
1100ppの窒素ガスと水素の混合ガスを圧力0.7
Pa乃至665Paにし、該真空容器内に配置した基板
上に反応性スパッタ法で炭素薄膜を形成する製造方法と
し、絶縁抵抗を悪くするSP8結合を少なくして高抵抗
率を得、また光学的バンドギャップ、スピン密度の性能
も向上し、さらに淡黄色から無色の透明薄膜を得る。
F、実施例
第1図は本発明方法に使用するスパッタリング装置の要
部断面図である。真空容器lはフランジ付金属製円筒2
とこの両端部がOリング3等をシール手段として金属製
の上蓋4と下蓋5で気密封止されて構成される。この真
空容器lには円筒2の上側部に雰囲気ガス導入管6が設
けられ、また下蓋5の中央部に真空ポンプに直結される
排気管7が設けられる。上蓋4には真空容器!内で接地
電位の電子引抜き対向電極8が設けられ、これに対向し
てターゲット電極9が設けられる。
部断面図である。真空容器lはフランジ付金属製円筒2
とこの両端部がOリング3等をシール手段として金属製
の上蓋4と下蓋5で気密封止されて構成される。この真
空容器lには円筒2の上側部に雰囲気ガス導入管6が設
けられ、また下蓋5の中央部に真空ポンプに直結される
排気管7が設けられる。上蓋4には真空容器!内で接地
電位の電子引抜き対向電極8が設けられ、これに対向し
てターゲット電極9が設けられる。
ターゲット電極9の背面には電極箱10内でマグネトロ
ン11が設けられ、外部から高周波電流がマグネトロン
11に供給されることで該ターゲット電極9が加熱され
る。マグネトロン11には供給側金属製冷却水管12と
排水側金属製冷却水管13によって冷却水人口14から
冷却水出口15まで冷却水が通されて冷却される。これ
ら水管12.13はシールド16で覆われて円筒2の側
部から気密シールドで真空容器i外に引出される。
ン11が設けられ、外部から高周波電流がマグネトロン
11に供給されることで該ターゲット電極9が加熱され
る。マグネトロン11には供給側金属製冷却水管12と
排水側金属製冷却水管13によって冷却水人口14から
冷却水出口15まで冷却水が通されて冷却される。これ
ら水管12.13はシールド16で覆われて円筒2の側
部から気密シールドで真空容器i外に引出される。
こうしたスパッタリング装置において、本発明方法では
薄膜が形成される堆積基板17.18は、上蓋4の内面
及び円筒2の内周面に夫々絶縁支持された基板ホルダー
19.20上に取付けられるか、また、堆積基板21と
して対向電極8に取付けられる。
薄膜が形成される堆積基板17.18は、上蓋4の内面
及び円筒2の内周面に夫々絶縁支持された基板ホルダー
19.20上に取付けられるか、また、堆積基板21と
して対向電極8に取付けられる。
22は基板支え部材である。また、熱電対23は堆積基
板17の温度を測定できるよう上M4から気密シールド
で引出される。
板17の温度を測定できるよう上M4から気密シールド
で引出される。
なお、堆積基板17.18はプラズマによる励起ソース
のスパッタ粒子がトランスポートする領域の外側にされ
る。すなわち、真空容器!内で破線で示すA部が電極8
.9間及びその周辺に発生しているプラズマ状態の領域
で、8部がプラズマ領域Aに存在するスパッタ粒子がト
ランスポートする領域とすると、領域Bの外側になる領
域Cに堆積基板17.18が取付けられる。この領域C
では領域Aからトランスポートされたスパッタ粒子が堆
積基[17,1g上にソフトにデボジツションする。な
お、この領域Cに堆積基板17.18を配置するにおい
て、領域Cにはトランスポートされた粒子中の大部分か
らなる荷電粒子が電界等の影響を受は易いので、実施に
あたっては均一な電位、例えば接地電位近傍とするなど
の配慮がなされる。
のスパッタ粒子がトランスポートする領域の外側にされ
る。すなわち、真空容器!内で破線で示すA部が電極8
.9間及びその周辺に発生しているプラズマ状態の領域
で、8部がプラズマ領域Aに存在するスパッタ粒子がト
ランスポートする領域とすると、領域Bの外側になる領
域Cに堆積基板17.18が取付けられる。この領域C
では領域Aからトランスポートされたスパッタ粒子が堆
積基[17,1g上にソフトにデボジツションする。な
お、この領域Cに堆積基板17.18を配置するにおい
て、領域Cにはトランスポートされた粒子中の大部分か
らなる荷電粒子が電界等の影響を受は易いので、実施に
あたっては均一な電位、例えば接地電位近傍とするなど
の配慮がなされる。
また、雰囲気ガス導入管6からは水素ガスと窒素ガスの
混合ガスが導入され、ターゲット電極9にはグラファイ
トが使用される。
混合ガスが導入され、ターゲット電極9にはグラファイ
トが使用される。
このように、スパッタリング装置を使い、炭素源として
固体のグラファイトをターゲット電極とし、水素ガスと
窒素ガスの混合ガスを導入し、真空容器内圧力を調整し
、反応性スパッタ法により堆積基板17.18あるいは
21上にダイヤモンド状又はアモルファス炭素薄膜を形
成する。
固体のグラファイトをターゲット電極とし、水素ガスと
窒素ガスの混合ガスを導入し、真空容器内圧力を調整し
、反応性スパッタ法により堆積基板17.18あるいは
21上にダイヤモンド状又はアモルファス炭素薄膜を形
成する。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図中、ターゲット電極9に固体のグラファイトを使
い、堆積基板17.18.21を夫々セットした後、真
空容器l内を1.33X 10−’Pa(10−7To
rr)まで減圧し、導入管6からは窒素(N、)と水素
(Ht)の混合比Nt/ t(t = 25ppmの混
合ガスを671’a(Q、5Torr)まで導入する。
い、堆積基板17.18.21を夫々セットした後、真
空容器l内を1.33X 10−’Pa(10−7To
rr)まで減圧し、導入管6からは窒素(N、)と水素
(Ht)の混合比Nt/ t(t = 25ppmの混
合ガスを671’a(Q、5Torr)まで導入する。
真空容器l内ガス圧力が安定した後、マグネトロン11
には高周波(13,56MHz)電流を流し、この電流
はターゲット電極9に対し6 、8 N7cm2の電力
になるよう制御し、9時間のスパッタリングを行った。
には高周波(13,56MHz)電流を流し、この電流
はターゲット電極9に対し6 、8 N7cm2の電力
になるよう制御し、9時間のスパッタリングを行った。
この結果、ガラスにした基板17.18及び21上に形
成された炭素薄膜の特性を下記表に示す。
成された炭素薄膜の特性を下記表に示す。
第1表
す、−松 事由 嘉′J!:用?−云十t1のは−窒素
ガスを混合しない場合の抵抗率を示し、窒素ガスを混合
することにより抵抗率を高めうろことが明らかである。
ガスを混合しない場合の抵抗率を示し、窒素ガスを混合
することにより抵抗率を高めうろことが明らかである。
また、形成された薄膜の密着度は、粘着テープを薄膜に
張り付けた剥離テストによるもので、基板17にあって
も全く剥がれが認められなかった。
張り付けた剥離テストによるもので、基板17にあって
も全く剥がれが認められなかった。
さらに、スパッタ中の基板温度はトランスポート外であ
れば低温下でスパッタリングが可能となることを意味し
ている。また、薄膜は淡黄色から無色の透明薄膜になっ
た。また、窒素ガスの代りにNF3ガスを用いた場合も
同様の結果を得ることができた。
れば低温下でスパッタリングが可能となることを意味し
ている。また、薄膜は淡黄色から無色の透明薄膜になっ
た。また、窒素ガスの代りにNF3ガスを用いた場合も
同様の結果を得ることができた。
また、形成条件を種々変えて堆積基板17.18゜21
に形成した各薄膜について、赤外線吸収スペクトル、抵
抗率、スピン密度等の測定結果を第2図乃至第5図を参
照して説明する。
に形成した各薄膜について、赤外線吸収スペクトル、抵
抗率、スピン密度等の測定結果を第2図乃至第5図を参
照して説明する。
第2図は基板17に形成した薄膜の赤外吸収スペクトル
を混合ガス圧を40Pa〜267Paに変えた場合で示
し、水素ガスのみでスパッタリングした場合と殆んど同
じスペクトルを呈するものであった。
を混合ガス圧を40Pa〜267Paに変えた場合で示
し、水素ガスのみでスパッタリングした場合と殆んど同
じスペクトルを呈するものであった。
また、これら薄膜は、C−H伸縮振動による吸収はほと
んどSP’結合によるもので、電気抵抗を下げる要因と
なるSP!結合(3025cm−’に出る吸収)は少な
く、l×101′Ω・cm以上の高抵抗率であることと
対応している。また、光学的バンドギャップ(Eg(o
pt))は2.95eV、スピン密度は3 X 101
+1/ Cm3で水素ガスのみによるものでは6 X
10”/ cm3であった。
んどSP’結合によるもので、電気抵抗を下げる要因と
なるSP!結合(3025cm−’に出る吸収)は少な
く、l×101′Ω・cm以上の高抵抗率であることと
対応している。また、光学的バンドギャップ(Eg(o
pt))は2.95eV、スピン密度は3 X 101
+1/ Cm3で水素ガスのみによるものでは6 X
10”/ cm3であった。
次に、第3図は混合ガス圧を1.33Pa(0,01T
orr)。
orr)。
6.67Pa(0,05Torr)、 13.3Pa(
0,ITorr)、 40.0Pa(0,3Torr)
、 LOOPa(0,75Torr)、 133Pa(
1,0Torr)、 200Pa(1,5Torr)及
び267Pa(2,0Torr)と変えて形成した炭素
薄膜の抵抗率(ρ)への依存性の測定結果を示す。
0,ITorr)、 40.0Pa(0,3Torr)
、 LOOPa(0,75Torr)、 133Pa(
1,0Torr)、 200Pa(1,5Torr)及
び267Pa(2,0Torr)と変えて形成した炭素
薄膜の抵抗率(ρ)への依存性の測定結果を示す。
同様に、第4図は混合ガス圧を変えたものについて光学
的バンドギャップとスピン密度を示す。
的バンドギャップとスピン密度を示す。
以上までのことより、本実施による製造方法で形成され
た炭素薄膜は、絶縁抵抗を悪くするSP2結合が少ない
高抵抗で、光学的バンドギャップが2.05〜3.15
eVである良質の炭素薄膜が得られることが明らかであ
る。さらに、スピン密度が2 X 10”〜3 X t
o”/ cm3と少なく、半導体素材として不純物をド
ーピングして用いることも可能である。
た炭素薄膜は、絶縁抵抗を悪くするSP2結合が少ない
高抵抗で、光学的バンドギャップが2.05〜3.15
eVである良質の炭素薄膜が得られることが明らかであ
る。さらに、スピン密度が2 X 10”〜3 X t
o”/ cm3と少なく、半導体素材として不純物をド
ーピングして用いることも可能である。
第5図は混合ガス比を1−1100ppまで変え、その
ガス圧が66.7Paで形成した炭素薄膜の抵抗率(ρ
)を示す。この結果からも明らかなように、混合ガスの
窒素が1 ppm未満では抵抗率が悪くなり、また11
00ppを越えると半導体化の効果により抵抗率が純水
素スパッタと同程度になり効果がなくなる。
ガス圧が66.7Paで形成した炭素薄膜の抵抗率(ρ
)を示す。この結果からも明らかなように、混合ガスの
窒素が1 ppm未満では抵抗率が悪くなり、また11
00ppを越えると半導体化の効果により抵抗率が純水
素スパッタと同程度になり効果がなくなる。
これらの事実から、混合ガス比が1〜1100ppの範
囲が望ましいことが明らかになった。
囲が望ましいことが明らかになった。
また、第2図乃至第5図の特性から、混合ガス圧は0
、7Pa 〜665Pa(5Torr)が望ましい。す
なわち、ガス圧が0.7Paよりも低いと抵抗率が低く
なり、スピン密度も上って思わしくない特性になるし、
ガス圧が665Paを越えると第2図示の赤外吸収スペ
クトルの波長2960cm””での吸収係数がさらに大
きくなって膜質の変化が予測されるしスピン密度ら大き
くなる傾向にある。
、7Pa 〜665Pa(5Torr)が望ましい。す
なわち、ガス圧が0.7Paよりも低いと抵抗率が低く
なり、スピン密度も上って思わしくない特性になるし、
ガス圧が665Paを越えると第2図示の赤外吸収スペ
クトルの波長2960cm””での吸収係数がさらに大
きくなって膜質の変化が予測されるしスピン密度ら大き
くなる傾向にある。
なお、実施例において、高温プロセスで製膜するには第
1図の基板17.18部に温度コントロールされるヒー
タを付加すれば良いし、逆に低温で製膜するには該基板
部に冷却パイプを付加して温度コントロールされた水や
液体窒素などの冷媒を流せば良い。
1図の基板17.18部に温度コントロールされるヒー
タを付加すれば良いし、逆に低温で製膜するには該基板
部に冷却パイプを付加して温度コントロールされた水や
液体窒素などの冷媒を流せば良い。
G3発明の効果
以上のとおり、本発明によれば、一般的スパッタ法に準
拠する方法を採りながら、グラファイトをターゲットと
して窒素ガスと水素の混合比及び容器内圧力を適切にす
ることでダイヤモンド状あるいはアモルファス炭素薄膜
を堆積形成するようにしたため、次のような効果がある
。
拠する方法を採りながら、グラファイトをターゲットと
して窒素ガスと水素の混合比及び容器内圧力を適切にす
ることでダイヤモンド状あるいはアモルファス炭素薄膜
を堆積形成するようにしたため、次のような効果がある
。
(1)炭素薄膜が低温プロセスで形成できるため、原理
的にあらゆる種類の基板上に製膜てきる。
的にあらゆる種類の基板上に製膜てきる。
(2)装置構成を比較的簡単にしながらしかもコントロ
ールを複雑にすることなく、良好な特性の薄膜を得るこ
とができる。
ールを複雑にすることなく、良好な特性の薄膜を得るこ
とができる。
(3)基板配置はプラズマのトランスポート範囲外にし
ても良く、製造効率を高めろし、基板の種類に応じた温
度条件等を選択できる。
ても良く、製造効率を高めろし、基板の種類に応じた温
度条件等を選択できる。
(4)従来法に較べてスピン密度が低く、すなわちダン
グリングボンドの数が少なく、しかも光学的バンドギャ
ップを広くして抵抗率の高い薄膜を得ることができる。
グリングボンドの数が少なく、しかも光学的バンドギャ
ップを広くして抵抗率の高い薄膜を得ることができる。
(5)薄膜が淡黄色から無色になり、可視光から赤外ま
で非常に高い光透過性を得ることができる。
で非常に高い光透過性を得ることができる。
(6)スパッタリングによる製膜のため薄膜と基板の密
着性に優れる。
着性に優れる。
第1図は本発明方法に使用するスパッタリング装置の要
部構成図、第2図は実施例による薄膜の赤外吸収スペク
トル、第3図は実施例における薄膜形成の混合ガス圧と
抵抗率の関係を示す図、第4図は実施例における薄膜形
成の混合ガス圧と光学的バンドギャップ及びスピン密度
の関係を示す図、第5図は実施例における薄膜形成のガ
ス混合比と抵抗率の関係を示す図である。 l・・・真空容器、6・・ガス導入管、7・・・排気管
、8・・・対向電極、9・・・ターゲット電極、11・
・・マグネトロン、17.18.21・・・堆積基板。 9−−−−−クー勺′ット喝【喝に 11−−−−一々グ午トロン 1合づス瓜PH2+ N2 (Torr)0.01
0j t。 ihdスL PH2十N2 (Torr)第5図 N2夕屡屓9=Jろ力5.抗膚町麹イ巳遥弁尤N2/H
2(ppm) 昭和62年1 月27日
部構成図、第2図は実施例による薄膜の赤外吸収スペク
トル、第3図は実施例における薄膜形成の混合ガス圧と
抵抗率の関係を示す図、第4図は実施例における薄膜形
成の混合ガス圧と光学的バンドギャップ及びスピン密度
の関係を示す図、第5図は実施例における薄膜形成のガ
ス混合比と抵抗率の関係を示す図である。 l・・・真空容器、6・・ガス導入管、7・・・排気管
、8・・・対向電極、9・・・ターゲット電極、11・
・・マグネトロン、17.18.21・・・堆積基板。 9−−−−−クー勺′ット喝【喝に 11−−−−一々グ午トロン 1合づス瓜PH2+ N2 (Torr)0.01
0j t。 ihdスL PH2十N2 (Torr)第5図 N2夕屡屓9=Jろ力5.抗膚町麹イ巳遥弁尤N2/H
2(ppm) 昭和62年1 月27日
Claims (2)
- (1)真空容器内でグラファイトをターゲット電極とし
、該真空容器内に混合比1乃至100ppmの窒素ガス
と水素の混合ガスを圧力0.7Pa乃至665Paにし
、該真空容器内に配置した基板上に反応性スパッタ法で
炭素薄膜を形成することを特徴とする炭素薄膜の製造方
法。 - (2)特許請求の範囲第1項において、前記基板に加熱
用ヒータ又は冷却手段を設けたことを特徴とする炭素薄
膜の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019569A JPH0742570B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
US07/007,747 US5073241A (en) | 1986-01-31 | 1987-01-28 | Method for carbon film production |
CA000528655A CA1309057C (en) | 1986-01-31 | 1987-01-30 | Method for carbon film production |
DE8787101271T DE3775076D1 (de) | 1986-01-31 | 1987-01-30 | Verfahren zur herstellung eines kohlenstoffilmes. |
EP87101271A EP0231894B1 (en) | 1986-01-31 | 1987-01-30 | Method for carbon film production |
KR1019870000779A KR940002750B1 (ko) | 1986-01-31 | 1987-01-31 | 탄소 박막의 제조 방법 |
DK053087A DK168337B1 (da) | 1986-01-31 | 1987-02-02 | Fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019569A JPH0742570B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62180056A true JPS62180056A (ja) | 1987-08-07 |
JPH0742570B2 JPH0742570B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=12002921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61019569A Expired - Lifetime JPH0742570B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0742570B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113969393A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-01-25 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168932A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 保護膜の形成方法 |
JPS60201635A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硬質炭素被覆膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019569A patent/JPH0742570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168932A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 保護膜の形成方法 |
JPS60201635A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硬質炭素被覆膜の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113969393A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-01-25 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0742570B2 (ja) | 1995-05-10 |
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