DK168337B1 - Fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder - Google Patents
Fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder Download PDFInfo
- Publication number
- DK168337B1 DK168337B1 DK053087A DK53087A DK168337B1 DK 168337 B1 DK168337 B1 DK 168337B1 DK 053087 A DK053087 A DK 053087A DK 53087 A DK53087 A DK 53087A DK 168337 B1 DK168337 B1 DK 168337B1
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- carbon
- gas
- barriers
- vacuum chamber
- pressure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0057—Reactive sputtering using reactive gases other than O2, H2O, N2, NH3 or CH4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
x DK 168337 B1
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder på et substrat som angivet i indledningen til krav 1. En fremgangsmåde af denne art er kendt fra 5 EP-A-155178 og fra EP-A-156069. Sådanne fremgangsmåder benytter således en reaktiv katodeforstøvningsproces til frigørelse af carbonpartikler fra en grafit målelektrode for aflejring af en carbonhinde på et substrat.
Det er sædvanlig praksis at fremstille carbonhinder som 10 diamant eller amorft carbon på substrater ved anvendelse af enten en ionstråleproces eller en plasma-CVD-proces.
Ved en sådan ionstråleproces fremstilles carbonhinder ved i vakuum at ionisere en carbonkilde, accelerere de fremkomne ioner ad elektrostatisk vej og bombardere et 15 mål-substrat med de accelererede ioner. Derfor kræver en ionstråleproces en ionaccelerator af stor størrelse, og processen er tilbøjelig til at frembringe strukturskader i carbonlaget på grund af ionstrålebombardementet af substratet. Desuden kan ionstråleprocessen ikke anvendes 20 ved organiske substrater, halvleder-substrater eller andre materialer, der kunne blive beskadiget ved ionstrålebombardementet. I plasma-CVD-processen anvendes et plasma til at spalte en hydrocarbon-gas (carbonkilden) til dannelse af atomiske carbonpartikler. Imidlertid medfører 25 plasma-CVD-processen en tilbøjelighed til re-polymerise-ring, der bevirker frembringelsen af forskelligartede vækstkim. Derfor er det meget vanskeligt med denne proces at fremstille carbonhinder med de ønskede egenskaber. Desuden kræver plasma-CVD-processen, at substratets 30 temperatur skal holdes over 200°C, hvorfor denne proces ikke kan anvendes ved substrater, der ikke kan tåle sådanne høje temperaturer.
Det er på baggrund heraf opfindelsens formål at anvise en, med hensyn til opnåelse af en høj specifik modstand, 35 forbedret fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder af høj kvalitet, hvormed det er muligt DK 168337 B1 2 a) at fremstille carbonhinder med styrede ønskede egenskaber, især en høj specifik modstand, og b) at frembringe disse carbonhinder ved forholdsvis lave 5 temperaturer.
Det angivne formål opnås ved en fremgangsmåde, der ifølge opfindelsen er ejendommelig ved de i krav l’s kendetegnende del angivne foranstaltninger.
Benyttelsen af diborangas er ikke omtalt i den indled-10 ningsvis nævnte kendte teknik og slet ikke benyttelse af denne gas i specifikke og relativt meget små blandingsforhold i forhold til hydrogengassen. EP-A-155178 nævner blot, at gassen og grafit målelektroden kan indeholde bor.
Opfindelsen skal i det følgende forklares nærmere under 15 henvisning til tegningen, på hvilken fig. 1 delvis i snit viser et katodeforstøvningsapparat til brug ved udøvelse af fremgangsmåden ifølge opfindelsen, fig. 2 er en grafisk fremstilling af virkningen af gas-20 blandingstrykket P(B2Hg+H2) på carbonhindernes infrarøde spektrum, fig. 3 er en grafisk fremstilling af virkningen af gasblandingstrykket P(B2Hg+H2) på carbonhindernes specifikke modstand, 25 fig. 4 er en grafisk fremstilling af virkningen af gasblandingstrykket P(B2Hg+H2) på carbonhindernes båndspalte og spintæthed og fig. 5 er en grafisk fremstilling af virkningen af gasblandingsforholdet (B2H6/H2) på carbonhindernes 30 specifikke modstand.
Fig. 1 viser et katodeforstøvningsapparat til brug ved frembringelse af carbonhinder på glas, kvarts eller lignende materiale ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen. Katodeforstøvningsapparatet omfatter en vakuumbeholder 10, DK 168337 B1 3 der omfatter et cylindrisk metalsvøb 12, som ved sine modsatte ender er lukket af en øvre og en nedre metal-endebund 14 henholdsvis 16 til dannelse af et 5 vakuumkammer i beholderen. Svøbet 12 er tætnet imod den øvre og den nedre endebund 14 og 16 ved hjælp af O-ringe 20 henholdsvis 22. Midt i den nedre endebund 16 er der udformet en åbning, gennem hvilken et evakueringsrør 24 udmunder i vakuumkammeret. Evakueringsrøret 24 er 10 forbundet med en ikke vist vakuumpumpe, der er indrettet til at evakuere vakuumkammeret og holde et højt vakuum i dette. Gennem et gastilførselsrør 26 kan der indføres en gasblanding med henblik på at tilvejebringe en dertil svarende atmosfære i vakuumkammeret. Gastilførselsrøret 26 15 strækker sig gennem svøbet 12 i nærheden af den øvre endebund 14.
Et kølemiddelrør 30 strækker sig gennem svøbet 12 ind i vakuumkammeret og ender i en opadvendende flange 32, på hvilken der er anbragt en elektrodekasse 40. Der er 20 anbragt et tætningsorgan for at forhindre lækage mellem kø lemiddel røret 30 og svøbet 12. X elektrodekassen 40 er der anbragt en magnetron 42, der indeholder en permanent magnet, medens en af grafit bestående målelektrode eller katode 44 understøttes af elektrodekassen 40. Magnetronen 25 42 er indrettet til at frembringe et magnetfelt. Inden i kølemiddelrøret 30 strækker der sig et kølemiddel-indløbsrør 34 fra et kølemiddelindløb 35 . til og ind i elektrodekassen 40, medens et kølemiddeludløbsrør 36 er afgrænset uden om kølemiddelindløbsrøret 34. Kølemiddel-30 udløbsrøret 36 strækker sig fra elektrodekassen 40 til et kølemiddeludløb 37. Kølemiddelindløbet 35 er forbundet med en ikke vist pumpe, der er indrettet til at indføre et kølemiddel, såsom f.eks. vand, gennem kølemiddelindløbsrøret 34 til køling af magnetronen 42 og den af grafit 35 bestående måleelektrode 44. Kølemidlet føres bort fra elektrodekassen 40 gennem kølemiddeludløbsrøret 36 til kølemiddeludløbet 37. En anode eller mod-elektrode 46, som DK 168337 B1 4 gennem en elektrisk ledende stang er fastgjort til den øvre endebund 14 og dermed jordforbundet, er anbragt i afstand fra og parallelt med den af grafit bestående 5 målelektrode 44. Målelektroden 44 er gennem elektrodekassen 40 og kølemiddelrøret 30 elektrisk forbundet med en ikke vist højfrekvensenergiforsyningskilde.
En bæreplade 50, der er elektrisk isoleret fra jordpotentiale, er fastgjort til indersiden af den øvre 10 endebund 14. To glas-substrater 62 er ved hjælp af holdere 52 fastgjort til bærepladen 40. En yderligere bæreplade 54, der er elektrisk isoleret fra jordpotentiale, er fastgjort til indersiden af svøbet 12. To glas-substrater 64 er ved hjælp af holdeorganer 56 fastgjort til 15 bærepladen 54. Et yderligere glas-substrat 66 er ved hjælp af holdeorganer 58 fastgjort til mod-elektroden 46. Et termoelement 70 er indrettet til at måle temperaturen i glas-substratet 62. Lignende termoelementer kan være indrettet til måling af de øvrige glas-substraters 20 temperaturer.
Under drift og efter at vakuumkammeret er blevet evakueret til et forud bestemt tryk, indføres en gasblanding gennem gastilførselsrøret 26 til dannelse af en gas-atmosfære med et forud bestemt tryk i vakuumkammeret. Derefter igang-25 sættes en katodeforstøvningsoperation ved tilførsel af højfrekvent (radiofrekvent) energi mellem målelektroden 44 og mod-elektroden 46. Under katodeforstøvningsoperationen dannes der i området A, der er antydet ved hjælp af en indre punkteret cirkel, et plasma mellem elektroderne 44 30 og 46, hvorved atomiske carbonpartikler frigøres fra den af grafit bestående målelektrode 44. De frigjorte atomiske partikler passerer gennem området B, der er afgrænset af en ydre punkteret cirkel, til området C, hvor de forholdsvis "blødt" aflejres i form af en carbonhinde af 35 diamantlignende eller amorf karakter på glas-substraterne 62 og 64, der er anbragt i området C uden for området B.
DK 168337 B1 5
Det skal her bemærkes, at eftersom de fleste af de atomiske partikler, som passerer ud i området C, er ladede partikler og derfor underkastet påvirkningen af elektriske 5 felter, bør substraterne 62 og 64 anbringes på steder med et ensartet potentiale, såsom f.eks. i nærheden af jordpotentiale.
I det følgende beskrives en række eksempler på udøvelse af fremgangsmåden ifølge opfindelsen til dannelse af 10 carbonhinder.
Eksempel.
Vakuumkammeret evakueres til et tryk på 1,33 x 10~5 Pa (10“7 Torr), hvorpå en gasblanding bestående af diboran (B2H5) og hydrogen (¾) med et blandingsforhold (B2H6/H2) 15 på 10 ppm indføres gennem gastilførselsrøret 26 i vakuumkammeret, indtil trykket i dette stiger til 67 Pa (0,5 Torr). Efter at trykket i vakuumkammeret har stabiliseret sig, indledes en katodeforstøvningsoperation ved tilførsel af højfrekvenseffekt med en frekvens på 20 13,56 MHz til målelektroden 44. Katodeforstøvnings- operationen fortsættes i 9 timer, medens højfrekvensstrømmen styres på en sådan måde, at der ved den af grafit bestående elektrode 44 frembringes en elektrisk effekt på 6,8 W/cm^. Som følge heraf frembringes lysegule eller 25 farveløse, gennemsigtige carbonhinder på glå's-substraterne 62,64 og 66.
Under katodeforstøvningsoperationen er temperaturen på glas-substraterne 62,64 og 66 højst 80, 80 henholdsvis 180°C. Dette er tegn på, at katodeforstøvningen kan 30 udføres ved lav temperatur, dersom glas-substraterne er anbragt i området C. Carbonhindernes vedhæftningskraft til de pågældende glas-substrater afprøves ved at anbringe et klæbebånd på hver af carbonhinderne og derpå trække klæbebåndet fri. Det viser sig, at ingen af carbonhinderne DK 168337 B1 6 på denne måde lader sig adskille fra de pågældende glas-substrater. Under disse afskrælningsforsøg viser det sig, at de på glas-substratet 66 fremkomne carbonhinder er 5 bedre end dem, der fremkommer på de andre gias-substrater 62 og 64. De på g las-subs trat et 62 fremkomne carbonhinder udviser en specifik elektrisk modstand over 1 x 1012 ohm-cm, medens de på glas-substraterne 64 henholdsvis 66 udviser en specifik modstand over 1 x 1012 henholdsvis 1 x 10 1011 ohm-cm.
Derpå frembringes carbonhinder ved katodeforstøvning under de samme betingelser, blot med den undtagelse, at der i vakuumkammeret kun indføres hydrogen-gas til dannelse af en hydrogen-atmosfære. De på glas-substraterne 62,64 15 henholdsvis 66 fremkomne carbonhinder udviser nu en specifik modstand på mindst 1 x 10^ ohm-cm, mindst 1 x 1011 ohm-cm henholdsvis 6 x 10^0 ohm-cm. Det vil kunne indses, at de carbonhinder, der er frembragt i en af diboran og hydrogen bestående atmosfære, har en højere 20 specifik modstand end de carbonhinder, der er frembragt i en af kun hydrogen bestående atmosfære.
Fig. 2 belyser resultaterne af et antal spektralanalytiske forsøg, der er foretaget for at vise virkningen af gasbiandingstrykket P(B2Hg+H2), B2H5/H2 = 10 ppm, på
25 carbonhindernes absorption i det infrarøde spektrum. Kurven A repræsenterer carbonhinder fremstillet ved et gasblandingstryk på 40,0 Pa (0,3 Torr), kurve B
repræsenterer carbonhinder, der er frembragt ved et
gasblandingstryk på 66,7 Pa (0,5 Torr), kurve C
30 repræsenterer carbonhinder, der er frembragt ved et gasbiåndingstryk på 100 Pa (0,75 Torr), medens kurve D repræsenterer carbonhinder, der er frembragt ved et gasblandingstryk på 267 Pa (2,0 Torr). Spektralanalyseforsøgsresultaterne har vist sig at være i alt væsentligt 35 lig med resultaterne af forsøget, der er foretaget på carbonhinder frembragt under de samme betingelser, blot DK 168337 B1 7 med den undtagelse, at der til dannelse af en gas-atmosfære i vakuumkammeret kun har været indført hydrogen-gas, og der er således ved indføring af 5 diboran-gas ikke sket nogen forringelse af de spektrale egenskaber, men, som ovenfor nævnt, en forøgelse af den specifikke modstand.
Fig. 3 viser resultaterne af et antal forsøg, der er blevet foretaget ved forskellige gasbiåndingstryk, 10 herunder 1,33 Pa (0,01 Torr), 6,67 Pa (0,05 Torr), 13,3 Pa (0,1 Torr), 40,0 Pa (0,3 Torr), 100 Pa (0,75 Torr), 133 Pa (1,0 Torr), 200 Pa (1,5 Torr) og 267 Pa (2,0 Torr) for at vise virkningen af gasblandingstrykket P(H2+B2Hg), B2Hg/H2 = 10 ppm, på carbonhindernes specifikke modstand. Det 15 fremgår af fig. 3, at de carbonhinder, der er fremstillet ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen, udviser høje modstandsværdier. Dette kunne tyde på, at · carbonhinderne for det meste består af SP^-koblinger, og at de har et mindre antal SP2-koblinger, der er forbundet med lave 20 modstandsværdier.
Fig. 4 viser resultaterne af en forsøgsrække, der er blevet foretaget for at vise virkningen af gasblandingstrykket P(H2+B2H5) B2Hg/H2 = 10 ppm, på carbonhindernes optiske båndspalte og spin-tæthed.
25 Cirklerne viser optiske båndspalteværdier, og de sorte pletter viser spin-tæthedsværdier, begge dele som funktion af givne værdier af gasbiandingstrykket. Af fig. 4 vil det kunne ses, at carbonhinder, der er fremstillet ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen, har en god optisk 30 båndspalte i området fra 2,05 til 3,15 eV og en lav spin-tæthed i området fra 2 x 101^ til 3 x 10^/cm^. Det er derfor muligt at tilvejebringe en halvleder med en ønsket egenskab ved dopning af carbonhinden med små mængder urenheder.
35 Fig. 5 viser resultaterne af et antal yderligere forsøg, DK 168337 B1 8 der er blevet foretaget for at vise virkningen af gasblandingsforholdet (B2Hg/H2) på carbonhindernes specifikke modstand. Under disse forsøg ændres 5 gasblandingsforholdet i området fra 1 til 20 ppm, medens gasbiåndingstrykket holdes på 66,7 Pa. Gasblandingsforhold i området fra 1 til 20 ppm har vist sig at være tilfredsstillende. Dersom gasblandingsforholdet er mindre end dette områdes laveste værdi, bliver carbonhindens 10 specifikke modstand for lav. Dersom blandingsforholdet er større end områdets største værdi, vil halvledereffekten formindske carbonhindens specifikke modstand til et niveau, der er lavere end den specifikke modstand af carbonhinder, der er fremstillet ved katodeforstøvning i 15 en ren hydrogen-atmosfære.
Den af diboran og hydrogen bestående gasblanding holdes fortrinsvis på et tryk i området fra 0,7 Pa til 665 Pa (5 Torr). Dersom gasbi andingstrykket er lavere end dette områdes laveste værdi, vil carbonhinderne udvise en lav 20 specifik modstand og en uønsket spin-tæthed. Dersom trykket er højere end områdets højeste værdi, vil det infrarøde spektrum udvise en større absorptionskoefficient ved et bølgetal på 2960 cm“l som vist i fig. 2, der bevirker en kvantitativ ændring af hinden og en forøgelse 25 i spin-tætheden.
Det vil af det foregående fremgå, .. at det ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen er muligt ved enkle styringsforanstaltninger at frembringe carbonhinder med ønskede egenskaber. Carbonhinderne indeholder færre 30 SP2-koblinger og udviser en høj specifik modstand. Eftersom carbonhinderne kan fremstilles ved lave temperaturer, kan de fremstilles på substrater af hvilken som helst art. Det er også muligt at frembringe carbonhinder med en meget høj lystransmissionskoefficient.
35 Eftersom carbonhinderne frembringes ved katodeforstøvning, hæfter de til substraterne med stor kraft. Carbonhinderne DK 168337 B1 9 udviser en spin-tæthed, der er lavere, end hvad der har kunnet opnås ved tidligere kendte fremgangsmåder. Dette gør det muligt at frembringe carbonhinder med en bredere 5 optisk båndspalte, hvorved den specifikke modstand forøges.
Substraterne 62 og 64 kan opvarmes ved hjælp af et dertil indrettet varmelegeme med henblik på frembringelse af carbonhinder ved høje temperaturer. Alternativt kan 10 substraterne 62 og 64 afkøles, f.eks. ved hjælp af et kølerør, hvorigennem der ledes vand, flydende nitrogen eller lignende, med henblik på at frembringe carbonhinder ved lave temperaturer.
Claims (1)
- DK 168337 B1 10 PATENTKRAV. Fremgangsmåde til fremstilling af en carbonhinde på et substrat omfattende følgende trin: 5 a) substratet anbringes i et vakuumkammer, hvori der er anbragt en af grafit bestående mål-elektrode, b) vakuumkammeret evakueres til et forud bestemt tryk, c) der indføres i vakuumkammeret en gasblanding til dannelse af en gas-atmosfære deri, idet gasblandingen 10 omfatter en gasart, som i et forud bestemt forhold er blandet med hydrogen-gas, og d) ved en i gas-atmosfæren udført, reaktiv katodeforstøvningsproces frigøres fra den af grafit bestående målelektrode atomiske partikler, hvorved der på substratet 15 aflejres en carbonhinde, kendetegnet ved, at der som gasblanding anvendes en blanding af diboran-gas og hydrogen-gas med et blandingsforhold på fra 1 ppm til 20 ppm, og at gasatmosfæren har et tryk i området fra 0,7 Pa til 665 Pa.
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019568A JPS62180055A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
JP61019570A JPS62180057A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
JP1956786 | 1986-01-31 | ||
JP61019569A JPH0742570B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
JP1956686A JPH079059B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
JP1956986 | 1986-01-31 | ||
JP61019567A JPS62180054A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 炭素薄膜の製造方法 |
JP1956686 | 1986-01-31 | ||
JP1957086 | 1986-01-31 | ||
JP1956886 | 1986-01-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK53087D0 DK53087D0 (da) | 1987-02-02 |
DK53087A DK53087A (da) | 1987-08-01 |
DK168337B1 true DK168337B1 (da) | 1994-03-14 |
Family
ID=27520149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK053087A DK168337B1 (da) | 1986-01-31 | 1987-02-02 | Fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5073241A (da) |
EP (1) | EP0231894B1 (da) |
KR (1) | KR940002750B1 (da) |
CA (1) | CA1309057C (da) |
DE (1) | DE3775076D1 (da) |
DK (1) | DK168337B1 (da) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5275850A (en) * | 1988-04-20 | 1994-01-04 | Hitachi, Ltd. | Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias |
DE3821614A1 (de) * | 1988-06-27 | 1989-12-28 | Licentia Gmbh | Deckschicht aus amorphem kohlenstoff auf einem substrat, verfahren zur herstellung der deckschicht und verwendung der deckschicht |
US5266409A (en) * | 1989-04-28 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Hydrogenated carbon compositions |
US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
US5232570A (en) * | 1991-06-28 | 1993-08-03 | Digital Equipment Corporation | Nitrogen-containing materials for wear protection and friction reduction |
US5281851A (en) * | 1992-10-02 | 1994-01-25 | Hewlett-Packard Company | Integrated circuit packaging with reinforced leads |
JPH06279185A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-04 | Canon Inc | ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法 |
TW366367B (en) * | 1995-01-26 | 1999-08-11 | Ibm | Sputter deposition of hydrogenated amorphous carbon film |
RU2095464C1 (ru) * | 1996-01-12 | 1997-11-10 | Акционерное общество закрытого типа "Тетра" | Биокарбон, способ его получения и устройство для его осуществления |
US5827408A (en) * | 1996-07-26 | 1998-10-27 | Applied Materials, Inc | Method and apparatus for improving the conformality of sputter deposited films |
US6063246A (en) * | 1997-05-23 | 2000-05-16 | University Of Houston | Method for depositing a carbon film on a membrane |
US6835279B2 (en) * | 1997-07-30 | 2004-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Plasma generation apparatus |
US6440220B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-08-27 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation |
US6352430B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-03-05 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace |
US6162298A (en) * | 1998-10-28 | 2000-12-19 | The B. F. Goodrich Company | Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace |
US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
EP1063319B1 (en) | 1999-06-04 | 2005-12-07 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace |
EP1065294B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-10-15 | Goodrich Corporation | Method and apparatus for pressure measurement in a CVI/CVD furnace |
DE60013208T2 (de) | 1999-06-04 | 2005-08-11 | Goodrich Corp. | Suzeptordeckel sowohl für Gasphaseninfiltration bzw. -Beschichtung als auch Wärmebehandlung |
BR0105474A (pt) * | 2001-09-26 | 2003-09-23 | Fundacao De Amparo A Pesquisa | Processo de deposição de filme de carbono amorfo hidrogenado, filme de carbono amorfo hidrogenado e artigo revestido com filme de carbono amorfo hidrogenado |
KR20030064942A (ko) * | 2002-01-29 | 2003-08-06 | 오승준 | 스크래치 방지막을 가지는 조리 기구 및 그 제조방법 |
WO2005063646A1 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
US7713632B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-05-11 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
DE102005057833B4 (de) * | 2005-01-12 | 2016-11-17 | Frato Gmbh | Aromabehältnis oder Aromafolie aus Aluminium |
WO2007004647A1 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 炭素膜 |
US7989094B2 (en) * | 2006-04-19 | 2011-08-02 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
EP2066594B1 (en) | 2007-09-14 | 2016-12-07 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
WO2009118034A1 (de) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur herstellung eines mehrkomponentigen, polymer- und metallhaltigen schichtsystems, vorrichtung und beschichteter gegenstand |
CN102102171A (zh) * | 2011-01-28 | 2011-06-22 | 南通扬子碳素股份有限公司 | 表面沉积非晶碳薄膜降低石墨电极消耗的方法 |
US9763287B2 (en) * | 2011-11-30 | 2017-09-12 | Michael R. Knox | Single mode microwave device for producing exfoliated graphite |
WO2013190141A1 (de) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur vorbehandlung eines beschichteten oder unbeschichteten substrats |
WO2018093985A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
WO2019131010A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU411037A1 (ru) * | 1971-10-28 | 1974-08-05 | В. М. Гол ЯНОВ , А. П. Демидов | Способ получения искусственных алмазов |
US4365015A (en) * | 1979-08-20 | 1982-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member for electrophotography composed of a photoconductive amorphous silicon |
US4414085A (en) * | 1981-10-08 | 1983-11-08 | Wickersham Charles E | Method of depositing a high-emissivity layer |
US4486286A (en) * | 1982-09-28 | 1984-12-04 | Nerken Research Corp. | Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby |
CA1235087A (en) * | 1983-11-28 | 1988-04-12 | Akio Hiraki | Diamond-like thin film and method for making the same |
CA1232228A (en) * | 1984-03-13 | 1988-02-02 | Tatsuro Miyasato | Coating film and method and apparatus for producing the same |
US4565711A (en) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Wedtech Corp. | Method of and apparatus for the coating of quartz crucibles with protective layers |
-
1987
- 1987-01-28 US US07/007,747 patent/US5073241A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-30 DE DE8787101271T patent/DE3775076D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-30 CA CA000528655A patent/CA1309057C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-30 EP EP87101271A patent/EP0231894B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-31 KR KR1019870000779A patent/KR940002750B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-02-02 DK DK053087A patent/DK168337B1/da not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3775076D1 (de) | 1992-01-23 |
DK53087D0 (da) | 1987-02-02 |
US5073241A (en) | 1991-12-17 |
EP0231894A1 (en) | 1987-08-12 |
EP0231894B1 (en) | 1991-12-11 |
CA1309057C (en) | 1992-10-20 |
KR940002750B1 (ko) | 1994-04-02 |
DK53087A (da) | 1987-08-01 |
KR870007298A (ko) | 1987-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK168337B1 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af carbonhinder | |
EP0797688B1 (en) | Method for deposition of diamondlike carbon films | |
EP0156069B1 (en) | Diamond-like thin film and method for making the same | |
US4173661A (en) | Method for depositing thin layers of materials by decomposing a gas to yield a plasma | |
JPH0192375A (ja) | マイクロ波プラズマcvd法による機能性堆積膜形成装置 | |
Li et al. | A 915 MHz/75 kW cylindrical cavity type microwave plasma chemical vapor deposition reactor with a ladder-shaped circumferential antenna developed for growing large area diamond films | |
CN114438473A (zh) | 一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置 | |
Kruzelecky et al. | The preparation of amorphous Si: H thin films for optoelectronic applications by glow discharge dissociation of SiH4 using a direct‐current saddle‐field plasma chamber | |
FR2557149A1 (fr) | Procede et dispositif pour le depot, sur un support, d'une couche mince d'un materiau a partir d'un plasma reactif | |
Nyaiesh et al. | The growth of amorphous and graphitic carbon layers under ion bombardment in an rf plasma | |
US5631050A (en) | Process of depositing thin film coatings | |
JPS62177168A (ja) | 炭素薄膜の製造方法 | |
JPS6055480B2 (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
Takeuchi et al. | Characteristics of VHF excited hydrogen plasmas using a ladder-shaped electrode | |
JPH0445580B2 (da) | ||
RU2099283C1 (ru) | Покрытие на основе алмазоподобного материала и способ его получения | |
RU214891U1 (ru) | Устройство для газоструйного осаждения алмазных покрытий | |
KR100581357B1 (ko) | 고체 원소의 플라즈마 발생 방법 및 이를 위한 플라즈마소스 | |
JPH01234397A (ja) | ダイヤモンド状薄膜の製造方法及び装置 | |
RU2788258C1 (ru) | Газоструйный способ осаждения алмазных пленок с активацией в плазме свч разряда | |
CN118028972B (zh) | 一种tm多模微波等离子体化学气相沉积装置 | |
JPS62180054A (ja) | 炭素薄膜の製造方法 | |
JP3938424B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜製造装置 | |
JP2687468B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH1072285A (ja) | ダイヤモンドライクカーボン薄膜形成装置および形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
B1 | Patent granted (law 1993) | ||
PBP | Patent lapsed |