JPS59168932A - 保護膜の形成方法 - Google Patents
保護膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS59168932A JPS59168932A JP58043146A JP4314683A JPS59168932A JP S59168932 A JPS59168932 A JP S59168932A JP 58043146 A JP58043146 A JP 58043146A JP 4314683 A JP4314683 A JP 4314683A JP S59168932 A JPS59168932 A JP S59168932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- gas
- inert gas
- forming
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は保護膜の形成方法に関する。特に、有機高分子
から成るターゲットをス・母ツタして、被保護部材の表
面に保護膜を形成する形成方法按関する。
から成るターゲットをス・母ツタして、被保護部材の表
面に保護膜を形成する形成方法按関する。
かかる技術は、例えば各種の情報記録体や電子デバイス
等を周囲環境・物理的破壊などから保護するために保護
膜を形成する際に用いられる。特に近年、磁気記録媒体
、ビデオディスク、レコード盤、金属導体、半導体等の
耐摺動性、耐湿性その他の改善のための保護膜の形成に
利用される。
等を周囲環境・物理的破壊などから保護するために保護
膜を形成する際に用いられる。特に近年、磁気記録媒体
、ビデオディスク、レコード盤、金属導体、半導体等の
耐摺動性、耐湿性その他の改善のための保護膜の形成に
利用される。
磁気ディスク、磁気テープ、ビデオディスク。
レコード盤などの情報記録媒体は、その表面にヘッドと
の摺動に耐える１０〜１００００λの耐摺動性の固体潤
滑油ないしは固体潤滑層が必要とされている。このよう
な薄膜を均一に形成する方法としては、金属セッケン等
の単分子層を引上げ方式で形成したり、単量体を用いて
プラズマ重合法によ３− 頁 シ基板上に重合膜を形成したりする技術が公知である。
の摺動に耐える１０〜１００００λの耐摺動性の固体潤
滑油ないしは固体潤滑層が必要とされている。このよう
な薄膜を均一に形成する方法としては、金属セッケン等
の単分子層を引上げ方式で形成したり、単量体を用いて
プラズマ重合法によ３− 頁 シ基板上に重合膜を形成したりする技術が公知である。
一方、有機高分子をス・ヤツタして保護膜を得る方法が
試みられており、例えばポリテトラフルオロエチレンを
ターゲットとして不活性ガス中でスパッタし、保護を形
成する技術がある。
試みられており、例えばポリテトラフルオロエチレンを
ターゲットとして不活性ガス中でスパッタし、保護を形
成する技術がある。
ス／−１’ツタによる保護膜形成方法は、その簡便性や
膜の均一性などの点から、各種被保護部材に対しての有
効な膜形成方法になると考えられる。従って本発明者ら
はこの方法に関し、種々研究を重ねた。特にポリテトラ
フルオロエチレンを不活性ガス中でスパッタした保護膜
について、これを固体潤滑性保護膜として用いた場合を
検討した所、耐摺動性に劣る場合があることが判明した
。また、これらの保護膜を金属導体、半導体の耐湿性保
護膜として用いる場合、基板との接着が弱いため、耐湿
性に劣ることがわかった。
膜の均一性などの点から、各種被保護部材に対しての有
効な膜形成方法になると考えられる。従って本発明者ら
はこの方法に関し、種々研究を重ねた。特にポリテトラ
フルオロエチレンを不活性ガス中でスパッタした保護膜
について、これを固体潤滑性保護膜として用いた場合を
検討した所、耐摺動性に劣る場合があることが判明した
。また、これらの保護膜を金属導体、半導体の耐湿性保
護膜として用いる場合、基板との接着が弱いため、耐湿
性に劣ることがわかった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消して、耐摺
動性が良好で、密着性が高く従って耐湿性も良く、さら
には全般に機械的特性、化学的安特開昭５９−ＩＧ８９
３２ （２） 定性にも優れ、よって汎用性にも富む有利な保護膜が形
成できる保護膜形成方法を提供することにある。
動性が良好で、密着性が高く従って耐湿性も良く、さら
には全般に機械的特性、化学的安特開昭５９−ＩＧ８９
３２ （２） 定性にも優れ、よって汎用性にも富む有利な保護膜が形
成できる保護膜形成方法を提供することにある。
本発明者らは、保護膜の検討を進める途上、スＡ’ツタ
の雰囲気ガス中の不活性ガスの他の残留ガスが、保護膜
の性質に大きな影響を与えていることを確認するに至っ
た。
の雰囲気ガス中の不活性ガスの他の残留ガスが、保護膜
の性質に大きな影響を与えていることを確認するに至っ
た。
本発明はこのような知見に基づいてなされたものである
。本発明は、スノ母ツタリングによる有機保護膜の形成
方法において、有機高分子を含むターゲットを不活性ガ
スと窒素ガスとを必須成分とする混合ガス、又は不活性
ガスと窒素化合物ガスとを必須成分とする混合ガス、又
は不活性ガス。
。本発明は、スノ母ツタリングによる有機保護膜の形成
方法において、有機高分子を含むターゲットを不活性ガ
スと窒素ガスとを必須成分とする混合ガス、又は不活性
ガスと窒素化合物ガスとを必須成分とする混合ガス、又
は不活性ガス。
窒素ガス、窒素化合物ガスを必須成分とする混合ガス中
でスパッタリングを行うことを特徴とする。
でスパッタリングを行うことを特徴とする。
これによって、長期的な潤滑性、耐湿性が維持でき、そ
の他の物理的・化学的性質も良好な保護膜を得ることが
できる。
の他の物理的・化学的性質も良好な保護膜を得ることが
できる。
スノ母ツタリングの態様としては、グロー放電に５−頁
よる方法を採用できる。
また、スパッタリング可能な有機高分子としては、次の
如きものを例示することができる。即ちポリテトラフル
オロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、脂肪族ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド
、プリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリウレタン、ポリイミダゾピロロン、ポリ安息
香酸エステル、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチア
ゾール、ポリキノキサリン、ポリスルホン、ｆ？ポリフ
ェニレンポリフェニレン、ポリエステル、メラミン、フ
ェノール、エポキシ、シリコーンなどである。しかしこ
れに限定されるものではない。
如きものを例示することができる。即ちポリテトラフル
オロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、脂肪族ポリアミ
ド、芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド
、プリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリウレタン、ポリイミダゾピロロン、ポリ安息
香酸エステル、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチア
ゾール、ポリキノキサリン、ポリスルホン、ｆ？ポリフ
ェニレンポリフェニレン、ポリエステル、メラミン、フ
ェノール、エポキシ、シリコーンなどである。しかしこ
れに限定されるものではない。
またこれら有機高分子とアルミナ、シリカ、カーボンな
どの無機物との混合物や、金、アルミニウム、銅などの
金属との混合物でも良い。
どの無機物との混合物や、金、アルミニウム、銅などの
金属との混合物でも良い。
本発明の実施に当たって使用し得る不活性ガスとしては
、Ｈｅ 、 Ｎｏ、 Ａｒ、 Ｋｒ 、 Ｘｅ等いずれ
も挙げることができ、またこれら２種以上を混合したも
のでも良い。また、使用し得る窒素化合物とし６ 頁 ては、例、ｔばアンモニア、ニトロメタン、ニトロエタ
ン、１−ニトロエタンやン、２−ニトロプロノやン、１
−ニトロブタン等の脂肪族ニトロ化合物。
、Ｈｅ 、 Ｎｏ、 Ａｒ、 Ｋｒ 、 Ｘｅ等いずれ
も挙げることができ、またこれら２種以上を混合したも
のでも良い。また、使用し得る窒素化合物とし６ 頁 ては、例、ｔばアンモニア、ニトロメタン、ニトロエタ
ン、１−ニトロエタンやン、２−ニトロプロノやン、１
−ニトロブタン等の脂肪族ニトロ化合物。
エチレンジアミン、ジエチレンジアミン等、モノエタノ
ールアミン、ジェタノールアミン等、アクリロニトリル
等のシアン化合物、ヘキサメチレンジアミン、エチルア
ミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等、アセトニ
トリル、ピリジン及びその誘導体のアルデヒドコリジン
、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸エ
ステル等の他、ＮＯ□等がある。また、これらにＯ，、
）Ｉ、等その他の第３のガスを加えても良い。
ールアミン、ジェタノールアミン等、アクリロニトリル
等のシアン化合物、ヘキサメチレンジアミン、エチルア
ミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等、アセトニ
トリル、ピリジン及びその誘導体のアルデヒドコリジン
、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸エ
ステル等の他、ＮＯ□等がある。また、これらにＯ，、
）Ｉ、等その他の第３のガスを加えても良い。
本発明を実施するためのスパッタリングとしては、直流
、低周波、高周波（ＲＦ）、マイクロ波などのグロー放
電によるスノぐツタ、イオンピームスノｆツタ等の公知
の方法がすべて使用可能である。
、低周波、高周波（ＲＦ）、マイクロ波などのグロー放
電によるスノぐツタ、イオンピームスノｆツタ等の公知
の方法がすべて使用可能である。
この内、特に平行電極型ＲＦスパッタ、マグネトロン型
ＲＦスパッタ法が適していると言える。ＲＦスノやツタ
の場合放電電力は０．０１〜５０Ｗ／−の範囲でスパッ
タでき、とくに０．１〜２０Ｗ／ｃｆＩｌの範囲７−頁 が望ましい。雰囲気ガスの圧力はグロー放電が生じる範
囲ならいずれでもよいが１０−４〜ＩＴｏｒｒの範囲が
望ましい、 〔発明の実施例〕 以下、本発明を具体化した実施例について、その内いく
つかを述べる。この場合、実施に轟たり、ターゲット材
料としては次の５種を選定した。
ＲＦスパッタ法が適していると言える。ＲＦスノやツタ
の場合放電電力は０．０１〜５０Ｗ／−の範囲でスパッ
タでき、とくに０．１〜２０Ｗ／ｃｆＩｌの範囲７−頁 が望ましい。雰囲気ガスの圧力はグロー放電が生じる範
囲ならいずれでもよいが１０−４〜ＩＴｏｒｒの範囲が
望ましい、 〔発明の実施例〕 以下、本発明を具体化した実施例について、その内いく
つかを述べる。この場合、実施に轟たり、ターゲット材
料としては次の５種を選定した。
（＋１ 全芳香族ポリアミドフィルム「Ａフィルム。
５μｍ厚」（商品名。日東電工製）
［ｉｉｌ ｇリイミドフィルムｒＫＡＰＴｏＮ、 １
２５μｍ厚」（商品名。デュポン與） （１ｉ） ポリエチレンテレフタレートフィルムｒ
ＰＥＴ。
２５μｍ厚」（商品名。デュポン與） （１ｉ） ポリエチレンテレフタレートフィルムｒ
ＰＥＴ。
加μｍ厚」（商品名。東し製）
（ｉｖｌ ｆ ＩＪ 安息香酸エステルフィルム「エ
コノール、１■厚」（商品名。住友化学製） （ｖｌ ｙｆポリテトラフルオロエチレンテフロン−
ＴＦＥ、２閣厚」（商品名。東し製） スパッタ条件は次の通りである。
コノール、１■厚」（商品名。住友化学製） （ｖｌ ｙｆポリテトラフルオロエチレンテフロン−
ＴＦＥ、２閣厚」（商品名。東し製） スパッタ条件は次の通りである。
ターゲット電カニ１．ＯＷ／ｃｒＡ
ガス圧カニ １０ ｗｓ Ｔｏｒｒ
電極間距離：６０■
基板温度：２５℃
不活性ガス：Ａｒ 添加ガス二Ｎ。
Ａｒ／Ｎ、比： １００／ Ｏ〜７０／３０比較用とし
てテトラフルオロエチレン’１Ａｒ１７）ミでスパッタ
したものを使用した。以下の実施例の説明で示した比較
の数値は、すべてこれに対しての比をとった値である。
てテトラフルオロエチレン’１Ａｒ１７）ミでスパッタ
したものを使用した。以下の実施例の説明で示した比較
の数値は、すべてこれに対しての比をとった値である。
実施例１
本実施例では、保護膜の機械的強度の評価としての、引
掻き強度について試験を行った。
掻き強度について試験を行った。
ここではＳｔウェハ上に前記スパッタ条件で成膜を行い
、被検体とした。試験は８００１μｍのサファイア針を
用い、荷重を変え、引掻き速度１−／ｓにて行った。こ
れにより保饅膜表面にキズが入ったときの荷重を測定し
たものである。測定結果は、ポリテトラフルオロエチレ
ンへのＡｒのみの雰囲気ガス下でのスパッタ膜の強度を
１として、相対強度で表わした。第１図にこの結果をグ
ラフにて示す〇 ９−頁 第１図かられかるように、引掻き強度に関しては、Ａｒ
／Ｎｌ比が〜９９／１の広範囲で良好な値を示している
。比較例に対して最も差の小さいポリテトラフルオロエ
チレン（テフロン−ＴＦＥ ｔ−使用）の場合でも、Ａ
ｒのみでのスパッタよシもＮ２を加えたときの方が、約
２倍の効果が見られる。
、被検体とした。試験は８００１μｍのサファイア針を
用い、荷重を変え、引掻き速度１−／ｓにて行った。こ
れにより保饅膜表面にキズが入ったときの荷重を測定し
たものである。測定結果は、ポリテトラフルオロエチレ
ンへのＡｒのみの雰囲気ガス下でのスパッタ膜の強度を
１として、相対強度で表わした。第１図にこの結果をグ
ラフにて示す〇 ９−頁 第１図かられかるように、引掻き強度に関しては、Ａｒ
／Ｎｌ比が〜９９／１の広範囲で良好な値を示している
。比較例に対して最も差の小さいポリテトラフルオロエ
チレン（テフロン−ＴＦＥ ｔ−使用）の場合でも、Ａ
ｒのみでのスパッタよシもＮ２を加えたときの方が、約
２倍の効果が見られる。
実施例２
本実施例では、保護膜の耐摺動性の評価としての、球面
摺動強度について試験を行った。
摺動強度について試験を行った。
被検体としては、ディスク状アルマイト基板に保護膜を
実施例１の要領で形成したものを用いた。
実施例１の要領で形成したものを用いた。
試験はＲ３０のサファイア摺動子を用い、被検体を荷重
２０ｇ１周速２０ ｍ ／ ｓで摺動させて、保護膜が
摩耗し、摩擦抵抗の急激な上昇が見られるまでの時間を
測定する方法によった。測定結果は、Ａｒのみの雰囲気
ガスでスノヤツタしたポリテトラフルオロエチレンの強
度を１として、相対強度で表わした。この結果を第２図
にグラフにて示す。
２０ｇ１周速２０ ｍ ／ ｓで摺動させて、保護膜が
摩耗し、摩擦抵抗の急激な上昇が見られるまでの時間を
測定する方法によった。測定結果は、Ａｒのみの雰囲気
ガスでスノヤツタしたポリテトラフルオロエチレンの強
度を１として、相対強度で表わした。この結果を第２図
にグラフにて示す。
第２図かられかるように、球面摺動強度については、Ａ
ｒ／Ｎｌ比が〜９９／１の広範囲で良好な結果１０頁 が得られる。ポリテトラフルオロエチレン（テフロン−
ＴＦ’Ｅを使用）の場合でも、Ａｒのみでのヌノｆツタ
の場合に比し、Ｎ、を加えたものは約２．５倍の強度を
もつことがわかる。
ｒ／Ｎｌ比が〜９９／１の広範囲で良好な結果１０頁 が得られる。ポリテトラフルオロエチレン（テフロン−
ＴＦ’Ｅを使用）の場合でも、Ａｒのみでのヌノｆツタ
の場合に比し、Ｎ、を加えたものは約２．５倍の強度を
もつことがわかる。
実施例３
本実施例では、保護膜の基板への密着性を上田テープ試
験法によって評価した。
験法によって評価した。
使用した基板は、アルマイト基板上に磁性媒体を形成し
たもので、実施例１と同様に保護膜を付して得た。
たもので、実施例１と同様に保護膜を付して得た。
この試験の場合、一定面積内の何割が剥れを生じたかを
観察し、７割以上を×、７割未満〜３割以上をΔ、３割
未満をＯとした。この結果を示したのが次表である。表
から理解されるように、Ａｌｘ、比が〜９９／１の範囲
で、良好な結果が得られる。
観察し、７割以上を×、７割未満〜３割以上をΔ、３割
未満をＯとした。この結果を示したのが次表である。表
から理解されるように、Ａｌｘ、比が〜９９／１の範囲
で、良好な結果が得られる。
表 Ａｒｌ Ｎｌ比と密着性について
実施例４
本実施例においては、磁気ディスクの保護膜として適用
した場合の球面摺動強度について検討した。すなわち本
例では、磁気ディスク上に実施例１で示した中からター
ゲット：カプトンフィルム。
した場合の球面摺動強度について検討した。すなわち本
例では、磁気ディスク上に実施例１で示した中からター
ゲット：カプトンフィルム。
ガス圧力１０ ｗ Ｔｏｒｒ ＊ターグツト電カニ １
．Ｏｗ／ｃＩＩ。
．Ｏｗ／ｃＩＩ。
電極間距離６０Ｈ、Ａｒ／Ｎ、比： ８５／１５ 、の
条件のものを選んで、その球面摺動強度検査を実施例２
と同様に行って評価し友。
条件のものを選んで、その球面摺動強度検査を実施例２
と同様に行って評価し友。
この結果、ポリテトラフルオロエチレンのＡｒのみでス
パッタしたものの強度４０００回（摩耗に至って摩擦抵
抗が急激に上昇するまでに要する回数）に対し、被検体
は４００００回以上であシ、非常に優れた結果を得た。
パッタしたものの強度４０００回（摩耗に至って摩擦抵
抗が急激に上昇するまでに要する回数）に対し、被検体
は４００００回以上であシ、非常に優れた結果を得た。
実施例５
本実施例においては、超小型ハイブリッドＩＣの接続部
に本発明に係る保護膜の一例を適用した場合について検
討した。
に本発明に係る保護膜の一例を適用した場合について検
討した。
すなわち本例では、超小型ハイブリッドＩＣの接続部へ
以下述べる条件で保護膜を形成し、これについてＰ、Ｃ
，Ｔ、 （プレッシャー・クック・テス） ： １２１
℃、 ２ ａｔｍ ＋ ５０ｈ）を行った。スパッタ条
件としては、ターｒット：Ａフィルム、ガス圧カニ １
０ｍ Ｔｏｒｒ 、ターグツト電カニ１．ＯＷ／ｄ、電
極間距離６０ ｔｅａ 、 Ａ ｒ／Ｎ ！比： ８０
／２０ 、の条件を選定Ｌ７’ｊ。
以下述べる条件で保護膜を形成し、これについてＰ、Ｃ
，Ｔ、 （プレッシャー・クック・テス） ： １２１
℃、 ２ ａｔｍ ＋ ５０ｈ）を行った。スパッタ条
件としては、ターｒット：Ａフィルム、ガス圧カニ １
０ｍ Ｔｏｒｒ 、ターグツト電カニ１．ＯＷ／ｄ、電
極間距離６０ ｔｅａ 、 Ａ ｒ／Ｎ ！比： ８０
／２０ 、の条件を選定Ｌ７’ｊ。
この結果、本例の被検体には、Ｐ、Ｃ，Ｔ後に保護膜の
剥れ、クラック、変色等および接続部の腐蝕等は見られ
なかった。しかし、同様の試験をＡｒのみでスノやツタ
したポリテトラフルオロエチレンの膜で行ったところ、
透明が黄色へ変色し、クラ１３−頁 ツクは発生しなかったものの、導体面の腐蝕が発生した
。
剥れ、クラック、変色等および接続部の腐蝕等は見られ
なかった。しかし、同様の試験をＡｒのみでスノやツタ
したポリテトラフルオロエチレンの膜で行ったところ、
透明が黄色へ変色し、クラ１３−頁 ツクは発生しなかったものの、導体面の腐蝕が発生した
。
実施例６
本実施例においては、レコード盤の表面保護及び帯電防
止を目的とした保護膜として適用した場合について、そ
の性能をしらべた。
止を目的とした保護膜として適用した場合について、そ
の性能をしらべた。
試験方法は、摩耗後のレコード盤のＳＮ比を測定するこ
とによった。
とによった。
すなわち本例では、以下述べるスパッタ条件にてシング
ルレコード盤（塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体）上に
保護膜を形成し、これを用いて検討を行った。ス／４’
ツタ条件は、ターゲット：エコノーに、ガス圧カニ １
０ ｔＩａＲＴｏｒｒ 、ターグツト電力１、 Ｏｗ／
ｄ 、電極間距離：６０ ｍ 、 Ａ ｒ／Ｎ ！比：
８５／１５という条件を選定した。
ルレコード盤（塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体）上に
保護膜を形成し、これを用いて検討を行った。ス／４’
ツタ条件は、ターゲット：エコノーに、ガス圧カニ １
０ ｔＩａＲＴｏｒｒ 、ターグツト電力１、 Ｏｗ／
ｄ 、電極間距離：６０ ｍ 、 Ａ ｒ／Ｎ ！比：
８５／１５という条件を選定した。
この結果、保護膜形成処理前と処理後のレコード盤でそ
れぞれ初期と１００回摩耗後のＳＮ比を測定したところ
、保護膜のあるものはＳＮ比の変化が１００回摩耗後で
もほとんど見られず、耐摩耗性が向上していることが明
らかであった。しかし、１４頁 これと同様にポリテトラフルオロエチレンのＡｒのみで
のスノヤツタによる膜を評価した所、膜付けをしていな
いものと変わらず、１００回摩耗後でのＳＮ比の低下が
見られ、耐摩耗性が劣ることがわ力）つた。
れぞれ初期と１００回摩耗後のＳＮ比を測定したところ
、保護膜のあるものはＳＮ比の変化が１００回摩耗後で
もほとんど見られず、耐摩耗性が向上していることが明
らかであった。しかし、１４頁 これと同様にポリテトラフルオロエチレンのＡｒのみで
のスノヤツタによる膜を評価した所、膜付けをしていな
いものと変わらず、１００回摩耗後でのＳＮ比の低下が
見られ、耐摩耗性が劣ることがわ力）つた。
上述の如く、本発明の保護膜形成方法によれば、耐摺動
性が良好で、密着性が高く、耐湿性も良く、さらに全般
に機械的特性や化学的安定性にも優れ、よって広い用途
で用い得る汎用性に富む保護膜を得ることができる。上
述した実施例からも理解されるように、スパッタリング
条件を変化させることによシ、多機能材料としての使用
が可能であり・今後利用範囲をさらに広げることが期待
でき、しかも経済性の面、新機能という面、性能の面で
きわめて有利であるという効果をもつものである。
性が良好で、密着性が高く、耐湿性も良く、さらに全般
に機械的特性や化学的安定性にも優れ、よって広い用途
で用い得る汎用性に富む保護膜を得ることができる。上
述した実施例からも理解されるように、スパッタリング
条件を変化させることによシ、多機能材料としての使用
が可能であり・今後利用範囲をさらに広げることが期待
でき、しかも経済性の面、新機能という面、性能の面で
きわめて有利であるという効果をもつものである。
なお、当然のことではあるが、本発明は上述した実施例
にのみ限られるものではない。
にのみ限られるものではない。
第１図及び第２図は各々本発明の一実施例の効１５頁
果を示すもので、第１図はＡｒ／Ｎ、比と引掻き強度と
の関係を各材料について示したグラフ、第２図は同じ（
Ａｒ／Ｎｔ比と球面摺動強度との関係を各材料について
示したグラフである。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 特開昭５９−１６８９３２ （５）
の関係を各材料について示したグラフ、第２図は同じ（
Ａｒ／Ｎｔ比と球面摺動強度との関係を各材料について
示したグラフである。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 特開昭５９−１６８９３２ （５）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機高分子を含むターゲットをスパッタして被保護
部材の表面に保護膜を形成する保Ｗｉ膜の形成方法にお
いて、スノヤツタは不活性ガスと窒素ガスとを必須成分
とする混合ガス中で行うことを特徴とする保護膜の形成
方法。 ２、有機高分子を含むターゲットをスパッタして被保護
部材の表面に保護膜を形成する保護膜の形成方法におい
て、スパッタは不活性ガスと、１分子中に少なくとも１
個の窒素原子を含む窒素化合物ガスとを必須成分とする
混合ガス中で行うことを特徴とする保護膜の形成方法。 ３、有機高分子を含むターゲットをスノヤツタして被保
護部材の表面に保護膜を形成する保護膜の形成方法にお
いて、スパッタは不活性ガスと、窒素ガスと、１分子中
に少なくとも１個の窒素原子を含む窒素化合物ガスとを
必須成分とする混合ガス中で行うことを特徴とする保護
膜の形成方法。 ２頁
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043146A JPS59168932A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58043146A JPS59168932A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168932A true JPS59168932A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12655695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58043146A Pending JPS59168932A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180056A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-07 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 炭素薄膜の製造方法 |
| US5094877A (en) * | 1989-05-03 | 1992-03-10 | Lenzing Ag | Method of coating surfaces with a plastic and metal mixture |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58043146A patent/JPS59168932A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180056A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-07 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 炭素薄膜の製造方法 |
| US5094877A (en) * | 1989-05-03 | 1992-03-10 | Lenzing Ag | Method of coating surfaces with a plastic and metal mixture |
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