CN113969393A - 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113969393A CN113969393A CN202111267283.2A CN202111267283A CN113969393A CN 113969393 A CN113969393 A CN 113969393A CN 202111267283 A CN202111267283 A CN 202111267283A CN 113969393 A CN113969393 A CN 113969393A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amorphous carbon
- carbon film
- magnetron sputtering
- substrate
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法，在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10‑5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9‑10 sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为30‑200W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到带隙不同的非晶碳薄膜。本发明采用气体源+固体源的方法制备非晶碳薄膜，成膜速度快，薄膜的平整度高，制备的非晶碳薄膜可作为光伏电池吸收层材料应用。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法。
背景技术
非晶碳薄膜（a-C:H）是一种应用很广泛的薄膜材料，该材料的物理及化学性质如机械硬度、透明度、热导率、摩擦系数等可以在很大范围内调控，因此可作为摩擦保护层、辐射保护层等应用于诸多领域。同时非晶碳薄膜也可应用于半导体光伏领域，如作为表面抗反射层或者作为光伏电池的吸收层材料。非晶碳薄膜作为光伏电池吸收层材料具有材料成本低，带隙可调等优点，具有很大的应用潜力。本发明正是基于这一应用进行的研发。
发明内容
本发明要解决的问题在于提供一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法，该非晶碳薄膜带隙宽度1.4-2.0 eV，可作为光伏电池吸收层材料应用，并且成膜速度快，薄膜的平整度高。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种带隙可调的非晶碳薄膜，所述非晶碳薄膜采用射频磁控溅射方法在透明玻璃衬底上制备，制备过程中采用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，采用正丁烷作为磁控溅射过程中的反应气体源，控制射频电源功率为30-200 W，所述非晶碳薄膜的带隙宽度为1.4-2.0 eV。
在上述技术方案中，所述非晶碳薄膜的厚度为200-1000 nm。
本发明提供了一种带隙可调的非晶碳薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
（1）在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；
（2）对衬底进行预加热；
（3）溅射系统腔室抽真空；
（4）通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体；
（5）通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体；
（6）开启射频电源，调节腔室内压强，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，并通过调节射频电源的功率得到带隙不同的非晶碳薄膜。
在上述技术方案中，在步骤（2）中，衬底的预加热温度为200 ℃。
在上述技术方案中，在步骤（3）中，腔室内真空度为10-5 Pa量级。
在上述技术方案中，在步骤（4）中，氩气的流量为1.7 sccm。
在上述技术方案中，在步骤（5）中，正丁烷通入腔室的流量为9-10 sccm。
在上述技术方案中，在步骤（6）中，腔室内压强为0.7 Pa。
在上述技术方案中，在步骤（6）中，射频电源功率为30-200 W。
本发明的有益效果在于：本发明非晶碳薄膜采用射频磁控溅射的方法制备，采用气体源+固体源的方法，成膜速度快，薄膜的平整度高。具体为采用正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，采用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，沉积在透明玻璃衬底表面。制备出来的非晶碳薄膜的厚度为200-1000 nm，带隙宽度可在1.4-2.0 eV范围内调节，可作为光伏电池吸收层材料应用。
附图说明
图1为本发明实施例制备的非晶硅薄膜带隙宽度与磁控溅射功率之间的关系图；
图2为本发明实施例制备的非晶硅薄膜沉积速率与磁控溅射功率之间的关系图；
图3为本发明实施例制备的非晶硅薄膜在不同溅射功率条件下的载流子浓度与电阻率；
图4为本发明实施例制备的非晶硅薄膜在不同溅射功率条件下原子力显微镜测试的表面形貌图。
具体实施方式
为了更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明做进一步描述。本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。
实施例1
在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200 ℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10-5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为30 W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到非晶碳薄膜。
实施例2
在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200 ℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10-5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为75W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到非晶碳薄膜。
实施例3
在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200 ℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10-5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为110 W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到非晶碳薄膜。
实施例4
在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200 ℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10-5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为150 W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到非晶碳薄膜。
实施例5
在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；对衬底进行预加热，预加热温度为200 ℃；溅射系统腔室抽真空，真空度为10-5 Pa量级；通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体，氩气的流量为1.7 sccm；通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体，正丁烷通入腔室的流量为9sccm；开启射频电源，调节腔室内压强为0.7 Pa，调节射频电源的功率为200 W，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，得到非晶碳薄膜。
如图1-4所示，图1为本发明实施例1-5制备的非晶硅薄膜带隙宽度与磁控溅射功率之间的关系图；图2为本发明实施例1-5制备的非晶硅薄膜沉积速率与磁控溅射功率之间的关系图；图3为本发明实施例1-5制备的非晶硅薄膜在不同溅射功率条件下的载流子浓度与电阻率；图4为本发明实施例1-5制备的非晶硅薄膜在不同溅射功率条件下原子力显微镜测试的表面形貌图。经研究发现：采用本发明气体源+固体源的方法以及本发明的实验条件，调节射频电源的功率为30-200 W，可实现非晶碳薄膜的带隙宽度1.4-2.0 eV，此带隙宽度的非晶碳薄膜可作为光伏电池吸收层材料应用，并且成膜速度快，薄膜的平整度高。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种带隙可调的非晶碳薄膜，其特征在于：所述非晶碳薄膜采用射频磁控溅射方法在透明玻璃衬底上制备，制备过程中采用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，采用正丁烷作为磁控溅射过程中的反应气体源，控制射频电源功率为30-200 W，所述非晶碳薄膜的带隙宽度为1.4-2.0 eV。
2.根据权利要求1所述非晶碳薄膜，其特征在于：所述非晶碳薄膜的厚度为200-1000nm。
3.一种带隙可调的非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
（1）在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；
（2）对衬底进行预加热；
（3）溅射系统腔室抽真空；
（4）通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体；
（5）通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体；
（6）开启射频电源，调节腔室内压强，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，并通过调节射频电源的功率得到带隙不同的非晶碳薄膜。
4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，衬底的预加热温度为200℃。
5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（3）中，腔室内真空度为10-5 Pa量级。
6.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（4）中，氩气的流量为1.7 sccm。
7.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（5）中，正丁烷通入腔室的流量为9-10 sccm。
8.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（6）中，腔室内压强为0.7 Pa。
9.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（6）中，射频电源功率为30-200W。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111267283.2A CN113969393A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111267283.2A CN113969393A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113969393A true CN113969393A (zh) | 2022-01-25 |
Family
ID=79589061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111267283.2A Pending CN113969393A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113969393A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323325A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-11 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180056A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-07 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 炭素薄膜の製造方法 |
| CN103882376A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法 |
| CN110055502A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-07-26 | 吉林大学 | 一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法 |
| CN112063984A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 重庆大学 | 一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用 |
-
2021
- 2021-10-29 CN CN202111267283.2A patent/CN113969393A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62180056A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-07 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 炭素薄膜の製造方法 |
| CN103882376A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法 |
| CN110055502A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-07-26 | 吉林大学 | 一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法 |
| CN112063984A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 重庆大学 | 一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| N.A.S´ANCHEZ ET.AL.: "Characterization of diamond-like carbon(DLC) thin films prepared by r.f.magnetron sputtering", 《THIN SOLID FILMS》, vol. 373, no. 1, pages 248 * |
| 张月蘅等: "磁控溅射法制备非晶碳膜及其光学特性" * |
| 张月蘅等: "磁控溅射法制备非晶碳膜及其光学特性", 同济大学学报, vol. 27, no. 27, pages 682 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323325A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-11 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yamada et al. | Atomic layer deposition of ZnO transparent conducting oxides | |
| US4576829A (en) | Low temperature growth of silicon dioxide on silicon | |
| CN102874801A (zh) | 一种石墨烯的制备方法 | |
| CN109161844B (zh) | 一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法 | |
| CN103346073B (zh) | 一种β－碳化硅薄膜的制备方法 | |
| CN104313684A (zh) | 一种制备六方氮化硼二维原子晶体的方法 | |
| CN113832432B (zh) | 一种二维化合物半导体薄膜的制备方法 | |
| CN110867368A (zh) | 一种氧化镓外延薄膜的制备方法 | |
| WO2007020729A1 (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| CN105821391A (zh) | 一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法 | |
| Kim et al. | Optical and electrical properties of ZnO films, codoped with Al and Ga deposited at room temperature by an RF sputtering method | |
| CN113969393A (zh) | 一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法 | |
| CN102330055B (zh) | 一种用于电极材料的氮化钛外延薄膜的制备方法 | |
| Chang et al. | Enhancement of the light-scattering ability of Ga-doped ZnO thin films using SiOx nano-films prepared by atmospheric pressure plasma deposition system | |
| CN103350992A (zh) | 一种高导电性氟化石墨烯薄膜的制备方法 | |
| Adhikari et al. | Optical and structural properties of amorphous carbon thin films deposited by microwave surface-wave plasma CVD | |
| CN101660132B (zh) | 一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法 | |
| Hua et al. | Influence of target substrate distance on the properties of transparent conductive Si doped ZnO thin films | |
| CN113213774B (zh) | 石墨烯玻璃及其制备方法 | |
| Flewitt et al. | Low-temperature deposition of hydrogenated amorphous silicon in an electron cyclotron resonance reactor for flexible displays | |
| CN111826610A (zh) | 一种利用非晶碳低温制备石墨烯的方法 | |
| CN110867383A (zh) | 一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法 | |
| CN114822987B (zh) | 一种紫外-可见-近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜及制备方法 | |
| Li et al. | RF power and thermal annealing effect on the properties of zinc oxide films prepared by radio frequency magnetron sputtering | |
| CN115323325A (zh) | 一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220125 |