JPS62166776A - 直流−直流変換器 - Google Patents
直流−直流変換器Info
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- JPS62166776A JPS62166776A JP61006668A JP666886A JPS62166776A JP S62166776 A JPS62166776 A JP S62166776A JP 61006668 A JP61006668 A JP 61006668A JP 666886 A JP666886 A JP 666886A JP S62166776 A JPS62166776 A JP S62166776A
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- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 abstract 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33507—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
- H02M3/33523—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、安定化直流電源装置に使用する直流−直流変
換器(DC−DCコンバータ]に関するものである。
換器(DC−DCコンバータ]に関するものである。
トランスの1次巻線にスイッチングトランジスタケ直列
に接続し、これをオン・オフすることによって直流を断
続し、2次巻rMK得られる電圧乞整流平滑して直流出
力を得るDC−DCコンバータは既に知られている。と
ころで、従来の代表的なオン・オン型のD<ニーDCコ
ンバータ(F CC〕は、発振器を使用してパルス幅変
調波(PWM12)り’に作つ、これにより変換用スイ
ッチングトランジスタケオン・オフ制御する他励式に構
成されている。従って、回路が複雑且つ高価になった。
に接続し、これをオン・オフすることによって直流を断
続し、2次巻rMK得られる電圧乞整流平滑して直流出
力を得るDC−DCコンバータは既に知られている。と
ころで、従来の代表的なオン・オン型のD<ニーDCコ
ンバータ(F CC〕は、発振器を使用してパルス幅変
調波(PWM12)り’に作つ、これにより変換用スイ
ッチングトランジスタケオン・オフ制御する他励式に構
成されている。従って、回路が複雑且つ高価になった。
この種の欠点を解決するものとして、特公昭52−18
364号にトランスに制御巻#Jン設け、この制御巻線
を制御することにより出力電圧を調整丁ル自励式のオン
・オン型DC−DCコンバータが開示されている。しか
し、この方式では、制御巻線を設けなければならす、大
幅に小型化及び簡略化することが困難である。
364号にトランスに制御巻#Jン設け、この制御巻線
を制御することにより出力電圧を調整丁ル自励式のオン
・オン型DC−DCコンバータが開示されている。しか
し、この方式では、制御巻線を設けなければならす、大
幅に小型化及び簡略化することが困難である。
簡単な回路構成のDC−D(:コンバータとして。
オン・オフ型の自励式1)C−DCコンバータがあるが
、軽負荷時に発成周波数が上ってスイッチングLOI数
が多くなり、スイッチング損失か大になると(・う欠点
を有する。また、スイッチング素子としてt弁効果トラ
ンジスタを使用することが困難であると−・う欠点馨有
する。
、軽負荷時に発成周波数が上ってスイッチングLOI数
が多くなり、スイッチング損失か大になると(・う欠点
を有する。また、スイッチング素子としてt弁効果トラ
ンジスタを使用することが困難であると−・う欠点馨有
する。
そこで、本発明の目的は、比較的簡単な回路で目励発撮
し、且つ電圧制御を容易に達成することができる直流−
直流変換器を提供することにある。
し、且つ電圧制御を容易に達成することができる直流−
直流変換器を提供することにある。
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、一対の直流電源端子の一方にその一端が接続された
トランス1次巻線と、少なくとも第1の端子と第2の端
子と制御端子とを有し、前記第1の端子が前記1次巻線
の他端に接続され、前記第2の端子が前記一対の直流電
源端子の他方に接続され、前記制御端子に所定レベル用
土の電圧が即加さnた時に、前記第1の端子と前記第2
の端子との間が導通状態になるように構成さit”’(
いる変換用スイッチング素子と、前記1次音線に電磁結
合さnた2次巻線と、前記2次巻線に接続された整流平
滑回路と、前記1次巻線及び前記2次巻線に[磁結合さ
れ、前記変換用スイ゛ンチング素子の前記制御端子と前
記第2の端子との間に接続された3次巻線と、前記一方
の直流電源端子と前記変換用スイッチング素子の前記第
1の端子との間の電源ラインにその一端が接続され、そ
の他端が前記制御端子に接続された起動抵抗と、前記変
換用スイッチング素子の前記制御端子と前記第2の端子
との間に接続された制御用スイッチング素子(例えばト
ランジスタ(19) ト、コンデンサとこのコンデンサ
を抵抗値?有して充電する充電回路とを含み、前記変換
用スイッチング素子の導通開始に応答して前記コンデン
サの光1!を開始し、前記コンデンサの電圧が所定値に
なった時に前記制御用スイッチング素子Yオン駆動し℃
前記変換用スイッチング素子のオン期間ン終了させるよ
うに構成されたオン期間終了制御回路と、前記コンデン
サの充電電流ン変えることによって前記コンデンサの電
圧が前記制御用スイッチング素子のオンレベルに違する
までの時間幅を変えて前記整流平4回路の出力電圧ケ制
御する電圧制御回路とから成る直流−直流変換器に係わ
るものである。
は、一対の直流電源端子の一方にその一端が接続された
トランス1次巻線と、少なくとも第1の端子と第2の端
子と制御端子とを有し、前記第1の端子が前記1次巻線
の他端に接続され、前記第2の端子が前記一対の直流電
源端子の他方に接続され、前記制御端子に所定レベル用
土の電圧が即加さnた時に、前記第1の端子と前記第2
の端子との間が導通状態になるように構成さit”’(
いる変換用スイッチング素子と、前記1次音線に電磁結
合さnた2次巻線と、前記2次巻線に接続された整流平
滑回路と、前記1次巻線及び前記2次巻線に[磁結合さ
れ、前記変換用スイ゛ンチング素子の前記制御端子と前
記第2の端子との間に接続された3次巻線と、前記一方
の直流電源端子と前記変換用スイッチング素子の前記第
1の端子との間の電源ラインにその一端が接続され、そ
の他端が前記制御端子に接続された起動抵抗と、前記変
換用スイッチング素子の前記制御端子と前記第2の端子
との間に接続された制御用スイッチング素子(例えばト
ランジスタ(19) ト、コンデンサとこのコンデンサ
を抵抗値?有して充電する充電回路とを含み、前記変換
用スイッチング素子の導通開始に応答して前記コンデン
サの光1!を開始し、前記コンデンサの電圧が所定値に
なった時に前記制御用スイッチング素子Yオン駆動し℃
前記変換用スイッチング素子のオン期間ン終了させるよ
うに構成されたオン期間終了制御回路と、前記コンデン
サの充電電流ン変えることによって前記コンデンサの電
圧が前記制御用スイッチング素子のオンレベルに違する
までの時間幅を変えて前記整流平4回路の出力電圧ケ制
御する電圧制御回路とから成る直流−直流変換器に係わ
るものである。
上記発明にお(・ては、まず起動抵抗χ介して変換用ス
イッチング素子がオンに(換する。こ4.により3次巻
線に生じる正帰還電圧がf>用スイッチング素子に加わ
り、変換用スイッチング素子のオンが維持される。コン
デンサは変換用スイッチング素子のオン時のトランス電
圧に基づいて充電される。コンデンサの電圧が制御用ス
イッチング素子のオンレベルに違すると、これがオンに
なり、逆に変換用スイッチング素子がオフに転換する。
イッチング素子がオンに(換する。こ4.により3次巻
線に生じる正帰還電圧がf>用スイッチング素子に加わ
り、変換用スイッチング素子のオンが維持される。コン
デンサは変換用スイッチング素子のオン時のトランス電
圧に基づいて充電される。コンデンサの電圧が制御用ス
イッチング素子のオンレベルに違すると、これがオンに
なり、逆に変換用スイッチング素子がオフに転換する。
出力電圧制御は、出力電圧の検出に応答してコンデンサ
の時定数を変えることにより達成される。
の時定数を変えることにより達成される。
これにより、簡単な回路でオン時間幅可変の自励式直流
−直流変換器?提供することができろ。
−直流変換器?提供することができろ。
〔第1の実施例〕
次に、纂1図及び第2図によって本発明の第1の実施例
に係わる直流−直流変換器を説明する。
に係わる直流−直流変換器を説明する。
第1図において、一方の直流電源端子1).1にはトラ
ンス(2+のl欠巻線(31の一端が接続さiている。
ンス(2+のl欠巻線(31の一端が接続さiている。
1次巻線(31の他端と他方の直流を源塙子(4)との
間には、変換用スイッチング素子としてヘチャネルの絶
縁ゲート型(MOS型)電界効果トランジスタ即ちFE
’J’(5)が接続されている。F’ET(5)は第1
の端子とじ℃ドレイン、第2の端子としてソース、制御
端子としてゲート?有し、ゲートにスレシホールド電圧
vTH以上の電圧が印加された時にドレイン・ソース間
が導通状態(オン状態)になるものである。
間には、変換用スイッチング素子としてヘチャネルの絶
縁ゲート型(MOS型)電界効果トランジスタ即ちFE
’J’(5)が接続されている。F’ET(5)は第1
の端子とじ℃ドレイン、第2の端子としてソース、制御
端子としてゲート?有し、ゲートにスレシホールド電圧
vTH以上の電圧が印加された時にドレイン・ソース間
が導通状態(オン状態)になるものである。
1次巻&![31に電磁結合された2次巻線(6)には
、2つのダイオード(7) (8+と、1ノアクトル(
9)と、コンデンサσOとから成る整流平温回路Uυが
接続されているeg!流平渭平滑αυに接続された出力
端子(l力Uは安定化された出力電圧?負荷に供給する
部分である。
、2つのダイオード(7) (8+と、1ノアクトル(
9)と、コンデンサσOとから成る整流平温回路Uυが
接続されているeg!流平渭平滑αυに接続された出力
端子(l力Uは安定化された出力電圧?負荷に供給する
部分である。
G4)はトランス3次巻線であって、1次巻#(31及
び2次巻線(61にt母結合されている。この3次巻線
■の一端は、抵抗Cl51とコンデンサCIとを介して
F’ k T (51のゲートに接続され、他端はソー
スに接続され′CX、・る。一方の電源端子li+とゲ
ートとの間には起動抵抗σ6Iが接続されている。
び2次巻線(61にt母結合されている。この3次巻線
■の一端は、抵抗Cl51とコンデンサCIとを介して
F’ k T (51のゲートに接続され、他端はソー
スに接続され′CX、・る。一方の電源端子li+とゲ
ートとの間には起動抵抗σ6Iが接続されている。
本発明に係わるオン時間終了制御回路は、コンデンサσ
でと充電回路としての抵抗α&とによつ℃構成されてい
る。コンデンサC17]はこの充電時定数?決めるため
の抵抗賭ヲ介して3次巻1fipuuに並列に接続され
又いる。なお、コンデンサ+171に並列にダイオード
のが接続されている。
でと充電回路としての抵抗α&とによつ℃構成されてい
る。コンデンサC17]はこの充電時定数?決めるため
の抵抗賭ヲ介して3次巻1fipuuに並列に接続され
又いる。なお、コンデンサ+171に並列にダイオード
のが接続されている。
制御用トランジスタ鰻は、FBT+5+のゲートとソー
スとの間に接続され、コンデンサCLηの電圧■。
スとの間に接続され、コンデンサCLηの電圧■。
によって制御され℃いる。、即ち、コンデンサσηが制
御用トランジスタ(19のベース・エミッタ間K M続
され、コンデ/す(171の電圧が所定値(VB、 )
以上になった時に制御用トランジスタ(1)がオンにな
るように構成されている。
御用トランジスタ(19のベース・エミッタ間K M続
され、コンデ/す(171の電圧が所定値(VB、 )
以上になった時に制御用トランジスタ(1)がオンにな
るように構成されている。
定電圧制御回路として、出力端子(12)G31間に接
続された電圧検出用抵抗(2012)1と、この抵抗t
20) &t+の分圧点に一方の入力端子が接続され、
他方の入力端子が基準電圧源−に接続された誤差増幅器
[23と、この誤差増幅器器の出力端子に接続されたホ
トダイオード(24)と、このホトダイオードQ4Jに
光結合されたホトトランジスタ囚とが設けられている。
続された電圧検出用抵抗(2012)1と、この抵抗t
20) &t+の分圧点に一方の入力端子が接続され、
他方の入力端子が基準電圧源−に接続された誤差増幅器
[23と、この誤差増幅器器の出力端子に接続されたホ
トダイオード(24)と、このホトダイオードQ4Jに
光結合されたホトトランジスタ囚とが設けられている。
ホトトランジスタのは、コンデンサσシの充電時定数を
変えるための可変インピーダンス素子とし℃設けられ几
ものであり、抵抗囮に並列に接続されている。
変えるための可変インピーダンス素子とし℃設けられ几
ものであり、抵抗囮に並列に接続されている。
トランス+2)の残留磁気上フライバック電圧によつ−
CI7セツトするために、1次巻it3+に並列にダイ
オードlX!61ヲ介して抵抗@が接続されている6ま
たフライバック電圧を抑制するために、抵抗271に並
列にコンデンサ徹が接続されている。
CI7セツトするために、1次巻it3+に並列にダイ
オードlX!61ヲ介して抵抗@が接続されている6ま
たフライバック電圧を抑制するために、抵抗271に並
列にコンデンサ徹が接続されている。
(動 作)
一対の電源端子+1!14)から直流電圧ケ供給すると
、起動抵抗abIv介してF E ’I’ (51のゲ
ートに電圧が加わる。コンデンサC1は小容量である几
めに直ちに充電され、スレシホールド電圧VTH以上の
ゲート電圧が得られ、P B T (5)はオンになる
。F” E T (5)がオンになると、第2図FC+
に示す如(F’E’I’(5)のドレイン・ソース電圧
VDsが低くなり、逆に1次巻線(31に電源電圧が回
加されるために、第2図の)に示す如く3次巻線α小の
電圧v3が正号向になり、この3次巻線α4の電圧■3
が正帰還電圧となってFE T t5+のゲー)KEf
l加され、オン状態が維持される。 F E ’l”
(51がオンになると、第2−B)に示す如くドレイン
電流よりが流れ、トランスの2次巻N (61にダイオ
ード(71’にオンにする向きの電圧が発生し、これが
平消されて出力電圧となる。
、起動抵抗abIv介してF E ’I’ (51のゲ
ートに電圧が加わる。コンデンサC1は小容量である几
めに直ちに充電され、スレシホールド電圧VTH以上の
ゲート電圧が得られ、P B T (5)はオンになる
。F” E T (5)がオンになると、第2図FC+
に示す如(F’E’I’(5)のドレイン・ソース電圧
VDsが低くなり、逆に1次巻線(31に電源電圧が回
加されるために、第2図の)に示す如く3次巻線α小の
電圧v3が正号向になり、この3次巻線α4の電圧■3
が正帰還電圧となってFE T t5+のゲー)KEf
l加され、オン状態が維持される。 F E ’l”
(51がオンになると、第2−B)に示す如くドレイン
電流よりが流れ、トランスの2次巻N (61にダイオ
ード(71’にオンにする向きの電圧が発生し、これが
平消されて出力電圧となる。
F B ’1’151$f ンニ4Er’ll! シ、
3次善#(14(C正方向電圧が発生する時点1.から
コンデンサaηの正方向の充電が開始し、この充電電圧
V。が第2図tE+に示す如く徐々に高くなる。そして
、コンデンサ電圧voが制御用トランジスタσ9の立上
り電圧(VB、)に違すると、トランジスタa■がオン
に転換し、ゲート・ソース閾が短絡され、ゲート電圧■
。が零になり、F E T (51がオフに転換する〇
第2図のtlでF B T (5)がオフに転換すると
、フライバック電圧が発生し、第2図の1に示す如く3
次巻線電圧v3の向きが逆になる。このため、FBT(
5)は逆バイアス状態となり、オフが保持される。
3次善#(14(C正方向電圧が発生する時点1.から
コンデンサaηの正方向の充電が開始し、この充電電圧
V。が第2図tE+に示す如く徐々に高くなる。そして
、コンデンサ電圧voが制御用トランジスタσ9の立上
り電圧(VB、)に違すると、トランジスタa■がオン
に転換し、ゲート・ソース閾が短絡され、ゲート電圧■
。が零になり、F E T (51がオフに転換する〇
第2図のtlでF B T (5)がオフに転換すると
、フライバック電圧が発生し、第2図の1に示す如く3
次巻線電圧v3の向きが逆になる。このため、FBT(
5)は逆バイアス状態となり、オフが保持される。
なお、3次巻線a瘤の逆方向電圧により、コンデンサ(
171が逆充電され、この両端電圧はダイオードりの)
@方向電圧降下に相当した値になる。
171が逆充電され、この両端電圧はダイオードりの)
@方向電圧降下に相当した値になる。
t2でトランス(2)のリセットが終了すると、トラン
ス+2)の電圧に香動(図示せず)が発生し、この撮動
の助けをかつて1=’ E T (5)がオンに転換す
る。
ス+2)の電圧に香動(図示せず)が発生し、この撮動
の助けをかつて1=’ E T (5)がオンに転換す
る。
出力電圧の制御は、ホトトランジスタのの抵抗値制御で
行われる。今、出力電圧が一定値よりも高くなり友と丁
れば、誤差項@器Ωの出力が高くなり、ホトダイオード
CJ4)の光Jt 75に多くなり、ホトトランジスタ
(251の抵抗値が低くなる。このkめ、抵抗aδとこ
れに並列接続されたホトトランジスタのと合成抵抗が小
さくなり、コンデンサ好の充電電流が増大し、コンデン
サσηの電圧V。の立上り速度が第2図[F])で点線
で示す如く速(なり、制御用トランジスタα9がtlよ
りも早くオンになり、逆にF B T (51がオフに
なる。オン時間幅T。Nが狭くなると、ドレイ/電流I
Dも小さくなり、フライバック電圧も低くなる。この結
果、トランス+2)のリセット完了までの時間即ちオフ
時間幅T。F’Fdよ長くする。
行われる。今、出力電圧が一定値よりも高くなり友と丁
れば、誤差項@器Ωの出力が高くなり、ホトダイオード
CJ4)の光Jt 75に多くなり、ホトトランジスタ
(251の抵抗値が低くなる。このkめ、抵抗aδとこ
れに並列接続されたホトトランジスタのと合成抵抗が小
さくなり、コンデンサ好の充電電流が増大し、コンデン
サσηの電圧V。の立上り速度が第2図[F])で点線
で示す如く速(なり、制御用トランジスタα9がtlよ
りも早くオンになり、逆にF B T (51がオフに
なる。オン時間幅T。Nが狭くなると、ドレイ/電流I
Dも小さくなり、フライバック電圧も低くなる。この結
果、トランス+2)のリセット完了までの時間即ちオフ
時間幅T。F’Fdよ長くする。
出力電圧が低下し九場合は、上記と逆の動作になる。
土述から明らかな如く、この回路はスイッチングトラン
ジスタの飽和ン利用した自励発掘回路でないので、軽負
荷時にスイッチング周期が短かくならす、逆に長くなる
。このため、軽負荷時のスイッチング回数が少なくなり
、スイッチング損失が少なくなる。ILオン・オン形式
であるにも拘らず、自励発熾が可能である。また回路構
成の簡略化及び小型化ができる。
ジスタの飽和ン利用した自励発掘回路でないので、軽負
荷時にスイッチング周期が短かくならす、逆に長くなる
。このため、軽負荷時のスイッチング回数が少なくなり
、スイッチング損失が少なくなる。ILオン・オン形式
であるにも拘らず、自励発熾が可能である。また回路構
成の簡略化及び小型化ができる。
〔第2の実施例〕
次に、第3図に示す本発明の第2の実施例馨説明する6
出し、第1図と共通する部分には、同一の符号を付して
その説明〉省略する。この実施例では、3次巻線(14
Iに、ダイオードcnv介してバイアス用コンデンサC
31)が並列洗接続され、このコンデンサ61)の上端
にホトトランジスタ四のフレフタが接続されている。ま
之、電流検出用抵抗13″lJがFgT(51と電源端
子(4)との間に接続され、トランジスタα9のエミッ
タが抵抗C32)の左端釦接続されている。従つ工、電
流検出用抗膿の両端電圧とコンデンサσηの電圧V。と
の和の電圧がトランジスタσ9に加わる。この結果、過
電流によって電流検出抵抗C32)の両端の電圧が高く
なると、コンデンサ0ηの電圧が低くてもトランジスタ
σ3がオンになり、F ET(5)のオン幅が狭めろi
る。なお、この例ではコンデンサσηに並列に抵抗關が
接続さrている。
出し、第1図と共通する部分には、同一の符号を付して
その説明〉省略する。この実施例では、3次巻線(14
Iに、ダイオードcnv介してバイアス用コンデンサC
31)が並列洗接続され、このコンデンサ61)の上端
にホトトランジスタ四のフレフタが接続されている。ま
之、電流検出用抵抗13″lJがFgT(51と電源端
子(4)との間に接続され、トランジスタα9のエミッ
タが抵抗C32)の左端釦接続されている。従つ工、電
流検出用抗膿の両端電圧とコンデンサσηの電圧V。と
の和の電圧がトランジスタσ9に加わる。この結果、過
電流によって電流検出抵抗C32)の両端の電圧が高く
なると、コンデンサ0ηの電圧が低くてもトランジスタ
σ3がオンになり、F ET(5)のオン幅が狭めろi
る。なお、この例ではコンデンサσηに並列に抵抗關が
接続さrている。
〔第3の実施例〕
次に、第4図に示す第3の実施例を説明する。
但し、第1図及び+83図と共通する部分には同一の符
号ン付してその説明〉省略する。この実施例では、変換
用スイッチング素子としてバイポーラトランジスタ(5
a)が1次巻線(3;に直列に接続されCy・る。また
、コンデンサC1に並列にダイオードD、が接続されて
いる。起動抵抗1)G Y ’/l” してペース電流
がトランジスタ(5a)に与えられ、これによりトラン
ジスタ(5a)がオンになると、3次巻線■の電圧でオ
ンが維持される。トランジスタ(5a)のオンからオフ
への転換は、トランジスタ(5a)の飽和に和らすに、
飽和する前にベース・エミッタ間ン制御用トランジスタ
α9で短絡することにより行う。
号ン付してその説明〉省略する。この実施例では、変換
用スイッチング素子としてバイポーラトランジスタ(5
a)が1次巻線(3;に直列に接続されCy・る。また
、コンデンサC1に並列にダイオードD、が接続されて
いる。起動抵抗1)G Y ’/l” してペース電流
がトランジスタ(5a)に与えられ、これによりトラン
ジスタ(5a)がオンになると、3次巻線■の電圧でオ
ンが維持される。トランジスタ(5a)のオンからオフ
への転換は、トランジスタ(5a)の飽和に和らすに、
飽和する前にベース・エミッタ間ン制御用トランジスタ
α9で短絡することにより行う。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えは
次の変形例が可能なものである。
次の変形例が可能なものである。
fat ホトトランジスタのの代りにバイポーラトラ
ンジスタを接続し、こnxm差増幅器c!Jの出力で制
御するようにしてもよい、、また、トランジスタσ9ン
FETにすることかできる。
ンジスタを接続し、こnxm差増幅器c!Jの出力で制
御するようにしてもよい、、また、トランジスタσ9ン
FETにすることかできる。
fbl i換用スイッチング素子?%F E T又は
バイポーラトランジスタを直列又は並列に接続した複数
のスイッチング素子で構成してもよい。
バイポーラトランジスタを直列又は並列に接続した複数
のスイッチング素子で構成してもよい。
(C)トランス(2)に4次善#i17¥:設け、ここ
に抵抗Q81、コンデンサ(lηの回路馨接続してもよ
(・。
に抵抗Q81、コンデンサ(lηの回路馨接続してもよ
(・。
fdl 抵抗Q8)Y省き、本発明に係わる充電回m
yxホトトランジスタの)のような可変インピーダンス
素子のみで構成してもよい。
yxホトトランジスタの)のような可変インピーダンス
素子のみで構成してもよい。
let 抵抗1b7の上端ン1次巻線(31の下端に
接続し ・℃もよい。
接続し ・℃もよい。
ffl 抵抗081及びトランジスタaI1列に逆流
明出用ダイオードを夫々接続してもよ(・。
明出用ダイオードを夫々接続してもよ(・。
上記発明によれば、スイッチング素子のオフ時間幅可変
制御の自励式の直流−直流変換器を場単な回路構成で得
ることができる。
制御の自励式の直流−直流変換器を場単な回路構成で得
ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例に係わる直流−直流変換
器乞示すブロック図、 栗2図は第1図の各部の波形図、 第3図は第2の実施例の直流−直流変換器乞示す回路図
、 第4図は第3の実施例の@流−直流変換器を示す回路図
である。 山・・・1詠端子、(2)・・・トランス、(3)・・
・1次巻線、(51・・・FkT、(61・・・2次巻
線、(III・・・整流平温回路、(14)・・・3次
巻線、t151・・・抵抗、ση・・・コンデンサ、賭
・・・抵抗、H・・・制御用トランジスタ、(25)・
・・ホトトランジスタ。 代 理 人 高 野 則 次第2図 joilT−2t3 手続補正書(自発) 昭和61年5月20日
器乞示すブロック図、 栗2図は第1図の各部の波形図、 第3図は第2の実施例の直流−直流変換器乞示す回路図
、 第4図は第3の実施例の@流−直流変換器を示す回路図
である。 山・・・1詠端子、(2)・・・トランス、(3)・・
・1次巻線、(51・・・FkT、(61・・・2次巻
線、(III・・・整流平温回路、(14)・・・3次
巻線、t151・・・抵抗、ση・・・コンデンサ、賭
・・・抵抗、H・・・制御用トランジスタ、(25)・
・・ホトトランジスタ。 代 理 人 高 野 則 次第2図 joilT−2t3 手続補正書(自発) 昭和61年5月20日
Claims (5)
- (1)一対の直流電源端子の一方にその一端が接続され
たトランス1次巻線と、 少なくとも第1の端子と第2の端子と制御端子とを有し
、前記第1の端子が前記1次巻線の他端に接続され、前
記第2の端子が前記一対の直流電源端子の他方に接続さ
れ、前記制御端子に所定レベル以上の電圧が印加された
時に、前記第1の端子と前記第2の端子との間が導通状
態になるように構成されている変換用スイッチング素子
と、前記1次巻線に電磁結合された2次巻線と、前記2
次巻線に接続された整流平滑回路と、前記1次巻線及び
前記2次巻線に電磁結合され、前記変換用スイッチング
素子の前記制御端子と前記第2の端子との間に接続され
た3次巻線と、前記一方の直流電源端子と前記変換用ス
イッチング素子の前記第1の端子との間の電源ラインに
その一端が接続され、その他端が前記制御端子に接続さ
れた起動抵抗と、 前記変換用スイッチング素子の前記制御端子と前記第2
の端子との間に接続された制御用スイッチング素子と、 コンデンサとこのコンデンサを抵抗値を有して充電する
充電回路とを含み、前記変換用スイッチング素子の導通
開始に応答して前記コンデンサの充電を開始し、前記コ
ンデンサの電圧が所定値になった時に前記制御用スイッ
チング素子をオン駆動して前記変換用スイッチング素子
のオン期間を終了させるように構成されたオン期間終了
制御回路と、 前記コンデンサの充電電流を変えることによって前記コ
ンデンサの電圧が前記制御用スイッチング素子のオンレ
ベルに達するまでの時間幅を変えて前記整流平滑回路の
出力電圧を制御する電圧制御回路と、 から成る直流−直流変換器。 - (2)前記制御用スイッチング素子はトランジスタであ
り、前記オン期間終了制御回路は抵抗とコンデンサとの
直列回路を前記3次巻線に並列に接続し、前記コンデン
サを前記トランジスタのベースとエミッタとの間に接続
したものである特許請求の範囲第1項記載の直流−直流
変換器。 - (3)前記電圧制御回路が、 前記整流平滑回路の出力電圧を検出する電圧検出回路と
、 前記電圧検出回路から得られる検出電圧と基準電圧との
誤差出力を得る誤差増幅器と、 前記抵抗に並列又は直列に接続され、前記誤差増幅器の
出力に応答して前記コンデンサの充電電流を制御する可
変インピーダンス素子と、 から成るものである特許請求の範囲第2項記載の直流−
直流変換器。 - (4)前記変換用スイッチング素子は絶縁ゲート型電界
効果トランジスタである特許請求の範囲第1項記載の直
流−直流変換器。 - (5)前記変換用スイッチング素子は、バイポーラトラ
ンジスタである特許請求の範囲第1項記載の直流−直流
変換器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61006668A JPS62166776A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 直流−直流変換器 |
US07/004,341 US4763236A (en) | 1986-01-16 | 1987-01-15 | DC-DC converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61006668A JPS62166776A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 直流−直流変換器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62166776A true JPS62166776A (ja) | 1987-07-23 |
JPH0357712B2 JPH0357712B2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=11644750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61006668A Granted JPS62166776A (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 直流−直流変換器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4763236A (ja) |
JP (1) | JPS62166776A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63100993U (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-30 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4862338A (en) * | 1986-09-29 | 1989-08-29 | Shindengen Kogyo Kabushiki Kaisha | Ringing choke converter using single switching element |
JPS63138881U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-13 | ||
JPH01136567A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-29 | Densetsu:Kk | 導通角制御自励インバータ回路 |
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JPH02159975A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | 自励発振型コンバータ |
US5706183A (en) * | 1994-06-27 | 1998-01-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Inverter power supply with single discharge path |
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JP3216598B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2001-10-09 | 株式会社村田製作所 | スイッチング電源装置 |
JP3351464B2 (ja) * | 1998-02-13 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 自励発振型スイッチング電源装置 |
JP2004140952A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Murata Mfg Co Ltd | Dc−dcコンバータ |
JP5042536B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-10-03 | ローム株式会社 | 電源装置及びこれを備えた電気機器 |
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TWI424664B (zh) * | 2011-08-24 | 2014-01-21 | Richtek Technology Corp | 電源供應器、其控制器與其控制方法 |
CN102291000B (zh) * | 2011-08-29 | 2014-09-10 | 上海新进半导体制造有限公司 | 开关电源集成电路 |
CN102664516A (zh) * | 2012-05-22 | 2012-09-12 | 上海新进半导体制造有限公司 | 一种驱动mos管的开关电源 |
RU2547810C1 (ru) * | 2013-11-06 | 2015-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А. Семихатова" | Способ управления импульсным стабилизатором тока |
RU2728284C1 (ru) * | 2019-11-25 | 2020-07-29 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Импульсный стабилизатор тока |
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JPS6046772A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-13 | Densetsu Kiki Kogyo Kk | フライバツクコンバ−タ |
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61006668A patent/JPS62166776A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-15 US US07/004,341 patent/US4763236A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5932224U (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | 株式会社東芝 | 換気扇の運転装置 |
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JPS63100993U (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-30 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0357712B2 (ja) | 1991-09-03 |
US4763236A (en) | 1988-08-09 |
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