JPS62156833A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はレーザビーーズ素子を有する半導体装置の製造
方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）等の半導体装置、特に大
容量メモリの半導体装置においては、高集積化に伴なっ
て半導体チップ内の回路が著しく微細化され、そのため
チップ内に不良ビットが多く発生する。この不良ビット
の発生は半導体チップの不良につながるため、近年、半
導体チップ内に予備ビットを形成して不良ビットを予備
ビットと置換することが行なわれており、不良ビットの
切断のためフーーズ素子が形成されている。このフユー
ズ素子の内、設計の自由度、フユーズ素子の信頼性、冗
長回路が占める面積の割合等の観点からレーザで溶断さ
れるレーザフユーズ素子が多用化されている。

かかるレーザ７ユーズ素子も切断する手順は、一般に製
造工程が終了したウェーハをテスタで測定し、不良のビ
ットを検知し、そのアドレスを記憶する。次にレーザト
リミング装置にてレーザフユーズ素子を切断して、予備
のビットを選択する。

このレーザトリミング装置はチップの上からフユーズ素
子上にレーザビームを照射することで溶断するものであ
り、あらかじめ記憶されているチップ上のフユーズ素子
の位置九レーザビームを移動させ、テスターで検知した
不良のビットのあるアドレスに対応するフユーズ素子を
切断するように作動する。従って、レーザトリミング装
置と半導体チップのレーザフユーズ素子との相対的な位
置関係を正確に把迩して、レーザビームをレーザ７−ズ
素子上に正確に移動させる必要がある。特に、半導体チ
ップが形成された半導体ウェーハはレーザビームの移動
量に対して大ぎく移動するため、半導体チップの移動の
都度、半導体チップの座標系とレーザビームの給体座標
系との間の差を補正する操作が必要となっている。

第を図は上記操作を行なうための半導体ウェーハの従来
例の平面図である。半導体ウエーノ・に多数の半導体チ
ップ１０　ａ　、　１０　ｂ　、　１０　ｅ・・・が基
盤目状に形成されている。各半導体チップ１０ＩＬ、１
０ｂ。

１０ｃ・・・は予備ビットとフユーズ素子が形成されて
おり、隣接する半導体チップとはスクライブライン／ｌ
を介して接している。そして、スクライブライン／ｌに
は一定の幅の補正用マーク／コａ、／：ｉｂ。

／コＣ・・・がスクライブラインと直交する方向く形成
されている。この補正用マーク／２　ａ　、　／２　ｂ
　、　／２　ｅ・・・はレーザを反射する素材、例えば
アルミニウム系からなり、レーザビームを補正用マーク
７２　ｍ　。

／２ｂ、／コＣ・・・上な移動させることで、その反射
光の信号により、半導体チップの座標系とレーザビーム
の座標系との補正な行なっている。すなわち、半導体チ
ップ１０ｈに対してはＸ軸方向、Ｙ軸方向に位置する補
正用マーク／コａ、／ｕｂが対応し、半導体チップ１０
ｂに対してはＸ、Ｙ軸方向に位置する補正用マーク／２
ｃ、／コｄが対応して、各チップのＸ軸およびＹ軸のず
れが補正されるよ５になっている。

しかしながら、従来の補正用マークではＸ軸。

Ｙ軸方向のずれを検出するだけであり、半導体チップの
傾ぎを検出し、補正することはできない。

この傾きは、特に大型化された半導体チップ、縦長の半
導体チップの場合に問題であり、傾きによって正確にレ
ーザビームを位置決めすることができず、操作精度が悪
いものとなっている。

〔発明の目的〕

本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、半導体チップのＸ軸、Ｙ軸方向のずれのみで
なく、その傾き（ローテーションｐによる回転角をも検
出して補正することができる半導体装置の製造方法を提
供することな目的とする。

〔発明の概要〕

上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の
製造方法は、ウェーハ上で直交するコ辺のスクライブラ
インにスクライブラインと直交する方向の補正用マーク
と、スクライブラインと平行する方向の補正用マークと
を形成し、直交方向の補正用マークでＸ軸、Ｙ軸方向の
ずれを検出・補正し、平行方向の補正用マークが傾ぎ角
度を検出・補正するようＫしたことを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を図示する実施例につき、具体的に説明す
る。

第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
を説明するための、半導体ウェーハの平面図である。直
交するスクライブライン６．７を境にして半導体ウェー
ハに半導体チップ／、２゜Ｊが基盤目状に形成されてい
る。各半導体チップにはアクティブビットおよび補助ビ
ット（いずれも図示せず）が多数形成されており、各ビ
ットニはレーザビームで溶断されるレーザフユーズ素子
が形成されている。従って、アクティブビットの不良が
検知されると、補助ピットとの置換を行なうためレーザ
フユーズ素子が切断されるようになっている。

スクライブライン６．７はダイシング工程でダイシング
プレートあるいはダイシングレーザによってダイシング
溝が形成され、半導体チップを個々に分離するために形
成されるものである。従って、スクライブライン６．７
は個々の半導体チップの外周弘辺に形成されており、ス
クライブライン乙、りにはレーザビームの絶対座標系に
対して半導体チップの座標系を相対的に位置決めするた
めの補正用マークが形成されている。

この補正用マークは−の半導体チップに対して、少なく
とも直交する２辺のスクライブラインに形成されるよう
になっており、且つ、各辺の補正用マークはスクライブ
ラインと直交する方向とスクライブラインと平行する方
向とが組み合わされた一対となっている。すなわち、半
導体チップｌに対しては、Ｘ軸方向のスクライブライン
乙に形成された直交方向の補正用マーク＋ｂと平行方向
の補正用マーク４１ｍとで一対をなし、この一対に対応
する補正用マークｕｄ、’Ｉｃがスクライブライン６と
直交するＹ軸方向のスクライブラインクａに形成されて
いる。なお、この他に、スフ２イブライン乙に形成され
た補正用マークよａ、ｊｂと、スクライブライン７ａに
形成された補正用マークｊｃ、ｊｄとが相互忙対応して
形成されている。

補正用マークはレーザビームを反射する素材、例えばア
ルミニウムからなり、レーザビームが補正用マーク上を
走査されると、その反射光によって検出されるようにな
っている。例えば、第３図のように補正用マークＩｌｂ
とクロスする方向にレーザビームｔを走査すると、補正
用マークＩｌｂからの反射光が検知され、同図の波形９
が得られる。

この波形９のセンターを半導体チップ座標系の所定の座
標値とし、レーザビームの移動座標系との差を計算する
ことでレーザビームの絶対座標系に対して半導体チップ
の座標系を相対的に補正することができるものである。

従って、−の半導体チップｌに対して直交するスクライ
ブライン６．７ａにスクライブライン＆、７ｍと直交す
る方向の補正用マークｌｌｂ、＆ｄを形成することで半
導体チップｌＯＸ軸、Ｙ軸座標系を補正することができ
る。

一方、スクライブライン６．７ａと平行方向く形成され
た補正用マークｌＩａ、ＩＩｃは、補正用マークＩｌｂ
、ｌＩｄで得られた半導体チップの座標系のレーザビー
ムの絶対座標系に対する傾きを補正するものである。す
なわち、第一図のようにレーザビームを直交するスクラ
イブラインＩｓ、　　７ａｌＣ沿って走査すると、Ｘ軸
方向のスクライブライン乙に形成された補正用マークｔ
Ｉａによって半導体チップ／の座標系のＸ軸とレーザビ
ームの絶対座標系のＸ軸との角度αが算出され、Ｙ軸方
向のスクライブライン７ａに形成された補正用マーク４
（ｅによって半導体チップ／の座標系のＹ軸とレーザビ
ームの絶対座標系のＹ軸との角度βが算出される。

従って、直交する辺のスクライブライン６．７ａに形成
された直交方向の補正用マーク！ｂ−１Ｉｄと平行方向
の補正用マークｌａ、ｌＩａとによって半導体チップ／
の座標系をレーザビームの絶対座標系に補正できるから
、レーザフユーズ素子を正確に切断することができる。

なお、各スクライブライン６、りａに形成された補正用
マーク！ｒａ。

３ｂおよびｊｅ、＆ｄＫよっても半導体チップ／の座標
系の補正が行なわれるが、その平行方向の補正用マーク
！ｒｈ、！ｒｅを補正用マーク４（ａ、　ＩＩ　ｃの延
長線上に位置させることで、半導体チップｌの傾きを、
より正確に検出することができる。

〔発明の効果〕

以上のとおり本発明によれば、直交するスクライブライ
ンにスクライブラインと直交する補正用マークおよび平
行する補正用マークを形成して半導体チップの座標系の
位置と傾きを補正するようにしたから、半導体チップを
レーザビームに正確に位置決めでき、レーザ７ユーズ素
子を確実に切断することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体ウェ
ーハの平面図、第２図および第３図は半導体チップの座
標系を補正する場合の平面図、第１図は従来例を説明す
るための半導体ウエーノ・の平面図である。 ／・・・半導体チップ、＃ａ、　　ｔｌｂ、　　ＩＩｃ
、　　１Ｉｄ−補正用マーク、６，７．７ａ・・・スク
ライブライン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハに形成されたレーザフューズ素子を
   レーザビームで溶断し、その後にこの半導体ウェーハを
   スクライブラインで切断し、それぞれ複数のレーザフュ
   ーズ素子を有する複数の半導体チップに分割する半導体
   装置の製造方法において、個々の前記半導体チップ予定
   部分の周囲の４辺のスクライブラインの内、少なくとも
   直交する２辺のスクライブラインに、このスクライブラ
   インと直交する方向の第１の補正用マークと平行する方
   向の第２の補正用マークとを形成し、次いで前記半導体
   チップの配列方向への前記半導体ウェーハの位置ずれと
   前記半導体ウェーハのローテーションによる回転角とを
   前記第１および第２の補正用マークで補正し次いでレー
   ザビームにより前記レーザフューズ素子の溶断を行うこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、前記スクライブラインがアルミニウムから特許請求
   の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。