JPH02309620A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路、特に微細化された大容量メ
モリ集積回路の製造工程で使用し、中でも、冗長救済工
程のレーザ加工装置で使用するアライメントマークに関
するものである。

従来の技術 従来、この種の微細化された大容量メモリ集積回路の製
造工程で使用し、中でも冗長救済工程で（［するアライ
メントマークは、第４図および第５図に示すように構成
されていた。

第４図は従来のアライメントマークを形成した半導体集
積回路の部分平面図、第５図は第４図のＸｓ　−Ｌ断面
図である。半導体集積回路チップ１１は半導体ウェハ１
５の上に製造されており、この半導体集積回路チップ１
１を切ル離すｗｉ域のスクライブレイン１２の上Ｋｔエ
バアライメントマーク１３゜１３’、　１３＠が形成さ
れている。これらワエハアフイメントマー・り１３，１
３’、１３“は、半導体集積回路の中の冗長救済回路の
中で使用しているヒユーズのマスク上に入れられたマー
クで、このヒユーズのマスクを用いてヒユーズ材料のポ
リシリコンやポリサイド（金属シリサイド／ポリシリコ
ン構造）に形成されており、それぞれ上部及び周囲を、
層間絶縁膜およびパッシベーション族１４で覆われてい
る。それぞれを覆っている層間絶縁膜およびバツシベー
ション膜１４１１−１、ｔエハアフィメントマーク１３
．１３“、１３１０間を、エツチングによシ除去、され
ておシスクライブレイン１２と同じ面ｉ１出ている。

冗長救済回路の中で使用しているヒユーズを切断加工す
るためのレーザ加工装置は、半導体ウェハ１５の複数箇
所に形成され九これらウェハアライメントマーク１３．
１３’、１３”によシ、半導体ウェハ１５の水平方向出
しを行ってウェハのＹ座標の位置の確定を行い、次に半
導体ウェハ１５（Ｄ水平方向出しｔｌ！用り九？エハア
フイメントマーク１３　、１３’、　１３゜と直交する
別のウェハアライメントマークにより、ウニへの垂直方
向のｘｉｓの位置を確定し、半導体ウェハ１５０ＸＰＩ
ｉ標とＹ！Ｍ標の位置を確定する。

そして確定され九半導体ウェハ１５のＸ座標とＹ座標の
位置から冗長救済処理で切断するヒユーズの位置を計算
して求めて、切断するヒユーズにレーザ光が照射される
ように半導体ウェハ１５を高精度で移動し、レーザ光を
照射して、冗長救済回路の中のヒユーズを切断している
。

発明が解決しようとする課題 しかし、このような従来の構成では、正常なウェハアラ
イメントができない場合があるという問題があった。こ
れを第６図を用いて説明する。

第６図は、第４図のウェハアライメントマーク１３．１
３’、１３’のｘ、−ｘ；方向にウェハアライメント用
レーザ光を走査したときのＶ−ザ光の反射強度を示した
ものである。ウェハアライメントマークが１本の場合、
半導体集積回路チップ１１の端のＡｔ配線などの反射ピ
ークをウェハアライメントマークと誤まることがあるの
で、３本のウェハアライメントマーク１３．１３’、１
３’　を使用している。ウェハアライメントマーク１３
．１３’からのレーザ光の反射のピークの中央の距＊ｃ
は、ウェハアライメントマーク１３．１３のパターンの
中央の距離と等しく、九とえハ２０μｍである。ウェハ
アライメントマーク１３Ｉ。

１３°からのレーザ光の反射のピークの中央の距離ｄは
、ウェハアライメントマーク１３　、１３のパターンの
中央の距離と等しく、九とえば２６μｔｎである。

このような９エバアライメントマーク１３．１３’の距
離と、９エバアライメントマーク１３．１３の距離とを
、２０μｍと２６μｍのように特徴的にして、アブイメ
ンＦ用Ｖ−ザ光の反射ピークを特徴付けて総合的ニワエ
ハアブイメントマーク１３．１３’、１３”の確定を行
っている。ところが、ウェハアライメントマークを覆っ
ている層間絶縁［１４の端からのアライメント用レーザ
光の反射強度が強いピーク１６があることが、ロットの
中にはある。よって、Ｖ　−ザ光の反射強度レベＡ／Ｚ
でレーザ光の反射信号を計算処理すると、第６図のよう
に４本のＶ−ザ光の反射ピークがあるこ上になり、ピー
ク間距離としてＣとＣとｆの３つ得られ、ウェハアライ
メントマーク１３．１３’、　１３”と認識す尿３本の
レーザ光の反射強度ピークのピーク間距離Ｃとｄの２つ
得られる場合と一致しなくなり、ウェハアライメントマ
ークを確定することができないことがあり、ウェハアラ
イメントができないという問題があった。

本発明はと記間趙を解決するものであり、冗長救済処理
工程でのレーザ加工装置の正常なウェハアライメントを
で自るアライメントマークを形成した半導体集積回路を
提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段 上記問題を解決するため本発明は、半導体ウェハ上に複
数列形成されたアライメントマークの上部と周囲を選択
エツチングにより連続して層間絶縁膜とパッシベーショ
ン膜の少なくとも一方で覆ったものである。

また、アライメントマークをヒユーズのマスク上に入れ
てヒユーズ材料と同一の材料で形成しｔものである。

ま九、アライメントマークをスクフイグレイン上く形成
し九ものである。

作用 上記構成により、半導体ウェハ土に複数列形成されたア
ライメントマークは、上部と周囲を層間絶縁膜と、パッ
シベーション膜の少なくとも一方で覆われるこ上によっ
て、マークの欠落はなくなり、さらに覆っている層間絶
縁膜や、パッシベーション膜が連続しているこ上によっ
て、それらの段差がなくなり、アライメント用レーザ光
の不要な反射が押えられる。

また、ヒユーズと同じマスク上に入れてヒユーズと同一
材料のアライメントマークとして形成したこ上によって
、異なるマスクのアライメントマークを使用した場合に
発生するウェハアライメントの重ね合せ誤差が少なくな
る。

ま九、スクライブレイン上く形成したアライメントマー
クであるので、半導体ウェハからの半導体集積回路チッ
プの取れ数が減ることが無い。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は、本発明の一実施例を示すアライメントマーク
を形成した半導体集積回路の部分平面図、第２図は第１
図のＸ、−Ｘ、断面図である。

半導体集積回路チップ１は半導体ウェハ５の上に製造さ
れており、この半導体集積回路チップ１金切り離す＠域
のスクライブレイン２０上に’７エハアプイメントマー
ク３．３．３が形成されている。これらウェハアライメ
ントマーク３．３　、３は、半導体集積回路の中の冗長
救済回路の中で使用しているヒユーズのマスク上に入れ
られたマークで、コノヒユーズのマスクを用いてヒユー
ズ材料のポリシリコンや、ポリサイドで形成され、これ
ら３本のウェハアライメントマーク３，３°、３“の上
部および周囲を選択エツチングによシ連続して層間絶Ｍ
Ｗおよびパッシベーション膜４で覆っている。

ウェハアライメントマーク３．３１の間、およびウェハ
アライメントマーク３′、３°の間は、層間絶縁膜およ
びバックページヨシ膜４で連続して覆っておシスクライ
ブレイン２の面が出ていない。

第３図は、第１図のウェハアライメントマーク３　、３
’　、　３＠の°Ｘ、−Ｘ：方向にウェハアライメント
用レーザ光を走査したときのレーザ光の反射強度を示し
たものである。３本の９エバアライメントマーク３，３
°、３　からのレーザ光の反射による３本のアライメン
ト用レーザ光の反射ピークがきれいに出ている。ウェハ
アライメントマーク３．３’カラのレーザ光の反射ビー
クの中央の距離ａは、ウェハアライメントマーク３．３
のバ！−ンの中央と等しく、たとえば２０μｍである。

ウェハアライメントマーク３’、　３”からのレーザ光
の反射のピークの中央の距離すは、ウェハアライメント
マーク３’ｍ３°のバ！−ンの中央の距離と等しく、た
とえば２６μｍ・である。このようなウエハアフイメン
トマ−９３、３’の距離と、９工八アライメントマーク
３′。

３＠の距離とを、２０μｍと２６μｍのように特徴的に
して、アライメントマ−ザ光の反射を特徴付けて総合的
にウェハアライメントマーク３．３’、３’の碓定ヲ行
っている。ウェハアライメントマーク３゜３°問および
ウェハアライメントマーク３’　、　３”　間は、層闇
絶＃膜およびパッシベーション膜４で覆われてお９スク
ライブレイン２０面は出ておらず平坦となっているため
、ウェハアライメントマーク３゜３°、３１以外からの
アライメント用レーザ光の反射ピークは無い。し友がっ
て、レーザ光の反射強度レベｌｖｚで、レーザ光の反射
信号をｔＦ算熱処理ると第３図のように３本のレーザ光
の反射ピークが得られ、特徴付けられたアライメント用
レーザ光の反射ピークから総合的に９エバアライメント
マーク３．３’、３“を確実に確定でき、正常なウェハ
アライメントを行うことができ、この後の冗長救済のレ
ーザ加工処理を正確に行うことができる。

なお、本実施例ではウェハアライメントマーク３．３°
、３”を層間絶縁膜およびバックページヨシ膜４で覆っ
ているが、ウェハアライメントマーク３゜３１．３“を
層間絶縁Ｍｔｆｔ、はパッシベーションｌ１ｉＱＴ覆っ
てもよく、ま友アフイメント精度は少しＩＳちるが、ヒ
ユーズのマスクとは別のマスクに入れられ九マークで、
とューメ材料以外のＡ／糸金金属形成してもよい。また
ウェハアライメントマーク３゜３°、３“をスクライブ
レイン２の１に１聞直しているが、半導体ウェハ５の１
の特定のチップ位［ｉ１アブイメント専用のチップとし
て半導体集積回路チップｌを形成せずにアライメントマ
ークの入れられたチップとしてもよい。このとき、半導
体集積回路チップｌの取れ数が少し減る。゛また、チッ
プサイズは少し大きくなるが、半導体集積回路チップ１
の内にアライメントマークｔｌｊけてもよい。

発明の幼果 以上のように本発明によれば、複数列のアライメントマ
ークの上部と周囲を連続して層間絶縁膜とパッシベーシ
ョン膜の少なくとも一方で覆ったこと罠より、複数本の
安定したアライメントマークの９エハアフイメント用レ
ーザ光の反射信号を得ることが可能となり、正確なりエ
ハアフィメントを行うことができ、よって従来発生して
いた不正確なアライメントによる未冗長救済処理の歩留
低下を防ぐことが可能となり、冗長救済処理工程のＶ−
ザ加工装置の安定稼動や、正確な処理ができるという優
れた効果を得ることができる。

また、アライメントマークをヒューズト同シｆｆスク土
に入れてヒユーズと同一材料で形成するこトニヨって、
異なるマスクのアライメントマークを使用した場合に発
生するウェハアライメントの重ね合せ誤差を少なくする
ことができる。

サラに、アライメントマークをスクライブレイン上に形
成するととＫよって、半導体ワエハｒ−らの半導体集積
回路チップの取れ数の減少を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すアライメントマークを
形成した半導体集積回路の部分平面図、第２図は第１図
のＸ、−Ｘ：断面図、第３図は第１図のＸ、−Ｘ；方向
のアライメントマ−ザ光の反射強度特性図、第４因は従
来のアライメントマークを形成し友半導体集積回路の部
分平面図、第５図は第４図のＸ、−Ｘ１断面図、第６図
は第４図のｘ、−Ｘ、方向の７ライメント用レーザ光の
反射強度特性図である。 ｌ・・・半導体集ｌＩ＆回路チップ、２・・・スクライ
グＶイン、３．３．３・・・ワエハアライメントマーク
、４・・・層間絶＃に膜およびパッシベーション膜、５
・・・半導体ワエハ。 代理人　　　森　　本　　義　　弘 第ｆ図 第２図 ５　　＄１本シｚ／） 第３図 第４図 第５図 第２−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウエハ上に複数列形成されたアライメントマ
   ークの上部と周囲を、選択エッチングにより連続して層
   間絶縁膜とパッシベーシヨン膜の少なくとも一方で覆つ
   た半導体集積回路。 ２、アライメントマークをヒューズのマスク上に入れて
   ヒューズ材料と同一の材料で形成した請求項１記載の半
   導体集積回路。 ３、アライメントマークを半導体ウエハのスクライブレ
   イン上に形成した請求項１記載の半導体集積回路。