JPS61228626A - パタ−ン修正装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、半導体ウェハ又はマスク（レチクル）上に形
成され九ＩＣやＶＬＳ等の回路パターンを修正するパタ
ーン修正装置に関し、特にル−ザビームのスポットを回
路パターンの一部分に照射して配線の切断又はアニール
を行なうレーザ加工装置に関する。

〔発明の背景〕

近年、半導体装置の高集積化と微細化は著しく進み、半
導体メモ！Ｊ　（ＲＡＭ、Ｒ，ＯＭ等）においては数ミ
リ角内に１Ｍピッ）、４Ｍビット、さらには１６Ｍビッ
トの記憶容量を持つものの量産技術が急速に開発されて
いる。一般に、半導体装置は円形の半導体ウェハ（以下
単にウェハとする）にリソグラフィ法によシ生成される
。従来までの半導体メモリやその他のあまシ集積度の高
くない素子においては、ウェハ上に半導体装置（以下チ
ップと呼ぶ）が生成されるとそのままウェハスクライバ
−により各チップ毎に切断し、パッケージングが行なわ
れてきた。ところが、メモリの容量が大きくなったシ、
回路中の線幅が１μｍに及ぶ素子においては、ウェハ上
にチップが生成された後、ウエハプローパとテスターを
用いて、ウェハ上の各々のチェツブが電気的に正常な動
作をするか否かを検査する必要が高まってきた。このよ
うな検査をすれば、パッケージング後に不良と判定され
ることによる生産性の低下を防止できるわけである。

ところで、現在のように高集積度化したチップの製造技
術の１つに、リダンダンシイ（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ　
）処理と呼ばれるものがある。この処理は以下のような
処理を行なう。例えば半導体メモリ社本来゛１Ｍビット
なり、４Ｍピットなシの定められた記憶セルさえあれば
よいわけであるが、製造工稈中°でその内のある一部分
のセルのみが不良であった場合を考慮して予備のセル、
すなわち冗長なセル（リダンダンシイ回路）を同じチッ
プ内に予め用意しておく。そして、ウエハプローパによ
る検査の結果、不良な部分が見つかったときは、不良な
セルを予備のセルとつなぎかえることＫよって、不良チ
ップを救済する。

このリダンダンシイ処理におけるつなぎかえは、チップ
内の特定な部分に設けられた特種′な配線（一般には７
ユース（ＦＵＳＲ）と呼ばれ、素材にはポリシリコンが
多い）にレーザ光の集光スポット（数μｍ）を照射して
切断したシ、あるい祉高抵抗の配線層にスポットを照射
して低抵抗の配線層に加工したシすることによって行な
われる。このように、レーザ光によって物品の加工を行
なう装置は、所謂レーザ加工装置と呼ばれるものであり
、従来から抵抗体の抵抗値を高精度に調整するためのレ
ーザートリミングとしても使われてきた。ところが、ウ
ェハ上のチップ内の配線を修正する場合は、ウェハ上の
どの位置にある配ＭＫ対しても正確にレーザ照射するこ
とが必要で、例えばα３μｍ程一度の精度が要求される
。このため、リダンダンシイ処理を行なうレーザ加工装
置は、スポットの位置決め（アライメント）を高精度に
行なうためのアライメント光学系を有するのが普通であ
る。

このように、レーザ加工装置のスポットがチップ内の所
定位置を正確に照射するように高精度に位置決めできた
としても、ウェハ上のチップ自体がリングラフィ工程で
歪を持つと、チップ内のスポット照射位置が本来の修正
すべき部分（配置１りからずれてしまうといった重大な
欠点が生じる。

このリングラフィ工程で起こり得る歪みは一般に転写歪
みと呼ばれ、多くはチップの露光工程で使われた露光装
置固有のディストーションである。

現在、実用に供されている露光装置は光学式、Ｘ線式及
び電子（荷電子）式の３つに大別でき、光の場合、マス
クやレチクル上の回路パターンの光像をウェハ上に露光
したときの光学的なディストーション、例えば投影光学
系の収差に起因した像の歪みや、投影倍率の誤差に起因
した伸ＩＩｗＡ差が多かれ少なかれ存在する。また、Ｘ
１ｓ露光装置の場合は、現在のところ専らプロΦシミテ
゛イ方式であるため、マスクとウェハのギャップ設定の
精度ｆ？つイＩｒ＋１Ｗ七り奔バ々−ンめ廿イズ禍Ｘマ
スク上のパターンに対して微小景異なるといった歪みが
生じる。

さらに、電子ビーム露光装置においても、電子ビームを
偏向する電子レンズの収差等によって設計上のパターン
に対して描画されたパターンが歪むことがある。

さて、転写歪みの他の要因は露光装置によるものではな
く、ウェハのプロセス工程で加えられる各種処理にある
。このプロセス工程ではウェハを加熱することがあり、
ウェハ全体の伸縮が生じる。

このウェハの伸縮によって、ウェハ上のチップ配列は設
計上の値から微妙にずれてくる。このずれはウェハ上の
周辺付近のチップでよシ顕著になシ、ウェハのサイズが
大口径になればなる程そのずれ量も多くなる。ウェハの
伸縮によるチップのずれは、設計上のチップ配列に対す
るＸ方向とｙ方向とのオフセットと考えられ、チップ自
体の形状を変形させるような歪みとはなりにくい。いず
れにしろ、露光装置やプロセス工程によって生じた転写
歪みがウェハ上のチップに含まれているため、その転写
歪み量がレーザ加工装置のスポットサイズに近づくと、
修正不良をおこすといった欠点があった。

また転写歪みによる誤差を防ぐ方法として各ヒユーズ毎
に加工用レーザ・ビームを減衰させて照射し、その回折
光もしくは散乱光を検出し、ヒユーズの正確な位置を予
備的に計測する方法もある。

しかしこの方法では各ヒユーズ毎にその位置を計測しな
ければならないので、スループットが大幅に低下すると
いう別の問題が生じる。更にこの方法では減衰されてい
るとはい見、加工用レーザ・ビームをチップ内の回路の
一部分に照射するので、例えばＣＭＯＳ構造の回路パタ
ーンに重大な損傷を与える恐れがあった。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の欠点を解決し、基板上のチップに転写
歪みが含まれていても高精度に修正加工することができ
るようにしたパターン修正装置を得ることを目的とする
。

〔発明の概要〕

本発明に係るパターン修正装置は、露光装置によって転
写された回路パターンを有する基板（半導体ウェハ、マ
スク、レチクル）にエネルギービームのスポットを照射
して前記回路パターン中の一部分を修正する装置におい
て；前記スポットの基板上での照射予定位置を相対的に
２次元移動させる移動手段〔１１；符号は後述する実施
例の対応する構成部分を示す。〕と；前記回路パターン
中の修正すべき部分と前記照射予定位置とが整合したと
き、前記スポットを基板に照射するエネルギービーム発
生源〔１５〕と；前記回路パターンの設計上のパターン
に対する転写歪みに応じた情報を入力して記憶する手段
〔５７〕と；該転写歪み情報に基づいて前記修正すべき
部分の設計上の位置からのずれ量を検出し、その量だけ
前記照射予定位置を補正する補正手段（１１，５１，５
２，５３，５６）と；を備えている。従って、基板上の
回路パターンに転写歪みが含まれていても、補正手段に
よシスポットの基板上での照射位置が前記ずれ量に応じ
て補正され、所望位置での修正加工が表される。

〔実施例〕

次に１本発明の実施例を図面に基づいて説明する０第１
図は本発明の一実施例に係る装置の主要部を示す構成図
で、第２図は前記装置のうちレーザ加工装置の部分を抽
出した斜視図である。第２図の斜視図には本来第１図に
示した構成も含まれるべきであるが、説明の都合上図示
を省略しであるＯ 第２図のレーザ加工装置において、αυはＸ−Ｙステー
ジで、図示していないが、その上にはウェハ（１３をチ
ャックして微小貴回転するθステージが設けられている
。ａ埠は加工用のパルスレーザ発゛振器で、Ｎｄ−ＹＡ
Ｇレーザ等を発振する。（１４）　、　ＱＳはミラー、
（ＩＩは可変開口（１６ａ）をもつアパーチャプレート
で、複数のブレードで可変開口（１６ａ）のサイズを可
変できるように構成されている。αηは投影レンズで、
開口（１６ａ）のレーザによる投影像（数μｍ角以下の
＊きさ）（１６ｂ）をウエノ１αａ上に結像する。ａＦ
ｊＦｉアライメント用レーザ光レーザ光源９．（２１１
゜（２２）　、　　（２４）はハーフミラ−である。（
２１）はＸ方向のアライメント顕微鏡、（２３）はθ方
向のアライメント顕微鏡、（２５）はＹ方向のアライメ
ン）Ｉｌｆｌ鏡である。（２６）はフイデュジヤルマー
クで、後述するウェハ（１３上のアライメント・マーク
と同一形状のパターンで構成されている。（２７）。

（２８）　、　（２９）は前記のアライメント顕微鏡（
２１）。

（２３）　、　（２５）の光電検出部で、光電顕微鏡と
同等の構成から成っている。（３０）　、　（３１）は
Ｘ方向、Ｘ方向のステージ位置計測用のレーザ光波干渉
測長器である。

加工用レーザビームは、その発振器ａ３から出てミラー
０４　、　（ＩＧで度射し、アパーチャプレー）（１１
１Ｇの可変開口（１６ａ）を介して投影レンズαηで集
光され、ウェハＱ３上に矩形状に結像して修正加工を行
なう。

Ｘ＠Ｙステージαυは被加工物であるウェハα１１置し
て、駆動装置（図示せず）により、Ｘ方向及びＸ方向に
移動するが、その位置はレーザ光波干渉測長ＩＩ（３０
）　、　（３１）により計測されて制御される。

加工用ビームによる修正加工に当たっては、投影レンズ
ａ？）、アライメント顕微鏡（２１）　、　（２３）。

（２５）及びＸ＠Ｙステージ←υの相対位置を把握する
必要がある。

第６図はこれらの相対位置を示したもので、図において
ＸＣはアライメント顕微鏡（２１）の検出中心（スポッ
ト光）、ＹＣはアライメン）　顕微鏡（２５）の検出中
心（スポット光）、０Ｃはアライメント顕微鏡（２６）
の検出中心（スポット光）である。Ｙｃ、θＣはスポッ
ト光のＹ方向の微小振動中心となＣ１ＸＣはスポット光
のＸ方向の微小振動中心となる。そして、それぞれの間
隔は図示のようＫＹｄ、Ｘｄ、ＬＢである。

Ｘ・Ｙステージαυ上には７ユデユーシヤル（基準）マ
ーク（２６）が設けられているが、これは第４図に示す
構成からなっている。すなわち、アユデューシャルマー
ク（２６）はＸ方向及びＹ方向にそれぞれ距＠Ａｘ、Ｌ
ｙＣＬｏ）にわたってセグメントが直線上に配列された
回折格子からなるマーク（２６ｘ）　、　（２６ｙ）か
ら構成されている。この７ユデユーシヤルマーク（２６
）は主として第３図に示したＹｄ、Ｘｄを計測するため
に使われる。つまり、アライメント用し−ザ発振ｎａ締
から出力されたレーザビームをハーフミラ−（１１、（
２１，（２２）　、　（２４）により３方向に分け、ア
ライメント顕微鏡（２１）。

（２３）　、　（２５）　Ｋ　、ｔ　！７、Ｘ　Ｙ　ｘ
　ｙｒ　−シＱυｔ−動カＬテフユデューシャルマーク
Ｃ２６）　ｔ−照射Ｌ、ｕ−ｒ−りから発生する回折光
を光電検出器（２７）　、　（２８）。

（２９）で検出してそのアライメント顕微鏡の相対間隔
を知ることができる。なお、第４図において、ＳＰｘは
アライメント顕微鏡（２１）のスポット（Ｘｃ）と７ユ
デユーシヤルマーク（２６）との関係を図示している。

このマーク（２６）は上記の他にスポット光ＯｃとＹｃ
のＸ軸との平行度計測にも用いられるＯ 次に、ウェハαりと各アライメント顕微鏡（２１）。

（２３）　、　（２５）の相対位置も把握する必要があ
るが、それ線法のようＫなされる。

ウェハａｌｌ、Ｘ＠Ｙステージａ１）上に載置され、そ
れは第５ｖ！ＪＫ示すような平面図となっている。すな
わち、ウニへ上のほぼ中央列の左右のチップＣＰＬ　、
　ＣＰｒ　ＫＣｌ随したマークＧＭｙ　、　ＱＭθが間
隔ＬＢになっていて（アライメント顕微鏡（２３）　。

（２５）の間隔と同一）、アライメント顕微鏡（２５）
。

（２５）　Ｋより同時に検出され、ウェハ（１３０回転
誤差を検出する。その後θステージで位置調整する。

この検出でウェハα邊のＹ方向の位置合せも行われる。

また、Ｙ軸に近いチップＣＰｘ　Ｋ付随したマークＧＭ
ｘをアライメント顕微鏡（２１）で検出して、ウェハａ
２のＸ方向の位置合わせを行なう。すなわち、ウェハ（
１３上の配列座欅とＸ＠Ｙステ、−ジｔｔａのＸ＠Ｙ移
動座標との対応付けがなされる。なお、とのウェハａり
はステップ＆リピート方式の露光装置で転写されたため
、各チップ毎にマークＭｘ。

Ｍ）ｌ　、　Ｍθがある。

以上のようにして、投影レンズ鰭、アライメント顕微鏡
（２１）　、　（２３）　、　（２５）　、Ｘ　−Ｙス
テージα０及びウェハαりの相対位置が把握されるから
、修正加工すべきチップの座標に応じてＸ−Ｙステージ
引）を移動させることにより、投影レンズαηを加工す
べきチップ上に導くことができる。なお、投影レンズ顛
の位置は、例えば加工用レーザビームの強度を減衰器（
図示せず）を利用して小さくして７ユデユーシヤルマー
ク又はウェハ上のマークに照射し、その散乱光を検出す
るか、あるいはアパーチャプレートαｅの可変開口（１
６ａ）を別光源で照明し、その反射光を検出するなどの
方法で測定される。

次に、転写歪み等による位置の誤差を補正する方法を第
１図の装置に戻って説明する。同図において、（５０）
はハーフミラ−で、（５１）は位置検出用のレーザ発振
器（例えばＨｅ　−Ｎｅレーザ）である。レーザ発振器
（５１）からのレーザ光は、八−７ミラー（５０）で反
射された後、加工用パルスレーザ発振器側からのレーザ
光と共に投影レンズ住ηに入射され、集光されてウェハ
ａ湯を照射する。

ウニへα邊上のパターン、例えば口凸の段差エツジに照
射されると光は散乱する。（５２）　、　（５２）はそ
の散乱光Ｄａ　、　Ｄｂを検出する検出器である。（５
５）は増幅器、Ａ／Ｄ変換器等で構成された検出回路で
、検出器（５２）　、　（５２）の光電信号が入力し、
前記エツジの位置の中央部を検出する。この検出原理は
、特開昭５９−１８７２０８号公報に開示されたものと
同様である。（５４）はトリガー回路で、加工用パルス
レーザ発振１Ｍ（１３にトリガー信号を与えてレーザ光
を出力させる。（５５）はＸ−Ｙステージａυを駆動す
る駆動回路である。（５６）は計算機で、（５７）はデ
スクである。デスク（５７）　Ｋは予めパターン転写装
置のデストーションＱデータが格納されている。

次に１第１図の装置の動作を第６図のフローチャートに
基づいて説明する。

まず、ウェハαａｔ−ｘ＠ｙステージａυ上に設けられ
九〇ステージ（図示せず）上に載置し、ウェハローデン
グを行なう（ステップ１００）。そして、グローバル・
アライメントを行なう（ステップ１０１）。このアライ
メントは、アライメント顕微鏡（２３）　、　（２４）
　Ｋよルウエへ上のマークＧＭｙ　。

ＧＭθ（第５図参照）を検出し、ウェハａりの回転誤差
を求め、それに基づいて０ステージを回転させて位置調
整を行なうと同時にマークＧＭｙのｙ座標を計測する。

！また、アライメント顕微鏡（２１）　Ｋよりウェハ上
のマークＧＭｘのＸｇｌ欅を検出して、これらの検出動
作によシＸ方向とＹ方向の各アライメントを行ない、そ
れに基づいて駆動回路（５５）を作動させてＸ＠Ｙステ
ージ（１１）の位置調整を行なう。このとき、Ｘ＠Ｙス
テージαυの位置はレーザ干渉測長器（３０）　、　（
３１）によって測定される。

次にウェハＱ３の伸縮計測を行なう（ステップ１０２）
。この計測は、第５図に示すウェハ＠上のＸ方向とＹ方
向とで、それぞれ適当な２ケ所のマークＭｘ　−Ｍｘ　
、　Ｍｙ　−Ｍｙの間隔をアライメント顕微鏡（２１）
　、　（２３）によシ検出し、これを設計値と比較して
ウェハ全体の伸縮（ｒｎｎ　ｏｕｔ　　）を求める。こ
の値にはウェハ露光装置のスケ−りング誤差計測も含ま
れる。スケ−りング談差とはレーザ干渉計の測長誤差の
ことである。この後、チップの倍率を後述する方法で求
める（ステップ１０３）。

ところで、ステップ＆リピート方式の露光装置例えば縮
小投影露光装置の１シ目ツトのイメージフィールド内に
おけるディストーションは第７図に示されるとおシで、
同図においては１シヨツト内をマトリックス状に分割し
、各交点での歪みぺ１　クトルを矢印で表わしである。

今、一番左上隅の領域に注目すると点Ｐ、　、　Ｐ、　
、　Ｐ３．　Ｐ４における歪ミヘｐ　）ルｄＶＰ、、　
ＶＰ２．　ＶＰ、、　ＶＰ４とナル。

従って、設計上点Ｐ、にあるべき物点はｖＰ、たけ誤差
をもって転写される。また、点Ｐ１〜Ｐ４の中心ｐ　Ｃ
ＫおけるベクトルはＶＰ、〜ｖＰ４の平均として近似で
き、ＶＰｃとなる。すなわち、設計上点Ｐｃ近傍の物点
は点Ｐｃ’に転写される。このようなディストーション
情報は第１図のディスク（５７）に予め記憶されている
。このようなレンズダイストーションと倍率の両誤差を
含んだ歪の一例を第８図に示す。第８図において、ＰＰ
は設計上のパターン形状で、ＰＦ５は実際のパターン形
状である。

また、マークＭｘ　、　Ｍｙ　、　Ｍｙは設計上の位置
で、取′。

Ｍ）ｌ’、Ｍｏ２は実際の位置である。更に、Ｘ軸及び
Ｙ軸上にそれぞれマークＸｍ　、　Ｘｎ及びＹｍ　、　
Ｙｎが転写されティ；Ｅｚ６　コｏ−ｒ−りＸｍ　、　
Ｘｎ　、　Ｙｍ　、　Ｙｎ　Ｆｉ、Ｍｘ’。

Ｍｙ’　、　Ｍｙ’　、　Ｍｏ２により内側に転写され
ている。加工位置ＡＦｉ股計上Ｘｓ　、　Ｙａの位置で
あるが、実際の転写位置Ａ′はＸａ’　、　Ｙａ’の位
置となる。

このようなディストーションと倍率の誤差を含んだ歪に
よる位置補正の良めに一、壕ずｓＸｍ、Ｘｎ間及びＹｍ
　、　Ｙｎ間の距離を測定する。仁の測２！は、レーザ
発振器（５１）からのレーザ光が例えば第９図（ａ）　
Ｋ示すようなパターンのマークＸｍ　、　Ｘｎ　、　Ｙ
ｍ。

Ｙｎ　Ｋ照射すると、＠９図（ｂ）に示すような散乱光
波形が生じ、それを検出ｉ　（５２）　、　（５２）で
検出してその波形の中心を検出回路（５３）でそれぞれ
求めた後、計算鳴（５６）で前記のマーク間隔全計算す
る。なお、前記の測定に際しては散乱光ではなく、検出
パターンの正反射光波形（第９図（Ｃ））を検出しても
よい。

仁のようＫしてマークＸｎ１．Ｘｎ聞及びＹ＋ｎ　、　
Ｙｎ間の？ｌ１ｌｌ′６１値、並びＫ　Ｘｍ　、　Ｘｎ
間及びＹｍ、Ｙｎ間の理論値からチップの転写倍率誤差
が求められる。

この転写倍率誤差は別装置で計測し例えばキーポ−ド等
の入力装置等から入力するようにしてもよい。

次に不良チップ内の修正部分（Ｆｕｓｅ　）の補正され
た座Ｓ（アドレス）を計算機（５６）によシ演算する（
ステップ１０４）。この演算に際してはまず不良チップ
内の修正部分（Ｆｕｓｅ　）の設定値（設計値）に対す
るずれ量をステップ１０３で求められた転写倍率誤差と
予め計算機に記憶されている転写歪データに基すいて演
算する。次に同様にしてグローバル・アライメント・マ
ークＧＭｘ。

ＧＭｙに関してこのマークを含むチップ中に於ける位置
の設定値に対するずれ曾を演算する。

次にチップの形状、配列に関するデータ、ステップ１０
２で求めた伸縮に関するデータ、前記ずれ量を補正した
Ｆｕｓｅアドレス及びグローバル魯アライメント・マー
クｅデータ、及び投影レンズＱ７）の中心と、アライメ
ント顕微鏡（２１）　、　（２５）との中心との距＠　
Ｘｄ　、　Ｙｄより加工箇所（Ｆｕｓｅ）の絶対アドレ
ス（補正された照射予定位置）が演算される。

次のステップ（１０５）で上記結果に基ずいてＸＹステ
ージαυを移動し、正確に位置決めされる。ステージの
移動量はレーザを使った光波干渉測長機（３０）　、　
（３１）で計測される。ステージの位置決めが終了する
と、計算機（５６）からの指令によシトリガー回路（５
４）が加工用レーザ光源α３を励起発振させ、加工個所
Ａ′に加工用レーザビームを照射して、配線パターンの
切断又はアニール等の修正を行なう（ステップ１０６）
。

そして計算機（５６）は不良チップ中の修正データに従
って全てのＦｕｓｅのレーザ加工処理が終了したか否か
を判断する（ステップ１０７）。未終了であれば次のＦ
ｕｓｅを処理する。終了すると同様にウェハの修正デー
タに従って全ての不良チップのレーザ加工処理が終了し
たか否かを判断する（ステップ１０８）。もし終了して
いなければ次の不良チップのレーザ加工処理を行う。

なお、上述の実施例では加工用レーザビームのスポット
とウェハａりとをＸ＠ＹステージαＤＫよって相対移動
させているが、チップ単位の位置決めをＸ−Ｙステージ
ａ１）ｒｔｃよって行ない、チップ内のスポット位置決
めはビームをランダムス中ヤン、ラスタースキャン（偏
向）させて行なうようにしてもよい。その場合、チップ
配列の誤差の補正はＸ＠ＹステージαＤで行ない、チッ
プ自体の歪みによるスポット位置の補正は偏向角を高精
度にモニターするセンサーからの出力に基づいて加工用
パルスレーザ発振器ａ３の励起ダイミングを補正するこ
とによって行なわれる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係る装置によ
れば、基板上の回路パターンの設計上のパターンに対す
る転写歪みに応じた情報に基づいて、修正すべき部分の
設計上の位置からのずれ量を検出して、その量だけエネ
ルギービームのスポットの照射予定位置を補正するよう
Ｋし九ので、高精度な加工個所の位置決めが可能となる
だけでなく、個々のチップの修正個所の確認を行なう必
要もなくなるので高速な修正加工ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る装置の主要部を示す構
成図、第２図は前記装置のうちレーザ加工装置の部分を
抽出した斜視図、第６図は加工用投影レンズとアライメ
ント顕微鏡の相対位置関係を示した平面説明図、第４図
は７ユデユーシヤル（基準マーク）とＸ方向のアライメ
ント顕微鏡のスポットとの関係を示した平面説明図、第
５図はウェハの拡大図、第６図は第１図及び第２図の装
置の動作を示したフローチャート、第７図はディスクに
記憶されたデストーション情報の説明図、第８図はディ
ストーションと倍率との両膜差を含んだ歪みの例を示し
た説明図、第９図はチップ上の位置検出をする検出器の
出力波形の説明図であるＯ αυ・・・Ｘ−Ｙステージ、αり・・・ウェハ、（１３
・・・加工用パルスレーザ発振器、（５６）・・・計算
機、（５７）・・・ディスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 露光装置によつて転写された回路パターンを有する基板
   にエネルギービームのスポットを照射して、前記回路パ
   ターン中の一部分を修正する装置において、 前記スポットの基板上での照射予定位置を相対的に２次
   元移動させる移動手段と；前記回路パターン中の修正す
   べき部分と前記照射予定位置とが整合したとき、前記ス
   ポットを基板に照射するエネルギービーム発生源と；前
   記回路パターンの設計上のパターンに対する転写歪みに
   応じた情報を入力して記憶する手段と；該転写歪み情報
   に基づいて前記修正すべき部分の設計上の位置からのず
   れ量を検出し、その量だけ前記照射予定位置を補正する
   補正手段と； を備えたことを特徴とするパターン修正装置。