JPS62128180A - メサ型半導体装置の製造方法 - Google Patents

メサ型半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009541979A (ja) * 2006-06-21 2009-11-26 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション デュアル・シャロー・トレンチ分離及び低いベース抵抗を有するバイポーラ・トランジスタ

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